JPH03218653A - エアーブリッジ金属配線を具えた半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、エアーブリッジ金属配線を具えた半導体装
Ｍおよびその製造方法に関するものてあり、特にエアー
ブリッジの橋脚部をバイアホールの直上に設けた半導体
装置およびその製造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来のエアーブリッジは例えば米国特許第４，１０７，
７２０号明細書に、またバイアホールは実公昭５５−１
２４４５号公報にそれぞれ記載されている。第５図（ａ
）乃至（ｋ）はそのエアーブリッジおよびバイアホール
の構造およびこれらのエアーブリッジおよびバイアホー
ルを具えた半導体装置の製造方法をまとめて示したもの
てある。第５図（ｋ）て、半導体あるいは半絶縁性のＧ
ａＡｓ基板ｌにはバイアホール２か形成されており、そ
の内面および基板ｌの裏面には裏面金属３か形成されて
いる。４は基板ｌの表面に形成された例えばソース金属
て、該ソース金属４はバイアホール２の部分で裏面電極
３と接触している。５はエアーブリッジて，その一端は
橋脚部６を介してソース金属４と接触しており、他端は
別のソース金属、金属バット等、回路の他の部分に接触
されている。

次に、第５図（ｋ）の半導体装置の製造方法を説明する
。

第５図（ａ）に示すように、　ＧａＡｓ基板ｌの表面に
ソース、ドレイン、ゲート、能動層、抵抗、キャパシタ
等の必要な素子を形成する。４はこれらの素子のうち一
例としてソース金属を示し、例えばＡｕ／Ｇｅ／Ｎ　ｉ
を蒸着して形成されている。

次に，第５図（ｂ）に示すように、ソース金属４の表面
およびＧａＡｓ基板ｌの露出した表面にフォトレジスト
７を写真製版によりパターニングし、ソース金属４の一
部４ｌを露出させておく。

次に、第５図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト７お
よびソース金属４の露出部分４ｌの全面にＴｉ／Ａｕ　
　（例えば３００人／　３０００人）をスパッタ蒸着し
てメッキ給電層８を形成する。

次に、第５図（ｄ）に示すように、メッキ給電層８の上
にフォトレジスト９を前記フオトレジスト７と同しパタ
ーンとなるように写真製版により形成し、上記メッキ給
電層８のうち橋脚部６が形成される部分８ｌを露出させ
ておく。

次に、第５図（ｅ）に示すように、上記露出部分８ｌに
電解メッキにより金メッキＭ１０を形成する。

この金メッキ層ｌＯはエアーブリッジの橋脚部６となる
部分てある。エアーブリッジの他方の橋脚部となる部分
も別のソース金属、金属バット等、回路の他の接続点と
なる部分に同様に形成される。

次に、第５図（ｅ）のフォトレジスト９、該フォトレジ
スト９の下のメッキ給電層８、およびフオトレシスト７
を除去し、第５図（ｆ）に示すように、ソース金属４、
金メッキ層ｌＯか露出した構造を得る。

次に、第５図（ｇ）に示すように、第５図（ｆ）に示す
露出したソース金属４およひＧａＡｓ基板ｌの表面に新
たにフォトレジスト１１を写真製版によりバターニンク
する。このとき、金メッキ層ｌＯの頭部は露出させてお
く。

次に、第５図（ｈ）に示すように、フオトレジス｝−１
１および金メッキ層１０の露出面全面にＴｉ／Ａｕ（例
えば３００人／　３０００人）をスバッタ蒸着してメッ
キ給′屯層ｌ２を形成し、その上にフォトレジストｌ３
を写真製版によりパターニンクしてブリッジ用の金メッ
キ層が形成される部分８２を露出させておく。

次に、第５図（ｉ）に示すように，メッキ給電層ｌ２の
上記露出部分８２に金メッキ層ｌ４を形成して、上記メ
ッキ給電層ｌ２と共にエアーブリッジ５のブリッジ部５
ｌを形成する。

次に、第５図（ｉ）のフォトレジスト１３、該フオトレ
ジストｌ３の下にあるメッキ給電層１２の部分、および
フォトレジストｌ１を除去する。これにより、第５図（
ｊ）に示すように、メッキ給電層１２と金メッキ層ｌ４
とによりエアーブリッジ５のブリッジ部５１か形成され
、メッキ給電層８と金メッキ層ｌＯとによりソース金属
４に接触したエアーブリッジ５の橋脚部６が形成される
。

