JPH0321974B2 - - Google Patents
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- JPH0321974B2 JPH0321974B2 JP56173975A JP17397581A JPH0321974B2 JP H0321974 B2 JPH0321974 B2 JP H0321974B2 JP 56173975 A JP56173975 A JP 56173975A JP 17397581 A JP17397581 A JP 17397581A JP H0321974 B2 JPH0321974 B2 JP H0321974B2
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/21—Intermediate information storage
- H04N1/2166—Intermediate information storage for mass storage, e.g. in document filing systems
- H04N1/2195—Intermediate information storage for mass storage, e.g. in document filing systems with temporary storage before final recording or on play-back, e.g. in a frame buffer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
- H04N2201/0077—Types of the still picture apparatus
- H04N2201/0084—Digital still camera
-
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
- H04N2201/0077—Types of the still picture apparatus
- H04N2201/0089—Image display device
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
本発明は光ビームを用いて情報の記録・再生・
消去等を行なう光磁気記憶装置の光学ヘツドに関
する。 従来、光磁気記憶装置において、光源として半
導体レーザを用いた場合、光透過効率を向上させ
る為およびレーザ光を円形スポツトに絞り込む為
にビーム整形用のプリズム又は一対のシリンドリ
カルレンズを通過させてビームの形を半導体レー
ザ特有の楕円から円に変えており、その後ビーム
スプリツターを通して情報記録体にレーザ光を投
射させていた。 第１図は従来光磁気デイスク装置のヘツド部の
構成説明図である。１は半導体レーザ光源、２は
集光レンズ、３は偏光子、４はビーム整形用プリ
ズム、５はビームスプリツター、６は絞りレン
ズ、７は光磁気デイスク、８は記憶媒体、９はガ
イドトラツク、１０はスポツトレンズ、１１は検
光子、１２は光検出器である。尚、光磁気デイス
ク７は図示しない駆動装置により所定の速度で回
転させうる構造をとる。 本発明は上記の如き従来磁気光学ヘツドの部品
点数を減少するとともに、光磁気デイスクの出力
光のカー回転角を増大せしめることを目的とす
る。 以下、本発明に係わる磁気光学ヘツドの一実施
例を図面をもとに詳細に説明する。 第２図は本発明による一実施例を示す構成説明
図である。１は半導体レーザ、２は集光レンズ、
３は偏光子、１３はレーザ光入射側端面に誘電体
を多層コートした整形プリズムで（同図に示され
るような接合面等の存在しない単体のプリズム）
であり、レーザ光出射端面はいずれも光軸に対し
て直角にカツトされている（該プリズムの作用に
ついては再生手法で後述する。）。尚、第２図に明
らかに示されるように、整形プリズム１３の半導
体レーザ１からの光に対する入射側端面の設置角
度は該入射側端面からプリズム内に入射した光が
光磁気デイスク７の面に対し直交する方向に屈折
するように設定されている。６は絞りレンズ、７
は光磁気デイスク、８は記憶媒体、９は光磁気デ
イスクに既設されているガイドトラツクである。
１０は、光検出器１２の上に所定の大きさの光ス
ポツトを形成するためのスポツトレンズ、１１は
磁気情報を検出するための検光子である。 以上の構成からなる本発明装置の作用は次のと
おりである。 () 記録および消去 まず、情報の記録は図示しないレーザ変調回
路により情報信号に応じて半導体レーザ１から
