JPH03237610A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH03237610A JPH03237610A JP3206890A JP3206890A JPH03237610A JP H03237610 A JPH03237610 A JP H03237610A JP 3206890 A JP3206890 A JP 3206890A JP 3206890 A JP3206890 A JP 3206890A JP H03237610 A JPH03237610 A JP H03237610A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、情報産業分野に応用される磁気記録媒体に関
するものである。
するものである。
従来の技術
磁気記録媒体は、現在基板上に直接記録層をメツキ法、
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法等によって形成する金属薄膜型記録媒体の開発が活発
である。前記の金属薄膜型媒体は、信号の記録再生の際
、ヘッド・シリンダ等と接触するため摩擦や磨耗を生じ
やすく走行中磨耗粉や損傷が発生する。このため円滑な
記録・再生を得るために、記録媒体の表面を潤滑処理す
る(例えば特開昭64−73530号公報)ことやある
いは記録媒体上に粗さを設ける(例えば特開昭6326
1531号公報)ことによって耐摩擦、耐磨耗性の改良
を行うことなどが提案されている。しかしながらこれら
の方法は、走行性や損傷を確かに改善しているものの、
やがては潤滑膜が剥離したりあるいは記録層表面の粗さ
が最適化されにくく走行が不安定であったりして記録層
表面を損傷することが多くなお不十分な点を有している
。
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法等によって形成する金属薄膜型記録媒体の開発が活発
である。前記の金属薄膜型媒体は、信号の記録再生の際
、ヘッド・シリンダ等と接触するため摩擦や磨耗を生じ
やすく走行中磨耗粉や損傷が発生する。このため円滑な
記録・再生を得るために、記録媒体の表面を潤滑処理す
る(例えば特開昭64−73530号公報)ことやある
いは記録媒体上に粗さを設ける(例えば特開昭6326
1531号公報)ことによって耐摩擦、耐磨耗性の改良
を行うことなどが提案されている。しかしながらこれら
の方法は、走行性や損傷を確かに改善しているものの、
やがては潤滑膜が剥離したりあるいは記録層表面の粗さ
が最適化されにくく走行が不安定であったりして記録層
表面を損傷することが多くなお不十分な点を有している
。
発明が解決しようとする課題
本発明は、走行性にすぐれかつ記録特性の高い磁気記録
媒体を提供することを目的としている。
媒体を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
走行性を改善する本発明では非磁性基板上を、粉体、樹
脂および添加剤を含有した溶液で処理または処理層を形
成したのち、高温の基板温度で磁性層を形成する。
脂および添加剤を含有した溶液で処理または処理層を形
成したのち、高温の基板温度で磁性層を形成する。
作用
前記粉体、樹脂および添加剤を含む溶液で非磁性基板が
処理されることによって、磁性層表面が適宜な粗さを有
することになり走行性が改良されるばかりか、添加剤の
含有により磁性層の形成において、高温の基板温度にお
いてもすぐれた成膜性が確保される。
処理されることによって、磁性層表面が適宜な粗さを有
することになり走行性が改良されるばかりか、添加剤の
含有により磁性層の形成において、高温の基板温度にお
いてもすぐれた成膜性が確保される。
実施例
第1図は、本発明の一実施例である記録媒体の断面図で
ある。図においてlは非磁性基板、2は粉体、樹脂、添
加剤を含有した溶液で形成した処理面または処理層、3
は記録層である。
ある。図においてlは非磁性基板、2は粉体、樹脂、添
加剤を含有した溶液で形成した処理面または処理層、3
は記録層である。
本発明の磁気記録媒体に使用し得る非磁性基板lとして
は、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチ
レンテレフタタレート、ポリ酢酸セルロース、およびポ
リ塩化ビニル等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス
、磁気等のセラごツク材料等周知の材料からなるフィル
ム、板等がある。
は、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチ
レンテレフタタレート、ポリ酢酸セルロース、およびポ