最後にＧａＡｓ基板全体を薄板化加工して所定の厚さに
した後、第５図（ｊ）のＧａＡｓ基板ｌの裏面にフォト
マスクをバターニンクすることにより、バイアホールか
形成される部分が露出したエッチングマスクを形成する
。そして第５図（ｋ）に示すように、ウエット・エッチ
ンクによりＧａＡｓ基板ｌの裏面からソース金属４に達
するバイアホール２を形成し、上記エッチングマスクを
除去した後、バイアホール２の内面およびＧａＡｓ基板
ｌの裏面全面にＡｕをメッキ、蒸着、あるいはスパッタ
して上記裏面全面をメタライズし、接地電極すなわち裏
面電極３を形成することにより、第５図（ｋ）に示すエ
アーブリッジ５からなる金属配線を具えた半導体装置か
構成される。

（発明か解決しようとする課題） 上述のような従来の半導体装置では、まずエアーブリッ
ジを形成してからバイアホールを形成し、さらにＡｕ層
をメッキ、蒸着、スバウタ等により形成して裏面電極３
を形成していた。このため製造工程数か多くなる欠点か
あった。また、エアーブリッジ５の橋脚部６とバイアホ
ール２とか例えばソース金属４の別々の部分に形成され
るため、パターンの微細化か困難て、チップ面積か大き
くなるという欠点かあった。また、信号路のインタクタ
ンスか大きくなり、高周波回路に不適てあるという欠点
があった。

この発明は、製造工程数を減らすことかてきると共に、
パターンを微細化してチウブ面積を縮小することかてき
るエアーフリツシ金属配線を具えた半導体装置を提供す
ることを目的とする。

（課題を解決するための手段） この発明によるエアーフリツシ金属配線を具えた半導体
装置は、バイアホールの直Ｅにエアーブリッジの橋脚部
を形成することにより、該橋脚部をバイアホール内に形
成された金属部と直接接続して構成されている。

（作　用） この発明によれば、バイアホールの直上にこのバイアホ
ール内の金属と直接接続される態様でエアーブリッジの
橋脚部を設けたことにより、パターンの微細化か可能で
、チップ面積の縮小か可能である。また、上記橋脚部を
経由する電流路の長さを短縮することかてきる。

〔実施例〕

以下、図を参照してこの発明を説明する。

第１図（ｊ）はこの発明のエアーブリッジ金属配線を具
えた半導体装置の第１の実施例て、２】は例えばＧａＡ
ｓ基板、２２は基板２Ｉを貫通して形成されたバイアホ
ール、２４は該バイアホール２２内にニッケル、金、あ
るいはニッケルと金の双方をメッキして充填されたメッ
キ充填層、２５はエアーブリッジ、２６はエアーブリッ
ジの橋脚部、５１はブリッジ部である。橋脚部２６はバ
イアホール２２内に充填されたト記メッキ充填層２４に
直接接続されている。

２３は例えば金をメッキ、蒸着、あるいはスバッタして
形成された裏面電極である。

第１図Ｕ）のエアーフソッシ金属配線を具えた半導体装
置は次のようにして製造される。

第１図（ａ）に示すように、例えば３００　ｐ．　ｍ乃
至６００　４ｍの厚みをもったＧａＡｓ基板２１の表面
にフォトレジスト２７を写真製版によりパターニンクし
、それをマスクとして例えば３０μ層乃至１ロＯＡＬｌ
１の深さのバイアホール２２を形成する。バイアホール
２２は例えばリアクティフ・イオン・エッチンク（ＲＩ
Ｅ）によるトライエッチンクて形成されるが，これ以外
に例えば硫酸系エッチンク液によるウエットエッチンク
、あるいはスパッタ、放電加工、レーザー加工等の任意
の方法で形成することかできる。

次に、第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト２７
の表面８よびバイアホール２２の内面全体に例えば無電
解ニッケル（　Ｎｉ）メッキによりメッキ給電層２８を
形成する。メッキ給電暦２８は無電解メウキの他に例え
ばパルスメッキ、Ｐ　Ｒ　（　ＰｅｒｉｏｄｉｃａＲｅ
ｖｅｒｓｅ　）メッキ等の任意のメッキ法又は無電斜め ニッケルメッキと無ｆ４．ＨＡｕメッキ積層あるいはス
ｌヘ バッタ法を採用することかできる。