射出されるレーザビームを時間的に強度変調し
て行なう。上記の手法により半導体レーザ１か
ら射出されたレーザビームは集光レンズ２によ
りコリメートされて、所定の方位に設定された
偏光子３を通り整形プリズム１３に入射する。
該プリズムに入射したレーザビームは第２図に
おいて紙面内の方向のみ
消去等を行なう光磁気記憶装置の光学ヘツドに関
する。 従来、光磁気記憶装置において、光源として半
導体レーザを用いた場合、光透過効率を向上させ
る為およびレーザ光を円形スポツトに絞り込む為
にビーム整形用のプリズム又は一対のシリンドリ
カルレンズを通過させてビームの形を半導体レー
ザ特有の楕円から円に変えており、その後ビーム
スプリツターを通して情報記録体にレーザ光を投
射させていた。 第１図は従来光磁気デイスク装置のヘツド部の
構成説明図である。１は半導体レーザ光源、２は
集光レンズ、３は偏光子、４はビーム整形用プリ
ズム、５はビームスプリツター、６は絞りレン
ズ、７は光磁気デイスク、８は記憶媒体、９はガ
イドトラツク、１０はスポツトレンズ、１１は検
光子、１２は光検出器である。尚、光磁気デイス
ク７は図示しない駆動装置により所定の速度で回
転させうる構造をとる。 本発明は上記の如き従来磁気光学ヘツドの部品
点数を減少するとともに、光磁気デイスクの出力
光のカー回転角を増大せしめることを目的とす
る。 以下、本発明に係わる磁気光学ヘツドの一実施
例を図面をもとに詳細に説明する。 第２図は本発明による一実施例を示す構成説明
図である。１は半導体レーザ、２は集光レンズ、
３は偏光子、１３はレーザ光入射側端面に誘電体
を多層コートした整形プリズムで（同図に示され
るような接合面等の存在しない単体のプリズム）
であり、レーザ光出射端面はいずれも光軸に対し
て直角にカツトされている（該プリズムの作用に
ついては再生手法で後述する。）。尚、第２図に明
らかに示されるように、整形プリズム１３の半導
体レーザ１からの光に対する入射側端面の設置角
度は該入射側端面からプリズム内に入射した光が
光磁気デイスク７の面に対し直交する方向に屈折
するように設定されている。６は絞りレンズ、７
は光磁気デイスク、８は記憶媒体、９は光磁気デ
イスクに既設されているガイドトラツクである。
１０は、光検出器１２の上に所定の大きさの光ス
ポツトを形成するためのスポツトレンズ、１１は
磁気情報を検出するための検光子である。 以上の構成からなる本発明装置の作用は次のと
おりである。 () 記録および消去 まず、情報の記録は図示しないレーザ変調回
路により情報信号に応じて半導体レーザ１から
射出されるレーザビームを時間的に強度変調し
て行なう。上記の手法により半導体レーザ１か
ら射出されたレーザビームは集光レンズ２によ
りコリメートされて、所定の方位に設定された
偏光子３を通り整形プリズム１３に入射する。
該プリズムに入射したレーザビームは第２図に
おいて紙面内の方向のみ
【式】（θ：入射
角、ｎ：プリズム媒質の屈折率）で示される屈
折の拡大を受けて射出する。尚、前記拡大率は
利用する半導体レーザ１の発光特性に応じて適
宜設定されるもので楕円型ビームを円形ビーム
に変換することを目的としたものである。次に
円形に変換されたレーザビームは絞りレンズ６
により記憶媒体８の上に微小光スポツトとして
照射される。このようにして該照射点は変調レ
ーザビームの照射エネルギーを受けて昇温し、
公知の原理による熱磁気記録がなされる。 ところで、光デイスク７は図示しない光磁気
デイスク駆動装置により回転運動を行うよう
に、さらに光磁気ヘツドは該光磁気デイスクの
半径方向に図示しない直進駆動装置により所定
の速度で移動するように構成されている。した
がつて前記照射点は後述するサーボシステムの
効果により光磁気デイスク７に既設されたガイ
ドトラツク９に沿つて記憶媒体８上を遷移する
ため変調レーザビームのパルス列に応じたビツ
ト列が形成される。 尚、消去動作も原理的には記録動作と同等で
あり、記録時とは逆向きの磁化反転が達成され
るよう例えば外部励磁コイルによる補助磁界を
利用して行なう。 次に、微小光スポツトが一定の大きさで記憶
媒体８の表面を照射し、かつ所定の場所に情報
を記録するために光磁気デイスク７に既設され
たガイドトラツク９上を正確にトレースするべ
く設けられたサーボシステムについて説明す
る。 第３図は記憶媒体８ならびにガイドトラツク
９から反射されたレーザビームが整形プリズム
１３の斜面で反射され、スポツトレンズ１０、
検光子１１を通過して光検出器１２の上に到達
した様子を示す図である。光検出器１２は第
１、第２、第３、第４の素子ａ，ｂ，ｃ，ｄか
らなる４分割光検出器であり、反射レーザビー
