JPH03225888A - 半導体レーザダイオード - Google Patents
半導体レーザダイオードInfo
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- JPH03225888A JPH03225888A JP2164990A JP2164990A JPH03225888A JP H03225888 A JPH03225888 A JP H03225888A JP 2164990 A JP2164990 A JP 2164990A JP 2164990 A JP2164990 A JP 2164990A JP H03225888 A JPH03225888 A JP H03225888A
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- JP
- Japan
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- active layer
- stepwise
- thickness
- chips
- laser diode
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザダイオードの構造に関するもの
である。
である。
〔従来の技１゜・行１
第３図は従来の分布４遁型（以下ＤＦＢと呼ぶ）レーザ
タイオードＣ以下ＬＤと呼ぶ）の１つのウェハの構造を
示す餅視図で、図において、（１）は半４体基板、１２
）は回折格子、（３）は下クラッド、１．４） Ｌｉ：
活惟留、ｔ５） ７ま上クラッド、−（（３）〜（５）
はダブルへテロ１語という＞ 、 （６）は絶ｌｉｔ
’１＊ 、 （７） （８）は電極である。
タイオードＣ以下ＬＤと呼ぶ）の１つのウェハの構造を
示す餅視図で、図において、（１）は半４体基板、１２
）は回折格子、（３）は下クラッド、１．４） Ｌｉ：
活惟留、ｔ５） ７ま上クラッド、−（（３）〜（５）
はダブルへテロ１語という＞ 、 （６）は絶ｌｉｔ
’１＊ 、 （７） （８）は電極である。
次に動作について説明する。
ｉｉＪ記の様なウェハは、第２図（９）に示す１つのチ
ップ単位に分離され、パッケージに組み立てられる５Ｋ
Ｍ（７） 、 （８）を介して（３）〜（５）からなる
ダブルへテロ構造へ電流を注入する事により、活性層（
４）の端面より光（１０）が放射されるっこの時、光の
波長は回折格子（２）のピッチ人と活性層（４ンの屈折
率ｎから定まる次（１）式によって与えられろう 波長λ＝２１’Ａ ・・・（１）
〔発明が解決しようとする課題］ 従来のＤＦＢ−ＬＤは上記の様に構成されていたので、
同一ウェハから得られる各チップ′の発娠波長は原理的
に同一であり、任意の異なる波長を何するｆ数のチップ
を得る事ができないという問題点があったっ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、同一ウェハより段階的に異る波長を有するチ
ップを得る事を目的とするっＣ課題を解決するための手
段］ この発明に係るＤＥｉ’Ｂ−ＬＤは、活性層の厚さを同
一のウェハ面内で段階的に変えるように形成したもので
あろう ［作用］ この発明におけるＤＨ’Ｂ−ＬＤは、同一ウェバ内で活
性層の厚みを変える事により、段階的に波長の異なるチ
ップを得る事ができろう Ｆ実施例 以下、この発明の一実施例を図について説明するっ第１
図において、符号（１）〜（８）は前記従来のものと同
一につき説明は省略する。 （９ａ）〜（９ｃ）は本ウ
ェハより最終的に分離して得られる各チップである。
ップ単位に分離され、パッケージに組み立てられる５Ｋ
Ｍ（７） 、 （８）を介して（３）〜（５）からなる
ダブルへテロ構造へ電流を注入する事により、活性層（
４）の端面より光（１０）が放射されるっこの時、光の
波長は回折格子（２）のピッチ人と活性層（４ンの屈折
率ｎから定まる次（１）式によって与えられろう 波長λ＝２１’Ａ ・・・（１）
〔発明が解決しようとする課題］ 従来のＤＦＢ−ＬＤは上記の様に構成されていたので、
同一ウェハから得られる各チップ′の発娠波長は原理的
に同一であり、任意の異なる波長を何するｆ数のチップ
を得る事ができないという問題点があったっ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、同一ウェハより段階的に異る波長を有するチ
ップを得る事を目的とするっＣ課題を解決するための手
段］ この発明に係るＤＥｉ’Ｂ−ＬＤは、活性層の厚さを同
一のウェハ面内で段階的に変えるように形成したもので
あろう ［作用］ この発明におけるＤＨ’Ｂ−ＬＤは、同一ウェバ内で活
性層の厚みを変える事により、段階的に波長の異なるチ
ップを得る事ができろう Ｆ実施例 以下、この発明の一実施例を図について説明するっ第１
図において、符号（１）〜（８）は前記従来のものと同
一につき説明は省略する。 （９ａ）〜（９ｃ）は本ウ
ェハより最終的に分離して得られる各チップである。
次に動作について説明するっ
不実施例によるＤＦＢ−ＬＤは第１図における活性層（
４）の厚みを、段階状に変えているため、活性層の等価
屈折率は第２図の曲線図に示す関係に従って、チップ’
（９ａ）〜（９ｅ）の間で異るっ従ってチップ（９ａ）
〜（９ｅ〕より得られる波長は厚みの変化に伴って段階
的に異る波長が得られる。
４）の厚みを、段階状に変えているため、活性層の等価
屈折率は第２図の曲線図に示す関係に従って、チップ’
（９ａ）〜（９ｅ）の間で異るっ従ってチップ（９ａ）
〜（９ｅ〕より得られる波長は厚みの変化に伴って段階
的に異る波長が得られる。
なお、上記実施例ではＤｒＢ−ＬＤの場合について説明
したが、ＤＦ’Ｂ−ＬＤに限定するものではなく、分布
反射型（ＤＢＲ）についても同様の効果を奏する。
したが、ＤＦ’Ｂ−ＬＤに限定するものではなく、分布
反射型（ＤＢＲ）についても同様の効果を奏する。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、同一のウェハ面内にお
いて活性層の厚みを段階状に変えたので、同一ウェハよ
