JP3681693B2 - 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積回路 - Google Patents
半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3681693B2 JP3681693B2 JP2002044520A JP2002044520A JP3681693B2 JP 3681693 B2 JP3681693 B2 JP 3681693B2 JP 2002044520 A JP2002044520 A JP 2002044520A JP 2002044520 A JP2002044520 A JP 2002044520A JP 3681693 B2 JP3681693 B2 JP 3681693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- light guide
- semiconductor laser
- guide layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/1014—Tapered waveguide, e.g. spotsize converter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/106—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying thickness along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子に関し、特に回析格子を有する分布帰還型半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
分布帰還型半導体レーザ（Distributed FeedBack Laser Diode, DFB-LD）は、単一波長でのレーザ発振が可能であり、単一モード光ファイバと組み合わせることで、超高速大容量の光通信システムを構築することができる。さらに近年では、幹線系と同様にアクセス系光通信システムでの高速化要求は高く、温度制御無しに１０Gb/sの高速変調等が求められている。高温での特性向上を図るためには、結合係数(κ)と共振器長(L)の積であるκLを2前後と高めに設定し、閾値キャリア密度増加に伴う変調特性の変化を抑える設計とする必要がある。しかしながら、κが大きい側に変動すると、共振方向の空間的なホールバーニングが生じ、モードジャンプが発生する可能性が高くなる。したがって、−４０から＋８５℃までの極めて広い温度範囲であるホスタイル環境下において顧客要求を満たすDFB-LDを安定して実現するためには回折格子の形状を精密に制御し、
所望のκとしなければならない。これに加え、高出力DFB-LDでは、スロープ効率を高めるために、κを小さく設定する素子設計が行われている。しかし、κが小さすぎると閾値キャリア密度の増加に起因する光出力飽和が発生し、逆に高出力動作が困難となるケースが発生する。従って、特に高出力DFB-LDにおいて良好な高出力特性を実現するためには、狭い作製トレランスの範囲内にκを合わせる必要がある。
【０００３】
DFB-LDにおけるκL制御は主として回折格子高さを精密に制御することで行われてきた。図１１は従来のDFB-LD の構造を示す。この構造はn-InP基板３上に光ガイド層１３で埋められた回折格子１２が設けられ、その上に活性層１５およびp-InP電流ブロック層６が形成され、n-InP基板３の裏面にn電極９が、p-InP電流ブロック層の上面にp電極７が形成されているもので、n-InP基板３上にウエットエッチングで回折格子１２を形成した後に、MOVPE成長前に待機することで回折格子形状をなまらせて所望の回折格子の高さに決定し、その後に光ガイド層１３の成長を行っていた。しかし、マストランスポートを制御して成長待機条件を変える本方法は、回折格子の高さの精密な制御が困難であった。この回折格子の高さの変動は半導体ウエーハの加工処理バッチ間で±３０％程度あり、その結果κLは大きく変動し、発振特性、単一モード歩留まりに多大な影響を及ぼしていた。
【０００４】
これらDFB-LDにおけるκ精密制御の第一の方法として、光ガイド層の両脇に薄いInPを成長した後に回折格子をエッチングにより形成する埋め込み型の回折格子が提案されている。(A. Takemoto, et al., Journal of Lightwave technology, Vol. 7, No. 12, pp. 2072-2077, December, 1989) これを図１２に示す。同構造においては、p-InP基板１８上に活性層１５を形成し、その上に光ガイド層１３を成長するもので、κに大きな影響を与える光ガイド層１３の厚さを結晶成長により精密に制御できる利点を有する。しかし、ウエットエッチング等で回折格子を形成する場合は、回折格子の山谷比が大きく変動する可能性があり、これがκに多大な影響与え、精密制御が困難となるケースが多い。
【０００５】
第二の方法として鬼頭他により提案されているマストランスポートにより形成されるInAsPを吸収層として用いる利得結合分布帰還型半導体レーザが提案されている。（特開平８−２７４４０６）これを図１３に示す。同構造では回折格子１２上に結晶成長を行う前に、アルシンAsH3とフォスフィンPH3を流して一定時間待機することに特徴がある。待機を行うことで、回折格子形状が崩れるが、これと同時に回折格子谷部にInAsP変成層１９が成長する。InAsPのバンドギャップは１．３μｍであり、光通信に用いられる１．３μｍ以上の長波長の光に対して吸収損失が発生する。これを積極的に用いて利得結合型の分布帰還動作を実現する特徴を有する。しかしながら、マストランスポートは非常に不安定な現象であり、これを積極的に用いるデバイス作製方法は安定性の観点から不安が残る。さらに、変成層として成長するInAsPの組成制御が困難であり、InAsP自体の吸収損失が成長条件等で大きく変動してしまう可能性も高く、これによりκ変動が生じると考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この様に、DFB-LDのκ制御に関しては開発当初から多くの検討がなされているが、未だに決めを欠いた状況である。このため、DFB-LDに関しては発振特性や単一モード歩留まりがκの変化により大きく変動し量産時の大きな課題の一つとなっている。
【０００７】
本発明の目的は、κの精密制御が可能で、特性の均一性の優れた回析格子を有する半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子を提供することにある。これにより、分布帰還型半導体レーザの発振特性の再現性、均一性、単一モード歩留まりを安定化させ、大量生産に十分耐えうるレーザ構造を得ることができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の分布帰還型半導体レーザは、表面に凹凸状の回折格子を有する半導体基板上に形成された光ガイド層と、レーザ光を放射する活性層を備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、前記光ガイド層の厚さは前記回折格子の高さよりも低く、前記回折格子の谷部を埋め尽くさないことと、前記光ガイド層と前記活性層の間にバッファ層を備え、前記光ガイド層の屈折率は前記半導体基板の屈折率および前記バッファ層の屈折率よりも大きく、前記光ガイド層の組成は前記レーザ光の吸収がない組成であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、結合係数κの制御は従来の様に回折格子の高さの調整を行うのではなく、回折格子の高さの変化にかかわらず谷部に成長した光ガイド層厚の断面積を一定に保つような製造方法によって、κの精密制御を実現し、発振特性の再現性、均一性、単一モード歩留まりを大幅に向上させることができる。以下に本発明の詳細に関して説明する。
【００１０】
図３は本発明の効果を示す回析格子の構造図であり、回折格子深さが変化した場合の光ガイド層成長の模式図を示す。回折格子谷部に成長する光ガイド層の成長時間を回析格子の高さには依らず一定とすることにより、回折格子谷部に成長する光ガイド層の厚さを含む面の断面積は一定となる。同図(ａ)の回折格子が深い場合では谷の部分に光ガイド層が集中し、谷部において大きな屈折率摂動を生じるが、屈折率変化部のデューティが小さくなる。一方、同図(ｂ)の回折格子が浅い場合は谷部から山部に近い部分まで光ガイド層が成長し、広い範囲に渡り小さな屈折率摂動が生じ、屈折率変化部のデューティは大きい。従って、回折格子深さの変化に対しての屈折率摂動とデューティ変化はκの変動を相殺する方向に動き、この相殺がエッチングや成長待機時のマストランスポートによる回折格子高さ変動を吸収し、κの制御を大きく向上させる。
【００１１】
以上述べた回折格子谷部に成長する光ガイド層厚の断面積を一定とした場合のκの計算方法、並びに計算結果を以下に述べる。先ず回折格子谷部での面積を一定とした場合の回折格子形状を求める計算式を導出する。続いて、同回折格子形状におけるκの計算方法を示す。
【００１２】
図４に回折格子谷部の断面積が一定条件を求めるための計算モデルを示す。計算を簡便に行うため、形状を天地逆さまにしているが、図中の斜線部が回折格子谷部の断面積Sを示し、次式により求めることができる。
【００１３】
(1)
積分を実行すると、
【００１４】
(2)
cos(x)+1を１周期に渡り積分すると、２πであるから、ｈを変化させた場合の断面積が一定となるxpは次式により求めることができる。