ムの光軸中心に対して、該光検出器１２の分割
中心は一方の分割線の方向に微小距離δだけズ
レる様配置されている。さらに、反射レーザビ
ームの結像位置より光軸方向に任意距離だけズ
レた位置に支持されている。第３図ａ，ｂ，ｃ
は記録媒体８と絞りレンズ６との相対距離を変
化したときの反射レーザビームの形状を表わ
し、それぞれ、相対距離が長いとき、適切なと
き、短かいときを表す。前記第１、、第２、第
３、第４の素子ａ，ｂ，ｃ，ｄの出力をそれぞ
れＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とするとｂの状態に
おいてＧ×（S1＋S2）−（S3＋S4）＝０となる様
に図示しない増巾器によりゲインＧを調整する
と、相対距離の変化に応じて素子の出力には不
平衡が生じるためフオーカスエラー信号Sf＝Ｇ
（S1＋S2）−（S2＋S4）は第４図に示すような傾
向をとる。 該フオーカスエラー信号は、絞りレンズ６を
光軸方向に移動できる図示しない駆動装置（例
えばボイスコイル型アクチユエータ）にその運
動特性に応じて増巾調整、位相補償をされてフ
イードバツクされて絞りレンズ６と記憶媒体８
との相対距離を一定に保つようコントロールさ
れる。 一方、第３図ｄに示した様な位置関係にある
ガイドトラツク９からの反射光はガイドトラツ
ク９がλ/8位相溝あるいは反射率が他の部分と
異なる様な構成であつても、照射点中心とガイ
ドトラツク９の中心線が一致したときあるいは
ハズレたときの干渉パターンは、ズレ量ならび
にズレた方向によつて変化することはよく知ら
れている。従つて、素子出力和（S1＋S4）と
（S2＋S3）を比較することによりズレ量ならび
にズレた方向を検出することができる。即ちト
ラツクエラー信号St＝｛（S1＋S4）−（S2＋S3）｝
を得て、増巾調整、位相補償を施して、図示し
ないトラツク追跡装置（例えば、磁気光学ヘツ
ド全体を移動するリニアモータ型追跡装置、あ
るいは絞りレンズ６のみを移動するリニアモー
タ型追跡装置を利用する）にフイードバツクさ
れて前記照射点がガイドトラツク９上を正確に
トレースするようにコントロールされる。 () 再生動作 記録された情報信号の再生は半導体レーザ１
から一定の強さのレーザビームを射出して行な
う。射出されたレーザビームは集光レンズ２に
よりコリメートされて所定の方位に設定された
偏光子３を通り、第５図に示すA0の方位の偏
光となる。次に該偏光レーザビームは整形プリ
ズム１３に入射するが、該プリズムの入射端面
には一例としてTP＝0.7（Ｐ偏光のエネルギー透
過率）、RP＝0.3（Ｐ偏光のエネルギー反射率）、
TS＝0.01（Ｓ偏光のエネルギー透過率）、RS＝
0.99（Ｓ偏光のエネルギー反射率）の偏光特性
を持つように誘電体の多層コートが形成され
る。この偏光特性を有する誘電体の多層コート
は、従来周知の偏光ビームスプリツターで用い
られたコート膜において、その各膜の膜厚を多
層膜の反射率に関する周知の計算式を用いて求
まる上記偏光特性となるような膜厚に変えれば
得られる。例えば、日刊工業新聞社発行の真空
技術講座 真空蒸着 （昭和40年３月31日発
行）の286頁に多層膜を用いた偏光ビームスプ
リツターの構造が示されるが、この偏光ビーム
スプリツターの多層膜の膜厚を多層膜の反射率
に関する周知の計算式に基づいて上記偏光特性
となるような膜厚を単なる計算で求め、その膜
厚になるように単体プリズム表面に多層コート
すれば上記の偏光特性を有するコート膜は得ら
れる。従つてA0の偏光方位をＰ偏光の方位に
一致させると、該整形プリズム１３から出射す
るレーザビームは記録の項で詳述した効果によ
りビーム整形されると同時に半導体レーザ１の
射出エネルギーの約７割のエネルギーをもつた
直線偏光レーザビームＡとなる。次に該レーザ
ビームは絞りレンズ６により記憶媒体８上に微
小光スポツト１６を結ぶ。こうして、前述した
サーボシステムにより該微小光スポツトは正確
に情報ビツト列を走査することになる。 そして、第６図に示す様に前記微小光スポツ
トが記録ビツト１４上および非記録部１５（磁
化方向が１４と反対向き）上を走査するとその
磁化方向に応じて、記憶媒体８からの反射レー
ザビームはカー効果で知られるように偏光方位
がそれぞれ＋α、−αだけ回転して、第５図の
Ｂ１，Ｂ２の偏光となる。尚αはカー回転角で
あり、図中Ｂ１，Ｂ２は記憶媒体８の反射率
（＜1.0）を考慮して記載した。 そして、該、反射レーザビームは再び絞りレ
ンズ６を通り整形プリズム１３に到達する。こ
こで該プリズムの斜面には前述した様な偏光特
性（即ち、入射ビームの偏光方位に対するエネ
