JPH02263490A - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
波長可変半導体レーザInfo
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- JPH02263490A JPH02263490A JP8392889A JP8392889A JPH02263490A JP H02263490 A JPH02263490 A JP H02263490A JP 8392889 A JP8392889 A JP 8392889A JP 8392889 A JP8392889 A JP 8392889A JP H02263490 A JPH02263490 A JP H02263490A
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- semiconductor laser
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は光フアイバ通信用に適した半導体レーザに関し
、特に、分布反射型波長可変半導体レーザ装置に関する
。
、特に、分布反射型波長可変半導体レーザ装置に関する
。
［従来の技術］
分布反射型波長可変半導体レーザ（ま発振光の単色性に
優れ、かつ発振波長のコントロールが可能であり、光フ
アイバ通信に用いると光ファイバの材料分散の影響なく
極めて高速に大量の情報を伝送できるという特徴を持ち
、コヒーレント光伝送といった将来の通信用光源として
開発が進められている。
優れ、かつ発振波長のコントロールが可能であり、光フ
アイバ通信に用いると光ファイバの材料分散の影響なく
極めて高速に大量の情報を伝送できるという特徴を持ち
、コヒーレント光伝送といった将来の通信用光源として
開発が進められている。
第５図は従来の構造の分布反射型波長可変半導体レーザ
である。
である。
同図において、１はｎ型半導体基板、２は活性導波路、
３はｐ型半導体、４．４’、５，６．７は電極である。
３はｐ型半導体、４．４’、５，６．７は電極である。
８．８°は活性導波路２上に刻まれた周期状の回折格子
である。電極５に印加される電流ＩＬＤにより発光した
光は回折格子８，８°により特定の波長の光だけが反射
されるが電極４，４°により印加される電流によりキャ
リヤ電子ガスが蓄積されプラズマ効果で屈折率が変化し
、反射する波長も変化する。また分布反射部で反射して
もどる光の位相を調整し、単一モード発振するように電
極６に電流を印加し、プラズマ効果で屈折率変化させる
領域を設けている。
である。電極５に印加される電流ＩＬＤにより発光した
光は回折格子８，８°により特定の波長の光だけが反射
されるが電極４，４°により印加される電流によりキャ
リヤ電子ガスが蓄積されプラズマ効果で屈折率が変化し
、反射する波長も変化する。また分布反射部で反射して
もどる光の位相を調整し、単一モード発振するように電
極６に電流を印加し、プラズマ効果で屈折率変化させる
領域を設けている。
［発明が解決しようとしてる問題点］
前記従来例において屈折率を変化させて発振波長を変化
させる領域は分布反射部と位相調整部で、２つの領域の
うち分布反射部については光の感じる回折格子の周期が
屈折率の変化△ｎにより変化するためブラッグ反射波長
がシフトする。この時の波長変動量Δλｂは電極４．４
°より印加される電流Ｉ ｔｕｎｅにより変化するキャ
リア注入量ΔＮ、により次式のように表せる。
させる領域は分布反射部と位相調整部で、２つの領域の
うち分布反射部については光の感じる回折格子の周期が
屈折率の変化△ｎにより変化するためブラッグ反射波長
がシフトする。この時の波長変動量Δλｂは電極４．４
°より印加される電流Ｉ ｔｕｎｅにより変化するキャ
リア注入量ΔＮ、により次式のように表せる。
ここでλはＩ ｔｕｎｅ＝ Ｏの時のブラッグ波長、ｎ
ｂ＊ｆｆは分布反射部の有効屈折率を表す。また、ξは
導波路の光閉じ込め係数、θｎ ／ ｃ？ Ｎはプラズ
マ効果によるキャリヤ変化による屈折率変化係数である
。
ｂ＊ｆｆは分布反射部の有効屈折率を表す。また、ξは
導波路の光閉じ込め係数、θｎ ／ ｃ？ Ｎはプラズ