【００１５】
(3)
(3)式はxpに対して解析的に解くことができないため、反復計算により求めた。
【００１６】
κは１次回折格子周期に対してのフーリェ積分を実行することにより、次式により計算できる。
【００１７】
(4)
ここで、n(z)は回折格子により生じる屈折率変化であり、次式で定義した。またzは共振器方向である。
【００１８】
【００１９】
(5)
(5)式の導出の際は、光ガイド層が回折格子谷部にしか成長しないことを考慮し、この部分以外での屈折率変動が生じないと考え、cos(xp)の項を付け足した。このため、(5)式においては、n1は光ガイド層の無い部分の導波路等価屈折率、n2は光ガイド層が回折格子谷部から山部頂上まで形成されていると仮定した導波路等価屈折率をそれぞれ示す。
【００２０】
以上計算方法に関してまとめると、最初に(3)式を用いて回折格子谷部に形成される光ガイド層断面積が一定となる積分区間を求める。回折格子山部と谷部の導波路等価屈折率を計算した後、(4)式のフーリェ積分を求めた積分区間において実行し、κを算出する。
【００２１】
回折格子谷部に形成される光ガイド層の断面積を一定とした条件で、回折格子深さを変化させた場合のκの計算結果を図５に示す。図中、破線は回折格子山部頂上まで光ガイド層を成長した従来構造での計算結果、実線は光ガイド層が回折格子山部まで達していない本発明による回折格子での計算結果を示す。Q以降の数字は回折格子上に成長されているInGaAsP光ガイド層の波長組成を示している。従来構造では、回折格子深さに比例してκが変化する。この変化が大きいために、僅かな回折格子高さの変動に対してκが大きく変動してしまう。一方、本発明の回折格子では、光ガイド層の厚さが回折格子深さの７０％となる点である回折格子深さが１４．３ｎｍにおいて回析格子深さに対するκの変化率は従来構造のそれの１／３程度まで減少している。また、回折格子深さが２０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上であれば回折格子深さの変化に対してのκの変動は更に小さいものとなる。これは、断面積が一定であれば、κがほぼ一定値となる本発明の回折格子構造の特長を反映している。
【００２２】
本発明による半導体レーザの製造方法では、光ガイド層の成長時間を、回折格子の谷部を埋め尽くさない時間とすると共に、回折格子の高さの変化にかかわらずに各ウエーハ共通のほぼ一定の時間とすることにより、回折格子谷部に形成される光ガイド層の最大厚を回折格子の高さより薄くすることができ、且つ光ガイド層厚の断面積をほぼ一定に維持できるため、結合係数κもほぼ一定に維持でき、製作トレランスを大きく改善することができる。
【００２３】
尚、特開平８−２７４４０６には回折格子谷部にInGaAsPを選択的に形成する構造が記載され、又、特開平２−１０５５９３においては、回析格子上に回析格子の山の高さよりも薄い膜厚のガイド層を液晶結晶成長法により設けた半導体レーザの構造が開示されている。しかしながら、前者の目的は回析格子谷部にInAsP変成層を成長し、InAsPのバンドギャップ以上の長波長の光に対して発生する吸収損失を積極的に用いて利得結合型の分布帰還動作を実現するものであり、後者の目的は光ガイド層による光吸収損失を減じるために光ガイド層の厚さを回析格子の山の高さよりも薄くするものであり、これらの文献においては回折格子の高さが変動する場合における光ガイド層の成長方法や光ガイド層厚の断面積を一定に保って、結合係数κの精密制御や作製トレランスを向上させることに関する記載は一切ない。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施の形態について、図面を用いて説明する。
（第１の実施の形態）まず、第１の実施の形態の分布帰還型半導体レーザについて説明する。図１は本発明の第１の実施の形態による半導体レーザの構成を示す構造図である。n-InP基板３上に設けられた回折格子１２の谷部に回折格子１２の高さよりも薄い光ガイド層１３が設けられ、その上にn-InPバッファ層１４が回折格子１２を埋める様に形成され、更にその上に活性層１５、p-InP電流ブロック層６が順に設けられ、n-InP基板３の裏面にn電極９、p-InP電流ブロック層６の上面にp電極７が設けられる。
【００２５】
本発明の第１の実施の形態よる分布帰還型半導体レーザの製造方法を図２、図６及び図７に示した製造工程に沿って説明する。先ず、n-InP基板3の（０１１）面上にEB露光法を用いて回折格子形成のためのレジストパターン（図示せず）を形成する。パターンにはλ／４位相シフトを導入し、単一モード歩留まりの向上を図った。周期は２０００Å、描画幅は１０μｍとする。レジストをマスクとしてウエットエッチングを実施し、n-InP基板3上に回折格子１２を形成する。この回折格子部の拡大構造断面図を図２(a)に示す。続いて熱ＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍのSiO2膜からなる成長阻止膜2を堆積する。続いてフォトリソグラフィ工程により、選択MOVPEに用いるレジストパターンを形成する。希釈した弗酸により成長阻止膜2をエッチングし、光ガイド層13を成長に用いる基板が完成する。ここで成長阻止膜2の幅は５μｍとし、また対向する成長阻止膜間の間隙部分4の幅は５μｍとした。選択MOVPE成長により回折格子上に波長組成１．１μｍのInGaAsP光ガイド層13を成長した。この斜視図を図６(a)に、回析格子部の拡大構造断面図を図２(ｂ)に示す。
【００２６】
この光ガイド層13の成長時間は回折格子１２の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子１２の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定の時間とし、２．７秒とした。
即ち、ウエハ毎に回折格子１２の高さが変動する中で最も回折格子１２の高さが低いウエハに対しても回折格子１２の谷部に成長する光ガイド層13の厚さは回折格子１２の高さよりも低くなるような成長時間を選び、どのウエハに対してもほぼ同一の成長時間或いは実質的に同一の時間とする。
昇温待機後の回折格子高さは３０ｎｍであり、回折格子１２の高さはバッチ間で最大±３０％程度まで変化するため、回折格子１２の高さは２０〜４０ｎｍの範囲を変動する。光ガイド層13の最大厚さは回折格子高さの下限の２０ｎｍの５０％の１０ｎｍとし、回折格子の高さが変動してもκの変動が小さい設計とした。これに続いて選択MOVPE成長によりn-InPバッファ層１４を０．１μｍ、１μｍ波長組成のInGaAsPよりなる第一のSCH層１６を５０ｎｍ、MQW（多重量子井戸）層１、１．１μｍ波長組成InGaAsPよりなる第二のSCH層１７を５０ｎｍ、p-InP クラッド層８を１００ｎｍ順次エピタキシャル成長する。この拡大構造断面図を図２(ｃ)に示す。ＭＱＷ層1は１．４μｍ波長組成InGaAsPよりなる井戸層とその間に挟まれる１．１μｍ波長組成InGaAsPよりなる障壁層から構成されたもので、周期は７、井戸層の厚さは７ｎｍ、障壁層の厚さは１０ｎｍとし、発振波長が１．３μｍとなる様設計した。それらの層の結晶は、成長阻止膜2上には成長せず、この間隙部分4のｎ-InP 基板3上に選択的に成長する。MQW層1を有する導波路を選択成長した後、弗酸にてSiO2膜からなる成長阻止膜2を除去する．これを図６(b)に示す。
【００２７】
再び全面にSiO2膜による成長阻止膜を堆積させる．その後セルフアラインプ
ロセスにより、直接形成した導波路の頂上にのみ成長阻止膜2が形成されるように、他の成長阻止膜は弗酸により除去する．これを図６(c)に示す。この成長阻止膜2をマスクにして再びMOVPE成長を行い、p-InP電流ブロック層6を０．７μｍとn-InP電流ブロック層5を０．７μｍ順次形成する．これを図７(d)に示す。
次に成長阻止膜2を除去してからp-InPクラッド層8を３μｍ、InGaAsキャップ層を０．３μｍ順次成長する。両面にTiAuからなるｐ電極7とｎ電極9を形成後、４３０℃での電極アロイを行い素子が完成する．これを図７(e)に示す。
【００２８】
尚、回折格子の谷部に光ガイド層を成長させる際に山部にも一部が成長してしまうが、これにより本発明の結合係数の精密制御の効果は大幅に減じるものではない。しかし、以下の方法により山部の成長を十分抑制することも可能である。即ち、回折格子上にInGaAsPの光ガイド層を結晶成長させ、InP回折格子の山部に達する前に光ガイド層の成長を終了するシーケンスを採用する場合に、特徴的なのは、山部には殆ど光ガイド層は成長せず、谷部に成長が集中している点である。
これは[001]面に対して、[111]等の高次面は成長レートが高いことに起因している。
即ち、回折格子上のMOVPE成長の初期においては、[001]面には殆ど光ガイド層が成長せず、高次面での成長が支配的となる。このため、高次面が側面にある谷部が最初に光ガイド層で埋まり、その後に山部、即ち[001]面の成長が始まる。換言すると、成長初期では谷部にのみ光ガイド層が選択的に成長する。したがって、回折格子谷部にのみ光ガイド層を選択的に成長し、山部に光ガイド層が達する前に四元の成長を止め、InPへ切り替えることにより、回折格子の山部に成長させる光ガイド層の厚さは谷部の厚さよりも少なくとも半分以下となるように成長させることができる。これにより屈折率変動を主として回折格子谷部に成長される光ガイド層により実現することができる。
【００２９】