ルギー反射率より入射ビームの偏光方位に直交
する偏光方位に対するエネルギー反射率が大き
い）をもつ誘電体多層コートがなされている結
果、第５図のＢ１′，Ｂ２′の如き偏光特性をも
つレーザビームが左方に反射される（B1′P＝
B1P×√P、B2′P＝B2P×√P、B1′S＝B1S×√
RS、B2′S＝B2S×√Sの関係をもつ）。ここで
整形プリズム１３を通過した後の偏光回転角β
＝B1S・√S／B1P・√Pで表され、整形プリ
ズム１３を通過する前の偏光回転角αはtanα
＝B1S／B1Pで表されるが、前述したようにRS
（0.99）＞RP（0.3）であるので、上記式からβ＞
αとなる。具体的にはα＝１度の場合において
はβ＝1.8度と約２倍に増大される。このよう
に整形プリズム１３を通過した時点ではカー回
転角が増大しているので、整形プリズム１３か
ら出射した光を検光する検光子の設定角度の精
度がある程度低くとも、有効に再生信号を引き
出すことが出来る。従来はカー回転角が十分得
られなかつた為に検光子の設定角度において高
精度が要求され、その為に光学ヘツドの組み立
てに手間がかかつたが、上記のようにカー回転
角の増大化によつて、光学ヘツドの組み立てが
容易になる。こうして、該反射レーザビームは
スポツトレンズ１０を通り第５図に示したＣの
方位に検光子１１を設定すると、光検出器１２
には第７図の如き記録情報に応じて強度変調さ
れたレーザビームが到達する。従つて第３図に
示した光検出器１２の各分割素子の出力Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の総和を得ることにより情報
を再生することができる。 上記構成の磁気光学ヘツドは上述した様にビ
ーム整形とビームスプリツターの機能を合せも
つ整形プリズム１３を用いることにより光学系
を簡素化することができるだけでなく、該整形
プリズム斜面に適切な偏光特性をもつ誘電体多
層コートを施すことにより再生光のカー回転角
を増大させ得るため、検光子の方位の設定を容
易にすることができる。 本発明の実施形態として、記憶媒体を含む記憶
素子構成として、デイスク形態のみならずドラム
状、テープ状、シート状の形態をとつた場合にも
本発明は適用できる。さらに、利用する半導体レ
ーザ１の射出するレーザビームの偏光度が良好な
場合には偏光子３を省いて本発明を適用すること
もできる。 以上の本発明によれば、磁気光学ヘツドの部品
点数を減少するとともに、光磁気デイスクの出力
光のカー回転角を増大せしめることができ、それ
によつて検光子の設定が容易になり、ひいては光
学ヘツドの組み立てが容易になるという効果を有
する。
折の拡大を受けて射出する。尚、前記拡大率は
利用する半導体レーザ１の発光特性に応じて適
宜設定されるもので楕円型ビームを円形ビーム
に変換することを目的としたものである。次に
円形に変換されたレーザビームは絞りレンズ６
により記憶媒体８の上に微小光スポツトとして
照射される。このようにして該照射点は変調レ
ーザビームの照射エネルギーを受けて昇温し、
公知の原理による熱磁気記録がなされる。 ところで、光デイスク７は図示しない光磁気
デイスク駆動装置により回転運動を行うよう
に、さらに光磁気ヘツドは該光磁気デイスクの
半径方向に図示しない直進駆動装置により所定
の速度で移動するように構成されている。した
がつて前記照射点は後述するサーボシステムの
効果により光磁気デイスク７に既設されたガイ
ドトラツク９に沿つて記憶媒体８上を遷移する
ため変調レーザビームのパルス列に応じたビツ
ト列が形成される。 尚、消去動作も原理的には記録動作と同等で
あり、記録時とは逆向きの磁化反転が達成され
るよう例えば外部励磁コイルによる補助磁界を
利用して行なう。 次に、微小光スポツトが一定の大きさで記憶
媒体８の表面を照射し、かつ所定の場所に情報
を記録するために光磁気デイスク７に既設され
たガイドトラツク９上を正確にトレースするべ
く設けられたサーボシステムについて説明す
る。 第３図は記憶媒体８ならびにガイドトラツク
９から反射されたレーザビームが整形プリズム
１３の斜面で反射され、スポツトレンズ１０、
検光子１１を通過して光検出器１２の上に到達
した様子を示す図である。光検出器１２は第
１、第２、第３、第４の素子ａ，ｂ，ｃ，ｄか
らなる４分割光検出器であり、反射レーザビー
ムの光軸中心に対して、該光検出器１２の分割
中心は一方の分割線の方向に微小距離δだけズ
レる様配置されている。さらに、反射レーザビ
ームの結像位置より光軸方向に任意距離だけズ
レた位置に支持されている。第３図ａ，ｂ，ｃ
は記録媒体８と絞りレンズ６との相対距離を変
