JPH04111383A - 位相シフト分布帰還型レーザダイオード - Google Patents
位相シフト分布帰還型レーザダイオードInfo
- Publication number
- JPH04111383A JPH04111383A JP23030090A JP23030090A JPH04111383A JP H04111383 A JPH04111383 A JP H04111383A JP 23030090 A JP23030090 A JP 23030090A JP 23030090 A JP23030090 A JP 23030090A JP H04111383 A JPH04111383 A JP H04111383A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
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- light
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- radiating face
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- Pending
Links
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- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産１」Ｊｌ叱肚公厨−
本発明は分布帰還型レーザダイオードに関し特に位相シ
フト分布帰還型レーザダイオードの回折格子構造に関す
る。
フト分布帰還型レーザダイオードの回折格子構造に関す
る。
従哀Δ圧籠
従来の位相シフト分布帰還型レーザダイオード（以下位
相シフト型Ｄ Ｆ Ｂ （Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆ
ｅｅｄｂａｃｋ） −Ｌ Ｄと記す）の１例としてλ／
４シフトＤＦＢ−ＬＤの例について説明する。断面図を
第３図（ａ）に、位相シフト領域２近くの回折格子の断
面の拡大図を第３図（ｂ）に示す。半導体基板３上にブ
ラッグ反射条件が発振波長λと一致するピッチにて凸凹
型の回折格子１を形成する。この回折格子１は第３図（
ｂ）に示したように素子中央部分において、そお周期が
λ／４だけずれる構造となっている。このことにより単
一軸モードでの発振を可能としている。
相シフト型Ｄ Ｆ Ｂ （Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆ
ｅｅｄｂａｃｋ） −Ｌ Ｄと記す）の１例としてλ／
４シフトＤＦＢ−ＬＤの例について説明する。断面図を
第３図（ａ）に、位相シフト領域２近くの回折格子の断
面の拡大図を第３図（ｂ）に示す。半導体基板３上にブ
ラッグ反射条件が発振波長λと一致するピッチにて凸凹
型の回折格子１を形成する。この回折格子１は第３図（
ｂ）に示したように素子中央部分において、そお周期が
λ／４だけずれる構造となっている。このことにより単
一軸モードでの発振を可能としている。
この回折格子上にガイド層４．接合と平行な上、下面活
性層５．クラッド層６．キャップ層７をエピタキシャル
成長した後へテロｐ、ｎに各々オーミック、電極８を形
成している。
性層５．クラッド層６．キャップ層７をエピタキシャル
成長した後へテロｐ、ｎに各々オーミック、電極８を形
成している。
上記ウェハより１つ１つの素子に分離した後に光出射面
Ｒには端面反射率を制御するための無反射コート膜９を
形成する。
Ｒには端面反射率を制御するための無反射コート膜９を
形成する。
［Ｉ イ よ− −
ところで、上記の従来のλ／４シフ）−ＤＦＢ−ＬＤは
、第２図に示したように共振、器軸方向において主モー
ドの光のフィールドが、位相シフト付近に集中する。こ
のため軸方向のモード変形を招いてしまうホールバーニ
ング現象が起き位相シフト量ができなくなる素子が発生
するという問題点を有している。
、第２図に示したように共振、器軸方向において主モー
ドの光のフィールドが、位相シフト付近に集中する。こ
のため軸方向のモード変形を招いてしまうホールバーニ
ング現象が起き位相シフト量ができなくなる素子が発生
するという問題点を有している。
又、光のフィールドがλ／４シフト領域に集中するため
、光出射面付近における光フィールドが低くなる。この
ため、外部に取り出せる光出力が小さいという問題点が
あった。
、光出射面付近における光フィールドが低くなる。この
ため、外部に取り出せる光出力が小さいという問題点が
あった。
−の
本発明の位相シフト型ＤＦＢ−ＬＤは、光出射面より位
相シフト領域に近くなるにしたがい、回折格子の高さが
低くなるという構造を有している。
相シフト領域に近くなるにしたがい、回折格子の高さが
低くなるという構造を有している。
作且
上記の構成にぼると、主モードの光のフィールドが、位
相シフト部分に集中しずらくなるために軸方向にホール
バーニング現象が起きにくくなり、安定した単一軸モー
ド発振が可能となる。
相シフト部分に集中しずらくなるために軸方向にホール
バーニング現象が起きにくくなり、安定した単一軸モー
ド発振が可能となる。
又、位相シフト領域の光フィールドが小さくなり、その
反面光出射面での光フィールドが高くなるために、従来
の構造よりも外部に大きな出力を取り出すことはできる
。
反面光出射面での光フィールドが高くなるために、従来
の構造よりも外部に大きな出力を取り出すことはできる
。
尖胤桝
