JPH04229679A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH04229679A JPH04229679A JP3100917A JP10091791A JPH04229679A JP H04229679 A JPH04229679 A JP H04229679A JP 3100917 A JP3100917 A JP 3100917A JP 10091791 A JP10091791 A JP 10091791A JP H04229679 A JPH04229679 A JP H04229679A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、格子と、ＬＰＥ（液層
エピタキシャル）によって格子に適用された導波体層と
、導波体層の上方に配置された複数の層とを含む半導体
レーザに関する。
エピタキシャル）によって格子に適用された導波体層と
、導波体層の上方に配置された複数の層とを含む半導体
レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、特に好ましくは湿式化
学エッチングされた平らな一次格子をもつＤＦＢ（分布
フィードバック）レーザーとして知られている。ＭＯＶ
ＰＥ（金属学的な気相エピタキシャル）によって一連の
層が前記格子に適用され、格子の上に直接導波体層が成
長している。ＭＯＶＰＥによる前記層の適用は非常に薄
いアクティブ層を特に１．５５μｍのレーザに関して高
量子効率で高出力の導波体層に適用することを可能にす
る。しかし、格子に悪影響を及ぼすこと無く格子の深さ
が特に明確でない時のみＭＯＶＰＥによる前記格子に導
波体層を適用することができる。しかしその結果半導体
レーザの結合係数は最高ではない。
学エッチングされた平らな一次格子をもつＤＦＢ（分布
フィードバック）レーザーとして知られている。ＭＯＶ
ＰＥ（金属学的な気相エピタキシャル）によって一連の
層が前記格子に適用され、格子の上に直接導波体層が成
長している。ＭＯＶＰＥによる前記層の適用は非常に薄
いアクティブ層を特に１．５５μｍのレーザに関して高
量子効率で高出力の導波体層に適用することを可能にす
る。しかし、格子に悪影響を及ぼすこと無く格子の深さ
が特に明確でない時のみＭＯＶＰＥによる前記格子に導
波体層を適用することができる。しかしその結果半導体
レーザの結合係数は最高ではない。
【０００３】深い２次格子によって結合係数が改善され
ることが知られており、その場合において格子の形は特
定の形態を与えられることが好ましい。それは格子のそ
れぞれの高くなった部分のスロープが特定の角度で傾斜
していることを意味している。さらに頂部と底部の比率
と格子の深さは全体として最適の結合係数になるように
選択される。これは特に半導体レーザのフィードバック
感度を改善する。
ることが知られており、その場合において格子の形は特
定の形態を与えられることが好ましい。それは格子のそ
れぞれの高くなった部分のスロープが特定の角度で傾斜
していることを意味している。さらに頂部と底部の比率
と格子の深さは全体として最適の結合係数になるように
選択される。これは特に半導体レーザのフィードバック
感度を改善する。
【０００４】しかし前記導波体層はそのような格子にＭ
ＯＶＰＥにより適用することができないことが認められ
た。このプロセスに必要な温度は格子に悪い影響を与え
る。すなわち、それぞれの格子のリブが丸くなり、最適
結合係数を得るためのスロープの角度と格子の深さの選
択値が一度導波体層が適用されると最早維持できなくな
る。
ＯＶＰＥにより適用することができないことが認められ
た。このプロセスに必要な温度は格子に悪い影響を与え
る。すなわち、それぞれの格子のリブが丸くなり、最適
結合係数を得るためのスロープの角度と格子の深さの選
択値が一度導波体層が適用されると最早維持できなくな
る。
【０００５】その上、非常に薄いアクティブな層をＬＰ
Ｅによって導波体層に適用することができないので、Ｌ
ＰＥによって生成されたレーザーの量子効率と光出力パ
ワーが不充分である。ＬＰＥのさらに別の欠点は、溶解
阻止層がさらに層が成長する前にアクティブな層に付加
的に設けなければならないことである。これはアクティ
ブ層の実効的な厚さを増大させる。
Ｅによって導波体層に適用することができないので、Ｌ
ＰＥによって生成されたレーザーの量子効率と光出力パ
ワーが不充分である。ＬＰＥのさらに別の欠点は、溶解
阻止層がさらに層が成長する前にアクティブな層に付加
的に設けなければならないことである。これはアクティ
ブ層の実効的な厚さを増大させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
前述の技術に基づいてフィードバック感度が減少され、
できるだけ高い量子効率で製造される半導体レーザと半
導体レーザを製造する方法を提供することである。
前述の技術に基づいてフィードバック感度が減少され、
できるだけ高い量子効率で製造される半導体レーザと半
導体レーザを製造する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的は導波体層の上
方に配置された層は気相または分子ビームエピタキシに
よって形成されていることを特徴とする半導体レーザに
よって成し遂げられる。
方に配置された層は気相または分子ビームエピタキシに
よって形成されていることを特徴とする半導体レーザに
よって成し遂げられる。
【０００８】導波体層がＬＰＥによって格子に設けられ
るという事実によって、格子の構造はそのまま残り一方