次に、第１図（ｃ）に示すように、メッキ給電層２８上
にフォトレジスト２９を写真製版によりパターニンクし
て、バイアホール２２の部分のみを開口しておく。次に
、バイアホール２２の内部およびその直上の部分にのみ
例えば無電解Ｎｉメッキを行い、引続いて無電解Ａｕメ
ッキを行なって、バイアホール２２内をメッキ層３０て
充填する。メッキ層３０は無電解Ｎｉメッキ単独、ある
いは無電解Ａｕメッキ単独てもよい。メッキ層３０の形
成には、上記の無電解メッキ法以外に例えば電解メッキ
法、パルスメッキ法、Ｐ　Ｒ　（　Ｐｅｒｉｏｄｉｃａ
ｌ　Ｒｅｖｅｒｓｅ）メッキ法、直流メッキ法、分散メ
ッキ法等、任意のメッキ法を採用することかできる。

次に，レジスト剥離液またはプラズマを用いて第１図（
Ｃ）のフォトレジスト２９を除去する。次いて，アルゴ
ン（Ａｒ）イオンを用いたイオンビーム・エッチンクに
より上記フォトレジスト２９の下のメッキ給電層２８を
除去する。このとき、メッキ層３０の頭部も若干量エッ
チングされるか，これによって完成後の装置の性能に悪
影響を及ぼすことはない。次いて、レジスト剥離液また
はプラズマを用いて下層のフォトレジスト２７を除去す
ることにより、第１図（ｄ）に示すように、エアーブリ
ッジの橋脚部２６が形成される。

次に、第１図（ｄ）の基板２１の表面および橋脚部２６
を覆ってフォトレジストを塗布した後、これを例えばプ
ラズマエッチンクにより若干量エッチングして，第１図
（ｅ）に示すように、エアーブリッジの橋脚部２６を構
成するメッキ部３０の頭部か露出したフォトレジスト３
１を形成する。

次に、第１図（ｆ）に示すように、フオトレジス１−３
１およびメッキ部３ロの頭部全面にメッキ給電層３２を
形成する。メウキ給電層３２は例えば無電解Ｎｉメッキ
と無電解Ａｕメッキとを連続して行って形成される。こ
れ以外に、例えばＡｕをスパッタあるいは蒸着して給電
層とし、その上にＡｕあるいはＮｉをメッキして上記メ
ッキ給電層３２を形成してもよい。次に、メッキ給電層
３２上のエアーツリッジか形成される部分を除いてフォ
トレジスト３３を写真製版によりバターニングする。

次に、第１図（ｇ）に示すように，メウキ給電層３２の
露出部分にのみ例えば電解メッキにより金メッキ層３４
を形成する。金メッキ層３４は、電解メッキ法以外に例
えばパルスメッキ法、ＰＲメッキ法、無電解メッキ法、
分散メッキ法等、任意のメッキ法を採用することかでき
る。

次に、第１１ｆｆｉ（ｇ）のフォトレジスト３３をレシ
スト剥離液またはプラズマにより除去した後、Ａｒイオ
ンを用いたイオンビームエッチングによりメッキ給電層
３２の露出部分を除去する。これにより、第１図（ｈ）
の構造か得られる。このとき、金メッキ層３４の表面も
若干量エッチングされるか、これにより完成後の装置の
性能に悪影響を与えることはない。

次に、第１ｆｌＪ（ｊ）に示すように．フォトレジスト
３１をレジスト剥離液またはプラズマを用いて除去する
ことにより，メッキ給電層３２と金メッキ層３４とによ
りエアーツリッジ２５のブリッジ部５ｌか形成され、ま
たメッキ部３０とメッキ給電層２８とによりエアーブリ
ッジ２５の橋脚部２６か形成される。