以下、本発明について図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の一実施例のλ／４シフトＤＦＢ−Ｌ
Ｄにおける位相シフト領域部分の共振軸方向断面図、第
２図は共振軸方向位置に対する光フィールド分布を表す
図を示す。
Ｄにおける位相シフト領域部分の共振軸方向断面図、第
２図は共振軸方向位置に対する光フィールド分布を表す
図を示す。
半導体基板３上にブラッグの反射条件が発振波長と一致
するピッチで凸凹型の回折格子を形成する。この回折格
子は従来のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤと同様に素子の中
央付近でその周期がλ／４だけずれている構造となって
いる。しかしながら、この回折格子の形成に当り本実施
例では、第３図（ａ）に示し光出射面Ｒから位相シフト
領域２に近づくにつれて回折格子１の谷底部から頂とま
での他さＨが低くなる構造となっている。このことによ
り回折効率が光出射面から位相シフト領域２に近づくに
従い小さくなるようにした。本実施例では光出射面付近
での回折格子の高さを５００λ。
するピッチで凸凹型の回折格子を形成する。この回折格
子は従来のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤと同様に素子の中
央付近でその周期がλ／４だけずれている構造となって
いる。しかしながら、この回折格子の形成に当り本実施
例では、第３図（ａ）に示し光出射面Ｒから位相シフト
領域２に近づくにつれて回折格子１の谷底部から頂とま
での他さＨが低くなる構造となっている。このことによ
り回折効率が光出射面から位相シフト領域２に近づくに
従い小さくなるようにした。本実施例では光出射面付近
での回折格子の高さを５００λ。
位相シフト領域での回折格子の高さを２００人とし光出
射面Ｒから位相シフト領域に近づくに従い回折格子の高
さが５００人から２００人へ徐々に低（なるように形成
した。
射面Ｒから位相シフト領域に近づくに従い回折格子の高
さが５００人から２００人へ徐々に低（なるように形成
した。
この回折格子上に従来のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤと同
様に、エピタキシャル成長、電極形成を行い素子分離を
行った後、光出射面に無反射コート膜を形成しλ／４シ
フトＤＦＢ−ＬＤ素子とした。
様に、エピタキシャル成長、電極形成を行い素子分離を
行った後、光出射面に無反射コート膜を形成しλ／４シ
フトＤＦＢ−ＬＤ素子とした。
この実施例によれば光出射面より位相シフト領域に近づ
くに従い、回折効率が小さくなっているため、第２図に
示したように従来のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤの光フィ
ールド分布に比べ、位相シフト領域で光フィールドが低
くなり、その反面、光出射面での光フィールドが、高く
なる。このため軸方向のホールバーニング現象が起きに
くくなり安定した単一モード発振が可能となるとともに
、外部に大きな光出力を取り出すことが可能となり高出
力化が図れた。
くに従い、回折効率が小さくなっているため、第２図に
示したように従来のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤの光フィ
ールド分布に比べ、位相シフト領域で光フィールドが低
くなり、その反面、光出射面での光フィールドが、高く
なる。このため軸方向のホールバーニング現象が起きに
くくなり安定した単一モード発振が可能となるとともに
、外部に大きな光出力を取り出すことが可能となり高出
力化が図れた。
髪肌二処果
以上説明したように、この発明は、光出射面より、位相
シフト領域に近づくにしたがい、回折効率が小さくなる
構造となるとともにことにより、安定した単一軸モード
発振が可能となるとともに外部に取り出す光出力を大き
くできる効果がある。
シフト領域に近づくにしたがい、回折効率が小さくなる
構造となるとともにことにより、安定した単一軸モード
発振が可能となるとともに外部に取り出す光出力を大き
くできる効果がある。
第１図はこの発明の実施例の位相シフト領域における回
折格子の断面図、第２図は実施例及び従来の構造の光フ
ィールド分布、第３図（ａ）は従来のλ／４シフトＤＦ
Ｂ−ＬＤの断面図、第３図（ｂ）は従来のλ／４シフ１
−ＤＦＢ−ＬＤの位相シフト領域における回折格子の断
面図である。 １・・・・・・回折格子、 ２・・・・・・位置シフト
領域、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・ガイ
ド層、５・・・・・・活性層、 ６・・・・・・クラ
ッド層、７・・・・・・キャップ層、８・・・・・・オ
ーミック電極、９・・・・・・無反射コート膜。 ］ 回用椿ｊ Ａｔ梱、−ト・頌へ ３ｆ４株を疾 第 図 ｉ世：射６ゴ ４工丁目、７ト％すン杷夫
縣仲、ｙｑ＋Ｌ工 を欧町記 第 図
折格子の断面図、第２図は実施例及び従来の構造の光フ
ィールド分布、第３図（ａ）は従来のλ／４シフトＤＦ
Ｂ−ＬＤの断面図、第３図（ｂ）は従来のλ／４シフ１
−ＤＦＢ−ＬＤの位相シフト領域における回折格子の断
面図である。 １・・・・・・回折格子、 ２・・・・・・位置シフト
領域、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・ガイ
ド層、５・・・・・・活性層、 ６・・・・・・クラ
ッド層、７・・・・・・キャップ層、８・・・・・・オ