結合係数κは３１cm-1が見積もられるが、回析格子が最大±３０％変化して２０〜４０ｎｍの範囲で変動する場合には、図５からκも２９〜３２の範囲で変動することになり、変動率は±５％が見込まれる。一方、回折格子の谷部を光ガイド層で埋め尽くす従来の製造方法では結合係数κを３１cm-1とするために回折格子の高さを１５ｎｍと低く設定する必要があるが、回折格子の高さの変動範囲１０〜２０ｎｍに対するκは２０〜４１の範囲で変動することになり、変動率は±３４％と大幅に増加する。これより、本発明の製造方法により、結合係数の変動が従来の製造方法の１／７程度に低減することが分かる。
【００３０】
素子長を４５０μｍとし、素子中央にλ／４位相シフトが配置されるよう素子を切り出し、両端面にSiON膜からなる反射率０．１％の無反射コーティングを施す。ストップバンドスペクトルから見積もられるκは３１cm-1、κLは１．３と設計値に等しい値を得た。室温での閾値電流は１２mA、スロープ効率は３５W/Aと良好な発振特性を実現した。適切なκLの設定と０．１％と両端面への低反射コーティングにより９８％の高い単一モード歩留まりを実現した。
（第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は同一共振器内に導波路厚が変化したテーパ導波路とDFB-LDを集積した素子（Spot-Size-Converter integrated Distributed FeedBack laser diode, SSC-DFB-LD）に適用した例である。図８は本発明の第２の実施の形態のスポットサイズ変換器集積分布帰還型半導体レーザの構成を示す構造図である。
作製プロセスは第１の実施の形態とほぼ同じで、異なる点は出射端に向かって導波路厚が薄くなっていくテーパ導波路部と半導体レーザ部を一括形成する部分である。回折格子はMQW活性層の下部にのみ部分的に形成した。ＭＱＷ活性層とテーパ導波路層を酸化膜マスクの間隙部分に選択MOVPEにより一括形成する。
回折格子上の結晶成長の際には、回折格子谷部にのみ光ガイド層を成長し、回折格子山部の頂上には成長させない様留意した。第１の実施の形態と同様に昇温待機後での回折格子高さは３０ｎｍとし、光ガイド層の最大厚は１５ｎｍとして素子を試作した。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とし、４．２秒とした。選択成長に用いた成長阻止膜２のパターンを図９に示す。
【００３１】
半導体レーザ部の長さは３００μｍ、テーパ導波路部の長さは２００μｍとした。半導体レーザ部での成長阻止膜幅は５０μｍ、テーパ導波路部分での成長阻止膜幅は５０μｍから出射端に向かって５μｍに狭くするパターンとした。このように成長阻止膜幅２を出射端に向けて狭くするパターンを採用することで、間隙部分の成長レートが減少し、導波路厚が出射端に向かって薄くなっていくテーパ構造を作り込むことができる。またテーパ導波路の側面は（１１１）結晶面となるため散乱損失の低い導波路が得られる。活性層であるMQW層１とテーパ導波路層を一括形成した後は実施例１と同じ素子作製プロセスにて、SSC-DFB-LDを作製することができる。なおｐ電極７は発光部分とテーパ導波路の一部まで形成し、テーパ導波路の一部に電流注入を行う構造とし、ここでの吸収損失増加を防いだ。
前端面には、０．１％の無反射コーティング、後端面には９０％の高反射コーティングを施した。
【００３２】
本素子は−４０℃から８５℃の温度範囲で安定な単一軸モード発振を得た。
２５℃、８５℃での閾値電流はそれぞれ４ｍＡ、１２ｍＡと低い特性を実現した。８５℃−１０ｍＷの駆動電流は４０ｍＡと低く、温度制御の必要ない光モジュール実現に目処をつけることができた。テーパ導波路の集積により放射角は通常の半導体レーザの水平放射角３３°、垂直放射角３５°から水平放射角、垂直放射角ともに１０°と狭く、スポットサイズの直径が１０μｍのシングルモードファイバとの最小結合損失は１．５ｄＢと良好な結合特性も同時に実現した。
（第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は回折格子を有する分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器を集積した素子（EML; Electroabsorption Modulator integrated Laser）に適用した例である。回折格子を有する分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器を集積した素子（EML; Electroabsorption Modulator integrated Laser）の作製方法について述べる。第１の実施の形態と異なる部分は、選択MOVPEに用いる成長阻止膜２のパターンと第２の実施の形態と同様に回折格子が部分的に形成されたInP基板を用いる点である。図１０に変調器集積分布帰還型半導体レーザの活性層１と吸収層を一括形成するのに用いるマスクパターンを示す。分布帰還半導体レーザ部の共振器長は３００μｍ、また変調器部の長さは２００μｍとした。
成長阻止膜幅は回折格子基板上に形成される分布帰還半導体レーザ部で５０μｍ、変調器部で３０μｍ一定とした。活性層１と吸収層は幅１．５μｍの間隙部に選択MOVPEにより一括形成した。活性層の下部の回折格子上への成長を実施の際には、回折格子谷部にのみ光ガイド層を形成する条件とした。平坦部分での光ガイド層厚は８ｎｍ、また光ガイド層には波長組成１．１３μｍのInGaAsPを採用した。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とした。
【００３３】
光ガイド層成長後はn-InPを０．１μｍ成長、続いてMQW層を順次成長した。
成長阻止膜幅の変化による波長シフトは７０ｎｍであり、電界吸収型変調器として適した波長シフト量となるよう設計した。選択MOVPE成長の後は、第１の実施の形態と同じ素子作製プロセスにてＥＭＬを作製することができる。ただし、分布帰還半導体レーザ部と変調器部の両者間に電気的に独立な電極を形成した。また電流ブロック層にはFeドープInP高抵抗層を用いた。
【００３４】
本素子のκLは１．５であり、設計値に等しい値を得た。κLを適切に制御することで、８０％以上の単一モード歩留まりが得られた。閾値電流は5mA、スロープ効率は０．２W/Aであった。吸収層に２Ｖ印加した場合の消光比は２０ｄＢと良好であった。２．５Ｇｂ変調時も良好なアイ開口が得られた。同集積素子を用いて６００ｋｍのノーマルファイバ伝送実験を行ったところパワーペナルティとして０．５ｄＢの小さい値を得た。
（第４の実施の形態） 次に、第４の実施の形態について説明する。第１の実施の形態ではMQW層を選択MOVPE成長により形成した。本発明は第１の実施の形態に示した構造以外でも通常行われているSiO2をマスクにしたウエットエッチング、またはドライエッチングにて導波路を形成する構造においても有効である。
この場合は回折格子が形成された基板上に光ガイド層を回折格子高さの２０％以上７０％以下の範囲で成長し、周期的な屈折率変化を得る。光ガイド層は波長組成１．１３μｍのInGaAsPとする。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とした。光ガイド層成長後はn-InPを０．１μｍMQW活性層、p-InPを０．１μｍ順次成長する。導波路を形成するために幅５μｍのストライプをSiO2により基板上に形成した後、エッチングにより導波路を形成する。その後再度SiO2をマスクにしてMOVPE成長によりp電流ブロック層とn電流ブロック層を順次成長し、SiO2を除去の後基板全面にp-InPクラッド層を成長、通常の電極プロセスを経て素子が完成する。
また、電流ブロック層とp-InPクラッド層形成に際してはMOVPEに限らず、
LPEを用いても素子作製ができる。実施例1と同様の素子中央にλ／４位相シフトは配置させ、共振器長並びに端面構造として素子を評価したところ、ほぼ同等の発振特性を実現できた。
（第５の実施の形態） 次に、第５の実施の形態について説明する。これまでの実施の形態では回折格子が形成された基板上に活性層を成長する構造に適用した例に関して述べたが、本発明は活性層成長後に回折格子を形成するレーザ構造においてもκの制御性向上に有効である。その場合の実施の形態を以下に述べる。n-InP基板上にMQW活性層、p-InPクラッド層を０．１μｍ順次成長する。
EB露光法により基板上に２４００Å周期で描画幅１０μｍのレジストパターンを形成し、これをマスクとしてウエットエッチングにより基板上に回折格子を形成する。回折格子には、λ／４位相シフトを導入し、単一モード歩留まりの向上を図った。回折格子形成後波長組成１．１μｍのInGaAsP光ガイド層を最大厚が回折格子深さの５０％となる形状にて形成、その後p-InPクラッド層を3μｍ成長する。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とした。その後SiO2をマスクにして、ウエットエッチング、またはドライエッチングにより導波路を形成し、p/n-InPからなるサイリスタ構造を成長し結晶成長工程が終了する。以後は通常行われる半導体レーザの電極プロセスにより、基板両面にTiAuによる電極を蒸着し、アロイの後素子が完成する。
【００３５】
本発明では半導体レーザ部と回折格子が形成されたブラッグ導波路を集積したDBR(Distributed Bragg Reflector)レーザ構造としても良い。上記した実施例では、ＭＱＷをInGaAsP ／InP 系材料によって構成しているが、AlGaAs／GaAs系材料、AlGaInP ／GaInP 系材料、ZnSe系、GaN系その他の化合物半導体材料を使用したものであってもよい。
【００３６】
【発明の効果】