化したときの反射レーザビームの形状を表わ
し、それぞれ、相対距離が長いとき、適切なと
き、短かいときを表す。前記第１、、第２、第
３、第４の素子ａ，ｂ，ｃ，ｄの出力をそれぞ
れＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とするとｂの状態に
おいてＧ×（S1＋S2）−（S3＋S4）＝０となる様
に図示しない増巾器によりゲインＧを調整する
と、相対距離の変化に応じて素子の出力には不
平衡が生じるためフオーカスエラー信号Sf＝Ｇ
（S1＋S2）−（S2＋S4）は第４図に示すような傾
向をとる。 該フオーカスエラー信号は、絞りレンズ６を
光軸方向に移動できる図示しない駆動装置（例
えばボイスコイル型アクチユエータ）にその運
動特性に応じて増巾調整、位相補償をされてフ
イードバツクされて絞りレンズ６と記憶媒体８
との相対距離を一定に保つようコントロールさ
れる。 一方、第３図ｄに示した様な位置関係にある
ガイドトラツク９からの反射光はガイドトラツ
ク９がλ/8位相溝あるいは反射率が他の部分と
異なる様な構成であつても、照射点中心とガイ
ドトラツク９の中心線が一致したときあるいは
ハズレたときの干渉パターンは、ズレ量ならび
にズレた方向によつて変化することはよく知ら
れている。従つて、素子出力和（S1＋S4）と
（S2＋S3）を比較することによりズレ量ならび
にズレた方向を検出することができる。即ちト
ラツクエラー信号St＝｛（S1＋S4）−（S2＋S3）｝
を得て、増巾調整、位相補償を施して、図示し
ないトラツク追跡装置（例えば、磁気光学ヘツ
ド全体を移動するリニアモータ型追跡装置、あ
るいは絞りレンズ６のみを移動するリニアモー
タ型追跡装置を利用する）にフイードバツクさ
れて前記照射点がガイドトラツク９上を正確に
トレースするようにコントロールされる。 () 再生動作 記録された情報信号の再生は半導体レーザ１
から一定の強さのレーザビームを射出して行な
う。射出されたレーザビームは集光レンズ２に
よりコリメートされて所定の方位に設定された
偏光子３を通り、第５図に示すA0の方位の偏
光となる。次に該偏光レーザビームは整形プリ
ズム１３に入射するが、該プリズムの入射端面
には一例としてTP＝0.7（Ｐ偏光のエネルギー透
過率）、RP＝0.3（Ｐ偏光のエネルギー反射率）、
TS＝0.01（Ｓ偏光のエネルギー透過率）、RS＝
0.99（Ｓ偏光のエネルギー反射率）の偏光特性
を持つように誘電体の多層コートが形成され
る。この偏光特性を有する誘電体の多層コート
は、従来周知の偏光ビームスプリツターで用い
られたコート膜において、その各膜の膜厚を多
層膜の反射率に関する周知の計算式を用いて求
まる上記偏光特性となるような膜厚に変えれば
得られる。例えば、日刊工業新聞社発行の真空
技術講座 真空蒸着 （昭和40年３月31日発
行）の286頁に多層膜を用いた偏光ビームスプ
リツターの構造が示されるが、この偏光ビーム
スプリツターの多層膜の膜厚を多層膜の反射率
に関する周知の計算式に基づいて上記偏光特性
となるような膜厚を単なる計算で求め、その膜
厚になるように単体プリズム表面に多層コート
すれば上記の偏光特性を有するコート膜は得ら
れる。従つてA0の偏光方位をＰ偏光の方位に
一致させると、該整形プリズム１３から出射す
るレーザビームは記録の項で詳述した効果によ
りビーム整形されると同時に半導体レーザ１の
射出エネルギーの約７割のエネルギーをもつた
直線偏光レーザビームＡとなる。次に該レーザ
ビームは絞りレンズ６により記憶媒体８上に微
小光スポツト１６を結ぶ。こうして、前述した
サーボシステムにより該微小光スポツトは正確
に情報ビツト列を走査することになる。 そして、第６図に示す様に前記微小光スポツ
トが記録ビツト１４上および非記録部１５（磁
化方向が１４と反対向き）上を走査するとその
磁化方向に応じて、記憶媒体８からの反射レー
ザビームはカー効果で知られるように偏光方位
がそれぞれ＋α、−αだけ回転して、第５図の
Ｂ１，Ｂ２の偏光となる。尚αはカー回転角で
あり、図中Ｂ１，Ｂ２は記憶媒体８の反射率
（＜1.0）を考慮して記載した。 そして、該、反射レーザビームは再び絞りレ
ンズ６を通り整形プリズム１３に到達する。こ
こで該プリズムの斜面には前述した様な偏光特
性（即ち、入射ビームの偏光方位に対するエネ
ルギー反射率より入射ビームの偏光方位に直交
する偏光方位に対するエネルギー反射率が大き
い）をもつ誘電体多層コートがなされている結
果、第５図のＢ１′，Ｂ２′の如き偏光特性をも
つレーザビームが左方に反射される（B1′P＝
B1P×√P、B2′P＝B2P×√P、B1′S＝B1S×√