マ効果によるキャリヤ変化による屈折率変化係数である
。
次に、位相調整部について電極６より印加する電流Ｉ
ｐｈａｓｅによりキャリ、ヤがΔＮ、たけ変化したとす
ると発振波長の変化Δλ、は次式で表せる。
ｐｈａｓｅによりキャリ、ヤがΔＮ、たけ変化したとす
ると発振波長の変化Δλ、は次式で表せる。
Δλ、＝
ここでｎ ｍｅｔｅｒ ｎ ｐａｔｅはそれぞれ活性層
部、位相調整部の有効屈折率、そしてβ、、β９．β５
は活性層部、位相調整部、分布反射部の長さを示してい
る。■、■を比較すると、■に比べ■の方が同じキャリ
ヤ数に対し△λが小さくなる事がわかる。すなわちＩ
ｐｈａｓｅはＩ ｔｕｎｅと比較し、大きくする必要が
あり、波長変動を行う場合この電流Ｉ ｐｈａｓｅによ
り発熱し屈折率が上昇する事で屈折率変化幅が抑えられ
、結果として波長可変の幅が小さくなってしまうという
欠点があった。
部、位相調整部の有効屈折率、そしてβ、、β９．β５
は活性層部、位相調整部、分布反射部の長さを示してい
る。■、■を比較すると、■に比べ■の方が同じキャリ
ヤ数に対し△λが小さくなる事がわかる。すなわちＩ
ｐｈａｓｅはＩ ｔｕｎｅと比較し、大きくする必要が
あり、波長変動を行う場合この電流Ｉ ｐｈａｓｅによ
り発熱し屈折率が上昇する事で屈折率変化幅が抑えられ
、結果として波長可変の幅が小さくなってしまうという
欠点があった。
又、十分大きな△λｐを得るため■式より位相調整領域
をある程度長くする必要があり、これにより損失が大き
くなりしきい値電流が大きくなるという欠点もあった。
をある程度長くする必要があり、これにより損失が大き
くなりしきい値電流が大きくなるという欠点もあった。
本発明によれば活性層とは別に導波路を持ち、該導波路
が超格子構造であり、該導波路の両端付近に形成された
周期状の回折格子による分布反射部を有する半導体レー
ザ素子において、該導波路をその吸収スペクトルの吸収
端が該活性層と前記回折格子の周期から決まるレーザ発
振波長近くになるような構造とし、該分布反射部と活性
層の間に電界印加によって屈折率が変化する位相調整部
を設けた事をにより、波長可変の範囲を広げ、しきい値
電流の小さな波長可変半導体レーザを可能にしたもので
ある。
が超格子構造であり、該導波路の両端付近に形成された
周期状の回折格子による分布反射部を有する半導体レー
ザ素子において、該導波路をその吸収スペクトルの吸収
端が該活性層と前記回折格子の周期から決まるレーザ発
振波長近くになるような構造とし、該分布反射部と活性
層の間に電界印加によって屈折率が変化する位相調整部
を設けた事をにより、波長可変の範囲を広げ、しきい値
電流の小さな波長可変半導体レーザを可能にしたもので
ある。
［作用］
位相調整部において印加する電界は、半導体のｐｎ接合
に対し、逆方向の電界とし、該導波路の超格子構造に発
生する量子閉じ込めシュタルク効果により屈折率を変化
させている。この時、超格子導波路の吸収端付近の波長
の光では、この効果により１０−２程度の屈折率変化が
見込める。これは従来のプラズマ効果が１０−３程度の
屈折率変化である事を考えると１桁大きな△ｎが得られ
、更に電流を印加しないため発熱も発生しないため従来
の方法と比較し、十分大きな波長変化が望める。
に対し、逆方向の電界とし、該導波路の超格子構造に発
生する量子閉じ込めシュタルク効果により屈折率を変化
させている。この時、超格子導波路の吸収端付近の波長
の光では、この効果により１０−２程度の屈折率変化が
見込める。これは従来のプラズマ効果が１０−３程度の
屈折率変化である事を考えると１桁大きな△ｎが得られ
、更に電流を印加しないため発熱も発生しないため従来
の方法と比較し、十分大きな波長変化が望める。
又、△ｎが大きいため位相調整部の長さを短くする事が
可能になりこれは内部損失を減少させるためレーザ発振
のしきい値も小さくなる。
可能になりこれは内部損失を減少させるためレーザ発振
のしきい値も小さくなる。
［実施例］
Ｘ皇旦ユ
第１図に本発明に係わる一実施例の断面図を示す。同図
において１１はｎ型ＧａＡｓ基板、１１°はｎ型Ａ １
ｗＧａ １−ｗＡｓ下部クラッド層、１２は活性層であ
るＧａＡｓ層、１３は上部クラッドとなるｐ型ＡｌｘＧ
ａ＋ −ｗＡｓ層、１４．１４°はブラッグ波長を制御
