JPH03215391A - 結晶の成長方法 - Google Patents
結晶の成長方法Info
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- JPH03215391A JPH03215391A JP2160852A JP16085290A JPH03215391A JP H03215391 A JPH03215391 A JP H03215391A JP 2160852 A JP2160852 A JP 2160852A JP 16085290 A JP16085290 A JP 16085290A JP H03215391 A JPH03215391 A JP H03215391A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば、半導体集積回路、光集積回路、磁気
回路等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子、ある
いは表面音響素子等に使用される結晶の成長方法に関す
る。特に、太陽電池等の形成に好適に使用される結晶の
成長方法に関する。
回路等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子、ある
いは表面音響素子等に使用される結晶の成長方法に関す
る。特に、太陽電池等の形成に好適に使用される結晶の
成長方法に関する。
［従来の技術］
従来、太陽電池や、バックゲートＭＯＳトランジスタ等
において、金属上に絶縁膜を形成し、絶縁膜一部に開口
を形成して、開口部から露出した金属面とコンタクトを
取る様式のＳＯＩ構造のデバイスが考案されている。
において、金属上に絶縁膜を形成し、絶縁膜一部に開口
を形成して、開口部から露出した金属面とコンタクトを
取る様式のＳＯＩ構造のデバイスが考案されている。
しかし上記様式を用いて高性能デバイスを形成するため
には、金属表面と一部を接して絶縁膜上に半導体の単結
晶を形成するための技術と、金属と半導体の界面で十分
なオーミックコンタクトをとるための技術が要求される
。それをほぼ実現可能としたのが、本願出願人が別途開
発した、選択核形成法、特開昭６３−１０７０１６号公
報、ＥＰ２４４０８１Ａ１号公報である。前記本願出願
人が提案した選択核形成法には、微細な金属表面上に気
相法により成長して単結晶となり得る核を発生させ、該
結晶の核より結晶を成長させるという技術が含まれてい
る。
には、金属表面と一部を接して絶縁膜上に半導体の単結
晶を形成するための技術と、金属と半導体の界面で十分
なオーミックコンタクトをとるための技術が要求される
。それをほぼ実現可能としたのが、本願出願人が別途開
発した、選択核形成法、特開昭６３−１０７０１６号公
報、ＥＰ２４４０８１Ａ１号公報である。前記本願出願
人が提案した選択核形成法には、微細な金属表面上に気
相法により成長して単結晶となり得る核を発生させ、該
結晶の核より結晶を成長させるという技術が含まれてい
る。
しかし、この方法では、微細な金属表面上に気相法で半
導体車結晶の核を発生させ、該結晶の核より結晶を成長
させる方法をとるために、形成条件によっては不純物を
高濃度に含んだ結晶を形成し難いこともあった。したが
って金属と半導体界面のオーミックコンタクトは、十分
でない場合もあった。
導体車結晶の核を発生させ、該結晶の核より結晶を成長
させる方法をとるために、形成条件によっては不純物を
高濃度に含んだ結晶を形成し難いこともあった。したが
って金属と半導体界面のオーミックコンタクトは、十分
でない場合もあった。
また、最も基本的な太陽電池の構成に用いられるような
、Ｓｉウエハーの裏面に不純物を拡散し、次いで金属を
スパッタ蒸着等で堆積し、電極とするものがあるが、こ
の構成では、デバイスの表面、裏面の両面にプロセス処