本発明は、光ガイド層の成長時間を、回折格子の谷部を埋め尽くさない時間とすると共に、ウエハ毎の回折格子の高さの変化にかかわらずに成長時間を各ウエーハ共通のほぼ一定の時間とすることにより、回折格子谷部に形成される光ガイド層の最大厚を回折格子の高さより薄くすることができ、且つ各ウエーハを通して光ガイド層厚の断面積を一定に維持できる。このため、結合係数κは一定に維持でき、作製トレランスを大きく改善することができるため、κの制御性を大幅に向上させたDFB-LDを製造できるものである。これにより回折格子深さの変動に起因するκ変化による発振特性や単一モード歩留まりの変動を低く抑えることが可能となり、再現性も含めた特性の均一性を大きく改善することができる。本発明は回折格子を有する半導体レーザ全てに適用可能であり、それら全ての製造方法においてκの制御性を著しく向上させることができる。従って、分布帰還型半導体レーザ等の単体素子に限らず、変調器集積化光源、分布ブラッグ反射型半導体レーザといった多くの構造を有する半導体光集積素子の製造方法に適用可能な利点を併せ持つ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す構造図である。
【図３】本発明の効果を示す回析格子の構造図である。
【図４】本発明の回析格子谷部の計算モデルを示す図である。
【図５】本発明の回析格子深さと結合係数の関係を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態のスポットサイズ変換器集積分布帰還型半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態のスポットサイズ変換器集積分布帰還型半導体レーザ作製の選択MOVPE成長の用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の変調器集積分布帰還型半導体レーザ作製の選択MOVPE成長に用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図１１】従来の半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図１２】従来の半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図１３】従来の半導体レーザの構成を示す構造図である。
【符号の説明】
1 MQW層
2 成長阻止膜
3 n-InP基板
4 間隙部分
5 n-InP電流ブロック層
6 p-InP電流ブロック層
7 p電極
8 p-InPクラッド層
9 n電極
10 酸化膜
pキャップ層
回析格子
光ガイド層
n-InPバッファ層
活性層
第一のSCH層
第二のSCH層
p-InP基板
InAsP変成層
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子に関し、特に回析格子を有する分布帰還型半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
分布帰還型半導体レーザ（Distributed FeedBack Laser Diode, DFB-LD）は、単一波長でのレーザ発振が可能であり、単一モード光ファイバと組み合わせることで、超高速大容量の光通信システムを構築することができる。さらに近年では、幹線系と同様にアクセス系光通信システムでの高速化要求は高く、温度制御無しに１０Gb/sの高速変調等が求められている。高温での特性向上を図るためには、結合係数(κ)と共振器長(L)の積であるκLを2前後と高めに設定し、閾値キャリア密度増加に伴う変調特性の変化を抑える設計とする必要がある。しかしながら、κが大きい側に変動すると、共振方向の空間的なホールバーニングが生じ、モードジャンプが発生する可能性が高くなる。したがって、−４０から＋８５℃までの極めて広い温度範囲であるホスタイル環境下において顧客要求を満たすDFB-LDを安定して実現するためには回折格子の形状を精密に制御し、
所望のκとしなければならない。これに加え、高出力DFB-LDでは、スロープ効率を高めるために、κを小さく設定する素子設計が行われている。しかし、κが小さすぎると閾値キャリア密度の増加に起因する光出力飽和が発生し、逆に高出力動作が困難となるケースが発生する。従って、特に高出力DFB-LDにおいて良好な高出力特性を実現するためには、狭い作製トレランスの範囲内にκを合わせる必要がある。
【０００３】
DFB-LDにおけるκL制御は主として回折格子高さを精密に制御することで行われてきた。図１１は従来のDFB-LD の構造を示す。この構造はn-InP基板３上に光ガイド層１３で埋められた回折格子１２が設けられ、その上に活性層１５およびp-InP電流ブロック層６が形成され、n-InP基板３の裏面にn電極９が、p-InP電流ブロック層の上面にp電極７が形成されているもので、n-InP基板３上にウエットエッチングで回折格子１２を形成した後に、MOVPE成長前に待機することで回折格子形状をなまらせて所望の回折格子の高さに決定し、その後に光ガイド層１３の成長を行っていた。しかし、マストランスポートを制御して成長待機条件を変える本方法は、回折格子の高さの精密な制御が困難であった。この回折格子の高さの変動は半導体ウエーハの加工処理バッチ間で±３０％程度あり、その結果κLは大きく変動し、発振特性、単一モード歩留まりに多大な影響を及ぼしていた。
【０００４】
これらDFB-LDにおけるκ精密制御の第一の方法として、光ガイド層の両脇に薄いInPを成長した後に回折格子をエッチングにより形成する埋め込み型の回折格子が提案されている。(A. Takemoto, et al., Journal of Lightwave technology, Vol. 7, No. 12, pp. 2072-2077, December, 1989) これを図１２に示す。同構造においては、p-InP基板１８上に活性層１５を形成し、その上に光ガイド層１３を成長するもので、κに大きな影響を与える光ガイド層１３の厚さを結晶成長により精密に制御できる利点を有する。しかし、ウエットエッチング等で回折格子を形成する場合は、回折格子の山谷比が大きく変動する可能性があり、これがκに多大な影響与え、精密制御が困難となるケースが多い。
【０００５】
第二の方法として鬼頭他により提案されているマストランスポートにより形成されるInAsPを吸収層として用いる利得結合分布帰還型半導体レーザが提案されている。（特開平８−２７４４０６）これを図１３に示す。同構造では回折格子１２上に結晶成長を行う前に、アルシンAsH3とフォスフィンPH3を流して一定時間待機することに特徴がある。待機を行うことで、回折格子形状が崩れるが、これと同時に回折格子谷部にInAsP変成層１９が成長する。InAsPのバンドギャップは１．３μｍであり、光通信に用いられる１．３μｍ以上の長波長の光に対して吸収損失が発生する。これを積極的に用いて利得結合型の分布帰還動作を実現する特徴を有する。しかしながら、マストランスポートは非常に不安定な現象であり、これを積極的に用いるデバイス作製方法は安定性の観点から不安が残る。さらに、変成層として成長するInAsPの組成制御が困難であり、InAsP自体の吸収損失が成長条件等で大きく変動してしまう可能性も高く、これによりκ変動が生じると考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この様に、DFB-LDのκ制御に関しては開発当初から多くの検討がなされているが、未だに決めを欠いた状況である。このため、DFB-LDに関しては発振特性や単一モード歩留まりがκの変化により大きく変動し量産時の大きな課題の一つとなっている。
【０００７】
本発明の目的は、κの精密制御が可能で、特性の均一性の優れた回析格子を有する半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子を提供することにある。これにより、分布帰還型半導体レーザの発振特性の再現性、均一性、単一モード歩留まりを安定化させ、大量生産に十分耐えうるレーザ構造を得ることができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の分布帰還型半導体レーザは、表面に凹凸状の回折格子を有する半導体基板上に形成された光ガイド層と、レーザ光を放射する活性層を備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、前記光ガイド層の厚さは前記回折格子の高さよりも低く、前記回折格子の谷部を埋め尽くさないことと、前記光ガイド層と前記活性層の間にバッファ層を備え、前記光ガイド層の屈折率は前記半導体基板の屈折率および前記バッファ層の屈折率よりも大きく、前記光ガイド層の組成は前記レーザ光の吸収がない組成であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、結合係数κの制御は従来の様に回折格子の高さの調整を行うのではなく、回折格子の高さの変化にかかわらず谷部に成長した光ガイド層厚の断面積を一定に保つような製造方法によって、κの精密制御を実現し、発振特性の再現性、均一性、単一モード歩留まりを大幅に向上させることができる。以下に本発明の詳細に関して説明する。
【００１０】
図３は本発明の効果を示す回析格子の構造図であり、回折格子深さが変化した場合の光ガイド層成長の模式図を示す。回折格子谷部に成長する光ガイド層の成長時間を回析格子の高さには依らず一定とすることにより、回折格子谷部に成長する光ガイド層の厚さを含む面の断面積は一定となる。同図(ａ)の回折格子が深い場合では谷の部分に光ガイド層が集中し、谷部において大きな屈折率摂動を生じるが、屈折率変化部のデューティが小さくなる。一方、同図(ｂ)の回折格子が浅い場合は谷部から山部に近い部分まで光ガイド層が成長し、広い範囲に渡り小さな屈折率摂動が生じ、屈折率変化部のデューティは大きい。従って、回折格子深さの変化に対しての屈折率摂動とデューティ変化はκの変動を相殺する方向に動き、この相殺がエッチングや成長待機時のマストランスポートによる回折格子高さ変動を吸収し、κの制御を大きく向上させる。
