JPS62199085A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS62199085A JPS62199085A JP4016586A JP4016586A JPS62199085A JP S62199085 A JPS62199085 A JP S62199085A JP 4016586 A JP4016586 A JP 4016586A JP 4016586 A JP4016586 A JP 4016586A JP S62199085 A JPS62199085 A JP S62199085A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01S5/18322—Position of the structure
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-
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
多層膜成長の容易な分子線エピタキシー法を用いて円柱
状の二重異種接合発光部の周囲をブラッグの一次反射条
件をみたすように２種の混晶で埋込んだ反射鏡不要な動
的単一モード面発光半導体レーザ。
状の二重異種接合発光部の周囲をブラッグの一次反射条
件をみたすように２種の混晶で埋込んだ反射鏡不要な動
的単一モード面発光半導体レーザ。
発明の背景
技術分野
この発明は、たとえば光情報処理や光通信の光源として
用いることのできる半導体レーザに関する。
用いることのできる半導体レーザに関する。
従来技術とその問題点
従来の半導体レーザは、１ｌｉＪ面での反射を必要とす
るファブリ・ペロー型共振器をもつものであったが、こ
の半導体レーザの出力光を駆動電流直接変調方式によっ
て変調すると発振スペクトルが拡がり、高速変調は不可
能であった。
るファブリ・ペロー型共振器をもつものであったが、こ
の半導体レーザの出力光を駆動電流直接変調方式によっ
て変調すると発振スペクトルが拡がり、高速変調は不可
能であった。
そのため高速変調時においても単一発振スペクトルを保
持するいわゆる動的単一モードレーザとして、たとえば
第３図に示すような分布帰還形の半導体レーザが盛んに
研究され、かつ一部では光通信の光源として採用される
に至っている。
持するいわゆる動的単一モードレーザとして、たとえば
第３図に示すような分布帰還形の半導体レーザが盛んに
研究され、かつ一部では光通信の光源として採用される
に至っている。
第３図はレーザ共振器の共振方向に平行にその中央部を
断面して模式的に示すものであり、２１はｎ−Ｇ、ａＡ
ｓ基板、２２はｎ Ａ ｆｉ Ｇ ａ １□Ａｓク
ラッド層、２３はＡ、Ｊ Ｇａ Ａｓ活性３’
ｔ−ｙ 層、２４はｐ−Ａ、ｊＧａＡｓ導波層、２５ｚ ｌ
−ｚ はｐ−Ａｊ７ＧａＡｓクラッド層である。
断面して模式的に示すものであり、２１はｎ−Ｇ、ａＡ
ｓ基板、２２はｎ Ａ ｆｉ Ｇ ａ １□Ａｓク
ラッド層、２３はＡ、Ｊ Ｇａ Ａｓ活性３’
ｔ−ｙ 層、２４はｐ−Ａ、ｊＧａＡｓ導波層、２５ｚ ｌ
−ｚ はｐ−Ａｊ７ＧａＡｓクラッド層である。
ｗ １−ｗ
この分布帰還形半導体レーザは、基板２１上に、クラッ
ド層２２．活性層２３．導波層２４を平坦に成長させた
後、エツチング・マスクとしてのフォトレジストを導波
層２４上に塗布し、それを紫外線レーザ光の干渉縞を用
いて回折格子パターンに露光し、現像したあと、エツチ
ングによって導波層２４上に回折格子を形成し、さらに
２回目の結晶成長によってその上にクラッド層２５を積
層することによって製造される。
ド層２２．活性層２３．導波層２４を平坦に成長させた
後、エツチング・マスクとしてのフォトレジストを導波
層２４上に塗布し、それを紫外線レーザ光の干渉縞を用
いて回折格子パターンに露光し、現像したあと、エツチ
ングによって導波層２４上に回折格子を形成し、さらに
２回目の結晶成長によってその上にクラッド層２５を積
層することによって製造される。
このような半導体レーザに電流を流すと、活性層２３に
おいて電子−正孔の再結合が起り、これによって発光し
た光は導波層２４に導入され。
おいて電子−正孔の再結合が起り、これによって発光し
た光は導波層２４に導入され。
回折格子によってブラッグ反射を受はレーザ発振光Ｃ２
となって外部に出射される。ブラッグ反射によるレーザ
光は２波長発振するため、第３図に示すように導波層２
４の回折格子のピッチを１箇所において結晶内の光の波
長の１／４だけずらしく位相シフト）、単一発振スペク
トルを得るようにしている。
となって外部に出射される。ブラッグ反射によるレーザ
光は２波長発振するため、第３図に示すように導波層２
４の回折格子のピッチを１箇所において結晶内の光の波
