JPH0376291A - 単一波長発振半導体レーザ装置 - Google Patents
単一波長発振半導体レーザ装置Info
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- JPH0376291A JPH0376291A JP21355389A JP21355389A JPH0376291A JP H0376291 A JPH0376291 A JP H0376291A JP 21355389 A JP21355389 A JP 21355389A JP 21355389 A JP21355389 A JP 21355389A JP H0376291 A JPH0376291 A JP H0376291A
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- diffraction grating
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
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- 238000003359 percent control normalization Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は単一波長で発振する半導体レーザ装置に関す
るものである。
るものである。
第２図は例えば技術雑誌光学の第１５巻第２号１１５〜
１２１頁に示された従来の単一波長発振半導体レーザ装
置の断面図で、図において、（１）はｎ型ＩｎＰ基板、
（りは中央部に位相シフト領域を持つ回折格子、（３）
はＩｎＧｓＡ＠Ｐガイド層、（４１はＩｎＧａＡａＰ活
性層、［ｌｉｌはＰ型１ｎＰ％監７）は電極金属、（８
）は無反射コーテイング膜である。
１２１頁に示された従来の単一波長発振半導体レーザ装
置の断面図で、図において、（１）はｎ型ＩｎＰ基板、
（りは中央部に位相シフト領域を持つ回折格子、（３）
はＩｎＧｓＡ＠Ｐガイド層、（４１はＩｎＧａＡａＰ活
性層、［ｌｉｌはＰ型１ｎＰ％監７）は電極金属、（８
）は無反射コーテイング膜である。
次に動作について説明する。半導体レーザ装置にかいて
は、ｎ型１ｎｐＨ）中の電子およびＰ ＷｉＩｎＰ（５
）中のホールは共にＩｎＧｓＡｓＰ活性層（４１に注入
され発光再結合を起こす。活性領域に低相シフト領域を
有する回折格子１２１を持つ分布帰還型（ＤＦＢ）レー
ザ装置では、発光再結合により生じた光は回折格子（り
により反射され、素子内を往復することによりレーザ発
振に至る。
は、ｎ型１ｎｐＨ）中の電子およびＰ ＷｉＩｎＰ（５
）中のホールは共にＩｎＧｓＡｓＰ活性層（４１に注入
され発光再結合を起こす。活性領域に低相シフト領域を
有する回折格子１２１を持つ分布帰還型（ＤＦＢ）レー
ザ装置では、発光再結合により生じた光は回折格子（り
により反射され、素子内を往復することによりレーザ発
振に至る。
回折格子（りは波長λ−２ｔｌ＠ｆｆ４／ｎ （”ｄｆ
は等偏屈折率、Ａは回折格子（りのピッチ間隔、ｎｒｊ
：整数）で表わされる光を効率的に反射することから、
発振波長はλ−２”ｅｆｆＡ／１１で表わされる波長の
うち、性活領域での利得が最も大きい波長となる。発振
波長λがローｌで表わされる場合、回折格子を１次の回
折格子と呼び、ｎ５ｓ２．の場合は２次の回折格子と呼
ぶ。
は等偏屈折率、Ａは回折格子（りのピッチ間隔、ｎｒｊ
：整数）で表わされる光を効率的に反射することから、
発振波長はλ−２”ｅｆｆＡ／１１で表わされる波長の
うち、性活領域での利得が最も大きい波長となる。発振
波長λがローｌで表わされる場合、回折格子を１次の回
折格子と呼び、ｎ５ｓ２．の場合は２次の回折格子と呼
ぶ。
第２図に示された構造の単一波長［ｉｉ半導体レーザ装
置では、光は活性領域内の回折格子（２１のみにより反
射され、素子内部に閉じ込められるため素子中央部にか
ける光の密度が高くなり、ホールバーニング等の影響で
光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発振の
安定性が低下するという問題がある。
置では、光は活性領域内の回折格子（２１のみにより反
射され、素子内部に閉じ込められるため素子中央部にか
ける光の密度が高くなり、ホールバーニング等の影響で
光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発振の
安定性が低下するという問題がある。
従来の単一波長発振半導体レーザ装置は以上のように槽
底されていたので、素子中央部の光の密度が高くなり、
光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発振の
安定性が低いという問題点があった。
底されていたので、素子中央部の光の密度が高くなり、
光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発振の
安定性が低いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光出力の注入電流に対する直線性および単一
波長発振の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ装
置を得ることを目的とする。
たもので、光出力の注入電流に対する直線性および単一
波長発振の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る単一波長発振半導体レーザ装置は、素子
中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高次
のものにしたものである。
中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高次
のものにしたものである。
この発明にかける単一波長発振半導体レーザ装置は、素
子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高
次のものにしたので、優れた光出力の注入電流に対する
直線性および単一波長発振の安定性が得られる。
子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高
次のものにしたので、優れた光出力の注入電流に対する