する電流Ｉ ｔｕｎｅを印加する電極で、１５は活性層
に電流ＩＬＤを印加する電極、１６は位相調整部に逆方
向電界Ｅ ｐｈａｓｅを印加する電極、１７はアース゛
に繋がる通電極、１８．１８’は分布型回折格子、１９
．１９°、１９”は電極１４゜１４’、 １５．１６に
独立に電圧を印加するために掘った溝、２０は位相調整
部１分布反射部を有するＧａＡｓ／Ａ１ｙＧａ＋−ｙＡ
ｓ超格子導波路、２１はＳｉＮ層である。
において１１はｎ型ＧａＡｓ基板、１１°はｎ型Ａ １
ｗＧａ １−ｗＡｓ下部クラッド層、１２は活性層であ
るＧａＡｓ層、１３は上部クラッドとなるｐ型ＡｌｘＧ
ａ＋ −ｗＡｓ層、１４．１４°はブラッグ波長を制御
する電流Ｉ ｔｕｎｅを印加する電極で、１５は活性層
に電流ＩＬＤを印加する電極、１６は位相調整部に逆方
向電界Ｅ ｐｈａｓｅを印加する電極、１７はアース゛
に繋がる通電極、１８．１８’は分布型回折格子、１９
．１９°、１９”は電極１４゜１４’、 １５．１６に
独立に電圧を印加するために掘った溝、２０は位相調整
部１分布反射部を有するＧａＡｓ／Ａ１ｙＧａ＋−ｙＡ
ｓ超格子導波路、２１はＳｉＮ層である。
製造に当ってはまずｎ型ＧａＡｓ基板１１上に通常のＭ
ＢＥ成長法で順にｎ型クラッド層１１°、超格子導波路
２０．活性層１２を連続的に成長させた後活性層を活性
層領域１２を残して導波路２０まで化学エツチングする
。次にＳｉＮを成膜し、溝１９°、１９”を形成する位
置だけに残るようエツチングする。次に露出した導波路
２０の分布反射部１８．１８°にレーザによる干渉法で
周期状の回折格子を作製する。そして（−（７）上にＬ
ＰＥ法でＡＩｗＧａＩ−Ｊｓ！を成長させるとＳｉＮ上
にはＡＩｗＧａＩ−Ｊｓが成長しないため溝１９′。
ＢＥ成長法で順にｎ型クラッド層１１°、超格子導波路
２０．活性層１２を連続的に成長させた後活性層を活性
層領域１２を残して導波路２０まで化学エツチングする
。次にＳｉＮを成膜し、溝１９°、１９”を形成する位
置だけに残るようエツチングする。次に露出した導波路
２０の分布反射部１８．１８°にレーザによる干渉法で
周期状の回折格子を作製する。そして（−（７）上にＬ
ＰＥ法でＡＩｗＧａＩ−Ｊｓ！を成長させるとＳｉＮ上
にはＡＩｗＧａＩ−Ｊｓが成長しないため溝１９′。
１９”が形成される。次に溝１９をドライエツチングで
形成する。溝１９が浅くて良いのは、分布反射部と活性
層に印加する電流の方向は同じであるため電気的絶縁性
を大きくする必要がないためである。そして最後に電極
１４．１４°、 １５．１６をＡｕ−Ｚｎで形成、基板
側はＡｕ−３ｎを蒸着して１７を形成する。寸法的には
活性層１２．分布反射部１８．１８“、その長さＬ Ａ
ｕ Ｌ ｂはそれぞれ共に約２００μｍである。又、位
相調整部の長さし、は２０μｍ、溝１９°、１９”の幅
Ｌｄは１０μｍである。又、活性層１２の厚さは０．３
μｍ、導波路１０の厚さは０．３μｍ 、 ＧａＡｓ／
ＡＩ。
形成する。溝１９が浅くて良いのは、分布反射部と活性
層に印加する電流の方向は同じであるため電気的絶縁性
を大きくする必要がないためである。そして最後に電極
１４．１４°、 １５．１６をＡｕ−Ｚｎで形成、基板
側はＡｕ−３ｎを蒸着して１７を形成する。寸法的には
活性層１２．分布反射部１８．１８“、その長さＬ Ａ
ｕ Ｌ ｂはそれぞれ共に約２００μｍである。又、位
相調整部の長さし、は２０μｍ、溝１９°、１９”の幅
Ｌｄは１０μｍである。又、活性層１２の厚さは０．３
μｍ、導波路１０の厚さは０．３μｍ 、 ＧａＡｓ／
ＡＩ。
Ｇａ、−、Ａｓは６０人／６０人、格子の周期は約２５
００人である。導波路２０の組成ｙ＝ ０．１クラツド
１１°となるＡＩｗＧａＩ−ｗＡｓでｗ＝０．４および
１３ ＡＩｗＧａＩ −１１Ａｓのｘ ＝０．４として
波長が０．８５５〜０．８４５μｍの変化が可能となり
、単一モード発振が得られる。又、この構成でｎ型、ｐ
型を変えても同様の効果が得られる。
００人である。導波路２０の組成ｙ＝ ０．１クラツド
１１°となるＡＩｗＧａＩ−ｗＡｓでｗ＝０．４および
１３ ＡＩｗＧａＩ −１１Ａｓのｘ ＝０．４として
波長が０．８５５〜０．８４５μｍの変化が可能となり
、単一モード発振が得られる。又、この構成でｎ型、ｐ
