JPH03222455A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH03222455A
JPH03222455A JP1836690A JP1836690A JPH03222455A JP H03222455 A JPH03222455 A JP H03222455A JP 1836690 A JP1836690 A JP 1836690A JP 1836690 A JP1836690 A JP 1836690A JP H03222455 A JPH03222455 A JP H03222455A
Authority
JP
Japan
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circuit section
noise
semiconductor substrate
circuit part
digital
Prior art date
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Pending
Application number
JP1836690A
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English (en)
Inventor
Tomoyuki Katada
堅田　智之
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、同一半導体基板の上にデジタル回路部上アナ
ログ回路部を備えた半導体装置に関する。
従来の技術 デジタル信号処理技術の発展お半導体装置の集積度向上
により、デジタル回路部とアナログ回路部を同一半導体
基板上に製造するデジタル／アナログ混載半導体装置も
多数製造されている。
第２図は従来のデジタル／アナログ混載半導体装置の断
面図である。同図はＮ型半導体基板３を用いた半導体装
置で、デジタル回路部１とアナログ回路部２を備えてい
る。４はＰ型導電領域で、５はＰ型拡散領域、６はＮ型
導伝領域で、７はＮ型拡散領域、８はゲート電極、９は
ゲート酸化膜、１０は厚いフィールド酸化膜である。デ
ジタル回路部１はデジタル電源１１によ電源電圧を供給
され、アナログ回路部２はアナログ電源１２より電源電
圧を供給される。このように従来の半導体装置ではデジ
タル電源１１とアナログ電源１２を個別に供給し、アナ
ログ回路部２の雑音とデジタル回路部ｌとを、また前記
デジタル回路部１の雑音と前記アナログ回路部２とを分
離している。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では、アナログ回路部２
とデジタル回路部１はＮ型半導体基板３を介して電気的
に接続しているため、両回踏部１．２の雑音が互いに伝
播してしまうという間層点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体基
板内での伝播雑音を低減したアナログ／デジタル混載半
導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の半導体装置は、半導
体基板の主表面から上記基板内部に向けて形成された溝
内部に形成した絶縁体により分離帯を構成したものであ
る。
作用 この構成によってデジタル回路部とアナログ回路部とを
半導体基板深部まで分離でき、デジタル回路部とアナロ
グ回路部間の半導体基板内での伝播雑音を低減すること
ができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例における半導体装置
の断面図を示すものである。同図において、第２図に示
す従来の半導体装置と同一箇所には同一符号を付し、詳
細な説明を省略した。第１図において、１３は半導体基
板３の主表面から上記基板内部に向けて形成された溝内
部に形成した絶縁体であり、この絶縁体１３によりデジ
タル回路部１とアナログ回路部２とを分離する分離帯が
構成されている。
上記のような分離帯１３を設けることにより、アナログ
回路部２で発生した雑音は分離帯１３を乗り越えてデジ
タル回路部１に伝播する前にアナログ電源１２により吸
収される。同様にデジタル回路部１で発生した雑音もア
ナログ回路部２に伝播する前にデジタル電源１１により
吸収されるため半導体基板３を通じて両回踏部１，２の
雑音が伝播することはない。仮に分離帯１３を乗り越え
て雑音が伝播したとしても抵抗値の高い半導体基板３を
回り込むため、発生時に比べ雑音成分は低減される。
なお、分離帯として内面が絶縁膜で被覆されたＶまたは
Ｕ字型溝を用いても全く同様の効果が得られる。
発明の効果 以上のように本発明は、デジタル回路部さアナログ回路
部を有する半導体装置において、半導体基板の主表面か
ら上記基板内部に向けて形成した溝内部に形成された絶
縁体によりデジタル回路部とアナログ回路部とを分離す
る分離帯を設けることにより、半導体基板内での伝播雑
音を低減することができる優れた半導体装置を実現でき
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・デジタル回路部、２・・・・・・アナロ
グ回路部、１３・・・・・・分離帯（絶縁体）。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 同一半導体基板の上にデジタル回路部とアナログ回路部
    を有する半導体装置において、前記半導体基板の主表面
    から内部に向けて形成さ れた溝内部に形成した絶縁体によりデジタル回路部とア
    ナログ回路部とを分離する半導体装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326260A (ja) * 1993-05-13 1994-11-25 Nec Corp 半導体装置
JPH1012717A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Nec Corp デジタル回路とアナログ回路が混在する半導体集積回路 装置およびその製造方法
WO2001095389A3 (en) * 2000-06-06 2002-04-18 Infineon Technologies Corp Shielding of analog circuits on semiconductor substrates
US6459134B2 (en) 2000-03-27 2002-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor devices which have analog and digital circuits integrated on a common substrate
JP2014132676A (ja) * 2014-02-24 2014-07-17 Renesas Electronics Corp 半導体装置

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