直線性および単一波長発振の安定性が得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例である単一波長発振半導体レー
ザ装置の断面図で、図中、ｆｉｌはｎ型Ｉｎｋ、（３１
はＩｎＧａＡｓＰガイド層、（４）はＩｎＧａＡｓＰ活
性層、（６）はＰ型１ｎＰ 、 （９１は共振器端面近
傍に設けられた１次の回折格子、（ｌωは素子中央部に
設けられ中央部に位相シフト領域を持つ２次の回折格子
である。
図はこの発明の一実施例である単一波長発振半導体レー
ザ装置の断面図で、図中、ｆｉｌはｎ型Ｉｎｋ、（３１
はＩｎＧａＡｓＰガイド層、（４）はＩｎＧａＡｓＰ活
性層、（６）はＰ型１ｎＰ 、 （９１は共振器端面近
傍に設けられた１次の回折格子、（ｌωは素子中央部に
設けられ中央部に位相シフト領域を持つ２次の回折格子
である。
次に動作について説明する。回折格子による光の反射は
低次の回折格子の方が効率よく行なわれる。従って、第
１図に示したように素子中央部の回折格子（１０１を共
振器端面近傍の回折格子（９）より高次のものにするこ
とにより、素子中央部での光の反射強度を共振器端面近
傍での光の反射強度より小さくすることができる。その
結果、活性層（４）で発生した光が素子中央部の回折格
子（１０１により、素子中央部のみに閉じ込められるこ
となく大部分の光は共振器端面近傍１で進行し、そこで
の回折格子により反射される。
低次の回折格子の方が効率よく行なわれる。従って、第
１図に示したように素子中央部の回折格子（１０１を共
振器端面近傍の回折格子（９）より高次のものにするこ
とにより、素子中央部での光の反射強度を共振器端面近
傍での光の反射強度より小さくすることができる。その
結果、活性層（４）で発生した光が素子中央部の回折格
子（１０１により、素子中央部のみに閉じ込められるこ
となく大部分の光は共振器端面近傍１で進行し、そこで
の回折格子により反射される。
従って、光の密度が素子中央部でのみ高くなることはな
く、素子全体にわたシ均一な光の密度とナリ、ホールバ
ーニングが生じにくくなり、光出力の注入電流に対する
直線性および単一波長発振の安定性に優れた単一波長発
振半導体レーザ装置が得られる〇 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、素子中央部の回折格子
を共振器端面近傍の回折格子よυ高次のものにしたので
、光出力の注入電流に対する直線性シよび単一波長発振
の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ装置が得ら
れる効果がある。
く、素子全体にわたシ均一な光の密度とナリ、ホールバ
ーニングが生じにくくなり、光出力の注入電流に対する
直線性および単一波長発振の安定性に優れた単一波長発
振半導体レーザ装置が得られる〇 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、素子中央部の回折格子
を共振器端面近傍の回折格子よυ高次のものにしたので
、光出力の注入電流に対する直線性シよび単一波長発振
の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ装置が得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による単一波長発振半導体
レーザ装置を示す断面側面図、第２図は従来の単一波長
発振半導体レーザ装置を示す断面側面図である。 図にしいて、（１１はｎ型ＩｎＰ基板、（３）はＩｎＧ
ａＡ＠Ｐガイド層、（４）はＩｎＧａＡｓＰ活性層、（
５）はＰ型ＩｎＰ 。 （６）は共振器端面、（丁）は電極金属、（８）は無反
射コーテイング膜、（９）は共振器端面近傍に設けられ
た１次の回折格子、ｔｉｔ）ｌは素子中央部に設けられ
た２次の回折格子である。 なか、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
レーザ装置を示す断面側面図、第２図は従来の単一波長
発振半導体レーザ装置を示す断面側面図である。 図にしいて、（１１はｎ型ＩｎＰ基板、（３）はＩｎＧ
ａＡ＠Ｐガイド層、（４）はＩｎＧａＡｓＰ活性層、（
５）はＰ型ＩｎＰ 。 （６）は共振器端面、（丁）は電極金属、（８）は無反
射コーテイング膜、（９）は共振器端面近傍に設けられ
た１次の回折格子、ｔｉｔ）ｌは素子中央部に設けられ
た２次の回折格子である。 なか、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 回折格子を活性領域に有する半導体レーザ装置におい
て、素子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子
より高次のものとしたことを特徴とする単一波長発振半
導体レーザ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213553A JPH0817262B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
| US07/568,889 US5238785A (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Method of manufacturing a diffraction grating for a semiconductor laser |
| EP90115836A EP0413365B1 (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Method of manufacturing a diffraction grating |
| CA002023510A CA2023510C (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Single wavelength oscillating semiconductor laser device and method for manufacturing diffraction grating |
| DE69018336T DE69018336T2 (de) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters. |
