JPH03236200A - シンクロトロン放射光装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光装置Info
- Publication number
- JPH03236200A JPH03236200A JP3306090A JP3306090A JPH03236200A JP H03236200 A JPH03236200 A JP H03236200A JP 3306090 A JP3306090 A JP 3306090A JP 3306090 A JP3306090 A JP 3306090A JP H03236200 A JPH03236200 A JP H03236200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- orbit
- electrons
- magnet
- synchrotron radiation
- equilibrium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title abstract description 18
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高輝度放射光発生装置としての電子蓄積リング
に係り、特に半導体リソグラフィに好適な垂直方向照射
野拡大装置に関する。
に係り、特に半導体リソグラフィに好適な垂直方向照射
野拡大装置に関する。
[従来の技術]
超々LSI′!R造過程では、サブミクロン級の微細な
回路パターン′を転写するために、10人前後の短波長
をもち、強力で平行性に富んだX線源が要求されている
。電子蓄積リングからのシンクロトロン放射光は、その
ための有望なX線源として注目されている。
回路パターン′を転写するために、10人前後の短波長
をもち、強力で平行性に富んだX線源が要求されている
。電子蓄積リングからのシンクロトロン放射光は、その
ための有望なX線源として注目されている。
第9図には、電子¥S積リングを用いたごく一般的なシ
ンクロトロン放射光発生装置を示す、電子蓄積リングは
、電子ビームを偏向させる偏向磁石1、ビーム軌道を水
平及び垂直方向に収束させる機能をもつ四極磁石21,
22、周回電子の放射光損失を補うための高周波加速空
胴3等により構成されている。半導体は露光装置4の中
で、リングからの放射光20により露光される。
ンクロトロン放射光発生装置を示す、電子蓄積リングは
、電子ビームを偏向させる偏向磁石1、ビーム軌道を水
平及び垂直方向に収束させる機能をもつ四極磁石21,
22、周回電子の放射光損失を補うための高周波加速空
胴3等により構成されている。半導体は露光装置4の中
で、リングからの放射光20により露光される。
放射光20の放射特性を第10図に示す0周回電子の閉
軌道11の偏向部から放射光2oが放射される。この場
合、偏向部のある一点90に着目すると、細長い円錐状
の放射光81が、その点90から軌道面に平行に放射さ
れる。従って、偏向部の2点91.92の間から放射さ
れる放射光20は、前記の円錐状の放射光81を軌道面
に平行かつ扇状に広げた放射形状をもつ。このため。
軌道11の偏向部から放射光2oが放射される。この場
合、偏向部のある一点90に着目すると、細長い円錐状
の放射光81が、その点90から軌道面に平行に放射さ
れる。従って、偏向部の2点91.92の間から放射さ
れる放射光20は、前記の円錐状の放射光81を軌道面
に平行かつ扇状に広げた放射形状をもつ。このため。
第9図の露光装置4に入ってくる放射光20は、水平方
向の照射野が広いのに対し、垂直方向の照射野が狭いと
いう特徴をもつ、放射光20の垂直方向の広がり角0は
1/γ[rad]程度である。ここにγは電子の静止質
量に対する周回電子の相討論的質量の比を表わす、半導
体リソグラフィに使われる放射光用の電子蓄積リングで
は通常γ2101でOz 1 [mrad]となる。こ
のため1.放射光のビームラインの長さを10[mlに
とっても、垂直方向の照射野は約10[mu]にしかな