リ塩化ビニル等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス
、磁気等のセラごツク材料等周知の材料からなるフィル
ム、板等がある。
また記録層2を形成する磁性材料としては、Fe、Co
、Niから選ばれる少なくとも1種以上の金属、または
これらとMn、Cr、Ti、P。
、Niから選ばれる少なくとも1種以上の金属、または
これらとMn、Cr、Ti、P。
Y、Sm、B i等またはこれらの酸化物を組み合わせ
た合金があり、中でもCo5Cr、Niから選ばれる少
なくとも2種以上の元素で構成される記録層は高い磁気
異方性を有していることや耐食性などで好ましい。そし
てこれらは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法、メツキ法等の方法で形成させることがで
きる。なお本発明に述べる記録層3は当然前記の組成に
限定されないことは言うまでもない。
た合金があり、中でもCo5Cr、Niから選ばれる少
なくとも2種以上の元素で構成される記録層は高い磁気
異方性を有していることや耐食性などで好ましい。そし
てこれらは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法、メツキ法等の方法で形成させることがで
きる。なお本発明に述べる記録層3は当然前記の組成に
限定されないことは言うまでもない。
そして本発明に述べる非磁性基板上の処理面または処理
層2を形成する溶液は以下に示す化合物から構成される
。
層2を形成する溶液は以下に示す化合物から構成される
。
粉体は、A 1 s Cu % Cr 、M n %
F e s M g sSt、Tiなどの金属、または
これらの酸化物、水酸化物、または金属アルコレート、
ハロゲン化金属の加水分解物、ボリアごド、ポリイミド
、ポリウレタン、エポキシ等のポリマー粒子である。
F e s M g sSt、Tiなどの金属、または
これらの酸化物、水酸化物、または金属アルコレート、
ハロゲン化金属の加水分解物、ボリアごド、ポリイミド
、ポリウレタン、エポキシ等のポリマー粒子である。
樹脂組成は、ポリエステル、エポキシ、エポキシアクリ
レート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドのポリ
マーがある。
レート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドのポリ
マーがある。
そして添加剤に用いるフォスファイト化合物は下記一般
式で示される。
式で示される。
P (OR) 3
(Rは飽和または不飽和のアルキル基、アリル基、アル
キルアリル基、アルキレンフェニル基、アルカレンフェ
ニル基)。たとえばジメチル、トリメチル、ジエチル、
トリエチル、ジイソプロピル、トリイソプロピル、ジ−
n−ブチル、トリーn−ブチル、トリー(2−エチルヘ
キシル)、ジイソオクチル、トリイソオクチル、トリイ
ソデシル、トリデシル、ジドデシル、ジラウリル、トリ
ラウリル、トリス(トリデシル)、ジオレイル、トリオ
レイル、ジオクタデシル、トリオクタデシル、フエニル
ジイソオクチル、ジフェニルイソオクチル、フエニルジ
イソデシル、ジフェニルイソデシル、ジフェニルモノデ
シル、ジフェニルモノ(トリデシル) ポリ(ジイソプ
ロピレングリコール)フェニル、ジフェニル、トリフェ
ニル、トリクレジル、ジフェニルノニルフェニル、トリ
スノニルフェニルなどのフォスファイト化合物があり、
これらは可溶性性、入手の容易さ、耐熱効果の点におい
て用いることができ、本発明は当然前記化合物に限定さ
れることはない。
キルアリル基、アルキレンフェニル基、アルカレンフェ
ニル基)。たとえばジメチル、トリメチル、ジエチル、
トリエチル、ジイソプロピル、トリイソプロピル、ジ−
n−ブチル、トリーn−ブチル、トリー(2−エチルヘ
キシル)、ジイソオクチル、トリイソオクチル、トリイ
ソデシル、トリデシル、ジドデシル、ジラウリル、トリ
ラウリル、トリス(トリデシル)、ジオレイル、トリオ
レイル、ジオクタデシル、トリオクタデシル、フエニル
ジイソオクチル、ジフェニルイソオクチル、フエニルジ
イソデシル、ジフェニルイソデシル、ジフェニルモノデ
シル、ジフェニルモノ(トリデシル) ポリ(ジイソプ
ロピレングリコール)フェニル、ジフェニル、トリフェ
ニル、トリクレジル、ジフェニルノニルフェニル、トリ
スノニルフェニルなどのフォスファイト化合物があり、
これらは可溶性性、入手の容易さ、耐熱効果の点におい
て用いることができ、本発明は当然前記化合物に限定さ
れることはない。
以上述べたように、非磁性基板上を前記の粉体、樹脂、
添加剤含有の溶液で処理し、さらに高温の基板面温度で