【００１１】
以上述べた回折格子谷部に成長する光ガイド層厚の断面積を一定とした場合のκの計算方法、並びに計算結果を以下に述べる。先ず回折格子谷部での面積を一定とした場合の回折格子形状を求める計算式を導出する。続いて、同回折格子形状におけるκの計算方法を示す。
【００１２】
図４に回折格子谷部の断面積が一定条件を求めるための計算モデルを示す。計算を簡便に行うため、形状を天地逆さまにしているが、図中の斜線部が回折格子谷部の断面積Sを示し、次式により求めることができる。
(1)
積分を実行すると、
(2)
cos(x)+1を１周期に渡り積分すると、２πであるから、ｈを変化させた場合の断面積が一定となるxpは次式により求めることができる。
(3)
(3)式はxpに対して解析的に解くことができないため、反復計算により求めた。
【００１６】
κは１次回折格子周期に対してのフーリェ積分を実行することにより、次式により計算できる。
(4)
ここで、n(z)は回折格子により生じる屈折率変化であり、次式で定義した。またzは共振器方向である。
(5)
(5)式の導出の際は、光ガイド層が回折格子谷部にしか成長しないことを考慮し、この部分以外での屈折率変動が生じないと考え、cos(xp)の項を付け足した。このため、(5)式においては、n1は光ガイド層の無い部分の導波路等価屈折率、n2は光ガイド層が回折格子谷部から山部頂上まで形成されていると仮定した導波路等価屈折率をそれぞれ示す。
【００２０】
以上計算方法に関してまとめると、最初に(3)式を用いて回折格子谷部に形成される光ガイド層断面積が一定となる積分区間を求める。回折格子山部と谷部の導波路等価屈折率を計算した後、(4)式のフーリェ積分を求めた積分区間において実行し、κを算出する。
【００２１】
回折格子谷部に形成される光ガイド層の断面積を一定とした条件で、回折格子深さを変化させた場合のκの計算結果を図５に示す。図中、破線は回折格子山部頂上まで光ガイド層を成長した従来構造での計算結果、実線は光ガイド層が回折格子山部まで達していない本発明による回折格子での計算結果を示す。Q以降の数字は回折格子上に成長されているInGaAsP光ガイド層の波長組成を示している。従来構造では、回折格子深さに比例してκが変化する。この変化が大きいために、僅かな回折格子高さの変動に対してκが大きく変動してしまう。一方、本発明の回折格子では、光ガイド層の厚さが回折格子深さの７０％となる点である回折格子深さが１４．３ｎｍにおいて回析格子深さに対するκの変化率は従来構造のそれの１／３程度まで減少している。また、回折格子深さが２０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上であれば回折格子深さの変化に対してのκの変動は更に小さいものとなる。これは、断面積が一定であれば、κがほぼ一定値となる本発明の回折格子構造の特長を反映している。
【００２２】
本発明による半導体レーザの製造方法では、光ガイド層の成長時間を、回折格子の谷部を埋め尽くさない時間とすると共に、回折格子の高さの変化にかかわらずに各ウエーハ共通のほぼ一定の時間とすることにより、回折格子谷部に形成される光ガイド層の最大厚を回折格子の高さより薄くすることができ、且つ光ガイド層厚の断面積をほぼ一定に維持できるため、結合係数κもほぼ一定に維持でき、製作トレランスを大きく改善することができる。
【００２３】
尚、特開平８−２７４４０６には回折格子谷部にInGaAsPを選択的に形成する構造が記載され、又、特開平２−１０５５９３においては、回析格子上に回析格子の山の高さよりも薄い膜厚のガイド層を液晶結晶成長法により設けた半導体レーザの構造が開示されている。しかしながら、前者の目的は回析格子谷部にInAsP変成層を成長し、InAsPのバンドギャップ以上の長波長の光に対して発生する吸収損失を積極的に用いて利得結合型の分布帰還動作を実現するものであり、後者の目的は光ガイド層による光吸収損失を減じるために光ガイド層の厚さを回析格子の山の高さよりも薄くするものであり、これらの文献においては回折格子の高さが変動する場合における光ガイド層の成長方法や光ガイド層厚の断面積を一定に保って、結合係数κの精密制御や作製トレランスを向上させることに関する記載は一切ない。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施の形態について、図面を用いて説明する。
（第１の実施の形態）まず、第１の実施の形態の分布帰還型半導体レーザについて説明する。図１は本発明の第１の実施の形態による半導体レーザの構成を示す構造図である。n-InP基板３上に設けられた回折格子１２の谷部に回折格子１２の高さよりも薄い光ガイド層１３が設けられ、その上にn-InPバッファ層１４が回折格子１２を埋める様に形成され、更にその上に活性層１５、p-InP電流ブロック層６が順に設けられ、n-InP基板３の裏面にn電極９、p-InP電流ブロック層６の上面にp電極７が設けられる。
【００２５】
本発明の第１の実施の形態よる分布帰還型半導体レーザの製造方法を図２、図６及び図７に示した製造工程に沿って説明する。先ず、n-InP基板3の（０１１）面上にEB露光法を用いて回折格子形成のためのレジストパターン（図示せず）を形成する。パターンにはλ／４位相シフトを導入し、単一モード歩留まりの向上を図った。周期は２０００Å、描画幅は１０μｍとする。レジストをマスクとしてウエットエッチングを実施し、n-InP基板3上に回折格子１２を形成する。この回折格子部の拡大構造断面図を図２(a)に示す。続いて熱ＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍのSiO2膜からなる成長阻止膜2を堆積する。続いてフォトリソグラフィ工程により、選択MOVPEに用いるレジストパターンを形成する。希釈した弗酸により成長阻止膜2をエッチングし、光ガイド層13を成長に用いる基板が完成する。ここで成長阻止膜2の幅は５μｍとし、また対向する成長阻止膜間の間隙部分4の幅は５μｍとした。選択MOVPE成長により回折格子上に波長組成１．１μｍのInGaAsP光ガイド層13を成長した。この斜視図を図６(a)に、回析格子部の拡大構造断面図を図２(ｂ)に示す。
【００２６】
この光ガイド層13の成長時間は回折格子１２の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子１２の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定の時間とし、２．７秒とした。
即ち、ウエハ毎に回折格子１２の高さが変動する中で最も回折格子１２の高さが低いウエハに対しても回折格子１２の谷部に成長する光ガイド層13の厚さは回折格子１２の高さよりも低くなるような成長時間を選び、どのウエハに対してもほぼ同一の成長時間或いは実質的に同一の時間とする。
昇温待機後の回折格子高さは３０ｎｍであり、回折格子１２の高さはバッチ間で最大±３０％程度まで変化するため、回折格子１２の高さは２０〜４０ｎｍの範囲を変動する。光ガイド層13の最大厚さは回折格子高さの下限の２０ｎｍの５０％の１０ｎｍとし、回折格子の高さが変動してもκの変動が小さい設計とした。これに続いて選択MOVPE成長によりn-InPバッファ層１４を０．１μｍ、１μｍ波長組成のInGaAsPよりなる第一のSCH層１６を５０ｎｍ、MQW（多重量子井戸）層１、１．１μｍ波長組成InGaAsPよりなる第二のSCH層１７を５０ｎｍ、p-InP クラッド層８を１００ｎｍ順次エピタキシャル成長する。この拡大構造断面図を図２(ｃ)に示す。ＭＱＷ層1は１．４μｍ波長組成InGaAsPよりなる井戸層とその間に挟まれる１．１μｍ波長組成InGaAsPよりなる障壁層から構成されたもので、周期は７、井戸層の厚さは７ｎｍ、障壁層の厚さは１０ｎｍとし、発振波長が１．３μｍとなる様設計した。それらの層の結晶は、成長阻止膜2上には成長せず、この間隙部分4のｎ-InP 基板3上に選択的に成長する。MQW層1を有する導波路を選択成長した後、弗酸にてSiO2膜からなる成長阻止膜2を除去する．これを図６(b)に示す。
【００２７】
再び全面にSiO2膜による成長阻止膜を堆積させる．その後セルフアラインプ
ロセスにより、直接形成した導波路の頂上にのみ成長阻止膜2が形成されるように、他の成長阻止膜は弗酸により除去する．これを図６(c)に示す。この成長阻止膜2をマスクにして再びMOVPE成長を行い、p-InP電流ブロック層6を０．７μｍとn-InP電流ブロック層5を０．７μｍ順次形成する．これを図７(d)に示す。
次に成長阻止膜2を除去してからp-InPクラッド層8を３μｍ、InGaAsキャップ層を０．３μｍ順次成長する。両面にTiAuからなるｐ電極7とｎ電極9を形成後、４３０℃での電極アロイを行い素子が完成する．これを図７(e)に示す。
【００２８】
尚、回折格子の谷部に光ガイド層を成長させる際に山部にも一部が成長してしまうが、これにより本発明の結合係数の精密制御の効果は大幅に減じるものではない。しかし、以下の方法により山部の成長を十分抑制することも可能である。即ち、回折格子上にInGaAsPの光ガイド層を結晶成長させ、InP回折格子の山部に達する前に光ガイド層の成長を終了するシーケンスを採用する場合に、特徴的なのは、山部には殆ど光ガイド層は成長せず、谷部に成長が集中している点である。
これは[001]面に対して、[111]等の高次面は成長レートが高いことに起因している。