理を施さなければいけないということと、Ｓｉウェハー
を使用するために、必然的にデバイスの形状や大きざを
制限されてしまうということで、コスト的にも高く、技
術的にも困難であり、しかも大面積化には極めて不利で
あった。
、Ｓｉウエハーの裏面に不純物を拡散し、次いで金属を
スパッタ蒸着等で堆積し、電極とするものがあるが、こ
の構成では、デバイスの表面、裏面の両面にプロセス処
理を施さなければいけないということと、Ｓｉウェハー
を使用するために、必然的にデバイスの形状や大きざを
制限されてしまうということで、コスト的にも高く、技
術的にも困難であり、しかも大面積化には極めて不利で
あった。
以上述べたように、下部電極上にコンタクトホール（開
口）を有する絶縁膜上に半導体膜を設けた、いわゆるＳ
ＯＩ構造においては、下部電極との良好な電気的接触を
有する単結晶の利用の点で問題があり、また、単結晶ウ
ェハーを使用する場合には、低コスト化、工程の簡易化
、大面積化の点で問題があり、デバイスの高性能化、及
び実用化のためには、解決すべき課題が残されていた。
口）を有する絶縁膜上に半導体膜を設けた、いわゆるＳ
ＯＩ構造においては、下部電極との良好な電気的接触を
有する単結晶の利用の点で問題があり、また、単結晶ウ
ェハーを使用する場合には、低コスト化、工程の簡易化
、大面積化の点で問題があり、デバイスの高性能化、及
び実用化のためには、解決すべき課題が残されていた。
［発明が解決しようとする課題コ
本発明の目的は、上記従来の問題点を解消し、三次元集
積化や大面積化が容易で、優れた特性を有する単結晶と
金属面とのポイントコンタクトタイブＳＯＩ構造の形成
が可能な結晶の成長方法を提供するものである。
積化や大面積化が容易で、優れた特性を有する単結晶と
金属面とのポイントコンタクトタイブＳＯＩ構造の形成
が可能な結晶の成長方法を提供するものである。
本発明の他の目的は、金属面の露出するコンタクトホー
ルにのみ、結晶成長の極を施す際に、基体上に形成した
非単結晶性の半導体膜をアニールするという簡単な操作
を施すだけで、セルファライメント式にコンタクトホー
ルのみに半導体膜を残し、かつ残った半導体膜を単結晶
性の種子に変質させることが可能な結晶の成長方法を提
供するものである。
ルにのみ、結晶成長の極を施す際に、基体上に形成した
非単結晶性の半導体膜をアニールするという簡単な操作
を施すだけで、セルファライメント式にコンタクトホー
ルのみに半導体膜を残し、かつ残った半導体膜を単結晶
性の種子に変質させることが可能な結晶の成長方法を提
供するものである。
本発明の他の目的は、アニールという一つの操作をする
ことのみで、 （ｉ）固相反応による、半導体材料のコンタクトポイン
トへのセルファライメント効果と、（ ｉｆ）電極上で
の多結晶半導体膜または非晶質半導体膜（非単結晶質膜
）の凝集による単結晶化と、 （ ｉｉｉ）前記凝集した単結晶半導体と金属表面での
オーミックコンタクトをとれる、という３つの効果を一
度に得られる結晶の成長方法を提供することである。
ことのみで、 （ｉ）固相反応による、半導体材料のコンタクトポイン
トへのセルファライメント効果と、（ ｉｆ）電極上で
の多結晶半導体膜または非晶質半導体膜（非単結晶質膜
）の凝集による単結晶化と、 （ ｉｉｉ）前記凝集した単結晶半導体と金属表面での
オーミックコンタクトをとれる、という３つの効果を一
度に得られる結晶の成長方法を提供することである。
本発明の更に別の目的は、例えば金属基板上にも、該金
属基板とコンタクトをとったＳｏｌタイプのＳｉ単結晶
を成長せしめることが可能になり、安価で高性能な半導
体集積回路、光集積回路、磁気回路、太陽電池等のデバ
イス形成が可能となる結晶の成長方法を提供することに
ある。
属基板とコンタクトをとったＳｏｌタイプのＳｉ単結晶