磁性層を蒸着形成すると走行性の改良された記録特性に
すぐれた磁気記録媒体が得られる。
添加剤含有の溶液で処理し、さらに高温の基板面温度で
磁性層を蒸着形成すると走行性の改良された記録特性に
すぐれた磁気記録媒体が得られる。
以下、実施例を詳述する。
実施例1
A−
厚み10umのポリイミドフィルム(輻150m++)
を第1表に示す組tc(重量部比)の溶液で塗布し乾燥
させた。シリカ含有溶液は粒子径0.01μm以下のシ
リカ粒子をMEKに10−t%分散させた液を、またポ
リエステル溶液は、東洋紡# 200 (30w t%
)を用いた。フォスファイト化合物の溶液はトリオクタ
デシルフォスファイトを100%の濃度でメチルエチル
ケトンに溶解させた溶液を用いた。
を第1表に示す組tc(重量部比)の溶液で塗布し乾燥
させた。シリカ含有溶液は粒子径0.01μm以下のシ
リカ粒子をMEKに10−t%分散させた液を、またポ
リエステル溶液は、東洋紡# 200 (30w t%
)を用いた。フォスファイト化合物の溶液はトリオクタ
デシルフォスファイトを100%の濃度でメチルエチル
ケトンに溶解させた溶液を用いた。
第2表に示す条件でCoCr (元素比80 : 20
%)を連続蒸着法により厚み1500人に底膜し、サン
プルNalとした。未処理の試料(サンプル弘2)と走
行試験を行い耐磨耗性能の比較と磁性層表面の観察を行
った。
%)を連続蒸着法により厚み1500人に底膜し、サン
プルNalとした。未処理の試料(サンプル弘2)と走
行試験を行い耐磨耗性能の比較と磁性層表面の観察を行
った。
第1表
第2表
これらの試料で走行試験を行い、μにの初期と50pa
ss後の摩擦性能、および媒体表面の観察を行った。な
お摩擦子はl0XIO(SUJ 2L荷重10gf、
走行速度1.0m+l/sの条件に設定した。
ss後の摩擦性能、および媒体表面の観察を行った。な
お摩擦子はl0XIO(SUJ 2L荷重10gf、
走行速度1.0m+l/sの条件に設定した。
未処理のサンプル弘2は初期からμにが0.4と太きく
50pass後においてもμにが0.6〜0.7と上
昇し表面の観察においても傷が著しく生じていた。
50pass後においてもμにが0.6〜0.7と上
昇し表面の観察においても傷が著しく生じていた。
これに対し、サンプル阻1は、μにが0.23程度で5
0passまで安定して走行しており傷の発生もほとん
ど見られなかった。
0passまで安定して走行しており傷の発生もほとん
ど見られなかった。
このことから本実施例に示すように、基板を上記組成の
溶液で処理した後蒸着して得た媒体は、走行性が著しく
改善されており、耐磨耗性のよい磁性記録媒体であるこ
とがわかった。
溶液で処理した後蒸着して得た媒体は、走行性が著しく
改善されており、耐磨耗性のよい磁性記録媒体であるこ
とがわかった。
実施例2
次にフォスファイト化合物のRを第3表に示す物質(サ
ンプルNa3〜6)に換え試料を作製した。
ンプルNa3〜6)に換え試料を作製した。
添加剤の濃度は()内に示す。なお粉体、樹脂、溶媒お
よび磁性層の作製条件は実施例1と同様である。
よび磁性層の作製条件は実施例1と同様である。
これらを摩擦試験機によって耐磨耗性を調べ、200p
assまでのμにと表面観察を行った。その結果を第3
表に示す。
assまでのμにと表面観察を行った。その結果を第3
表に示す。
なお摩擦子は実施例1と同様し、走行速度は5■/se
c、走行距離は30■、荷重20gfとし、試料形状は
8mX50閣である。
c、走行距離は30■、荷重20gfとし、試料形状は
8mX50閣である。
第3表
ト化合物で処理すると、μにが小さくて走行性のよいか
つ媒体面上に傷の少ない耐摩擦性にすぐれた磁気記録媒
体が作製できることがわかった。さらにこの効果はアル
キル、アルキルアリル、アリルなとあらゆるフォスファ
イト化合物で有効であることが確認された。
つ媒体面上に傷の少ない耐摩擦性にすぐれた磁気記録媒
体が作製できることがわかった。さらにこの効果はアル
キル、アルキルアリル、アリルなとあらゆるフォスファ
イト化合物で有効であることが確認された。
実施例3
第4表に示すフォスファイト化合物を用い、厚み200
人で基板温度、磁性層の組成(Co/C。
人で基板温度、磁性層の組成(Co/C。
+Cr) at−%)等をかえて磁性記録媒体(サン
プル阻7〜16)を作製した。この時フォスファイト化
合物の添加濃度は樹脂に対し0.1evt%加え、粉体
、樹脂は実施例1と同様とした。
プル阻7〜16)を作製した。この時フォスファイト化
合物の添加濃度は樹脂に対し0.1evt%加え、粉体
、樹脂は実施例1と同様とした。
以下余白
以上のように非磁性基板上を上記のフォスファイ第4表
以上の構成により作製した試料の磁性層表面の観察およ