次に、第１図（ｊ）に示すように、基板２ｌの裏面から
バイアホール底部のメッキ給電層２８が露出するまでエ
ッチンク又はラッピンク等て薄板化加工する。最後に薄
板化加工された裏面にＡｕをメッキ、蒸着、あるいはス
バッタして裏面電極２３を形成し、エアーブリッジ金属
配線を具えた半導体装置か得られる。エアーブリッジ２
５のブリッジ部５ｌはメッキ給電層３２と金メッキ層３
４とにより形成され、橋脚部２６はメッキ部３ロとメッ
キ給電層２８とにより形成されることは前述の通りであ
る。

上述のような構造のエアーブリッジ金属配線を具えた半
導体装置、特にＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウエ
ーフ■Ｃ）において、エアーツリッジ２５は例えば隣接
するＦＥＴのソースに接続されており、このエアーブリ
ッジ２５を経て伝送される電気信号は，橋脚部２６より
直接バイアホール２２内のメッキ層３０を経て裏面電極
２３に流れる。このため、信号流通路長か短縮され、イ
ンタクタンスか小さくなり、これによって高周波動作か
可能になり、マイクロ波帯の増幅器等として使用するの
に適した半導体装置か得られる。

第１図に示す第１の実施例ては、フォトレジストをバタ
ーニンクする工程は、フォトレジスト２７、２９、３１
、３３をそれぞれバターニンクするための合計４回の工
程か必要であるか、第２図に示すこの発明の第２の実施
例では、レシストのパターニンクを２回に減らすことか
てきる。

第２図のエアーブリッジ金属配線を具えた半導体装置の
製造方法は、フオトレシスト２７およびメッキ給電層２
８を形成するまでの工程は第１図の実施例と同様てある
。

次に、第２図（ａ）に示すように、メッキ給電層２８の
上に、バイアホール２２およびエアーブリッジか形成さ
れる部分を除いてフォトレジスト３６を例えば写真製版
によりバターニングし、次いでバイアホール内および露
出したメッキ給電層２８上に金メッキ層３７を形成する
。金メッキ暦３７は無電解メッキ、パルスメッキ、ＰＲ
メッキ等、任意のメッキ法によって行なわれる。

次に、第２図（ｂ）に示すように，フォトレジスト３６
をレジスト剥離液またはプラズマにより除去した後、Ａ
ｒイオンを用いたイオンビームエッチングにより露出し
たメッキ給電層２８を除去する。

次に、第２図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト２７
をレシスト剥離液またはプラズマを用いて除去すること
により、メッキ給電層２８とＡｕメッキ層３７とにより
エアーブリッジ２５のブリッジ部５１，橋脚部２６か形
成される。

次に、第２図（ｄ）に示すように、基板２１の裏面から
バイアホール底部のメッキ給電層２８が露出するまでエ
ッチング又はラッピンク等て薄板化加工する。最後にエ
ッチンクされた裏面にＡｕをメッキ、蒸着あるいはスパ
ッタして裏面電極２３を形成する。

第３図はこの発明のエアーブリッジ金属配線を具えた半
導体装置の第３の実施例を示す．先づ、第３図（ａ）に
示すようにＧａＡｓ基板２ｌの表面上の所定位置に例え
ばＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉを合金状状態となるように蒸着ある
いはスバッタしてソース金属４０を形成する。次に、Ｇ
ａＡｓ基板２１の表面にフォトレジスト４１を上記ソー
ス金属４０か露出するようにバターニングして形成する
。４０としてはソース金属以外にドレイン、抵抗、キャ
パシタの電極等、任意の導電素子とすることかてきる。

次に、第３図（ｂ）に示すように、フォトレジスト４１
上および露出したソース金属４０上にメッキ給電層４２
を形成する。

次に、第３図（Ｃ）に示すように、メッキ給電層４２上
にエアーブリッジか形成される部分を除いてフォトレジ
スト４３を形成し、メッキ給電層４２の露出部分上に金
メッキ層４４を形成して、エアーブリッジ２５となる部
分を形成する。

次に、第３図（ｄ）に示すように，フォトレジスト４３
を除去し、メッキ給電暦４２の露出した部分を除去し、
さらにフォトレジスト４１を除去することにより、メッ
キ給電層４２と金メッキ層４４とからなるエアーブリッ
ジ２５か形成される。これらの作業は第１図（ｇ）乃至
（ｉ）て説明した処理方法と実質的に同し処理方法か採
られる． 次に、ＧａＡｓ基板２ｌの裏面からソース金属４０と整
列するようにバイアホール４５を例えばウエットエッチ
ングにより形成し、該バイアホール４５内およびＧａＡ
ｓ基板２ｌの裏面全面に裏面電極４６を形成する。