長の１／４だけずらしく位相シフト）、単一発振スペク
トルを得るようにしている。
しかしながら、このような構造の分布帰還形半導体レー
ザでは１回折格子を干渉露光方式によって形成している
ので、その分解能があまり高くなく、そのためにブラッ
グ反射効率の高い１次の回折格子（格子ピッチが結晶内
波長の１／２）を得ることが困難であり、２次、３次等
高次の回折格子を用いざるを得ないこと、エツチングに
よって格子を作成しているため深い回折格子が得られな
いこと、２回目の成長中に回折格子が損傷を受けやすい
こと等の理由により、高い反射効率を得られないという
欠点があった。また１回折格子のピッチを上述のように
一部においてシフトさせるために２回のエツチング工程
を必要としたり、横モードの安定化を図るために埋込み
構造等を採用すると３回の結晶成長を必要とする等、製
作工程が複雑であるという欠点もあった。
ザでは１回折格子を干渉露光方式によって形成している
ので、その分解能があまり高くなく、そのためにブラッ
グ反射効率の高い１次の回折格子（格子ピッチが結晶内
波長の１／２）を得ることが困難であり、２次、３次等
高次の回折格子を用いざるを得ないこと、エツチングに
よって格子を作成しているため深い回折格子が得られな
いこと、２回目の成長中に回折格子が損傷を受けやすい
こと等の理由により、高い反射効率を得られないという
欠点があった。また１回折格子のピッチを上述のように
一部においてシフトさせるために２回のエツチング工程
を必要としたり、横モードの安定化を図るために埋込み
構造等を採用すると３回の結晶成長を必要とする等、製
作工程が複雑であるという欠点もあった。
発明の概要
発明の目的
この発明は、１次のブラック回折を起こさせることが可
能であり、しかも製作が比較的容易な半導体レーザを提
供することを目的とする。
能であり、しかも製作が比較的容易な半導体レーザを提
供することを目的とする。
発明の構成と効果
この発明による半導体レーザは、ｍ−ｖ族半導体基板上
に、ｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層よりなる
二重異種接合発光部が柱状にかつ基板に対して垂直に形
成され、この柱状発光部の周囲に、異なる屈折率をもち
かつ発光波長の１／４に相当する厚さを有する２種の混
晶層が交互に積層されてなる多層膜埋込層が設けられ、
この多層膜埋込層が回折格子として作用することによっ
てブラック反射形部発光動作を行なうことを特徴とする
。
に、ｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層よりなる
二重異種接合発光部が柱状にかつ基板に対して垂直に形
成され、この柱状発光部の周囲に、異なる屈折率をもち
かつ発光波長の１／４に相当する厚さを有する２種の混
晶層が交互に積層されてなる多層膜埋込層が設けられ、
この多層膜埋込層が回折格子として作用することによっ
てブラック反射形部発光動作を行なうことを特徴とする
。
柱状発光部は、基板上に二重異種接合構造を作製し、中
央部分を柱状に残すように１周囲部分を基板に達するま
でエツチングすることにより作製することができる。柱
状発光部の周囲に設けられる多層膜埋込層は分子線エピ
タキシー法などを用いてつくることが可能である。活性
層での発光波長をλ、多層膜埋込層の２種の混晶の屈折
率をそれぞれｎ 、ｎ とすると、基板上に活性層
の中Ｂ 央付近の高さまで２種の薄層をλ／ （４ｎＡ）。
央部分を柱状に残すように１周囲部分を基板に達するま
でエツチングすることにより作製することができる。柱
状発光部の周囲に設けられる多層膜埋込層は分子線エピ
タキシー法などを用いてつくることが可能である。活性
層での発光波長をλ、多層膜埋込層の２種の混晶の屈折
率をそれぞれｎ 、ｎ とすると、基板上に活性層
の中Ｂ 央付近の高さまで２種の薄層をλ／ （４ｎＡ）。
λ／（４ｎｎ）の厚さに交互に積層成長させ。
次に位相シフトのための層をλ／ （２ｎ Ａ）の厚さ
に１層成長させ、引きつづき上記２種の層をλ／（４ｎ
）、 λ／（４ｎＡ）の厚さに交互に成長させれ
ばよい。
に１層成長させ、引きつづき上記２種の層をλ／（４ｎ
）、 λ／（４ｎＡ）の厚さに交互に成長させれ
ばよい。
分子線エピタキシー法など最近の結晶成長法を用いると
薄層の厚さをきわめて厳密に制御できるために１次回折
格子として作用する多層膜埋込層を高精度に作製するこ
とが可能であるとともに。
薄層の厚さをきわめて厳密に制御できるために１次回折
格子として作用する多層膜埋込層を高精度に作製するこ
とが可能であるとともに。
位相シフト層の作製も容易である。また、結晶成長は２
回ですむので製造工程も比較的簡素となる。
回ですむので製造工程も比較的簡素となる。