即ち、回折格子上のMOVPE成長の初期においては、[001]面には殆ど光ガイド層が成長せず、高次面での成長が支配的となる。このため、高次面が側面にある谷部が最初に光ガイド層で埋まり、その後に山部、即ち[001]面の成長が始まる。換言すると、成長初期では谷部にのみ光ガイド層が選択的に成長する。したがって、回折格子谷部にのみ光ガイド層を選択的に成長し、山部に光ガイド層が達する前に四元の成長を止め、InPへ切り替えることにより、回折格子の山部に成長させる光ガイド層の厚さは谷部の厚さよりも少なくとも半分以下となるように成長させることができる。これにより屈折率変動を主として回折格子谷部に成長される光ガイド層により実現することができる。
【００２９】
結合係数κは３１cm-1が見積もられるが、回析格子が最大±３０％変化して２０〜４０ｎｍの範囲で変動する場合には、図５からκも２９〜３２の範囲で変動することになり、変動率は±５％が見込まれる。一方、回折格子の谷部を光ガイド層で埋め尽くす従来の製造方法では結合係数κを３１cm-1とするために回折格子の高さを１５ｎｍと低く設定する必要があるが、回折格子の高さの変動範囲１０〜２０ｎｍに対するκは２０〜４１の範囲で変動することになり、変動率は±３４％と大幅に増加する。これより、本発明の製造方法により、結合係数の変動が従来の製造方法の１／７程度に低減することが分かる。
【００３０】
素子長を４５０μｍとし、素子中央にλ／４位相シフトが配置されるよう素子を切り出し、両端面にSiON膜からなる反射率０．１％の無反射コーティングを施す。ストップバンドスペクトルから見積もられるκは３１cm-1、κLは１．３と設計値に等しい値を得た。室温での閾値電流は１２mA、スロープ効率は３５W/Aと良好な発振特性を実現した。適切なκLの設定と０．１％と両端面への低反射コーティングにより９８％の高い単一モード歩留まりを実現した。
（第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は同一共振器内に導波路厚が変化したテーパ導波路とDFB-LDを集積した素子（Spot-Size-Converter integrated Distributed FeedBack laser diode, SSC-DFB-LD）に適用した例である。図８は本発明の第２の実施の形態のスポットサイズ変換器集積分布帰還型半導体レーザの構成を示す構造図である。
作製プロセスは第１の実施の形態とほぼ同じで、異なる点は出射端に向かって導波路厚が薄くなっていくテーパ導波路部と半導体レーザ部を一括形成する部分である。回折格子はMQW活性層の下部にのみ部分的に形成した。ＭＱＷ活性層とテーパ導波路層を酸化膜マスクの間隙部分に選択MOVPEにより一括形成する。
回折格子上の結晶成長の際には、回折格子谷部にのみ光ガイド層を成長し、回折格子山部の頂上には成長させない様留意した。第１の実施の形態と同様に昇温待機後での回折格子高さは３０ｎｍとし、光ガイド層の最大厚は１５ｎｍとして素子を試作した。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とし、４．２秒とした。選択成長に用いた成長阻止膜２のパターンを図９に示す。
【００３１】
半導体レーザ部の長さは３００μｍ、テーパ導波路部の長さは２００μｍとした。半導体レーザ部での成長阻止膜幅は５０μｍ、テーパ導波路部分での成長阻止膜幅は５０μｍから出射端に向かって５μｍに狭くするパターンとした。このように成長阻止膜幅２を出射端に向けて狭くするパターンを採用することで、間隙部分の成長レートが減少し、導波路厚が出射端に向かって薄くなっていくテーパ構造を作り込むことができる。またテーパ導波路の側面は（１１１）結晶面となるため散乱損失の低い導波路が得られる。活性層であるMQW層１とテーパ導波路層を一括形成した後は実施例１と同じ素子作製プロセスにて、SSC-DFB-LDを作製することができる。なおｐ電極７は発光部分とテーパ導波路の一部まで形成し、テーパ導波路の一部に電流注入を行う構造とし、ここでの吸収損失増加を防いだ。
前端面には、０．１％の無反射コーティング、後端面には９０％の高反射コーティングを施した。
【００３２】
本素子は−４０℃から８５℃の温度範囲で安定な単一軸モード発振を得た。
２５℃、８５℃での閾値電流はそれぞれ４ｍＡ、１２ｍＡと低い特性を実現した。８５℃−１０ｍＷの駆動電流は４０ｍＡと低く、温度制御の必要ない光モジュール実現に目処をつけることができた。テーパ導波路の集積により放射角は通常の半導体レーザの水平放射角３３°、垂直放射角３５°から水平放射角、垂直放射角ともに１０°と狭く、スポットサイズの直径が１０μｍのシングルモードファイバとの最小結合損失は１．５ｄＢと良好な結合特性も同時に実現した。
（第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は回折格子を有する分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器を集積した素子（EML; Electroabsorption Modulator integrated Laser）に適用した例である。回折格子を有する分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器を集積した素子（EML; Electroabsorption Modulator integrated Laser）の作製方法について述べる。第１の実施の形態と異なる部分は、選択MOVPEに用いる成長阻止膜２のパターンと第２の実施の形態と同様に回折格子が部分的に形成されたInP基板を用いる点である。図１０に変調器集積分布帰還型半導体レーザの活性層１と吸収層を一括形成するのに用いるマスクパターンを示す。分布帰還半導体レーザ部の共振器長は３００μｍ、また変調器部の長さは２００μｍとした。
成長阻止膜幅は回折格子基板上に形成される分布帰還半導体レーザ部で５０μｍ、変調器部で３０μｍ一定とした。活性層１と吸収層は幅１．５μｍの間隙部に選択MOVPEにより一括形成した。活性層の下部の回折格子上への成長を実施の際には、回折格子谷部にのみ光ガイド層を形成する条件とした。平坦部分での光ガイド層厚は８ｎｍ、また光ガイド層には波長組成１．１３μｍのInGaAsPを採用した。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とした。
【００３３】
光ガイド層成長後はn-InPを０．１μｍ成長、続いてMQW層を順次成長した。
成長阻止膜幅の変化による波長シフトは７０ｎｍであり、電界吸収型変調器として適した波長シフト量となるよう設計した。選択MOVPE成長の後は、第１の実施の形態と同じ素子作製プロセスにてＥＭＬを作製することができる。ただし、分布帰還半導体レーザ部と変調器部の両者間に電気的に独立な電極を形成した。また電流ブロック層にはFeドープInP高抵抗層を用いた。
【００３４】
本素子のκLは１．５であり、設計値に等しい値を得た。κLを適切に制御することで、８０％以上の単一モード歩留まりが得られた。閾値電流は5mA、スロープ効率は０．２W/Aであった。吸収層に２Ｖ印加した場合の消光比は２０ｄＢと良好であった。２．５Ｇｂ変調時も良好なアイ開口が得られた。同集積素子を用いて６００ｋｍのノーマルファイバ伝送実験を行ったところパワーペナルティとして０．５ｄＢの小さい値を得た。
（第４の実施の形態） 次に、第４の実施の形態について説明する。第１の実施の形態ではMQW層を選択MOVPE成長により形成した。本発明は第１の実施の形態に示した構造以外でも通常行われているSiO2をマスクにしたウエットエッチング、またはドライエッチングにて導波路を形成する構造においても有効である。
この場合は回折格子が形成された基板上に光ガイド層を回折格子高さの２０％以上７０％以下の範囲で成長し、周期的な屈折率変化を得る。光ガイド層は波長組成１．１３μｍのInGaAsPとする。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とした。光ガイド層成長後はn-InPを０．１μｍMQW活性層、p-InPを０．１μｍ順次成長する。導波路を形成するために幅５μｍのストライプをSiO2により基板上に形成した後、エッチングにより導波路を形成する。その後再度SiO2をマスクにしてMOVPE成長によりp電流ブロック層とn電流ブロック層を順次成長し、SiO2を除去の後基板全面にp-InPクラッド層を成長、通常の電極プロセスを経て素子が完成する。
また、電流ブロック層とp-InPクラッド層形成に際してはMOVPEに限らず、
LPEを用いても素子作製ができる。実施例1と同様の素子中央にλ／４位相シフトは配置させ、共振器長並びに端面構造として素子を評価したところ、ほぼ同等の発振特性を実現できた。
（第５の実施の形態） 次に、第５の実施の形態について説明する。これまでの実施の形態では回折格子が形成された基板上に活性層を成長する構造に適用した例に関して述べたが、本発明は活性層成長後に回折格子を形成するレーザ構造においてもκの制御性向上に有効である。その場合の実施の形態を以下に述べる。n-InP基板上にMQW活性層、p-InPクラッド層を０．１μｍ順次成長する。
EB露光法により基板上に２４００Å周期で描画幅１０μｍのレジストパターンを形成し、これをマスクとしてウエットエッチングにより基板上に回折格子を形成する。回折格子には、λ／４位相シフトを導入し、単一モード歩留まりの向上を図った。回折格子形成後波長組成１．１μｍのInGaAsP光ガイド層を最大厚が回折格子深さの５０％となる形状にて形成、その後p-InPクラッド層を3μｍ成長する。この光ガイド層の成長時間は回折格子の谷部を埋め尽くさない時間であって、且つウエハ毎に回折格子の高さが変化していても成長時間はほぼ一定の時間或いは実質的に一定である時間とした。その後SiO2をマスクにして、ウエットエッチング、またはドライエッチングにより導波路を形成し、p/n-InPからなるサイリスタ構造を成長し結晶成長工程が終了する。以後は通常行われる半導体レーザの電極プロセスにより、基板両面にTiAuによる電極を蒸着し、アロイの後素子が完成する。