RS、B2′S＝B2S×√Sの関係をもつ）。ここで
整形プリズム１３を通過した後の偏光回転角β
＝B1S・√S／B1P・√Pで表され、整形プリ
ズム１３を通過する前の偏光回転角αはtanα
＝B1S／B1Pで表されるが、前述したようにRS
（0.99）＞RP（0.3）であるので、上記式からβ＞
αとなる。具体的にはα＝１度の場合において
はβ＝1.8度と約２倍に増大される。このよう
に整形プリズム１３を通過した時点ではカー回
転角が増大しているので、整形プリズム１３か
ら出射した光を検光する検光子の設定角度の精
度がある程度低くとも、有効に再生信号を引き
出すことが出来る。従来はカー回転角が十分得
られなかつた為に検光子の設定角度において高
精度が要求され、その為に光学ヘツドの組み立
てに手間がかかつたが、上記のようにカー回転
角の増大化によつて、光学ヘツドの組み立てが
容易になる。こうして、該反射レーザビームは
スポツトレンズ１０を通り第５図に示したＣの
方位に検光子１１を設定すると、光検出器１２
には第７図の如き記録情報に応じて強度変調さ
れたレーザビームが到達する。従つて第３図に
示した光検出器１２の各分割素子の出力Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の総和を得ることにより情報
を再生することができる。 上記構成の磁気光学ヘツドは上述した様にビ
ーム整形とビームスプリツターの機能を合せも
つ整形プリズム１３を用いることにより光学系
を簡素化することができるだけでなく、該整形
プリズム斜面に適切な偏光特性をもつ誘電体多
層コートを施すことにより再生光のカー回転角
を増大させ得るため、検光子の方位の設定を容
易にすることができる。 本発明の実施形態として、記憶媒体を含む記憶
素子構成として、デイスク形態のみならずドラム
状、テープ状、シート状の形態をとつた場合にも
本発明は適用できる。さらに、利用する半導体レ
ーザ１の射出するレーザビームの偏光度が良好な
場合には偏光子３を省いて本発明を適用すること
もできる。 以上の本発明によれば、磁気光学ヘツドの部品
点数を減少するとともに、光磁気デイスクの出力
光のカー回転角を増大せしめることができ、それ
によつて検光子の設定が容易になり、ひいては光
学ヘツドの組み立てが容易になるという効果を有
する。
第１図は従来の磁気光学ヘツドの構成説明図、
第２図は本発明に係る磁気光学ヘツドの一実施例
を示す構成説明図、第３図は光検出器とレーザビ
ームとの関係を表わす図、第４図はフオーカスエ
ラー信号の一例を表わす図、第５図は反射情報光
の偏光状態の説明図、第６図は記録情報と再生用
レーザビームとの関係を示す説明図、第７図は再
生出力の一例を示す波形図、第８図はガラスによ
る偏光の透過、反射特性を表わすグラフ図であ
る。 図中、１：半導体レーザ、２：集光レンズ、
３：偏光子、６：絞りレンズ、８：記憶媒体、
９：ガイドトラツク、１０：スポツトレンズ、１
１：検光子、１２：光検出器、１３：整形プリズ
ム、１４：記録ビツト、１６：再生レーザビー
ム。
第２図は本発明に係る磁気光学ヘツドの一実施例
を示す構成説明図、第３図は光検出器とレーザビ
ームとの関係を表わす図、第４図はフオーカスエ
ラー信号の一例を表わす図、第５図は反射情報光
の偏光状態の説明図、第６図は記録情報と再生用
レーザビームとの関係を示す説明図、第７図は再
生出力の一例を示す波形図、第８図はガラスによ
る偏光の透過、反射特性を表わすグラフ図であ
る。 図中、１：半導体レーザ、２：集光レンズ、
３：偏光子、６：絞りレンズ、８：記憶媒体、
９：ガイドトラツク、１０：スポツトレンズ、１
１：検光子、１２：光検出器、１３：整形プリズ
ム、１４：記録ビツト、１６：再生レーザビー
ム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光磁気デイスクに光ビームを照射することに
より、光磁気デイスクに対し情報の記録・再生・
消去等を行う磁気光学ヘツドにおいて、 半導体レーザ光源と、 該半導体レーザ光源と光磁気デイスクとの間の
光路上に設置された単体プリズムと、 該単体プリズムで反射された光磁気デイスクか
らの出力光を検出するための光検出器とを備え、 前記単体プリズムには、前記半導体レーザ光源
からの光の入射側端面にビームスプリツトを行う
とともに光磁気デイスクの出力光のカー回転角を
増大せしめる誘電体多層膜によるコート材が被覆
されるとともに、前記単体プリズムの入射側端面
は半導体レーザ光源からの入射光のビーム形状が
楕円から円に変化する角度で半導体レーザ光源に