実施例の説明
第１図は、この発明による半導体レーザの概観を斜視的
に示すものである。この図および半導体レーザの断面を
示す第２図（Ｄ）を参照して、ｎ−ＧａＡｓ基板１の中
央部に柱状の発光部２があり、その周囲がＡｊｊ Ｇ
ａ Ａｓとｖｌ １−ｖｌ ＡＩ ＧａＡｓの多層薄膜よりなる埋込層３ｖ２ １
−ｗ２ で囲まれている。発光部２は活性層１２とその上下のク
ラッド層１１．１３とからなる。基板１の下面にはｎ側
電極５が、多層膜埋込層３の上面には円形孔６ａをもつ
ｐ側電極６が同じく円形孔をもつ絶縁膜４を介して、そ
れぞれ形成されている。電極６の一部は上部クラッド層
１３に接している。発光部２で発光したレーザ光Ｃ１は
１円形孔６ａから外部に出射する。
に示すものである。この図および半導体レーザの断面を
示す第２図（Ｄ）を参照して、ｎ−ＧａＡｓ基板１の中
央部に柱状の発光部２があり、その周囲がＡｊｊ Ｇ
ａ Ａｓとｖｌ １−ｖｌ ＡＩ ＧａＡｓの多層薄膜よりなる埋込層３ｖ２ １
−ｗ２ で囲まれている。発光部２は活性層１２とその上下のク
ラッド層１１．１３とからなる。基板１の下面にはｎ側
電極５が、多層膜埋込層３の上面には円形孔６ａをもつ
ｐ側電極６が同じく円形孔をもつ絶縁膜４を介して、そ
れぞれ形成されている。電極６の一部は上部クラッド層
１３に接している。発光部２で発光したレーザ光Ｃ１は
１円形孔６ａから外部に出射する。
このような半導体レーザは次のようにして作製される。
第２図は製造工程を示すものである。
この図を参照して、まず第２図（Ａ）に示すように、ｎ
−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａぶ Ｇａ１−８Ａｓクラッ
ド層１１（厚さ １．５μｍ程度）。
−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａぶ Ｇａ１−８Ａｓクラッ
ド層１１（厚さ １．５μｍ程度）。
Ａ、９ＧａＡｓ活性層１２（厚さ４ｕｍ程ｙ ｔ−
ｙ 度）、ｐ−Ａｊｊ Ｇａ Ａｓクラッド層１３ｚ
１−ｚ （厚さ１μｍ程度）を多層成長させる。そして。
ｙ 度）、ｐ−Ａｊｊ Ｇａ Ａｓクラッド層１３ｚ
１−ｚ （厚さ１μｍ程度）を多層成長させる。そして。
円形または正方形の、たとえば５１３Ｎ４等よりなる絶
縁体エツチング・マスク１５を上部クラッド層１３の中
央部上につける。その大きさは発振スポットを規定する
ので１０〜２０μｍ程度の径とする。
縁体エツチング・マスク１５を上部クラッド層１３の中
央部上につける。その大きさは発振スポットを規定する
ので１０〜２０μｍ程度の径とする。
次に第２図（Ｂ）に示すように、化学エツチングまたは
ドライ・エツチングによってＧａＡｓ基板１に到達する
までマスクされた場所以外の部分を除去する。その結果
円柱状または角柱状の二重異種接合構造の発光部２が基
板１上に残る。この柱状構造発光部２の側面は基板１に
対して垂直であるようにする。
ドライ・エツチングによってＧａＡｓ基板１に到達する
までマスクされた場所以外の部分を除去する。その結果
円柱状または角柱状の二重異種接合構造の発光部２が基
板１上に残る。この柱状構造発光部２の側面は基板１に
対して垂直であるようにする。
この後２分子線エピタキシャル成長法を用いて、第２図
（Ｃ）に示すように１発光部２の周囲に混晶Ａｊ！
Ｇａ Ａｓ（Ａと略記）およびν１ １−ｖｌ Ａｊ２ Ｇａ Ａｓ（Ｂと略記）を活性層１２ｗ２
Ｌ−ｖ２ の高さの中央付近までそれぞれλ／ （４ｎ Ａ ）
。
（Ｃ）に示すように１発光部２の周囲に混晶Ａｊ！
Ｇａ Ａｓ（Ａと略記）およびν１ １−ｖｌ Ａｊ２ Ｇａ Ａｓ（Ｂと略記）を活性層１２ｗ２
Ｌ−ｖ２ の高さの中央付近までそれぞれλ／ （４ｎ Ａ ）
。
λ／（４ｎｓ）の厚さで交互に成長させる。
次にＡをλ／ （２ｎ Ａ ）の厚さに一層成長させ（
Ａｌで示す）、続いてその上にＢ、Ａをλ／ （４ｎＢ
）、 λ／（４ｎＡ）の厚さで交互に成長させ、柱状
の二重異種接合構造の発光部２を電； 完ケクめ込む。ここでλは活性層１２での発光波長、ｎ
、ｎ は混晶Ａ、Ｂの屈折率である。
Ａｌで示す）、続いてその上にＢ、Ａをλ／ （４ｎＢ
）、 λ／（４ｎＡ）の厚さで交互に成長させ、柱状
の二重異種接合構造の発光部２を電； 完ケクめ込む。ここでλは活性層１２での発光波長、ｎ
、ｎ は混晶Ａ、Ｂの屈折率である。
Ｂ
上述の埋込み成長法として分子線エピタキシャル法を用
いたことにより柱状部分２の側面と埋込み層３の各層は
完全に垂直となる。
いたことにより柱状部分２の側面と埋込み層３の各層は
完全に垂直となる。
上述の埋込み成長において、エツチング・マスク１５を
残したまま成長を行うと、マスク１５ｍに符号１６で示
すように多結晶または非晶質のＡＪＧａＡｓが、またマ