【００３５】
本発明では半導体レーザ部と回折格子が形成されたブラッグ導波路を集積したDBR(Distributed Bragg Reflector)レーザ構造としても良い。上記した実施例では、ＭＱＷをInGaAsP ／InP 系材料によって構成しているが、AlGaAs／GaAs系材料、AlGaInP ／GaInP 系材料、ZnSe系、GaN系その他の化合物半導体材料を使用したものであってもよい。
【００３６】
【発明の効果】
本発明は、光ガイド層の成長時間を、回折格子の谷部を埋め尽くさない時間とすると共に、ウエハ毎の回折格子の高さの変化にかかわらずに成長時間を各ウエーハ共通のほぼ一定の時間とすることにより、回折格子谷部に形成される光ガイド層の最大厚を回折格子の高さより薄くすることができ、且つ各ウエーハを通して光ガイド層厚の断面積を一定に維持できる。このため、結合係数κは一定に維持でき、作製トレランスを大きく改善することができるため、κの制御性を大幅に向上させたDFB-LDを製造できるものである。これにより回折格子深さの変動に起因するκ変化による発振特性や単一モード歩留まりの変動を低く抑えることが可能となり、再現性も含めた特性の均一性を大きく改善することができる。本発明は回折格子を有する半導体レーザ全てに適用可能であり、それら全ての製造方法においてκの制御性を著しく向上させることができる。従って、分布帰還型半導体レーザ等の単体素子に限らず、変調器集積化光源、分布ブラッグ反射型半導体レーザといった多くの構造を有する半導体光集積素子の製造方法に適用可能な利点を併せ持つ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す構造図である。
【図３】本発明の効果を示す回析格子の構造図である。
【図４】本発明の回析格子谷部の計算モデルを示す図である。
【図５】本発明の回析格子深さと結合係数の関係を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態のスポットサイズ変換器集積分布帰還型半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態のスポットサイズ変換器集積分布帰還型半導体レーザ作製の選択MOVPE成長の用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の変調器集積分布帰還型半導体レーザ作製の選択MOVPE成長に用いるマスクパターンを示す平面図である。
【図１１】従来の半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図１２】従来の半導体レーザの構成を示す構造図である。
【図１３】従来の半導体レーザの構成を示す構造図である。
【符号の説明】
1 MQW層
2 成長阻止膜
3 n-InP基板
4 間隙部分
5 n-InP電流ブロック層
6 p-InP電流ブロック層
7 p電極
8 p-InPクラッド層
9 n電極
10 酸化膜
pキャップ層
回析格子
光ガイド層
n-InPバッファ層
活性層
第一のSCH層
第二のSCH層
p-InP基板
InAsP変成層
Claims (6)
- 表面に凹凸状の回折格子を有する半導体基板上に形成された光ガイド層と、レーザ光を放射する活性層を備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、前記光ガイド層は前記回折格子の谷部の底から前記回折格子の高さよりも低い一定の厚さまでの部分のみを埋め、前記光ガイド層と前記活性層の間にバッファ層を備え、前記光ガイド層の屈折率は前記半導体基板の屈折率および前記バッファ層の屈折率よりも大きく、前記バッファ層の屈折率は前記半導体基板の屈折率と略等しく、また前記光ガイド層の組成は前記レーザ光の吸収がない組成であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
- 前記回折格子の谷部に成長した前記光ガイド層の最大厚さは前記回折格子の高さの７０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ。
- 前記分布帰還型半導体レーザにおいて、動作波長は０．３〜１．７μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
- 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の前記分布帰還型半導体レーザと、光導波路を集積した導波路型光半導体集積素子において、光導波路の側壁は（１１１）結晶面であることを特徴とする導波路型半導体光集積素子。
- 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の前記分布帰還型半導体レーザと、分布反射型半導体レーザ、テーパ導波路、光変調器、光検出器、光スイッチ、光導波路のうち、いずれか少なくとも一つが含まれる半導体光集積素子。
- 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の前記分布帰還型半導体レーザと、光導波路を集積した導波路型光半導体集積素子において、光導波路は埋め込み型を形成することを特徴とする半導体光集積素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044520A JP3681693B2 (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積回路 |
| US10/368,958 US20030156604A1 (en) | 2002-02-21 | 2003-02-19 | Method of producing a semiconductor laser and optical integrated semiconductor device including the same |
| CA002419233A CA2419233A1 (en) | 2002-02-21 | 2003-02-20 | Method of producing a semiconductor laser and optical integrated semiconductor device including the same |
| KR10-2003-0010796A KR20030069879A (ko) | 2002-02-21 | 2003-02-20 | 반도체레이저 및 이를 포함하는 광집적반도체소자의제조방법 |
| TW092103592A TW577188B (en) | 2002-02-21 | 2003-02-20 | Method of producing a semiconductor laser and optical integrated semiconductor device including the same |
| EP03003221A EP1339143A3 (en) | 2002-02-21 | 2003-02-20 | Method of producing a semiconductor laser and optical integrated semiconductor device including the same |
| CN03106193A CN1440096A (zh) | 2002-02-21 | 2003-02-21 | 一种半导体激光器及其光学集成半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044520A JP3681693B2 (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243767A JP2003243767A (ja) | 2003-08-29 |
| JP3681693B2 true JP3681693B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=27655307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002044520A Expired - Fee Related JP3681693B2 (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030156604A1 (ja) |
| EP (1) | EP1339143A3 (ja) |
| JP (1) | JP3681693B2 (ja) |
| KR (1) | KR20030069879A (ja) |
| CN (1) | CN1440096A (ja) |
| CA (1) | CA2419233A1 (ja) |
| TW (1) | TW577188B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697922B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2007-03-20 | 엘에스전선 주식회사 | 분포 귀환 레이저 다이오드를 위한 매립형 회절격자 및 그제조방법 |