第４図はこの発明の第４の実施例で、第４図（ａ）に示
すように、第３図の実施例と同様な方法でＧａＡｓ基板
２ｌの表面の所定位置に例えばソース金属４０を形成す
る。その後は第１図（ａ）　．　（ｂ）の工程と同様な
方法でフォトレジスト２７を形成し、これをマスクとし
て上記ソース金属４０を貫通するバイアホール２２を形
成する。次に，バイアホール２２内およびフォトレジス
ト２７上にメッキ給電層２８を形成する。次に，第２図
（ａ）乃至（ｄ）の工程と全く同様の王程てフオトレジ
スト３６、金メウキ層３７をそれぞれ形成する。

次に、上記フォトレジスト３６，メッキ給電層２８の露
出した部分、さらにフォトレジスト２７を除去する。最
後にＧａＡｓ基板２ｌの裏面からソース金属４０か露出
するようにエッチンク又はラッピンク等て薄板化加工し
たのち，裏面電極２３を形成して第４図（ｂ）に示す基
本的に第１図（ｊ）と同様なエアーブリッジ２５をもっ
た半導体装置か得られる。

（発明の効果） 以上のように，この発明によれば、バイアホールの直上
にこのバイアホール内の金属と直接接触されるエアーブ
リッジの橋脚部を形成したので、エアーツリッジの橋脚
部とバイアホールとか別の位置に形成される第５図に示
すような従来の装置に比して配線パターンの微細化か可
能で、チップ面積を縮小することかてきる。また、エア
ーツリッジの橋脚部とバイアホールとは最短距離で接続
されるから、信号径路のインダクタンスか小さくなり、
高周波動作か可能でマイクロ波帯の増幅器等に適用して
、高周波特性の改善に寄与することかてきる。さらに、
製造工程数か従来の装置に比して少なくなり、製造コス
トの引下げにも寄与する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｊ）は、この発明のエアーブリッジ
金属配線を具えた半導体装置の第１の実施例の製造方法
を説明する図、第２図（ａ）乃至（ｄ）はこの発明のエ
アーブリッジ金属配線を具えた半導体装置の第２の実施
例の製造方法を説明する図、第３図（ａ）乃至（ｄ）は
この発明のエアーブリッジ金属配線を具えた半導体装置
の第３の実施例の製造方法を説明する図，第４図（ａ）
および（ｂ）はこの発明のエアーブリッジ金属配線を具
えた半導体装置の第４の実施例の製造方法を説明する図
、第５図（ａ）乃至（ｋ）は従来のエアーブリッジ金属
配線を具えた半導体装置の製造方法を説明する図である
。 ２ｌ・・・・基板、２２、４５・・・・バイアホール、
２３、４６・・・・裏面電極、２４・・・・金属部、２
５・・・・エアーブリッジ、２６・・・・橋脚部、２７
、２９、３１、３６・・・・フォトレジスト、 ３２、４２・・・・メッキ給電層、コ４、３７、４４・
・・・金メッキ層、 ５ｌ・・・・ブリッジ部。 代 理 人 大 岩 増 雄 第 １ 図（１） 亮 ］ ＩＵ（２） 亮 １ 巳（３） 弔 ３ 図 ４３．７１トレレスト 帛 ４ 閏 第 ５ ［２１（１）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）裏面電極を有する半導体基板と、該半導体基板に
   これを貫通して設けられたバイアホールと、該バイアホ
   ールの直上に設けられた橋脚部および該橋脚部に電気的
   に接触して構成されたブリッジ部を有するエアーブリッ
   ジとを具備し、上記橋脚部を上記バイアホール内に形成
   された金属部と直接接続したことを特徴とするエアーブ
   リッジ金属配線を具えた半導体装置。
2. （２）半導体基板の表面にバイアホールを形成するため
   の所定のパターンの第１のフォトレジストを形成する工
   程と、 上記第１のフォトレジストをマスクとして上記半導体基
   板の表面から所定の深さのバイアホールを形成する工程
   と、 上記バイアホール内面および上記第１のフォトレジスト
   上に第１のメッキ給電層を形成し、該第１のメッキ給電
   層上に上記バイアホール直上を除いて所定の厚さの第２
   のフォトレジストを形成する工程と、 上記バイアホール内およびその直上の部分に上記第２の