型を変えても同様の効果が得られる。
本実施例では、第２図に示すように、導波路の吸収スペ
クトルの吸収端がレーザ発振波長λ。の近傍に設定され
ている。量子閉じ込めシュタルク効果により吸収スペク
トルが実線から破線へと変化したとすると、吸収端はＡ
点からＢ点へと変化し、この場合、吸収が増大し、屈折
率がかなり小さくなる。このようにして、大きな屈折率
変化を生じさせて発振波長を変化させる。
クトルの吸収端がレーザ発振波長λ。の近傍に設定され
ている。量子閉じ込めシュタルク効果により吸収スペク
トルが実線から破線へと変化したとすると、吸収端はＡ
点からＢ点へと変化し、この場合、吸収が増大し、屈折
率がかなり小さくなる。このようにして、大きな屈折率
変化を生じさせて発振波長を変化させる。
Ｋ嵐五ユ
第３図に本発明に係わる一実施例の断面図を示す。前記
実施例１と同じ構成で位相調整部に独立に電圧を印加す
るための絶縁溝３０．３０°の底の部分に酸素を打込み
その後アニーリングさせる事で、光学的にあまり変化さ
せずに電気抵抗の高い領域３１．３１°を形成した。
実施例１と同じ構成で位相調整部に独立に電圧を印加す
るための絶縁溝３０．３０°の底の部分に酸素を打込み
その後アニーリングさせる事で、光学的にあまり変化さ
せずに電気抵抗の高い領域３１．３１°を形成した。
これにより活性層、分布反射領域に流れる電流が位相調
整部に流れ込む事がなくなり、レーザ発振のしきい値電
流をより小さくし、更にブラッグ波長の変動幅を広げる
事が可能になる。
整部に流れ込む事がなくなり、レーザ発振のしきい値電
流をより小さくし、更にブラッグ波長の変動幅を広げる
事が可能になる。
Ｘ血■ユ
本発明に係わる一実施例の断面図を第４図に示す。同図
において４１はｎ型ＧａＡｓ基板、４１’はｎ型Ａ １
ｗＧａ １−ｗＡｓＡｓクララ、４２ばＡＩｗＧａＩ−
ｖＡｓ活性層、４３はｐ型ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓクラッ
ド層、４８．４８°は分布型回折格子、４９°、４９”
は電気的絶縁性を高めるための溝、５０はＧａＡｓ／Ａ
Ｉ、Ｇａ＋−、Ａｓ超格子導波路、５１はＧａＡｓ層、
５２．５２°は溝４９°、４９”を埋め込む電気的に高
抵抗なｎｏｎ−ｄｏｐｅ Ａｌｗ−Ｇａ＋−ｗ・Ａｓ。
において４１はｎ型ＧａＡｓ基板、４１’はｎ型Ａ １
ｗＧａ １−ｗＡｓＡｓクララ、４２ばＡＩｗＧａＩ−
ｖＡｓ活性層、４３はｐ型ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓクラッ
ド層、４８．４８°は分布型回折格子、４９°、４９”
は電気的絶縁性を高めるための溝、５０はＧａＡｓ／Ａ
Ｉ、Ｇａ＋−、Ａｓ超格子導波路、５１はＧａＡｓ層、
５２．５２°は溝４９°、４９”を埋め込む電気的に高
抵抗なｎｏｎ−ｄｏｐｅ Ａｌｗ−Ｇａ＋−ｗ・Ａｓ。
製°造に当ってはまずｎ型ＧａＡｓ基板４１上に通常の
ＭＢＥ成長法で順にｎ型クラッド層４１°、超格子導波
路５０．エッチストップ用ＧａＡｓ層５１．活性層４２
を連続的に成長させた後活性層を活性層領域４２を残し
てエッチストップ層５０まで化学エツチングする０次に
露出した導波路２０の分布反射部４８．４８°にレーザ
による干渉法で周期状の回折格子を作製する。そしてそ
の上にＬＰＥ法でＡｌ工Ｇａ＋−ｗＡｓ層を成長させ、
溝１９°、１９”を選択ウェットエツチングによりエッ
チストップ層５１まで掘る。寸法は実施例１．２と同じ
で、ＡＩ組成比ｖ ＝ ０．０５． ｗ ＝ ０．４
゜ｗ”＝０．４． ｘ＝０．４． ｙ＝０．２とするこ
とで波長が０、８３５〜０．８２５μｍの変化が可能と
なる。又、この構成でｎ型をｐ型とし、Ｐ型をｎ型とし
ても同様の効果が得られる。
ＭＢＥ成長法で順にｎ型クラッド層４１°、超格子導波
路５０．エッチストップ用ＧａＡｓ層５１．活性層４２
を連続的に成長させた後活性層を活性層領域４２を残し
てエッチストップ層５０まで化学エツチングする０次に
露出した導波路２０の分布反射部４８．４８°にレーザ
による干渉法で周期状の回折格子を作製する。そしてそ
の上にＬＰＥ法でＡｌ工Ｇａ＋−ｗＡｓ層を成長させ、
溝１９°、１９”を選択ウェットエツチングによりエッ
チストップ層５１まで掘る。寸法は実施例１．２と同じ