面し、かつ前記単体プリズムの入射側端面の設置
角度は、半導体レーザからの光が前記入射側端面
から前記光磁気デイスクに向けて屈折するように
設定されるとともに、光磁気デイスクからの出力
光が前記入射側端面から前記光検出器に向けて反
射するように設定されることを特徴とする磁気光
学ヘツド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173975A JPS5877046A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 磁気光学ヘツド |
| CA000414156A CA1190321A (en) | 1981-10-29 | 1982-10-26 | Magneto-optical head assembly |
| EP82305749A EP0078673B1 (en) | 1981-10-29 | 1982-10-28 | Magneto-optical head assembly |
| US06/437,504 US4573149A (en) | 1981-10-29 | 1982-10-28 | Magneto-optical head assembly with improved detection means |
| DE8282305749T DE3280063D1 (de) | 1981-10-29 | 1982-10-28 | Magneto-optische kopfeinrichtung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173975A JPS5877046A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 磁気光学ヘツド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31196690A Division JPH03189948A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 磁気光学ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877046A JPS5877046A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0321974B2 true JPH0321974B2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=15970483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56173975A Granted JPS5877046A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 磁気光学ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877046A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2597643A1 (fr) * | 1985-11-08 | 1987-10-23 | Seiko Epson Corp | Systeme de lecture de signal magneto-optique |
| JPS6356823A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的信号記録再生装置 |
| JPH02244432A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Nec Corp | 光ディスク装置 |
| US5216562A (en) * | 1990-09-25 | 1993-06-01 | International Business Machines Corporation | Multi-beam optical recording system and method |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56173975A patent/JPS5877046A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877046A (ja) | 1983-05-10 |
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