スク１５を除去後、埋込み成長を行なうと符号１６の部
分には多層膜３と同一の多層膜がそれぞれ成長するが、
これらはこの埋込み成長工程終了後、エツチング等によ
り容易に除去できる。もちろんマスク１５も除去する。
残したまま成長を行うと、マスク１５ｍに符号１６で示
すように多結晶または非晶質のＡＪＧａＡｓが、またマ
スク１５を除去後、埋込み成長を行なうと符号１６の部
分には多層膜３と同一の多層膜がそれぞれ成長するが、
これらはこの埋込み成長工程終了後、エツチング等によ
り容易に除去できる。もちろんマスク１５も除去する。
最後に、第２図（Ｄ）に示すように柱状発光部２の中央
にこの柱状部分の径より小さい径の穴をもつ絶縁膜２を
上部クラッド層１３および多層膜３の両方にわたって形
成し、さらにその径より小さい径の穴６ａをもつｐ（ｆ
ｌｌｌｆｆｉ極６を、お電極基板１の下面全面にｎ側電
極５をつけて工程を終了する。
にこの柱状部分の径より小さい径の穴をもつ絶縁膜２を
上部クラッド層１３および多層膜３の両方にわたって形
成し、さらにその径より小さい径の穴６ａをもつｐ（ｆ
ｌｌｌｆｆｉ極６を、お電極基板１の下面全面にｎ側電
極５をつけて工程を終了する。
この半導体レーザの動作は次のように行なわれる。すな
わち電極６から注入された正孔および電極５から注入さ
れた電子が活性層１２において再結合発光し、それが多
層膜３の多層構造によりブラッグ反射し１表面よりレー
ザ発振光Ｃ１として出射される。
わち電極６から注入された正孔および電極５から注入さ
れた電子が活性層１２において再結合発光し、それが多
層膜３の多層構造によりブラッグ反射し１表面よりレー
ザ発振光Ｃ１として出射される。
以上のｐ型、ｎ型はすべて反転させてもよいことはいう
までもない。また上記実施例ではＡ ｉＧ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ系のレーザについて説明したが、
この発明は基板１およびクラッド層１１．１３をすべて
ＩｎＰ。
までもない。また上記実施例ではＡ ｉＧ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ系のレーザについて説明したが、
この発明は基板１およびクラッド層１１．１３をすべて
ＩｎＰ。
活性層１２をＧａ１ｎ ＡｓＰ、埋込ξ １−ξ
η １−η み層３をＧａ Ｉ ｎ Ａｓα１１−α１１
−βｌＰβｌと α２１−α２１−β２ β２′）多層膜とＧａ Ｉ
ｎ Ａｓ ＰしたＧａＩｎＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐにも適用できる。
η １−η み層３をＧａ Ｉ ｎ Ａｓα１１−α１１
−βｌＰβｌと α２１−α２１−β２ β２′）多層膜とＧａ Ｉ
ｎ Ａｓ ＰしたＧａＩｎＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐにも適用できる。
以上のような実施例の構成、製造法をとったことにより
。
。
（１）１次の回折条件をみたすブラッグ反射型レーザが
容易に製造できること （２）完全単一モードを得るための回折格子の１／４波
長の位相シフトが容易であること（３）深い回折格子で
あることから反射効率が高いこと ： （４）結晶成長回数が２回で埋込み型レーザが作製でき
ること （５）柱状加工を基板に到達するまで施したことにより
、再成長面がＧａＡｓであり再成長が容易であること 等の効果がある。
容易に製造できること （２）完全単一モードを得るための回折格子の１／４波
長の位相シフトが容易であること（３）深い回折格子で
あることから反射効率が高いこと ： （４）結晶成長回数が２回で埋込み型レーザが作製でき
ること （５）柱状加工を基板に到達するまで施したことにより
、再成長面がＧａＡｓであり再成長が容易であること 等の効果がある。
第１図は、この発明の実施例を示すもので半導゛体し−
ザの構造を模式的に示す斜視図である。 第２図は、半導体レーザの製造工程を順を追って説明す
るための工程図である。 第３図は従来例を示す断面図である。 １・・・基板、 ２・・・柱状発光部。 ３・・・多層膜埋込層。 １１・・・ｎ型クラッド層、 １２・・・活性層。 １３・・・ｐ型クラッド層。 以 上 特許出願人 立石電機株式会社 代 理 人 弁理士 牛 久 健 司（外１名） 第１図 ＋ ： ｎ−ＧａＡｓ１才反 ２：発光部 ３：多暦腺埴込暦 ４：！ｉｔ臘 ５：ｎ側を格 ６：ρ側電極 Ａ：レーザ光 第３図
ザの構造を模式的に示す斜視図である。 第２図は、半導体レーザの製造工程を順を追って説明す