で、ＡＩ組成比ｖ ＝ ０．０５． ｗ ＝ ０．４
゜ｗ”＝０．４． ｘ＝０．４． ｙ＝０．２とするこ
とで波長が０、８３５〜０．８２５μｍの変化が可能と
なる。又、この構成でｎ型をｐ型とし、Ｐ型をｎ型とし
ても同様の効果が得られる。
本発明では溝をＡｌＧａＡｓで埋め込む事により、レー
ザの光路上での屈折率分布の変化が小さくなる。このた
め位相調整部の両端で生じる光の反射や損失が小さくな
り、より出力の安定した単一モード発振が得られるよう
になる。
ザの光路上での屈折率分布の変化が小さくなる。このた
め位相調整部の両端で生じる光の反射や損失が小さくな
り、より出力の安定した単一モード発振が得られるよう
になる。
〔発明の効果Ｊ
以上説明したように本発明は、量子閉じ込めシュタルク
効果により屈折率を変化させて波長を変化させるため、
波長変動幅が広くとれ、レーザ発振のしきい値電流が小
さくなるという効果がある。
効果により屈折率を変化させて波長を変化させるため、
波長変動幅が広くとれ、レーザ発振のしきい値電流が小
さくなるという効果がある。
第１図は本発明の波長可変半導体レーザの第１の実施例
の断面図 第２図は波長を変化させる原理を説明するための図、 第３図は本発明の波長可変半導体レーザの第２の実施例
の断面図 第４図は本発明の波長可変半導体レーザの第３の実施例
の断面図 第５図は従来例の断面図である。 １．１１．４１・・・・・・・・・基板、１°、１１’
、４１’・・・・・・下部クラッド層、２、１２．４２
・・・・・・・・・活性層、３、１３．４３・・・・・
・・・・上部クラッド層、４．４°、１４゜ １４°、 ５．１５． ）・・・・・・電極、６、１６
．７．１７ １９、’、 １９”、 ２９°、）・・・溝、２９”、
４９°、４９” ２０、３０．５０・・・・・・・・導波路、２１・・・
・・・・・・・・・・・ＳｉＮ膜、３１．３１’・・・
・・・・・・・酸素注入領域、５１・・・・・・・・・
・・・・・エッチストップ層、５２、５２°・・・・・
・・・・・埋込み層。 特許出願人 キャノン株式会社
の断面図 第２図は波長を変化させる原理を説明するための図、 第３図は本発明の波長可変半導体レーザの第２の実施例
の断面図 第４図は本発明の波長可変半導体レーザの第３の実施例
の断面図 第５図は従来例の断面図である。 １．１１．４１・・・・・・・・・基板、１°、１１’
、４１’・・・・・・下部クラッド層、２、１２．４２
・・・・・・・・・活性層、３、１３．４３・・・・・
・・・・上部クラッド層、４．４°、１４゜ １４°、 ５．１５． ）・・・・・・電極、６、１６
．７．１７ １９、’、 １９”、 ２９°、）・・・溝、２９”、
４９°、４９” ２０、３０．５０・・・・・・・・導波路、２１・・・
・・・・・・・・・・・ＳｉＮ膜、３１．３１’・・・
・・・・・・・酸素注入領域、５１・・・・・・・・・
・・・・・エッチストップ層、５２、５２°・・・・・
・・・・・埋込み層。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性層とは別に導波路を持ち、該導波路が超格子構
造であり、該導波路の両端付近に形成された周期状の回
折格子による分布反射部を有する半導体レーザ素子にお
いて、 該導波路をその吸収スペクトルの吸収端が該活性層と前
記回折格子の周期から決まるレーザ発振波長近くになる
ような構造とし、該分布反射部と活性層の間に電界印加
によって屈折率が変化する位相調整部を設けたことを特
徴とする波長可変半導体レーザ。 ２、該位相調整部と活性層部と２つの分布反射部のそれ
ぞれに独立した電圧を印加できる電極構造を持ち、更に
、該位相調整部とこれをはさむ活性層部、分布反射部と
の間に溝を形成し、電気的に抵抗を大きくしたことを特
徴とする請求項１記載の波長可変半導体レーザー。 ３、溝の底の部分にのみ酸素を打ち込んだ領域が形成さ
れていることを特徴とする請求項２記載の波長可変半導
体レーザ。 ４、溝が高電気抵抗な半導体でうめ込まれていることを
特徴とする請求項２記載の波長可変半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083928A JP2703619B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 波長可変半導体レーザ |
| DE69011921T DE69011921T2 (de) | 1989-04-04 | 1990-04-03 | Halbleiterlaser mit veränderbarer Emissionswellenlänge und selektives Wellenlängenfitter und Verfahren zum Betrieb derselben. |
| EP90106344A EP0391334B1 (en) | 1989-04-04 | 1990-04-03 | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and wavelength selective fitter, and methods of driving the same |
| US07/790,832 US5155736A (en) | 1989-04-04 | 1991-11-14 | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083928A JP2703619B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 波長可変半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263490A true JPH02263490A (ja) | 1990-10-26 |
| JP2703619B2 JP2703619B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=13816260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083928A Expired - Fee Related JP2703619B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 波長可変半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2703619B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457384A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2010113084A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459980A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Japan Res Dev Corp | Distributed reflection type semiconductor laser and manufacture thereof |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1083928A patent/JP2703619B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459980A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Japan Res Dev Corp | Distributed reflection type semiconductor laser and manufacture thereof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457384A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2010113084A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2703619B2 (ja) | 1998-01-26 |
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