び表面粗さ(Ra)を測定した(東京精密■製タリサー
フ500A)。
び表面粗さ(Ra)を測定した(東京精密■製タリサー
フ500A)。
これらの試料はどれも表面が光沢を有するピンホール等
が見られない均一な磁気記録層を形成してぃた。そして
Raは未処理のものが0.003μm程度の表面粗さで
あるのに対し、上記の構成で作製した磁性層の表面粗さ
は0.007〜0.015μmの範囲でよく制御された
均質な表面性を示し、そのために走行性が改良された磁
気記録媒体となっている。
が見られない均一な磁気記録層を形成してぃた。そして
Raは未処理のものが0.003μm程度の表面粗さで
あるのに対し、上記の構成で作製した磁性層の表面粗さ
は0.007〜0.015μmの範囲でよく制御された
均質な表面性を示し、そのために走行性が改良された磁
気記録媒体となっている。
以上のように粉体、樹脂、添加剤を混合した溶液で処理
した上に槽底される蒸着膜媒体は、基板温度が非常に高
温であっても、均質でしかも好ましい粗度の表面に仕上
げることができるために走行性の優れた磁気記録媒体が
得られる。
した上に槽底される蒸着膜媒体は、基板温度が非常に高
温であっても、均質でしかも好ましい粗度の表面に仕上
げることができるために走行性の優れた磁気記録媒体が
得られる。
発明の効果
本発明によると、非磁性基板上を粉体、樹脂、添加剤の
含有した溶液で処理または処理層を形成すると、走行性
が改良されたかつ記録特性にすぐれた磁気記録媒体を提
供できる。
含有した溶液で処理または処理層を形成すると、走行性
が改良されたかつ記録特性にすぐれた磁気記録媒体を提
供できる。
第1図は本発明の一実施例における磁気記録媒体の断面
である。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・処理層、3
・・・・・・磁性層。
である。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・処理層、3
・・・・・・磁性層。
Claims (3)
- (1)非磁性基板上を粉体、樹脂、添加剤を含有した混
合溶液で処理、または処理層を形成し、その後高温の基
板温度で磁性層を蒸着して作製することを特徴とする磁
気記録媒体。 - (2)添加剤が、下記一般式で示されるフォスファイト
化合物であることを特徴とする請求項(1)記載の磁気
記録媒体。 P(OR)_3 (ただし、Rは飽和または不飽和のアルキル基、アリル
基、アルキルアリル基、アルキレンフェニル基、アルカ
レンフェニル基) - (3)磁性層または磁性層の表面を酸化処理することを
特徴とする請求項(1)記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3206890A JPH03237610A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3206890A JPH03237610A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03237610A true JPH03237610A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12348561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3206890A Pending JPH03237610A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03237610A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7486549B2 (en) | 2002-06-04 | 2009-02-03 | Renesas Technology Corp. | Thin film magnetic memory device having redundant configuration |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP3206890A patent/JPH03237610A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7486549B2 (en) | 2002-06-04 | 2009-02-03 | Renesas Technology Corp. | Thin film magnetic memory device having redundant configuration |
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