るための工程図である。 第３図は従来例を示す断面図である。 １・・・基板、 ２・・・柱状発光部。 ３・・・多層膜埋込層。 １１・・・ｎ型クラッド層、 １２・・・活性層。 １３・・・ｐ型クラッド層。 以 上 特許出願人 立石電機株式会社 代 理 人 弁理士 牛 久 健 司（外１名） 第１図 ＋ ： ｎ−ＧａＡｓ１才反 ２：発光部 ３：多暦腺埴込暦 ４：！ｉｔ臘 ５：ｎ側を格 ６：ρ側電極 Ａ：レーザ光 第３図
Claims (2)
- （１）III−Ｖ族半導体基板上に、ｐ型クラッド層、活
性層、ｎ型クラッド層よりなる二重異種接合発光部が柱
状にかつ基板に対して垂直に形成され、この柱状発光部
の周囲に、異なる屈折率をもちかつ発光波長の１／４に
相当する厚さを有する２種の混晶層が交互に積層されて
なる多層膜埋込層が設けられ、この多層膜埋込層が回折
格子として作用することによってブラック反射形面発光
動作を行なう半導体レーザ。 - （２）多層膜埋込層に位相シフト層が含まれている、特
許請求の範囲第（１）項に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016586A JPH0722216B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016586A JPH0722216B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62199085A true JPS62199085A (ja) | 1987-09-02 |
| JPH0722216B2 JPH0722216B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=12573151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016586A Expired - Lifetime JPH0722216B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722216B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164949A (en) * | 1991-09-09 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection |
| US5170407A (en) * | 1991-10-11 | 1992-12-08 | At&T Bell Laboratories | Elimination of heterojunction band discontinuities |
| US5544193A (en) * | 1992-12-15 | 1996-08-06 | France Telecom | Vertical cavity laser of low resistivity |
| JP2002076516A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-15 | Lucent Technol Inc | カルコゲナイド誘電体コーティングを有するメサ構造半導体光エミッタ |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP4016586A patent/JPH0722216B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164949A (en) * | 1991-09-09 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection |
| US5170407A (en) * | 1991-10-11 | 1992-12-08 | At&T Bell Laboratories | Elimination of heterojunction band discontinuities |
| US5544193A (en) * | 1992-12-15 | 1996-08-06 | France Telecom | Vertical cavity laser of low resistivity |
| JP2002076516A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-15 | Lucent Technol Inc | カルコゲナイド誘電体コーティングを有するメサ構造半導体光エミッタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722216B2 (ja) | 1995-03-08 |
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