ーミック電極、９・・・・・・無反射コート膜。 ］ 回用椿ｊ Ａｔ梱、−ト・頌へ ３ｆ４株を疾 第 図 ｉ世：射６ゴ ４工丁目、７ト％すン杷夫
縣仲、ｙｑ＋Ｌ工 を欧町記 第 図
Claims (1)
- 位相シフト分布帰還型レーザダイオードにおいて、光出
射面より位相シフト領域に近づくにしたがい回折格子の
高さが低くなる構造を持つことを特徴とする位相シフト
分布帰還型レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23030090A JPH04111383A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 位相シフト分布帰還型レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23030090A JPH04111383A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 位相シフト分布帰還型レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111383A true JPH04111383A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16905668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23030090A Pending JPH04111383A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 位相シフト分布帰還型レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111383A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732783A1 (en) | 1995-03-17 | 1996-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and a method of producing the same |
| EP1376789A2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Anritsu Corporation | Distributed Feedback Semiconductor Laser for Outputting Beam of Single Wavelength |
| JP2007324196A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nec Electronics Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP23030090A patent/JPH04111383A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732783A1 (en) | 1995-03-17 | 1996-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and a method of producing the same |
| US5659562A (en) * | 1995-03-17 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including embedded diffraction grating |
| EP1376789A2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Anritsu Corporation | Distributed Feedback Semiconductor Laser for Outputting Beam of Single Wavelength |
| EP1376789A3 (en) * | 2002-06-27 | 2004-06-02 | Anritsu Corporation | Distributed Feedback Semiconductor Laser for Outputting Beam of Single Wavelength |
| EP1596481A1 (en) * | 2002-06-27 | 2005-11-16 | Anritsu Corporation | Distributed feedback semiconductor laser for outputting beam of single wavelength |
| US7065123B2 (en) | 2002-06-27 | 2006-06-20 | Anritsu Corporation | Distributed feedback semiconductor laser for outputting beam of single wavelength |
| JP2007324196A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nec Electronics Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
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