同時に最適の平坦性が実現される。それは格子のリブの
間にある凹部が満たされており、リブの上方の導波体層
の厚さが非常にわずかであることを意味している。導波
体層の上方の層は気相または分子ビームプロセスにより
供給されることにより、ＬＰＥと対照的に非常に薄い層
を供給することができ、特に非常に薄いアクティブな層
を供給することができる。このようにして、非常に低い
フィードバック感度で高い量子効率と高出力パワーとい
う所望のレーザ特性を得ることができる。しきい値電流
は非常に低い。結局安定したモノモード動作が保証され
る。
るという事実によって、格子の構造はそのまま残り一方
同時に最適の平坦性が実現される。それは格子のリブの
間にある凹部が満たされており、リブの上方の導波体層
の厚さが非常にわずかであることを意味している。導波
体層の上方の層は気相または分子ビームプロセスにより
供給されることにより、ＬＰＥと対照的に非常に薄い層
を供給することができ、特に非常に薄いアクティブな層
を供給することができる。このようにして、非常に低い
フィードバック感度で高い量子効率と高出力パワーとい
う所望のレーザ特性を得ることができる。しきい値電流
は非常に低い。結局安定したモノモード動作が保証され
る。
【０００９】格子が２次ＤＦＢ格子である半導体レーザ
が好ましい。結合係数は格子の深さだけでなくスロープ
の角度や頂部と底部の比率が既知の方法で整合されて最
適化されることが好ましい。この比較的深い格子はＬＰ
Ｅにより導波体層を設けられるため、前記格子の構造は
最適のまま残る。次の層は気相か分子ビームエピタキシ
により設けられるので、目的とする薄い層が実現され、
前述の利点が得られる。
が好ましい。結合係数は格子の深さだけでなくスロープ
の角度や頂部と底部の比率が既知の方法で整合されて最
適化されることが好ましい。この比較的深い格子はＬＰ
Ｅにより導波体層を設けられるため、前記格子の構造は
最適のまま残る。次の層は気相か分子ビームエピタキシ
により設けられるので、目的とする薄い層が実現され、
前述の利点が得られる。
【００１０】問題はさらに導波体層上に配置された層を
気相または分子ビームプロセスによって成長させる特徴
を有する半導体レーザを製造する方法によって解決され
る。
気相または分子ビームプロセスによって成長させる特徴
を有する半導体レーザを製造する方法によって解決され
る。
【００１１】格子の上方の最初の層はＬＰＥにより形成
される。このようにして、好ましくはドライエッチング
プロセスで実行される所望の設定された格子構造を得る
ことができる。同時に最適な平坦性が導波体層の小さな
全体の厚さで実現される。
される。このようにして、好ましくはドライエッチング
プロセスで実行される所望の設定された格子構造を得る
ことができる。同時に最適な平坦性が導波体層の小さな
全体の厚さで実現される。
【００１２】さらに非常に薄い層が気相または分子ビー
ムエピタキシによりこの導波体層に形成され、ＭＯＶＰ
Ｅは気相プロセスとして適しており、ＭＯＭＢＥ（金属
的分子ビームエピタキシ）、ＧＳＭＢＥ（ガス源分子ビ
ームエピタキシ）またはＣＢＥ（化学的ビームエピタキ
シ）は分子ビームエピタキシプロセスとして適当である
。
ムエピタキシによりこの導波体層に形成され、ＭＯＶＰ
Ｅは気相プロセスとして適しており、ＭＯＭＢＥ（金属
的分子ビームエピタキシ）、ＧＳＭＢＥ（ガス源分子ビ
ームエピタキシ）またはＣＢＥ（化学的ビームエピタキ
シ）は分子ビームエピタキシプロセスとして適当である
。
【００１３】この様にして非常に薄い層、特に薄いアク
ティブな層を供給することができる。
ティブな層を供給することができる。
【００１４】この様にして高い量子効率と高出力パワー
を減少されたフィードバック感度で実現することができ
る。
を減少されたフィードバック感度で実現することができ
る。
【００１５】
【実施例】本発明をレーザの基本的な断面図を参照しな
がらもっと詳細に説明する。この断面はここでは光の伝
達方向に平行であり、以下に記述される型のレーザが製
造されるウエハーの断面図である。
がらもっと詳細に説明する。この断面はここでは光の伝
達方向に平行であり、以下に記述される型のレーザが製
造されるウエハーの断面図である。
【００１６】この断面図はＤＦＢ格子２がＩｎＰ 基
体１上に設けられている状態を示している。ドライエッ
チングプロセスがこの目的のために使用されることが好
ましい。それは例えばイオン衝撃により製造される。格
子は、最適結合係数になるように、すなわち格子の頂部
と底部の比率、格子の深さ、高くされた格子部分のスロ
ープの傾斜角度が特定の選択された値になるように形成
される。
体１上に設けられている状態を示している。ドライエッ
チングプロセスがこの目的のために使用されることが好
ましい。それは例えばイオン衝撃により製造される。格
子は、最適結合係数になるように、すなわち格子の頂部
と底部の比率、格子の深さ、高くされた格子部分のスロ
ープの傾斜角度が特定の選択された値になるように形成
される。
【００１７】格子の構造がそのまま残るようにＬＰＥに
よって導波体層３が形成されることは特に利点がある。 特に格子のひずみが避けられる。同時に最適の平坦性に
なる、すなわち明確な横方向の層のＬＰＥの間の成長に
よりリブの間の格子の凹部はもとのリブを有するウエハ
の表面が完全に平坦になるように完全に満たされている
。
よって導波体層３が形成されることは特に利点がある。 特に格子のひずみが避けられる。同時に最適の平坦性に
なる、すなわち明確な横方向の層のＬＰＥの間の成長に
よりリブの間の格子の凹部はもとのリブを有するウエハ