| US08/058,371 US5386433A (en) | 1989-08-18 | 1993-05-10 | Semiconductor laser including periodic structures with different periods for producing a single wavelength of light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213553A JPH0817262B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376291A true JPH0376291A (ja) | 1991-04-02 |
| JPH0817262B2 JPH0817262B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=16641112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213553A Expired - Lifetime JPH0817262B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817262B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175581B1 (en) | 1997-08-05 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2007324196A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nec Electronics Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
| JP2016154203A (ja) * | 2014-04-25 | 2016-08-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
| US20180076596A1 (en) | 2014-04-25 | 2018-03-15 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Semiconductor laser device and manufacturing method of the same |
| JP2018519666A (ja) * | 2015-06-30 | 2018-07-19 | フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウＦｏｒｓｃｈｕｎｇｓｖｅｒｂｕｎｄ Ｂｅｒｌｉｎ ｅ．Ｖ． | 分布帰還型レーザーダイオード及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125187A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61214589A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6414984A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device oscilating at single-wavelength |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213553A patent/JPH0817262B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125187A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61214589A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6414984A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device oscilating at single-wavelength |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175581B1 (en) | 1997-08-05 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2007324196A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nec Electronics Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
| JP2016154203A (ja) * | 2014-04-25 | 2016-08-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
| US20180076596A1 (en) | 2014-04-25 | 2018-03-15 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Semiconductor laser device and manufacturing method of the same |
| US10326257B2 (en) | 2014-04-25 | 2019-06-18 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Semiconductor laser device and manufacturing method of the same |
| JP2018519666A (ja) * | 2015-06-30 | 2018-07-19 | フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウＦｏｒｓｃｈｕｎｇｓｖｅｒｂｕｎｄ Ｂｅｒｌｉｎ ｅ．Ｖ． | 分布帰還型レーザーダイオード及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817262B2 (ja) | 1996-02-21 |
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Legal Events
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