   フォトレジストの表面とほゞ一致するまでメッキ層を形
   成して金属部を形成する工程と、上記第２のフォトレジ
   スト、該第２のフォトレジストの下に位置する第１のメ
   ッキ給電層および第１のフォトレジストを除去してエア
   ーブリッジの橋脚部を形成する工程と、 上記半導体基板の表面に上記橋脚部の高さとほゞ同じ厚
   さの第３のフォトレジストを形成する工程と、 上記第３のフォトレジストおよび橋脚部上にこれに接触
   して第２のメッキ給電層を形成する工程と、 上記第２のメッキ給電層上にエアーブリッジが形成され
   る部分を除いて第４のフォトレジストを形成する工程と
   、 上記第２のメッキ給電層の露出した部分に金メッキ層を
   形成して上記橋脚部と電気的に接触するブリッジ部を形
   成する工程と、 上記第４のフォトレジスト、該第４のフォトレジストの
   下の第２のメッキ給電層の部分および第３のフォトレジ
   ストを除去してエアーブリッジを構成する工程と、 上記半導体基板の裏面から上記バイアホール底部の第１
   のメッキ給電層が露出するまで薄板化加工して、該薄板
   化加工された面に上記第１のメッキ給電層と電気的に接
   触する裏面電極を形成する工程と、 からなるエアーブリッジ金属配線を具えた半導体装置の
   製造方法。
3. （３）半導体基板の表面に所定のパターンの第１のフォ
   トレジストを形成する工程と、 上記第１のフォトレジストをマスクとして上記半導体基
   板の表面から所定の深さのバイアホールを形成する工程
   と、 上記バイアホール内面および上記第１のフォトレジスト
   上にメッキ給電層を形成し、該第１のメッキ給電層上に
   エアーブリッジか形成される部分を除いて所定の厚さの
   第２のフォトレジストを形成する工程と、 上記バイアホール内および露出したメッキ給電層上に金
   メッキ層を形成してエアーブリッジの橋脚部となる部分
   とブリッジ部となる部分とを一体的に構成する工程と、 上記第２のフォトレジスト、該第２のフォトレジストの
   下のメッキ給電層の部分および第１のフォトレジストを
   除去してエアーブリッジを構成する工程と、 上記半導体基板の裏面から上記バイアホール底部のメッ
   キ給電層が露出するまで薄板化加工して、該薄板化加工
   された面に上記メッキ給電層と電気的に接触する裏面電
   極を形成する工程と、からなるエアーブリッジ金属配線
   を具えた半導体装置の製造方法。
4. （４）半導体基板の表面のバイアホールが形成される部
   分にはソース、ドレイン、ゲート、抵抗、キャパシタの
   電極等の任意の導電素子か予め形成され、バイアホール
   はこの素子を貫通して形成されることを特徴とする請求
   項（３）記載のエアーブリッジ金属配線を具えた半導体
   装置の製造方法。
5. （５）半導体基板上の所定位置にソース電極、ドレイン
   電極、ゲート電極、抵抗、インダクタ、キャパシタ等、
   任意の素子を形成する工程と、 上記半導体基板上に所望のパターンの第１のフォトレジ
   ストを形成する工程と、 上記第１のフォトレジストおよび開口部上にメッキ給電
   層を形成し、該メッキ給電層上にエアーブリッジが形成
   される部分を除いて所定の厚さの第２のフォトレジスト
   を形成する工程と、 上記メッキ給電層の露出した部分に金メッキ層を形成し
   てエアーブリッジの橋脚部となる部分とブリッジ部とな
   る部分を一体的に構成する工程と、 上記第２のフォトレジスト、該第２のフォトレジストの
   下のメッキ給電層の部分および第１のフォトレジストを
   除去してエアーブリッジを構成する工程と、 上記半導体基板の裏面から上記ソース電極に達するバイ
   アホールを形成する工程と、 上記バイアホール内面および半導体基板の裏面に上記ソ
   ース電極と電気的に接触する裏面電極を形成する工程と
   、 からなるエアーブリッジ金属配線を具えた半導体装置の
   製造方法。