| JP2008028375A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP5181787B2 (ja) | 2008-04-01 | 2013-04-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP5409170B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
| CN102055133B (zh) * | 2009-11-04 | 2012-08-22 | 中国科学院半导体研究所 | 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 |
| JP5445272B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-03-19 | 富士通株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| CN109962406B (zh) * | 2017-12-14 | 2021-11-12 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体激光器及其制备方法 |
| US11942761B2 (en) * | 2019-01-09 | 2024-03-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor integrated element |
| WO2021259453A1 (en) * | 2020-06-23 | 2021-12-30 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Flared dfb laser with partial grating |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61244083A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-30 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPH02105593A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| US5539766A (en) * | 1993-08-19 | 1996-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
| EP0706243A3 (en) * | 1994-09-28 | 1996-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser with distributed reflector and method of making |
| TW304310B (ja) * | 1995-05-31 | 1997-05-01 | Siemens Ag | |
| WO1997024787A1 (fr) * | 1995-12-28 | 1997-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| JP2000261104A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2000349394A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002044520A patent/JP3681693B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-19 US US10/368,958 patent/US20030156604A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-20 KR KR10-2003-0010796A patent/KR20030069879A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-02-20 TW TW092103592A patent/TW577188B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-20 CA CA002419233A patent/CA2419233A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-20 EP EP03003221A patent/EP1339143A3/en not_active Withdrawn
- 2003-02-21 CN CN03106193A patent/CN1440096A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030069879A (ko) | 2003-08-27 |
| CN1440096A (zh) | 2003-09-03 |
| TW200303636A (en) | 2003-09-01 |
| US20030156604A1 (en) | 2003-08-21 |
| JP2003243767A (ja) | 2003-08-29 |
| CA2419233A1 (en) | 2003-08-21 |
| EP1339143A3 (en) | 2004-08-25 |
| EP1339143A2 (en) | 2003-08-27 |
| TW577188B (en) | 2004-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4643794B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5436195A (en) | Method of fabricating an integrated semiconductor light modulator and laser | |
| US8494320B2 (en) | Optical element and method for manufacturing the same | |
| JP2005510090A (ja) | ブロードバンド・コミュニケーション・システムのための面発光ｄｆｂレーザ構造およびこの構造の配列 | |
| JP3842976B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザとその製造方法 | |
| JP3681693B2 (ja) | 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積回路 | |
| JP2002353559A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP5310533B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US6728288B2 (en) | DFB semiconductor laser device | |
| US20040013144A1 (en) | Complex-coupled distributed feedback semiconductor laser device | |
| JPH09232625A (ja) | 端面発光型光半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2553217B2 (ja) | レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP4599700B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2950302B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4447222B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2002057405A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH08274406A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2950297B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2004134486A (ja) | 回折格子を備えた半導体レーザ | |
| JP3251191B2 (ja) | 光通信に用いる半導体光素子 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JP2004128372A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| JP3750665B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH05102597A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041025 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050518 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130527 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |