JPH03223276A - 1,3―ジオキサン誘導体及びそれを含む液晶組成物 - Google Patents

1,3―ジオキサン誘導体及びそれを含む液晶組成物

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JPH03223276A
JPH03223276A JP23380690A JP23380690A JPH03223276A JP H03223276 A JPH03223276 A JP H03223276A JP 23380690 A JP23380690 A JP 23380690A JP 23380690 A JP23380690 A JP 23380690A JP H03223276 A JPH03223276 A JP H03223276A
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JP
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trans
liquid crystal
dioxane
mol
formula
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JP23380690A
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Takeshi Obikawa
剛 帯川
Shiyuuji Kikawa
幾川 修司
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置に用いられるネマチック液晶組成
物を構成する成分のなかで誘電率異方性(Δε)が大き
なNp型の成分として有用な1゜3−ジオキサン誘導体
および該化合物を含有するネマチック液晶組成物に関す
るものである。
〔発明の概要〕
本発明は一般式 (ここで、Rは炭素原子数が1〜1oの直鎖アルキル基
、Aは単結合又は−CH2CH2−基、nは0又は1を
表わし、シクロヘキサン環および1゜3−ジオキサン環
はそれぞれトランス配置である。)で表わされる1、3
−ジオキサン誘導体および該化合物を少なくとも1成分
含有するネマチック液晶組成物である。
本発明には次の31類の1,3−ジオキサン誘導体が含
まれる。即ち、 (ここで、Rは炭素原子数が1〜1oの直鎖アルキル基
を表わし、シクロへ牛サン環および1.3−ジオキサン
環はそれぞれトランス配置である。)本発明の1.3−
ジオキサン誘導体は△εが非常に大きく、しがも屈折率
異方性(八〇)が小さい特徴を有する。したがって、本
発明の1.3−ジオキサン誘導体と従来の液晶化合物等
と混合して得られるネマチック液晶組成物は電圧−光透
過率特性(V−1o特性)のしきイtl電圧(Vlb)
が低く、しがち視角が広く、低電圧高時分割駆動が可能
である。
また、本発明の1.3−ジオキサンは従来の液晶組成物
と単一成分のみで混合することができるが、より好まし
くは複数成分で用いられ、これらの場合に他の液晶組成
物に混合できる割合は1〜50重量%の範囲内であるが
、相容性を考慮すると1〜30重量%の範囲がより好ま
しい。
〔従来の技術〕
ネマチック液晶の電気光学効果を利用した液晶表示装置
は従来より広い分野に応用されている。
そして、その表示方式には動的散乱型、ゲストホスト型
、捩れたネマチック型(TN型)、スーパーツィステッ
ドネマチック型(STN型)などがあり、これらの表示
装置を駆動する方法としてはスタティック駆動方式、時
分割駆動方式(ダイナミック駆動方式)、アクティブマ
トリックス駆動方式、2周波駆動力式等が用いられてい
る。
液晶表示装置、主としてTN型又はSTN型、はLED
、EL、CRT等の発光型の表示装置と比較して (1)、小型、薄型化ができる。
(2)、駆動電圧が低く、また消費電力が非常に小さい
(3)、LSIとの相性が良く、駆動回路を簡単化でき
る。
(4)、受光型であるため、直射日光下でも見えやすく
、また長時間使用しても[1が疲れない。
等の優れた特徴を有している。
そこで、これらの特徴を生かして、TN型の表示装置が
ウォッチ、電卓、オーディオ機器、ゲーム、自動車のダ
ツシュボード、カメラ、電話機、その他各種計測器等の
表示に広く応用されており、今後もその応用分野は更に
拡大して行くことが予想される。
また、従来より、液晶表示装置はその応用分野の拡大と
同時に表示容量(走査線の本数)の拡大化が進められて
きたが、時分割駆動方式のTN型表示装置では走査線の
本数が200程度が限界であることが指摘され、これに
代る表示方式としてSTN型とアクティブマトリックス
駆動方式のTN型が開発され、現在ではSTN型はワー
プロやパソコンのデイスプレィ、アクティブマトリック
ス駆動方式のTN型は液晶カラーテレビに応用されつつ
あり、将来はCRTに代る表示装置として注目を集めて
いる。
次に、これらの液晶表示装置に用いられる液晶材料の特
性はその応用分野、表示方式、駆動方法等により種々変
化するが、次に示した諸特性はあらゆる用途のTN型又
はSTN型液晶表示装置について必要不可欠であると思
われる。
(1)、着色がなく、熱、光、電気的、化学的に安定で
あること。
(2)、実用温度範囲が室温付近にあり、できるだけ広
いこと。
(3)、電圧−光透過率特性(V−1o特性)のしきい
値(Vlh)が低く、その温度依存性(八T)が小さい
こと。
(4)、V−1゜特性の急峻性(β)ができるだけ急峻
であること。
(5) 、V−Io特性の視角依存性(α)ができるだ
け小さいこと。
(6) 、7mm売先学的応答速度が速いこと。
これらの諸特性のうちで(1)を満足する液晶化合物又
は液晶類似化合物は多数知られているが、(2)以下の
特性を単一成分の液晶化合物で満足するものは現在のと
ころ知られていない。そこで、これらの特性を充たすた
めには複数のネマチック液晶化合物又はその類似化合物
を混合した液晶組成物を用いているのが実状である。
〔発明が解決しようとする課題〕
現在最も広く用いられている時分割駆動のTN型液晶表
示装置の表示容量(走査線の本数)と上で述べた諸特性
の関係を調べると (1)、急峻性が鋭いこと。
(2) 、V、hの温度依存性が小さいこと。
(3)、視角依存性が小さいこと。
の3項目が高時分割駆動に必要な条件であるが、LSI
の耐圧や電源電圧を考慮すると (4) 、V、、が低いこと。
も重要な条件となる。
次にこれらの諸条件について説明する。まず、急峻性(
β)はVlhとV、、、とによりで表わされる。ここで
voおよびV a a +はそれぞれ光透過率10%お
よび9096のときの電圧である。
理想的にはβ−1であるが、実際にはβ−1゜3〜1.
5程度であり、この値より小さいβを有する液晶化合物
の開発は困難である。TN型の場合にはβはK 33/
 K 、 、の値が小さいほど小さくなることが知られ
ており、ピリミジン骨格を有する液晶化合物においてK
 33/ K + +が小さいことが報告されている。
ここで、K 、 、およびに33はそれぞれスプレーお
よびベンドの弾性定数である。
■oの温度依存性に関しては、TN型の場合にはy l
hは理論的に次式で表わされる。
ここてdはlIk品層の厚み、K 、 、、K22およ
びに3゜はそれぞれスプレー ツイストおよびベンドの
弾性定数、と。は真空誘電率を表す。
したがって、V l hを下げるには弾性定数が小さく
、△とが大きな液晶化合物を添加すればよい。
また、■、の温度依存性(△T)は−収約に温度の上昇
に伴ってVlhが下がる傾向にあり、特にN−1点付近
で急激に下がる性質がある。これは弾性定数の温度依存
性によるものである。
視角依存性(α)はTN型又はSTN型に特有の特性で
あり、配向処理をした面と液晶との間に生じるプレチル
トに起因するといわれている。
αは液晶層の厚みを薄くしたり、液晶組成物の△nを小
さくすることにより改良が可能である。
ところで、従来よりこの目的のために用いられている△
εが大きくて、しかも△nの小さい液晶II−M、 V
orbrodt 、 et 、 al 、 、 Mol
 Cryst 、Llg、Cryst、 、 123、
137(1985) E、Kjeinpetcr、et、xJ 、、Tetr
ahedron、44.1609(1988) これらの液晶化合物はN−1点が高く、△nは小さいが
、△εが小さく、かつ他の液晶組成物との相容性が良く
ない欠点を有している。
そこで、本発明の目的は△εが大きく、△nが小さく、
かつ他の液晶化合物との相容性が良好な化合物を提供す
ることにある。
また、本発明の他の1」的は該化合物を他の液晶組成物
と混合することにより、低電圧で高時分割駆動か可能な
液晶組成物を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、−数式 (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
、Aは単結合又は−CH2CH2−IAlnはO又は1
を表わし、シクロヘキサン環および1゜3−ジオキサン
環はトランス配置である。)で表わされる1、3−ジオ
キサン誘導体であり、次の3種類の化合物が含まれる。
(ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を表わし、シクロヘキサン環および13−ジオキサン環
はトランス配置である。)また、本発明の液晶組成物に
は本発明の1.3−ジオキサン誘導体が少なくとも一成
分含有される。
本発明の化合物(1−a )は液晶相を有しないが、Δ
εは非常に大きく、かつ△nは小さいので液晶組成物の
V lhを下げるのにたいへん有効である。化合物(1
−b)、(1−c)はネマチック相を有し、△εは相当
に大きく、かつ八〇は小さいので、液晶組成物の主成分
として用いることがてきv+hが低く、△nの小さい、
高時分割駆動が可能な液晶組成物を得ることができる。
また、本発明の化合物は他の液晶化合物との相容性が良
好てあり、適切に混合された場合他の液晶組成物と混合
可能な割合は1〜60重量%であるが、従来の全ての液
晶化合物を混合する対象とい。
さらに、本発明の化合物と他の液晶化合物を混合する場
合、本発明の化合物を単一成分で用いても]−1的が達
せられるが、共融組成で融点が下がることを考慮すると
複数の成分を混合して用いた方がより有効である。
本発明の化合物と混合できる従来の液晶化合物は限定さ
れないか、例えば次の系列の液晶化合物との混合が考え
られる。
R吾coo(い RやXジX R■XンX R→骨X R1刊CH2CH2醤X RΩ罵ン賢X Y         Y (ここで、Rは直鎖アルキル基又はアルコキシ基、Xは
直鎖アルキル基、アルコキシ基、CN又はFlYはH,
F又はClSnは0又は1を表わす。)次に、本発明の
1.3−ジオキサン誘導体の製造方法について述べる。
本発明で一般式 (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を表わし、1.3−ジオキサン環はトランス配置である
。)で表わされる化合物は例えば次に示すスキーム1.
2および3により製造することがてきる。
スキーム1 R−CIl(CH□ 01l)   2       
             (4)スキーム1において
はブロモアルカンを出発原料として2段階の反応で2−
アルキルプロパン−1,3−ジオールを得る。スキーム
2においては2.6−ジブロモアニリンを出発原料とし
て4段階の反応により4−ブロモ−3,5−ジフルオロ
ベンズアルデヒドを得る。スキーム3においては2−ア
ルキルプロパン−1,3−ジオールと4=ブロモ−3,
5−ジフルオロベンズアルデヒドより2段階の反応によ
り本発明の1.3−ジオキサン誘導体トランス−2−(
4’ −シアノ−3′5′−ジフルオロフェニル)−5
−アルキル−1゜3−ジオキサン(1−a)を得る。
以下、ステップ順に従って化合物(1−a)の製造方法
の概要を説明する。
ステップ1−1 ブロモアルカン(2)とマロン酸ジエ
チルを無水エタノール中でナトリウムエトキシド(Na
OC2H1)存在下にアルキル化反応させてアルキルマ
ロン酸ジエチル(3)をflる。
ステップ1−2 化合物(3)を無水テトラヒドロフラ
ン(THF)中でリチウムアルミニウムハイドライド(
L iAn Ha )を用いて還元して2アルキルプロ
パン−1,3−ジオール(4)を得る。
ステップ2−12.6−ジフルオロアニリン(5)をク
ロロホルム中で無水ピリジン存在下に臭素を用いて臭素
化して4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニリン(6)
を得る。
ステップ2−2 化合物(6)をN−メチル−2ピロリ
ジノン(NMP)中でシアン化銅(1)(Cu CN)
を用いてシアノ化し、生成したニトリルの銅錯体をエチ
レンジアミン(EDA)を用いて分解して4−アミノ−
3,5−ジフルオロベンゾニトリル(7)を得る。
スキーム2 ステップ2−3 化合物(7)を氷酢酸中で亜硝酸ナト
リウム(NaN02)と濃硫酸から調整した硫酸水素二
トロシル(ISO40NO2)を用いてジアゾ化し、こ
のジアゾニウム塩を臭化水素酸中で臭化銅(1)を用い
て臭素化して4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンゾニ
トリル(8)を得る。
ステップ2−4 化合物(8)を塩化水素ガスを飽和さ
せたジエチルエーテル中で塩化錫(II)を用いて還元
し生成したイミンの錫錯体を水で分解して4−ブロモ−
3,5−ジフルオロベンズアルデヒド(9)を得る。
ステップ3−1 化合物(4)と化合物(9)をジクロ
ロメタン中てp−1−ルエンスルホン酸を触媒として脱
水反応させて2−(4’ −ブロモ−3′  5′−ジ
フルオロフェニル)−2−アルキル−13−ジオキサン
(10)を得る。
スキーム3 (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を表わし、1.3−ジオキサン環はトランス配置である
。) ステップ3−2 化合物(10)をNMP中でCuCN
を用いてシアノ化し、生成したニトリルの銅錯体をED
Aを用いて分解して本発明の化合物トランス−2−(4
’ −シアノ−3’ 、5’ −ジフルオロフェニル)
−2−アルキル−1,3−ジオキサン(1−a)を得る
本発明で一般式 (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を表わし、シクロヘキサン環および1.3ジオキサン環
はトランス配置である。)で表わされる化合物は例えば
次のスキーム2.4および5に示した工程により製造す
ることができる。
スキーム4においては4−アルキルシクロへ牛すノール
を出発原料として3段階の反応で2−(トランス−4′
−アルキルシクロヘキシル)プロパン−1,3−ジオー
ルを得る。スキーム2においては2,6−ジフルオロア
ニリンを出発原料として4段階の反応で4−ブロモ−3
,5−ジフルオロベンズアルデヒドを得る。スキーム5
においては2−(トランス−4′−アルキルシクロヘキ
シル)プロパン−13−ジオールと4−ブロモ−3,5
−ジフルオロベンズアルデヒドから2段階の反応により
本発明の液晶化合物トランス−2−(4’−シアノ−3
’、5’ −ジフルオロフェニル)−5−()ランス−
4′−アルキルシクロヘキシル)−1,3−ジオキサン
(1−b)を得る。
スキーム4 RooH(11) R% s r (12) R吾CH(CH20H) 2    (14)(ここで
、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基を表わし
、シクロヘキサン環はシス−トランス体の混合物である
。) 以下、ステップ順に従って化合物(1−b)の製造方法
の概要を説明する。
ステップ2−1〜2−4 既に化合物(1−a)の製造
方法において説明したので省略する。
ステップ4−14−アルキルシクロヘキサノール(11
)を三臭化りんを用いて臭素化して4−アルキルブロモ
シクロヘキサン(12)を得る。
ステップ4−2 化合物(12)とマロン酸ジエチルを
無水エタノール中てNa0C2Hsを用いてアルキル反
応させて4−アルキルシクロヘキシルマロン酸ジエチル
(13)を得る。
ステップ4−3 化合物(13)をトルエン中で水素化
ビス(メトキシエト牛シ)アルミニウムナトリウムを用
いて還元して2−(4’ −アルキルシクロヘキシル)
プロパン−1,3−ジオール(14)を得る。
ステップ5−1 化合物(14)と化合物(9)をステ
ップ3−1と同様にジクロロメタン中でTsOHを触媒
として脱水反応させて2− (4’ブロモ−3′  5
′−ジフルオロフェニル)−2=(4′−アルキルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサン(15)を得る。
ステップ5−2 化合物(15)をステップ3−2と同
様にNMP中でCuCNを用いてシアノ化し、生成した
ニトリルの銅錯体をEDAで分解して本発明の化合物ト
ランス−2−(4’ −シアノ−3’   5’−ジフ
ルオロフェニル)−5−()ランス−4′〜アルキルシ
クロヘキシル)−1゜スキーム5 (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を表わし、シクロヘキサン環および1.3−ジオキサン
環はトランス配置である。)3−ジオキサン(1−b)
を得る。
また、本発明で一般式 (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオキサン
環はl・ランス配置である。)で表わされる化合物は例
えば次のスキーム2.6および7に示した]ニ程により
製造することができる。
スキーム2については化合物(1−a)で説明したので
省略する。スキーム6においてはトランス−4−アルキ
ルシクロヘキサンカルボン酸を出発原料として8段階の
反応で2− [2’−(トランス−4′−アルキルンク
ロヘキシル)エチル]プロパンー1.3−ジオールを得
る。スキーム7においては2〜[2’ −(1−ランス
−4′−アルキルシクロヘキシル)エチル]プロパンー
1,3ジオールと4−ブロモ−3,5−ジフルオロベン
ズアルデヒドより2段階の反応により本発明の1.3−
ジオキサン誘導体トランス−2−(4’−シアノー3′
  5′−ジフルオロフェニル)5−[2’ −()ラ
ンス−41−アルキルシクロヘキシル)エチル]−1,
3−ジオキサン(1−C)を得る。
以下、ステップ順に従って化合物(1−C)の製造方法
の概要を説明する。
ステップ2−1〜2−4 既に化合物(1,−a )の
製造方法において説明したので省略する。
ステップ6−1 トランス−4−アルキルシクロヘキサ
ンカルボン酸(16)をトルエン中でNaAj7 H2
(OC2H40CH3) 2を用いて還元してトランス
−4−アルキルシクロヘキシルメタノール(17)を得
る。
ステップ6−2 化合物(17)をピリジン存在下に塩
化チオニルを用いて塩素化してトランス4−アルキルシ
クロへキシルクロロメタン(18)スキーム6 R<EE> C00H (16) R()CH20H ステップ6−2 ↓5oci2 、G R吾CH2Cl1 ステップ6−3 ↓ NaCN/DMSOR<E)−C
H2CN (17) (18) (19) R<E> CH2 0OH (20) R替CH2 ステップ6−6 ↓ Pr3r  3 R()CH2 H2 H H2Br (21) (22) R<E)−CIl 2 112 CIl (COOC (23) R% cIf□C112Cl1(C112011) 2
   (24)(ここで、Rは炭素原子数が1〜10の
直鎖アルキル基を表わし、シクロヘキサン環はトランス
配置である。) スキーム7 (ここで、 Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アル キル基を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオ
キサン環はトランス配置である。)を得る。
ステップ6−3 化合物(18)をジメチルスルホキシ
ド(DMSO)中てシアン化ナトリウムを用いてシアノ
化してトランス−4−アルキルシクロへキシルアセトニ
トリル(19)を得る。
ステップ6−4 化合物(19)をエタノール中でKO
H水溶液を用いて加水分解し、塩酸で中和してトランス
−4−アルキルシクロヘキシル酢酸(20)を得る。
ステップ6−5 化合物(2(] )をステップ61と
同様にトルエン中テN a A I H2(OC2H4
0CH3) 2を用いて還元して2−(トランス−4′
−アルキルシクロヘキシル)エタン−1オール(21)
をiする。
ステップ6−6 化合物(21)をPBr3を用いて臭
素化して2−(トランス−4′−アルキルシクロへキシ
ル)−1−ブロモエタン(22)を得る。
ステップ6−7 化合物(22)とマロン酸ジエチルを
ステップ1−1と同様に無水エタノール中でNaOC2
H5を用いてアルキル化反応させて2−(トランス−4
′−アルキルシクロヘキシル)エチルマロン酸ジエチル
(23)を得る。
ステップ6−8 化合物(23)をステップ4−3と同
様にトルエン中でNaA、pH2(OC2H40CH3
)2を用いて還元して2− [2’(トランス−4′−
アルキルシクロヘキシル)エチル]プロパンー1.3−
ジオール(24)を得る。
ステップ7−1 化合物(24)と化合物(9)をステ
ップ3−2と同様にジクロロメタン中でTsOHを触媒
として脱水反応させて2− (4’ブロモ−35′−ジ
フルオロフェニル)−5[2’ −(トランス−41−
アルキルシクロヘキシル)エチル] −1,3−ジオキ
サン(25)を得る。
ステップ7−2 化合物(25)をステップ32と同様
にNMP中でCuCNを用いてシアノ化し、生成したニ
トリルの銅錯体をEDAを用いて分解して本発明の化合
物トランス−2−(4’シアノ−3’、5’−ジフルオ
ロフェニル)−5−12’ −(トランス−45−アル
キルシクロヘキシル)エチル]−1,3−ジオキサン(
1−c)を得る。
〔実 施 例〕
以下、実施例と応用例とにより本発明を更に詳細に説明
する。
実施例 1 2−ペンチルプロパン−1,3−ジオールの製造方法。
(スキーム1) ステップ1−1 無水エタノール500 c m 3に
N a 23 g (1,、0モル)を溶解し、マロン
酸ジエチル160g(]、Oモル)、続いてブロモペン
タン151g (1,0モル)を加え、湯浴上で7時間
還流した。生成したNaBrを濾過し、濾液中のエタノ
ールを留去し、残渣に水を加えてクロロホルムで抽出し
水で洗浄した。クロロホルムを留去し、残った油状物質
を減圧蒸留(b、p。
130℃/3mmHg)してペンチルマロン酸ジエチル
159g (0,69モル)を得た。
ステップ1−2 無水THF690cm’にLiAj)
Ha 34g (0,9モル)を分散させ、撹拌しなが
らペンチルマロン酸ジエチル159g(0゜69モル)
を滴下した。滴下終了後、湯浴上で2時間還流し、室温
まで冷却してから水10%を含むTHFを滴下して過剰
なLiAlH4を分解した。濃塩酸500 c m 3
を加え、クロロホルムで抽出して10%HCJ7と水で
洗浄した。クロロホルムを留去し、残った油状物質を減
圧蒸留(b。
p、110℃/4mmHg)して2−ペンf ルプロパ
ンー1.3−ジオール76g(0,52モル)を得た。
実施例 2 4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンズアルデヒドの製
造方法。(スキーム2) ステップ2−1.2.6−ジフルオロアニリン252g
 (1,95モル)と無水ピリジン170g(2,15
モル)をクロロホルム780cm3に溶解し、氷水浴上
で撹拌しながら臭素328g(2,05モル)をクロロ
ホルム390cm’にとかした溶液を2時間かけて滴下
し、その後、室温で2時間撹拌した。反応液を水で洗浄
してからクロロホルムを留去し、残渣を減圧蒸留(b、
  p。
110℃/30mmHg)L、得られた結晶をヘキサン
から再結晶して4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニリ
ン340g (1,63モル)を得た。
ステップ2−24−ブロモ−2,6−ジフルオロアニリ
ン340g (1,63モル)、CuCN223g (
2,5モル)およびNMP800cm′をマントルヒー
ターで1.5時間還流した。
反応液を室温まで冷却し、EDA300cm’を加えて
から水2000cm’中に注ぎ、ヘキサンで抽出し、E
DA水溶液と水で洗浄した。ヘキサンを留去し、残渣を
減圧蒸留(b、9.143℃/6mmHg)して4−ア
ミノ−3,5−ジフルオロベンゾニトリル108g (
0,7モル)を得た。
ステップ2−3 濃H,50,420cm’を氷水浴上
で撹拌しながら粉細したN a NO254g(0,7
8モル)を40℃以下を保つ速度で加え、加え終ってか
ら50℃の湯浴上で結晶が完全に溶解するまで撹拌した
。この溶液を氷水浴上で撹拌しなから氷酢酸700cm
’を滴下し、次に4−アミノ−3,5〜ジフルオロベン
ゾニトリル108g (0,7モル)を20−25℃を
保つ速度で加え、加え終ってからこの温度で結晶が完全
に溶解するまで撹拌してジアゾニウム塩溶液を調整した
。47%HBr420cm’にCuBr143g (1
,0モル)をとかした溶液を氷水浴上で撹拌しながら先
はど調整したジアゾニウム塩溶液を2時間かけて滴下し
、滴下終了後、氷水浴上で1時間および室温で1夜撹拌
した。生成した結晶を濾過し、結晶を氷酢酸で洗浄して
からアセトンとメタノールの混合物から再結晶して4−
ブロモ3.5−ジフルオロベンゾニトリル98g (0
゜44モル)を得た。
ステップ2 4 5nCNz 167g (0,88モ
ル)をジエチルエーテル880cm’に加え、室温で乾
燥したHCIガスを飽和するまで吸収させた。この混合
物に4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンゾニトリル9
8g (0,44モル)を−度に加え1時間撹拌後、1
夜放置した。反応物を水1000cm’中に注ぎ、50
℃の湯浴上でエーテルを蒸留した。残渣をクロロホルム
を加えて抽出し、水で洗浄してからクロロホルムを留去
した。残渣を減圧蒸留(b、9.96℃/13mmHg
)して4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンズアルデヒ
ド88g (0,40モル)を得た。
実施例 3 トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−ペンチルー1.3−ジオキサンの
製造方法。(スキーム3)ステップ3−12−ペンチル
プロパン−1,3−ジオール10.8g (0,074
モル)、4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンズアルデ
ヒド16.3gおよびTsOHo、7gをジクロロメタ
ン74cm’に溶解し、Dean−5tark)ラップ
を付けて湯浴上で3時間還流しながら生成した水を除い
た。反応物を水で洗浄し、ジクロロメタンを留去し、残
渣をアセトンとメタノールの混合溶媒から再結晶して2
−(4’ −ブロモ3′  5′−ジフルオロフェニル
)−5−ペンチル−1,3−ジオキサン9.1g (0
,026モル)を得た。
ステップ3−2 2−(4’ −ブロモ−3′5′−ジ
フルオロフェニル)−5−ペンチル−1゜3−ジオキサ
ン9.1g (0,026モル)、CuCN3.5g 
(0,0039モル)およびNMP78cm’をマント
ルヒーターで2時間還流した。反応物を室温まで冷却し
、EDA10cm’を加えてから氷水中に注ぎ、ヘキサ
ンで抽出しEDA水溶液と水で洗浄した。ヘキサンを留
去し、残渣をクロロホルムを溶媒としてシリカゲルカラ
ムで処理し、クロロホルムを留去した。残渣をメタノー
ルと水の混合溶媒から再結晶してトランス2− (4’
  −シアノ−3’ 、5’ −ジフルオロフェニル)
−5−ペンチル−1,3〜ジオキサン1.7g (0,
006モル)を得た。この化合物の相転移温度をDSC
を用いて測定した結果は次のとうりであった。
(ここで、Cは結晶、■は等方性液体を表わす。)以下
、実施例3と同様な製造方法により次の化合物を製造し
た。
トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−メチル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’  −シアノ−3′  5′ジフ
ルオロフエニル)−5−エチル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−プロピル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロウニニル)−5−ブチル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−ヘキシル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’−シアノ−3’、5’ジフルオロ
フエニル)−5−へブチル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’  −シアノ−3′  5′ジフ
ルオロフエニル)−5−オクチル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’  −シアノ−3’ 、5’ジフ
ルオロフエニル)−5−ノニル−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’  −シアノ−3’ 、5’ジフ
ルオロフエニル)−5−デシル−1,3−ジオキサン 実施例 4 2−(4’−プロピルシクロヘキシル)プロパン−1,
3−ジオール(トランス−シス体混合物)の製造方法。
(スキーム4) ステップ4−14−プロピルシクロヘキサノール(トラ
ンス−シス体混合物) 142g (1,、0モル)を
室温で撹拌しながらPB rv 136g(0,5モル
)を滴下したところ発熱して約80℃に達した。反応物
を70℃で湯浴上で1時間撹拌してから室温まで冷却し
、氷水中に注いで過剰なPB r、を分解した。油層を
分取し、水層をクロロホルムで抽出して油層と合せて水
で洗浄した。
クロロホルムを留去し、残った油状物質を減圧蒸留(b
、  p、 97℃/14mmHg)して4−プロピル
ブロモシクロヘキサン(トランス−シス体混合物)18
0g (0,88モル)を得た。
ステップ4−2 無水エタノール660cm’にナトリ
ウム31g (1,35モル)を溶解してからマロン酸
ジエチル216g (1,35モル)、続いて4−プロ
ピルブロモシクロヘキサン180g(0,88モル)を
−度に加えて湯浴上で10時間還流した。反応物を室温
まで冷却し、生成したNaBrの結晶を濾過してから濾
液中のエタノールを留去した。残渣に水を加えてクロロ
ホルムで抽出し、水で洗浄した。クロロホルムを留去し
、残った油状物質を減圧蒸留(b、p、138℃/1.
4mmHg)L、て4−プロピルシクロヘキシルマロン
酸ジエチル108g ()ランス−シス体混合物)10
8g (0,38モル)を得た。
ステップ4 3  NaAl H2(OC2H4QCH
3)2の70%トルエン溶液340cm’  (1゜2
モル)と無水トルエン340cm’より成る溶液を室温
で撹拌しなから4−プロピルシクロヘキシルマロン酸ジ
エチル57g (0,2モル)を30分かけて滴下して
から80−90℃の湯浴上で5時間撹拌した。反応液を
室温まで冷却し、水5Qcm’と1596HC1)10
00cm’を撹拌しながら滴下した。油層を分取し、水
層をトルエンで抽出して油層と合せて10%HCJ7お
よび水で洗浄した。トルエンを留去し、残渣をヘキサン
から再結晶して2− (4’ −プロピルシクロヘキシ
ル)プロパン−1,3−ジオール18g ()ランス−
シス体混合物)(0,09モル)を得た。
実施例 5 トランス−2−(4’  −シアノ−3′  5′ジフ
ルオロフエニル)−5−(トランス−4′プロピルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサンの製造方法。(スキ
ーム5) ステップ5−1 2−(4’ −プロピルシクロヘキシ
ル)プロパン−1,3−ジオール6.0g(0,03モ
ル)、4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンズアルデヒ
ド6.6g (0,03モル)およびTsOHo、3g
をジクロロメタン60cm3に溶解し、Dean−3t
arkトラツプを付けて生成した水を除きなから湯浴上
で3時間還流した。反応液を水で洗浄してからジクロロ
メタンを留去した。残渣をアセトンとメタノールの混合
溶媒から再結晶して2− (4’ −ブロモ−3′5′
−ジフルオロフェニル)−5−(4’ −プロピルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサン(トランス−シス体
混合物)7.3g (0,018モル)を得た。
ステップ5−2 2−(4’ −ブロモ−3′5′−ジ
フルオロフェニル)−5−(4’ −プロピルシクロヘ
キシル)−1,3−ジオキサン7゜3g (0,018
モル) 、CuCN2.5g (0゜027モル)およ
びNMP54cm3をマントルヒーターで2時間還流し
た。反応物を室温まで冷却してからEDA4.Qcm3
を加え、氷水50cm3中に注ぎ、クロロホルムで抽出
してEDA水溶液および水で洗浄した。クロロホルムを
留去し、残渣をヘキサンに溶解して水で洗浄してNMP
を除いた。ヘキサンを留去し、残渣をクロロホルムを溶
媒としてシリカゲルカラムで処理した。
クロロホルムを留去し、残渣をアセトンとメタノールの
混合溶媒からシス体がなくなるまで繰り返し再結晶して
トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′−ジフ
ルオロフェニル)−5−(トランス−4′−プロピルシ
クロヘキシル)−1,3ジオキサン1..4g (0,
004モル)を得た。
この化合物の相転移温度をDSCで測定した結果は次の
とうりであった。
(ここで、Cは結晶、Nはネマチック相、■は等方性液
体を表わす。) 以下、実施例5と同様な製造方法により次の化合物を製
造した。
トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−(トランス−4′メチルシクロヘ
キシル)−13−ジオキサントランス−2−(4’  
−シアノ−3′  5′ジフルオロフエニル)−5−(
トランス−4′エチルシクロヘキシル)−1,3〜ジオ
キサントランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′
ジフルオロフエニル)−5−(トランス−4′ブチルシ
クロヘキシル)−13−ジオキサントランス−2−(4
’ −シアノ−3′  5′ジフルオロフエニル)−5
−(トランス−4′ペンチルシクロヘキシル)−1,3
−ジオキサントランス−2−(4’  −シアノ−3′
  5′ジフルオロフエニル)−5−Dランス−4′ヘ
キシルシクロヘキシル)−1,3−ジオキサンし−一一
一一寸N        1 トランス−2−(4’  −シアノ−3′  5′ジフ
ルオロフエニル)−5−()ランス−4′へブチルシク
ロヘキシル)−1,3−ジオキサントランス−2−(4
’  −シアノ−3′  5′ジフルオロフエニル)−
5−(1−ランス−4′オクチルシクロヘキシル)−1
3−ジオキサントランス−2−(4’ −シアノ−3′
  5′ジフルオロフエニル)  −5−(1−ランス
−4′ノニルシクロヘキシル)−1,3−ジオキサント
ランス−2−(4′ −シアノ−3’ 、5’ジフルオ
ロフエニル)−5−(トランス−4′デシルシクロヘキ
シル)−1,3−ジオキサン実施例 6 2−[2’−(トランス−42−ブチルシクロヘキシル
)エチル]プロパンー1.3−ジオールの製造方法。(
スキーム6) ステップ6−1 トランス−4−ブチルシクロヘキサン
カルボン酸55g (0,30モル)をトルエン200
 c m 3に分散し、室温で撹拌しなからNaANH
2(OC2H40CH3)2の70%トルエン溶液25
0 c m3(0,90モル)をトルエンが穏やかに還
流する速度で滴下してから90℃の湯浴上で3時間撹拌
した。反応液を室温まで冷却し、撹拌しながら水10c
m’と15%HCl1300cm’を滴下し、油層を分
取して水層をトルエンで抽出し油層と合せて10%HC
gおよび水で洗浄した。トルエンを留去し、残った油状
物質を減圧蒸留(b、  p、100℃/ 2 m m
 Hg)してトランス−4−ブチルシクロヘキシルメタ
ノール37g (0,22モル)を得た。
ステップ6−2 トランス−4−ブチルシクロヘキシル
メタノール37g (0,22モル)と無水ピリジン1
8g (0,23モル)を氷水浴上で撹拌しなから5O
CN 232g (0,27モル)を滴下し、次にマン
トルヒーターで105−110℃に3時間撹拌した。反
応物を室温まで冷却し、aHCgと氷の入ったビーカー
に注ぎ、油層を分取し水層をクロロホルムで抽出して油
層と合せて10%H(Jlおよび水で洗浄した。クロロ
ホルムを留去し、残った油状物質を減圧蒸留(b、  
p。
80℃/3mmHg)してトランス−4−ブチルシクロ
へキシルクロロメタン38g (0,20モル)を得た
ステップ6−3 トランス−4−ブチルシクロへキシル
クロロメタン38g (0,20モル)、NacN12
g (0,24モル)およびDM3040cm’を撹拌
しながらマントルヒーターで140”Cまて加熱した。
反応物を室温まで冷却し、水100cm3を加えてクロ
ロホルムで抽出し、水で洗浄してからクロロホルムを留
去した。残った油状物質を減圧蒸留(b、p、90℃/
 3 m m Hg)してトランス−4−ブチルシクロ
へキシルアセトニトリル34g (0,19モル)を得
た。
ステップ6−4 トランス−4−ブチルシクロへキシル
アセトニトリル34g(0,1,9モル)、KOH43
g (0,76モル)、水34cm’およびエタノール
1.90 c m 3を湯浴上でアンモニアガスの発生
が止むまで還流した。反応液中のエタノールを留去し、
残渣を水100cm3に溶解し、#HCN100cm3
と氷100gの入ったビーカーに注ぎ、析出した結晶を
濾過し水で洗浄した。結晶をメタノールと水の混合溶媒
から再結晶してトランス−4−ブチルシクロヘキシル酢
酸37g (0,19モル)を得た。
ステップ6−5 トランス−4−ブチルシクロヘキシル
酢酸37g (0,19モル)を無水トルエン190c
m’に分散させ、撹拌しなからNaAII H2(OC
2H40CH3)2の70%トルエン溶液160cm’
  (0,57モル)をトルエンが穏やかに還流する速
度で滴下してから90℃の湯浴上で3時間撹拌した。反
応液を室温まで冷却し、撹拌しながら水40cm’と1
5%HCfI500cm’を滴下し、油層を分取し、水
層をトルエンで抽出し油層と合せて10%HCfIと水
で洗浄した。トルエンを留去し、残った油状物質を減圧
蒸留(b、  p、103℃/3mmHg)して2(ト
ランス−4′ −ブチルシクロヘキシル)エタノール3
1g (0,17モル)を得た。
ステップ6−6 2−(トランス−4′−ブチルシクロ
ヘキシル)エタノール31g(0,17モル)を室温で
撹拌しなからPBri 23g (0゜09モル)を滴
下してから70℃の湯浴上で1時間撹拌した。反応物を
室温まで冷却し、氷水中に注いで過剰なPB r3を分
解し、油層を分取し、水層をクロロホルムで抽出して油
層と合せて水で洗浄した。クロロホルムを留去し、残っ
た油状物質を減圧蒸留(b、  I)、  99℃/2
mmHg)して2−(トランス−4′−ブチルシクロヘ
キシル)−1−ブロモエタン32g (0,13モル)
を得た。
ステップ6−7 無水エタノール130cm’にナトリ
ウム3.0g (0,13モル)を溶解し、マロン酸ジ
エチル26g (0,16モル)および2−(トランス
−4′ −ブチルシクロヘキシル)l−ブロモエタン3
2g (0,13モル)を加えて湯浴上で5時間還流し
た。反応液を室温まで冷却し、生成したNaBrを濾過
し、濾液中のエタノールを留去してから水を加えてクロ
ロホルムで抽出し水で洗浄した。クロロホルムを留去し
、残った油状物質を減圧蒸留(b、p、165℃/3m
mHg)して2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキ
シル)マロン酸ジエチル36g (0゜10モル)を得
た。
ステップ6−8  NaAj! H2(OCz H40
CH1)2の70%トルエン溶液170cm’  (0
゜60モル)を無水トルエン170cm3に溶解し、撹
拌しなから2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシ
ル)マロン酸ジエチル36g (0,10モル)を滴下
してから80−.90℃の湯浴上で5時間撹拌した。反
応物を室温まで冷却し、撹拌しながら水30cm3およ
び15%HCj!500cm3を滴下して油層を分取し
、水層をトルエンで抽出して油層と合せて1096HC
9および水で洗浄した。トルエンを留去し、残渣をヘキ
サンから再結晶して2− [2’ −(トランス−41
−ブチルシクロヘキシル)エチル]プロパンー1.3−
ジオール18g (0,08モル)を得た。
実施例 7 トランスー2− (4’ −シアノ−3’ 、5’ジフ
ルオロフエニル)−5−[2’ −(トランス−41−
ブチルシクロヘキシル)エチル]−1゜3−ジオキサン
の製造方法。(スキーム7)ステップ7−1 2−[2
’−()ランス−4′−ブチルシクロヘキシル)エチル
]プロパン−1゜3−ジオール7、 3g (0,03
モル)、4−ブロモ−3,5−ジフルオロベンズアルデ
ヒド6゜6g(0゜03モル) 、TsOHO,gおよ
びジクロロメタン60cm’をDean−5tar1(
トラップを付けて生成した水を除きなから湯浴上で3時
間還流した。反応液を水で洗浄し、ジクロロメタンを留
去し、残渣をアセトンとメタノールの混合溶媒から再結
晶して2−(4’ −ブロモ−3’ 、5’−ジフルオ
ロフェニル)−5[2’ −(トランス−4′−ブチル
シクロヘキシル)エチル]−1,3−ジオキサン7、 
6g (0゜017モル)を得た。
ステップ7−2 2−(4’ −ブロモ−3′5′−ジ
フルオロフェニル)−5−[2’ −(1−ランス−4
′−ブチルシクロヘキシル)エチル〕−1,3−ジオキ
サン7.6g (0,017モル) 、CuCN2.3
g (0,026モル)およびNMP52cm3をマン
トルヒーターで2時間還流した。反応液を室温まで冷却
し、EDA4cm3を加えてから氷水100cm3中に
注ぎ、ヘキサンで抽出してEDA水溶液と水で洗浄した
ヘキサンを留去し、クロロホルムを溶媒としてシリカゲ
ルカラムで処理した。クロロホルムを留去し、残渣をア
セトンとメタノールの混合溶媒から再結晶してトランス
−2−(4’ −シアノ−3′5′−ジフルオロフェニ
ル)−5−[2’ −(トランス−4′−ブチルシクロ
ヘキシル)エチル]1.3−ジオキサン2.2g (0
,006モル)を得た。この化合物の相転移温度をDS
Cで測定した結果は次のとうりであった。
(ここで、 Cは結晶、 Sはスメクチック相、 Nは ネマチック相、■は等方性液体を表わす。)以下、実施
例7と同様な製造方法により、次の化合物を製造した。
トランス−2−(4’ −シアノ−3’ 、5’ジフル
オロフエニル)−5−(2’  Dランス−4′−メチ
ルシクロヘキシル)エチル]−1,3ジオキサン トランス−2−(4’  −シアノ−3’ 、  5’
ジフルオロフエニル) −5−[2’  (1−ランス
4′ −エチルシクロヘキシル)エチル]−1,,3ジ
オキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3’ 、5’ジフル
オロフエニル)−5−[2’  ()ランス4′−プロ
ピルシクロヘキシル)エチル]−1゜3−ジオキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3’ 、5’ジフル
オロフエニル)−5−[2’  (t−ランス−41−
ペンチルシクロヘキシル)エチル]−1゜3−ジオキサ
ン トランス−2−(4’  −シアノ−3’ 、5’ジフ
ルオロフエニル)−5−[2’  (トランス−4′−
へキシルシクロヘキシル)エチル]−1゜3−ジオキサ
ン トランス−2−(4’ −シアノ−3’ 、5’ジフル
オロフエニル)−5−[2’  ()ランス−4′−へ
ブチルシクロヘキシル)エチル]−1゜3−ジオキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−[2’  (トランス4′−オク
チルシクロヘキシル)エチル]−1゜3−ジオキサン トランス−2−(4’ −シアノ−3′  5′ジフル
オロフエニル)−5−[2’  ()ランス−4′−ノ
ニルシクロヘキシル)エチル]−1,3−ジオキサン トランス−2−(4’  −シアノ−3′  5′ジフ
ルオロフエニル) −5−[2’  (トランス−4′
−デシルシクロヘキシル)エチル]−1,3ジオキサン 応用例 1 市販の液晶組成物ZLI−1565(Me rk社製)
の90重量%に本発明の化合物および比較例として化合
物(A)、(B)を各々10重量%ずつ混合した液晶組
成物を作った。
液晶組成物〔1〕 ZLr−156590ffi量% 液晶組成物 〔2〕 ZLI−1565 O 液晶組成物 〔3〕 ZLI−1565 O 液晶組成物 〔比較−1〕 液晶組成物 〔比較−2〕 これらの液晶組成物のN−1点と△nを測定した。次に
、これらの液晶組成物をセル厚9μmのTN型セルに封
入し、20℃において電圧−光透退学特性のしきいii
l!電圧(Vlh)、急峻性(β)、視角依存性(α)
および0−40℃におけるVIThの温度依存性(△T
) 、V−3V、1/3デユーテイでの電圧マージン(
M)を測定した。ここで、α、β、△TおよびMは次式
で定義した。
△T=Lo(T−0℃1− 10@ ) −V+o(T−40’+ /−1o’ )(V) (ここで、Vloおよび■、。はそれぞれしきい値電圧
および飽和電圧であり、光透過率10および90%の電
圧、Tは温度、φは視角を表わす。)以上の結果を第1
表に示した。
第 表 応用例 2 下記の組成比から成る液晶組成物〔4〕、〔5〕、〔6
〕、〔7〕および〔8〕を作った。
液晶組成物〔4〕 液晶組成物 〔5〕 5.0 F (トランス体約80%) 液晶組成物 〔6〕 5.0 C、、+1 、 l ()coo % CN液晶組成物
〔7〕 5.0 (トランス体約80%) 5.0 液晶組成物 〔8〕 F (トランス体約80%) これらの液晶組成物のN−1点、△n、V、、、α、β
、△TおよびMを応用例1と同様にして測定した結果を
第2表に示した。
第   2   表 以上の結果より、本発明の液晶組成物はVlhが1v以
下の低電圧においても高時分割駆動が可能であることが
わかった。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明の1.3−ジオキサン誘導体
は△εが非常に大きく、しかも八〇が小さいことがわか
った。
また、本発明の1.3−ジオキサン誘導体を従来の液晶
化合物と混合して得られた液晶組成物は視角が広く、低
電圧において高時分割駆動が可能であることが確認でき
た。
したがって、本発明の1.3−ジオキサン誘導体はTN
型又はSTN型の液晶表示装置に用いられる液晶化合物
又はその類似化合物として極めて有用である。
以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    、Aは単結合又は−CH_2CH_2−基、nは0又は
    1を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオキサ
    ン環はそれぞれトランス配置である。) で表わされることを特徴とする1,3−ジオキサン誘導
    体。 2)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1−a) (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    を表わし、1,3−ジオキサン環はトランス配置である
    。) で表わされることを特徴とする請求項1記載の1,3−
    ジオキサン誘導体。 3)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1−b) (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオキサン
    環はそれぞれトランス配置である。)で表わされること
    を特徴とする請求項1記載の1,3−ジオキサン誘導体
    。 4)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1−c) (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオキサン
    環はそれぞれトランス配置である。)で表わされること
    を特徴とする請求項1記載の1,3−ジオキサン誘導体
    。 5)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    、Aは単結合又は−CH_2CH_2−基、nは0又は
    1を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオキサ
    ン環はそれぞれトランス配置である。) で表わされる1,3−ジオキサン誘導体を少なくとも1
    成分含有することを特徴とする1,3−ジオキサン誘導
    体を含む液晶組成物。 6)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    、Aは単結合又は−CH_2CH_2−基、nは0又は
    1を表わし、シクロヘキサン環および1,3−ジオキサ
    ン環はそれぞれトランス配置である。) で表わされる1,3−ジオキサン誘導体を1〜30重量
    %含有することを特徴とする請求項5記載の1,3−ジ
    オキサン誘導体を含む液晶組成物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089759A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Merck Patent Gmbh ネマティック液晶混合物およびこの混合物を含有するディスプレイ
JP2006283031A (ja) * 1995-02-03 2006-10-19 Merck Patent Gmbh 電気光学的液晶ディスプレイ
JP2007217698A (ja) * 1995-09-01 2007-08-30 Merck Patent Gmbh 液晶媒体

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