らず、また放射光強度も一様ではない、半導体リソグラ
フィでは、30〜50III11程度の垂直方向の照射
野が必要とされるため、垂直方向の照射野を拡大するこ
とが必要となる。
向の照射野が広いのに対し、垂直方向の照射野が狭いと
いう特徴をもつ、放射光20の垂直方向の広がり角0は
1/γ[rad]程度である。ここにγは電子の静止質
量に対する周回電子の相討論的質量の比を表わす、半導
体リソグラフィに使われる放射光用の電子蓄積リングで
は通常γ2101でOz 1 [mrad]となる。こ
のため1.放射光のビームラインの長さを10[mlに
とっても、垂直方向の照射野は約10[mu]にしかな
らず、また放射光強度も一様ではない、半導体リソグラ
フィでは、30〜50III11程度の垂直方向の照射
野が必要とされるため、垂直方向の照射野を拡大するこ
とが必要となる。
そこで、垂直方向の照射野を拡大する有力な方法として
、電子軌道揺動法がある。これは、公開特許公報(特開
昭62−130300)に詳述されている。
、電子軌道揺動法がある。これは、公開特許公報(特開
昭62−130300)に詳述されている。
この方法では、別途設けた垂直方向偏向磁石を交流運転
することにより、周回電子を基準電子軌道垂直方向に波
動運転させ、その波動の節近くで放射光を取り出す、こ
の様子を第11図に示す、電子軌道70は、節73を形
成しながら、軌道71゜72の間を振動する。これに伴
い、節73付近から取り出された放射光60も、放射光
61.G2の間を振動する。これにより、実効的に垂直
方向の照射野を拡大することができる。
することにより、周回電子を基準電子軌道垂直方向に波
動運転させ、その波動の節近くで放射光を取り出す、こ
の様子を第11図に示す、電子軌道70は、節73を形
成しながら、軌道71゜72の間を振動する。これに伴
い、節73付近から取り出された放射光60も、放射光
61.G2の間を振動する。これにより、実効的に垂直
方向の照射野を拡大することができる。
[発明が解決しようとする課題]
上記従来技術では1周回電子軌道に対する垂直方向の波
動運動における節あるいはその近くで放射光を取り出す
ために、放射光が本来もつ平行性が低下するという問題
があった。
動運動における節あるいはその近くで放射光を取り出す
ために、放射光が本来もつ平行性が低下するという問題
があった。
本発明の目的は、放射光が本来もつ質の高い平行性を保
持しながら、垂直方向の照射野を拡大することにある。
持しながら、垂直方向の照射野を拡大することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的は1周回電子軌道を軌道面に対して垂直方向に
偏向させる複数の垂直方向偏向磁石を。
偏向させる複数の垂直方向偏向磁石を。
蓄積リングの構造的−周期当り一個ずつ設置し。
その励磁量を周期的に変え、水平方向偏向磁石部におい
て、元の平衡軌道に対してほぼ平行になるように平衡軌
道を元の平衡軌道面に対して垂直方向に振らせることに
より達成される。
て、元の平衡軌道に対してほぼ平行になるように平衡軌
道を元の平衡軌道面に対して垂直方向に振らせることに
より達成される。
あるいは、蓄積リングの構造的−周期当りに複数個ずつ
設置した垂直方向偏向磁石の励磁量を周期的に変えて、
平衡軌道を元の平衡軌道のまわりに波動状に蛇行させ、
且つ水平方向偏向磁石部に該波動の節ではなく腹をもっ
てくることによっても達成される。
設置した垂直方向偏向磁石の励磁量を周期的に変えて、
平衡軌道を元の平衡軌道のまわりに波動状に蛇行させ、
且つ水平方向偏向磁石部に該波動の節ではなく腹をもっ
てくることによっても達成される。
あるいは更に、蓄積リングの高周波加速空胴における高
周波周波数をシンクロトロン周波数よりも低い周波数で
時間的に変えることによって上記目的を達成することが
できる。
周波周波数をシンクロトロン周波数よりも低い周波数で
時間的に変えることによって上記目的を達成することが
できる。
[作 用]
第2図を用いて本発明の基本原理を説明する。
第2図には1周期的構造をもつ電子蓄積リングの枯造的
−周期における磁石配置と電子の閉軌道の垂直方向変位
を示す、水平面内で偏向させる水平方向偏向磁石1、単
一あるいは複数の四極磁石21.22、及び真空ダクト
10等で構成した従来形の一般的な電子?!J積リシリ
ングいて、電子軌道を垂直面内で偏向させる垂直方向偏
向磁石5を設置する。
−周期における磁石配置と電子の閉軌道の垂直方向変位
を示す、水平面内で偏向させる水平方向偏向磁石1、単
一あるいは複数の四極磁石21.22、及び真空ダクト
10等で構成した従来形の一般的な電子?!J積リシリ
ングいて、電子軌道を垂直面内で偏向させる垂直方向偏
向磁石5を設置する。
ここで、垂直方向偏向磁石5の水平方向の磁場によって
、電子の平衡軌道は、垂直方向に摂動を受ける。この摂
動の影響は平衡軌道全体に及ぶ。
、電子の平衡軌道は、垂直方向に摂動を受ける。この摂
動の影響は平衡軌道全体に及ぶ。
このため、電子軌道は四極磁石21.22の各々の中心
部から垂直方向にずれる。このため、電子は、四極磁石
21.22においても、(磁場勾配)×(垂直方向のず
れ)程度の水平方向の磁場を感じることになる。電子の
平衡軌道は、垂直方向偏向磁石5や四極磁石21,22
等のすべての水平方向の磁場を考慮して、全体がセルフ
コンシステントになるように決定される。この結果、電
子の平衡軌道11は垂直方向に移動し、新たな平衡軌道
12を形成する。このとき、水平方向偏向磁石1内では
、この新たな平衡軌道12の勾配はゆるやかであり、も
との平衡軌道11とほぼ平行である。このため、偏向磁
石1内から取り出されるシンクロトロン放射光は1元の
平衡軌道に対してほぼ平行に放射される。
部から垂直方向にずれる。このため、電子は、四極磁石
21.22においても、(磁場勾配)×(垂直方向のず
れ)程度の水平方向の磁場を感じることになる。電子の
平衡軌道は、垂直方向偏向磁石5や四極磁石21,22
等のすべての水平方向の磁場を考慮して、全体がセルフ
コンシステントになるように決定される。この結果、電
子の平衡軌道11は垂直方向に移動し、新たな平衡軌道
12を形成する。このとき、水平方向偏向磁石1内では
、この新たな平衡軌道12の勾配はゆるやかであり、も
との平衡軌道11とほぼ平行である。このため、偏向磁
石1内から取り出されるシンクロトロン放射光は1元の
平衡軌道に対してほぼ平行に放射される。
この新たな平衡軌道12を上下に振動させれば。
シンクロトロン放射光の発生源が上下に移動することに
なり、またこのときの平衡軌道12の平行性はほぼ保た
れているので、シンクロトロン放射光の平行性を保持し
たまま、垂直方向の照射野を拡大できる。
なり、またこのときの平衡軌道12の平行性はほぼ保た
れているので、シンクロトロン放射光の平行性を保持し
たまま、垂直方向の照射野を拡大できる。
[実 施 例]
以下、本発明の一実施例を第1ないし第3図により説明
する。
する。
第1図に示す、水平方向偏向磁石1.四極磁石21.2
2、高周波加速空胴3.真空ダクト10等でも5成され
た周期的構造を有する電子管積リングにおいて1図示の
如くも1造的−周期当りに夫々1つの垂直方向偏向磁石
5を設け、その励′m証を周期的に変化させる励磁電源
6を′8置する。
2、高周波加速空胴3.真空ダクト10等でも5成され
た周期的構造を有する電子管積リングにおいて1図示の
如くも1造的−周期当りに夫々1つの垂直方向偏向磁石
5を設け、その励′m証を周期的に変化させる励磁電源
6を′8置する。
以上の構成のもとに、電子を蓄積した状態で、垂直方向
偏向磁石5を励磁すると、電子の平衡軌道は第2図に示
したように、基準平衡軌道11がら平衡軌道12に変化
する。さらに、垂直方向偏向磁石5の励磁量を周期的に
変化させる。このとき、複数の垂直方向偏向磁石5の励
磁量を、同一あるいはほぼ同一にとっておけば、平衡軌
道は第3図の121ないし124のように変化する。こ
のとき、複数の水平方向偏向磁石1の偏向軌道部で発生
するシンクロトロン放射光の垂直方向の照射野は、水平
方向偏向磁石1の偏向軌道部での電子軌道の垂直方向の
振動幅と同程度に広げることができる。
偏向磁石5を励磁すると、電子の平衡軌道は第2図に示
したように、基準平衡軌道11がら平衡軌道12に変化