の表面が完全に平坦になるように完全に満たされている
。
【００１８】導波体層３の上に配置された層はＬＰＥに
よってではなく気相または分子ビームエピタキシによっ
て形成される。ＭＯＶＰＥは適切な気相プロセスであり
、ＭＯＭＢＥ、ＧＳＭＢＥ、またはＣＢＥは適切な分子
ビームエピタキシプロセスであることが認められた。
よってではなく気相または分子ビームエピタキシによっ
て形成される。ＭＯＶＰＥは適切な気相プロセスであり
、ＭＯＭＢＥ、ＧＳＭＢＥ、またはＣＢＥは適切な分子
ビームエピタキシプロセスであることが認められた。
【００１９】前述の２つのプロセスの型は特別薄い層を
形成することができるという事実によって識別される。
形成することができるという事実によって識別される。
【００２０】初めに非常に薄いバッファ層４が導波体層
３に供給される。このバッファ層の厚さはたとえば０．
１μｍ未満である。このバッファ層は半導体レーザの品
質を改善するために例えば導波体構成要素と一体化する
ために半導体レーザの後の構成中のエッチストップ層と
して働く。
３に供給される。このバッファ層の厚さはたとえば０．
１μｍ未満である。このバッファ層は半導体レーザの品
質を改善するために例えば導波体構成要素と一体化する
ために半導体レーザの後の構成中のエッチストップ層と
して働く。
【００２１】アクティブ層５はバッファ層上に形成され
る。このアクティブ層５は４元合金でもよくＭＯＷ（マ
ルチ量子ウエル）で構成されてもよい。後者の場合多数
の特別に薄い異なる材料の層は次々に他の層の上に供給
され、それらの全体的な厚さはアクティブ層５の厚さに
ほぼ一致する。ＩｎＰとＩｎＧａｓの層が交互に設けら
れることが好ましい。
る。このアクティブ層５は４元合金でもよくＭＯＷ（マ
ルチ量子ウエル）で構成されてもよい。後者の場合多数
の特別に薄い異なる材料の層は次々に他の層の上に供給
され、それらの全体的な厚さはアクティブ層５の厚さに
ほぼ一致する。ＩｎＰとＩｎＧａｓの層が交互に設けら
れることが好ましい。
【００２２】そのような層によって量子効率は一層増大
する。
する。
【００２３】アクティブ層５はクラッド層６（ＩｎＰ層
が好ましい）により前述の方法によって覆われ、３元ま
たは４元の材料からなる高ドープされたコンタクト層７
が形成される。
が好ましい）により前述の方法によって覆われ、３元ま
たは４元の材料からなる高ドープされたコンタクト層７
が形成される。
【００２４】その後のレーザウエハの処理は通常の製造
方法によって行うことができる。
方法によって行うことができる。
【００２５】
【発明の効果】ここで述べられた被覆処理の組合せは製
造過程のコストをあげずに１．５５μｍのＤＦＢ高速度
レーザの特性を改善する。全体として本発明はレーザ特
にハイブリッドエピタキシャルで製造された、モノモー
ド動作で安定に動作し、減少されたフィードバック感度
が良好な量子効率で実現される層構造を持つＤＦＢレー
ザのための簡単な製造方法を提供する。レーザの初めの
電流は非常に低い。
造過程のコストをあげずに１．５５μｍのＤＦＢ高速度
レーザの特性を改善する。全体として本発明はレーザ特
にハイブリッドエピタキシャルで製造された、モノモー
ド動作で安定に動作し、減少されたフィードバック感度
が良好な量子効率で実現される層構造を持つＤＦＢレー
ザのための簡単な製造方法を提供する。レーザの初めの
電流は非常に低い。
【００２６】エピタキシ処理の正のコンビネーションは
これらの処理過程の利点の最適コンビネーションになる
。特に導波体として働く層である導波体層とアクティブ
層は異なるエピタキシプロセスにより（導波体層はＬＰ
Ｅにより、またアクティブ層は気相エピタキシおよび分
子ビームエピタキシにより）それぞれ製造される。した
がって導波体層に隣接した格子の構造は設定された最適
結合係数で悪影響を受けない。
これらの処理過程の利点の最適コンビネーションになる
。特に導波体として働く層である導波体層とアクティブ
層は異なるエピタキシプロセスにより（導波体層はＬＰ
Ｅにより、またアクティブ層は気相エピタキシおよび分
子ビームエピタキシにより）それぞれ製造される。した
がって導波体層に隣接した格子の構造は設定された最適
結合係数で悪影響を受けない。
【図１】本発明の１実施例のレーザのウエハの断面図。
Claims (9)
- 【請求項１】 格子と、ＬＰＥにより格子上に形成さ
れた導波体層とを含み、前記レーザはさらに導波体層の
上方に配置された複数の層を含んでいる半導体レーザに
おいて、前記導波体層の上方に配置された層は気相また
は分子ビームエピタキシによって形成されていることを
特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記層がＭＯＶＰＥによって形成され
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記層がＭＯＭＢＥ、ＧＳＭＢＥ、ま
たはＣＢＥによって形成されることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記格子が、傾斜角度と頂部と底部の
比率と格子の深さが最適結合のために調整される２次Ｄ
ＦＢ格子であることを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザ。 - 【請求項５】 アクティブ層が導波体層上に配置され
、その上にクラッド層とコンタクト層が重ねられている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 ４元材料の導波体層が設けられ、４元
材料層またはＭＱＷの順次層がアクティブ層として設け