り波長が段階的に異るチップ？得る事ができる、
いて活性層の厚みを段階状に変えたので、同一ウェハよ
り波長が段階的に異るチップ？得る事ができる、
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザダイオ
ードのウェハ構造を示す斜視図、第２図は第１図のレー
ザチップの等（ｌｌ屈折率と厚みの曲線図、第３図は従
来の半導体レーザダイオードのウェハｆｔ造を示す斜視
図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は回折格子、
（３）は下クラット層、（４）は活性層、（５）は上ク
ラッド層、（６）は絶縁膜、（７） （８）は電極、（
９ａ）〜（９ｅ）はチップを示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代 理 入 大 岩 増 雄
ードのウェハ構造を示す斜視図、第２図は第１図のレー
ザチップの等（ｌｌ屈折率と厚みの曲線図、第３図は従
来の半導体レーザダイオードのウェハｆｔ造を示す斜視
図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は回折格子、
（３）は下クラット層、（４）は活性層、（５）は上ク
ラッド層、（６）は絶縁膜、（７） （８）は電極、（
９ａ）〜（９ｅ）はチップを示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代 理 入 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 分布帰還型あるいは分布反射型などの単一モード発振特
性を有する半導体レーザダイオードにおいて、同一ウェ
ハ面内で活性層の厚みを任意に段階的に変えた事を特徴
とする半導体レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164990A JPH03225888A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 半導体レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164990A JPH03225888A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 半導体レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225888A true JPH03225888A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12060901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164990A Pending JPH03225888A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 半導体レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225888A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250650A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法 |
| KR20170012036A (ko) | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 스미토모 덴소 가부시키가이샤 | 커넥터 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270284A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JPH02252284A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザアレイ |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2164990A patent/JPH03225888A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270284A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JPH02252284A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザアレイ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250650A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法 |
| US7804878B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
| JP4660400B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-03-30 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| US8059691B2 (en) | 2006-03-14 | 2011-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
| US8124431B2 (en) | 2006-03-14 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
| KR20170012036A (ko) | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 스미토모 덴소 가부시키가이샤 | 커넥터 |
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