する。さらに、垂直方向偏向磁石5の励磁量を周期的に
変化させる。このとき、複数の垂直方向偏向磁石5の励
磁量を、同一あるいはほぼ同一にとっておけば、平衡軌
道は第3図の121ないし124のように変化する。こ
のとき、複数の水平方向偏向磁石1の偏向軌道部で発生
するシンクロトロン放射光の垂直方向の照射野は、水平
方向偏向磁石1の偏向軌道部での電子軌道の垂直方向の
振動幅と同程度に広げることができる。
本実施例によれば、従来の電子軌道揺動法にくらべて、
より少ない個数の垂直方向偏向磁石で、シンクロトロン
放射光の照射野を垂直方向に広げることができる。
より少ない個数の垂直方向偏向磁石で、シンクロトロン
放射光の照射野を垂直方向に広げることができる。
第二の実施例を第6図および第7図により説明する。水
平方向偏向磁石1、四極磁石21,22、高周波加速空
胴3、真空ダクト10等で構成された周期的構造を有す
る電子蓄積リングにおいて、図示の如< tM造的−周
期当り少なくとも2個の垂直方向偏向磁石51.52を
設け、これらの励磁量を周期的に変化させる励磁電源6
1.62を設置する。
平方向偏向磁石1、四極磁石21,22、高周波加速空
胴3、真空ダクト10等で構成された周期的構造を有す
る電子蓄積リングにおいて、図示の如< tM造的−周
期当り少なくとも2個の垂直方向偏向磁石51.52を
設け、これらの励磁量を周期的に変化させる励磁電源6
1.62を設置する。
以上の構成のもとに、垂直方向偏向磁石51゜52を用
いて、第7図のように基準平衡軌道11を垂直方向に歪
ませて新たな平衡軌道13を形成する。この場合、水平
方向偏向磁石1内では、基準平衡軌道11と平衡軌道1
3はほぼ平行になるように垂直方向偏向磁石51.52
の励磁量の関係を決定する。さらに、垂直方向偏向磁石
51゜52の励磁量を周期的に変化させ、平衡軌道13
を上下に振動させる。このとき、水平方向偏向磁石1内
の平衡軌道13は平衡軌道の振動の腹の部分に位置する
ことになる。したがって、平衡軌道は水平方向偏向磁石
1内で基準平衡軌道に対してほぼ平行に上下することに
なり、シンクロトロン放射光の基準平衡軌道に対する平
行性を保持したまま、垂直方向の照射野を広げることが
できる。
いて、第7図のように基準平衡軌道11を垂直方向に歪
ませて新たな平衡軌道13を形成する。この場合、水平
方向偏向磁石1内では、基準平衡軌道11と平衡軌道1
3はほぼ平行になるように垂直方向偏向磁石51.52
の励磁量の関係を決定する。さらに、垂直方向偏向磁石
51゜52の励磁量を周期的に変化させ、平衡軌道13
を上下に振動させる。このとき、水平方向偏向磁石1内
の平衡軌道13は平衡軌道の振動の腹の部分に位置する
ことになる。したがって、平衡軌道は水平方向偏向磁石
1内で基準平衡軌道に対してほぼ平行に上下することに
なり、シンクロトロン放射光の基準平衡軌道に対する平
行性を保持したまま、垂直方向の照射野を広げることが
できる。
本実施例によれば、垂直方向に企んだ平衡軌道13は、
元の基準平衡軌道11と交わり、交点14を形成する。
元の基準平衡軌道11と交わり、交点14を形成する。
交点14では平衡軌道は変位しないため、この位置に高
周波加速空胴3を配置すれば、電子ビームの安定性が高
まり、より多くの電流を蓄積できるという効果がある。
周波加速空胴3を配置すれば、電子ビームの安定性が高
まり、より多くの電流を蓄積できるという効果がある。
第三の実施例を第8図および第4図、第5図により説明
する。水平方向偏向磁石1、四極磁石21.22、高周
波加速空胴3、真空ダクト10等で構成された電子蓄積
リングにおいて、励磁量一定の垂直方向偏向磁石5を図
示の如く設置する。
する。水平方向偏向磁石1、四極磁石21.22、高周
波加速空胴3、真空ダクト10等で構成された電子蓄積
リングにおいて、励磁量一定の垂直方向偏向磁石5を図
示の如く設置する。
また、高周波加速空胴3に高周波電磁波を送りこむ高周
波増幅器31の前段に、高周波電磁波の周波数を周期的
に変化させる発振器32を設ける。
波増幅器31の前段に、高周波電磁波の周波数を周期的
に変化させる発振器32を設ける。
この場合、高周波電磁波の周波数変化の周期は、電子の
周回周期の振動、すなわちシンクロトロン振動の周期よ
りも充分長くとることが肝要であり、この場合に限り、
電子の中心エネルギーは周波数の変化に追随して変化し
、これにともなって平衡軌道も変化する。その変化のよ
うすは、第4図に示すごとく、垂直方向偏向磁石の水平
方向磁場によって歪んだ平衡軌道12を中心に、軌道1
31゜132のごとく上下に振動する。
周回周期の振動、すなわちシンクロトロン振動の周期よ
りも充分長くとることが肝要であり、この場合に限り、
電子の中心エネルギーは周波数の変化に追随して変化し
、これにともなって平衡軌道も変化する。その変化のよ
うすは、第4図に示すごとく、垂直方向偏向磁石の水平
方向磁場によって歪んだ平衡軌道12を中心に、軌道1
31゜132のごとく上下に振動する。
この動作原理は次のごとくである。すなわち、電子の平
衡軌道のリング−周あたりの長さ、つまり周長け、シン
クロトロン振動により、高周波加速周波数が決まれば一
義的に決まる。従って、高周波加速周波数を変化させる
と周長も変化することになる0周長が変化すると、平衡
軌道上の電子のエネルギーも変化する。このエネルギー
変化によって、平衡軌道は第4図のごとく上下振動する
。
衡軌道のリング−周あたりの長さ、つまり周長け、シン
クロトロン振動により、高周波加速周波数が決まれば一
義的に決まる。従って、高周波加速周波数を変化させる
と周長も変化することになる0周長が変化すると、平衡
軌道上の電子のエネルギーも変化する。このエネルギー
変化によって、平衡軌道は第4図のごとく上下振動する
。
当然のことながら、このエネルギー変化により、平衡軌
道は垂直方向ばかりでなく水平方向にもずれる。しかし
、この場合でも、第5図に示したごく、放射光の平行性
を保持しながら、垂直方向の照射野を拡大することがで
きる。
道は垂直方向ばかりでなく水平方向にもずれる。しかし
、この場合でも、第5図に示したごく、放射光の平行性
を保持しながら、垂直方向の照射野を拡大することがで
きる。
本実施例によれば、垂直方向偏向磁石5の励磁量は周期
的に変化することなく、常に一定にできるという効果が
ある。
的に変化することなく、常に一定にできるという効果が
ある。
[発明の効果]
本発明によれば、シンクロトロン放射光の水平方向の平
行性を保持したまま、垂直方向の照射野を広げることが
できるという効果がある。従来の電子軌道揺動法では平
衡軌道の波動運動の節近くで放射光を取り出すので放射
角は約1 [mrad]から5〜10 [mrad]に
大きくなるが1本発明によれば、約1 [mrad]の
放射角がほぼそのまま維持される。
行性を保持したまま、垂直方向の照射野を広げることが
できるという効果がある。従来の電子軌道揺動法では平
衡軌道の波動運動の節近くで放射光を取り出すので放射
角は約1 [mrad]から5〜10 [mrad]に
大きくなるが1本発明によれば、約1 [mrad]の
放射角がほぼそのまま維持される。
第1図ないし第3図は本発明の基本原理及び第一の実施
例を示すもので、第1図はシンクロトロン放射光発生装
置の平面構成概要図、第2図は構造的−周期の磁極配こ
とその配置方向に対する電子の平衡軌道の垂直方向変位
図、第3図は垂直方向偏向磁石を周期的に変化させた場
合の電子の垂直方向変位図、第4図及び第5図は本発明
の第三の実施例での電子の垂直方向変位図及び平衡軌道
上の電子エネルギーが変化した場合の摂動電子軌道を示
す立体図、第6図は本発明の第二の実施例の平面構成概
要図、第7図は該第二の実施例での電子軌道の垂直方向
変位図、第8図は本発明の第三の実施例の平面構成概要
図、第9図は従来の装置の一例の平面構成概要図、第1
0図は放射光の通常の放射特性を示す図、第11図は従
来の電子軌道揺動法による照射野拡大の様子を示す図で
ある。 1・・・水平方向偏向磁石 3・・・高周波加速空胴4
・・・露光装置 5.51.52・・・垂直方向偏向磁石10・・・真空
ダクト 21,22・・・四極磁石11.70・・
・元の平衡軌道 12.71,72,121〜124,131,132・
・・垂直方向に歪んだ平衡軌道 31・・・高周波増幅器 32・・・発振器 61゜ 62・・・垂直方向偏向磁石用電源 20゜ 50゜ 81・・・シンクロトロン放射光 (他1名) ・面周のりm迷甲洞 4・・ ・露 光 装 置 第 図 第 図
例を示すもので、第1図はシンクロトロン放射光発生装
置の平面構成概要図、第2図は構造的−周期の磁極配こ
とその配置方向に対する電子の平衡軌道の垂直方向変位
図、第3図は垂直方向偏向磁石を周期的に変化させた場
合の電子の垂直方向変位図、第4図及び第5図は本発明
の第三の実施例での電子の垂直方向変位図及び平衡軌道
上の電子エネルギーが変化した場合の摂動電子軌道を示
す立体図、第6図は本発明の第二の実施例の平面構成概
要図、第7図は該第二の実施例での電子軌道の垂直方向
変位図、第8図は本発明の第三の実施例の平面構成概要
図、第9図は従来の装置の一例の平面構成概要図、第1
0図は放射光の通常の放射特性を示す図、第11図は従
来の電子軌道揺動法による照射野拡大の様子を示す図で
ある。 1・・・水平方向偏向磁石 3・・・高周波加速空胴4
・・・露光装置 5.51.52・・・垂直方向偏向磁石10・・・真空
ダクト 21,22・・・四極磁石11.70・・
・元の平衡軌道 12.71,72,121〜124,131,132・
・・垂直方向に歪んだ平衡軌道 31・・・高周波増幅器 32・・・発振器 61゜ 62・・・垂直方向偏向磁石用電源 20゜ 50゜ 81・・・シンクロトロン放射光 (他1名) ・面周のりm迷甲洞 4・・ ・露 光 装 置 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電子を水平方向に偏向させる水平方向偏向磁石と、
電子を水平及び垂直方向に収束させる四極磁石と、電子
を加速する高周波加速空胴と、電子を蓄積する真空ダク
ト等とによって構成された周期的構造を有する電子蓄積
リングの上記水平方向偏向磁石内からの放射光を取り出
す様にしたシンクロトロン放射光装置において、電子の
平衡軌道を軌道面と垂直方向に偏向させる複数の垂直方
向偏向磁石を電子蓄積リングの構造的一周期当りに1つ
ずつ設置し、電子の平衡軌道を上記水平方向偏向磁石内
において、元の平衡軌道面に対して垂直方向にほぼ平行
移動させるように上記複数の垂直方向偏向磁石の励磁量
を時間的に周期的に変化させる励磁用電源手段を備えた
ことを特徴とするシンクロトロン放射光装置。 2 電子を水平方向に偏向させる水平方向偏向磁石と、
電子を水平及び垂直方向に収束させる四極磁石と、電子
を加速する高周波加速空胴と、電子を蓄積する真空ダク
ト等とによって構成された周期的構造を有する電子蓄積
リングの上記水平方向偏向磁石内からの放射光を取り出
す様にしたシンクロトロン放射光装置において、電子の
平衡軌道を軌道面と垂直方向に偏向させる複数の垂直方
向偏向磁石を電子蓄積リングの構造的一周期当りに1つ
ずつ設置し、電子の平衡軌道を元の平衡軌道面と交差す
るように元の平衡軌道面に対して垂直な方向に波動状変
位した軌道を形成する如く蛇行させ、該波動状の軌道の
元の平衡軌道面に対する勾配の小さい部分が上記水平方
向偏向磁石内に来るように上記複数の垂直方向偏向磁石
の励磁量を時間的に周期的に変化させる励磁用電源手段
を備えたことを特徴とするシンクロトロン放射光装置。 3 特許請求の範囲第1項及び第2項記載のシンクロト
ロン放射光装置において、垂直方向偏向磁石の励磁量を
時間的に一定にして、高周波加速周波数を周期的に変化
させる発振器を設けたことを特徴とするシンクロトロン
放射光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3306090A JP2902705B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | シンクロトロン放射光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3306090A JP2902705B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | シンクロトロン放射光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03236200A true JPH03236200A (ja) | 1991-10-22 |