られおよび／または３元材料または４元材料接触層が接
触層として設けられていることを特徴とする請求項５記
載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 格子およびにＬＰＥにより格子上に設
けられた導波体層と、および前記導波体層上に配置され
た複数の層を備えている半導体レーザの製造方法におい
て、導波体層上に配置された層は気相または分子ビーム
プロセスによって成長させる半導体レーザの製造方法。 - 【請求項８】 ＭＯＶＰＥが気相プロセスとして使用
されることを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 ＭＯＭＢＥ、またはＧＳＭＢＥ、また
はＣＢＥが分子ビームエピタキシプロセスとして選択さ
れることを特徴とする請求項７記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4014032A DE4014032A1 (de) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | Halbleiter-laser |
| DE4014032:6 | 1990-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229679A true JPH04229679A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=6405545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100917A Pending JPH04229679A (ja) | 1990-05-02 | 1991-05-02 | 半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5192710A (ja) |
| EP (1) | EP0455015B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04229679A (ja) |
| DE (2) | DE4014032A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309472A (en) * | 1991-06-24 | 1994-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and a method for producing the same |
| US5362675A (en) * | 1991-12-24 | 1994-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of laser diode and laser diode array |
| FR2686746B1 (fr) * | 1992-01-24 | 1998-11-13 | Ecia Equip Composants Ind Auto | Moteur electrique a courant continu a vitesses predeterminees. |
| US5346855A (en) * | 1993-01-19 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Method of making an INP-based DFB laser |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123126A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for semiconductor crystal growth |
| US4477294A (en) * | 1981-05-06 | 1984-10-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of forming GaAs on Aly Ga1-y As transmission mode photocathodehode |
| JPS61198789A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体素子の連続製造方法 |
| JPS63304614A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体エピタキシャル成長方法 |
| FR2625036B1 (fr) * | 1987-12-18 | 1990-10-26 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un reseau de diffraction sur un materiau semi-conducteur, et dispositif opto-electronique comportant un reseau de diffraction realise selon ce procede |
| JPH0231488A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPH02235386A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
-
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