JP2902705B2 JP2902705B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=12376202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3306090A Expired - Lifetime JP2902705B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | シンクロトロン放射光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2902705B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3306090A patent/JP2902705B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2902705B2 (ja) | 1999-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3975363B2 (ja) | 原子及び分子イオンで表面を照射するために有用な振動磁場をワーキング・ギャップにおいて生成するためのシステム及び方法 | |
US7576341B2 (en) | Lithography systems and methods for operating the same | |
JPH03236200A (ja) | シンクロトロン放射光装置 | |
WO1987001900A1 (en) | Method of introducing charged particles into magnetic resonance type accelerator and magnetic resonance type accelerator based on said method | |
US2438954A (en) | Electronic oscillator of the cavity resonator type | |
JPH07111199A (ja) | 加速器とそのビーム出射方法並びに医療用装置 | |
US20050225011A1 (en) | Device and method for maskless afm microlithography | |
JP2005294516A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3995358B2 (ja) | 挿入型偏光発生装置 | |
JP2600075B2 (ja) | X線発生装置 | |
JP5427235B2 (ja) | 挿入光源 | |
JP2703387B2 (ja) | 放射光発生装置 | |
JPH06111998A (ja) | シンクロトロンおよびその運転方法 | |
JPS63250099A (ja) | X線露光装置 | |
JP2726920B2 (ja) | 産業用フオトン発生装置 | |
JP3027822B2 (ja) | 荷電粒子ビームのマイクロバンチング方法及びそのための装置 | |
JPH04115200A (ja) | 放射光発生装置 | |
JPH0195500A (ja) | 電子波動リング | |
JPH0950900A (ja) | 粒子蓄積リングあるいはシンクロトロンの調整方法 | |
JPH04230000A (ja) | Sor光の露光方法 | |
JP4374400B6 (ja) | 磁気イオン・ビーム走査装置 | |
JP4374400B2 (ja) | 磁気イオン・ビーム走査装置 | |
JPS63281337A (ja) | 高速原子線源 | |
JPH05217696A (ja) | 電子蓄積リングとその挿入光源照射野拡大方法及び装置 | |
JPH0630336B2 (ja) | 荷電粒子装置 |