を成長せしめることが可能になり、安価で高性能な半導
体集積回路、光集積回路、磁気回路、太陽電池等のデバ
イス形成が可能となる結晶の成長方法を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明の結晶の成長方法は、金属電極上に設けられた絶
縁膜上に単結晶を成長させる結晶成長方法において、金
属電極と絶縁膜とを有する基体に半導体膜を設け、前記
半導体膜と前記絶縁膜とがその界面で固相反応し、前記
金属電極上で前記半導体膜が凝集するためのアニールを
施すことにより前記絶縁膜の開口部に前記半導体膜の凝
集した単結晶性の凝集体を形成し、前記単結晶性の凝集
体を種子として単結晶を成長させることを特徴とする。
縁膜上に単結晶を成長させる結晶成長方法において、金
属電極と絶縁膜とを有する基体に半導体膜を設け、前記
半導体膜と前記絶縁膜とがその界面で固相反応し、前記
金属電極上で前記半導体膜が凝集するためのアニールを
施すことにより前記絶縁膜の開口部に前記半導体膜の凝
集した単結晶性の凝集体を形成し、前記単結晶性の凝集
体を種子として単結晶を成長させることを特徴とする。
本発明の結晶の成長方法は、金属電極上に設けられた開
口を有する絶祿膜上に、半導体車結晶を成長させる結晶
成長方法において、前記絶縁膜と、前記絶縁膜の開口か
ら露出した金属電極面とを有する基体を覆って、非単結
晶買の半導体薄膜を前記絶縁膜より薄い厚さで設け、前
記半導体薄膜をアニールすることにより、絶縁膜と半導
体薄膜とを固相反応させ、絶縁膜上にある半導体薄膜の
みを除去し、かつ、金属電極上の半導体薄膜を凝集させ
単結晶化した凝集体を形成し、前記凝集体を種子として
、結晶を成長させることを特徴とする。
口を有する絶祿膜上に、半導体車結晶を成長させる結晶
成長方法において、前記絶縁膜と、前記絶縁膜の開口か
ら露出した金属電極面とを有する基体を覆って、非単結
晶買の半導体薄膜を前記絶縁膜より薄い厚さで設け、前
記半導体薄膜をアニールすることにより、絶縁膜と半導
体薄膜とを固相反応させ、絶縁膜上にある半導体薄膜の
みを除去し、かつ、金属電極上の半導体薄膜を凝集させ
単結晶化した凝集体を形成し、前記凝集体を種子として
、結晶を成長させることを特徴とする。
本発明の結晶の成長方法は、金属電極上に設けられた絶
縁膜上に単結晶を成長させる結晶成長方法において、金
属電極と絶縁膜とを有する基体の前記絶縁膜上に非単結
晶買であってパターニングした半導体膜を設け、前記半
導体膜をアニールすることにより、前記半導体膜と前記
絶縁膜とを固相反応させ前記パターニングした半導体膜
を設けた部分の前記絶縁膜を除去し、前記金属電極上で
前記半導体膜を凝集させ単結晶化した凝集体を形成し、
前記凝集体を種子として、単結晶を成長させることを特
徴とする。
縁膜上に単結晶を成長させる結晶成長方法において、金
属電極と絶縁膜とを有する基体の前記絶縁膜上に非単結
晶買であってパターニングした半導体膜を設け、前記半
導体膜をアニールすることにより、前記半導体膜と前記
絶縁膜とを固相反応させ前記パターニングした半導体膜
を設けた部分の前記絶縁膜を除去し、前記金属電極上で
前記半導体膜を凝集させ単結晶化した凝集体を形成し、
前記凝集体を種子として、単結晶を成長させることを特
徴とする。
？作用］
本発明の結晶成長方法によれば、まず金属電極と前記金
属電極上の設けられた開口を有する絶縁膜とを有する基
体上に形成した半導体膜をアニルすることにより以下に
述べる２つの現象が同時におこる。
属電極上の設けられた開口を有する絶縁膜とを有する基
体上に形成した半導体膜をアニルすることにより以下に
述べる２つの現象が同時におこる。
すなわち、第１に半導体膜と絶縁膜との固相反応による
半導体膜の除去であり、第２に半導体膜の凝集反応によ
る金属電極上での単結晶化である。以下にそれぞれの現
象を詳しく説明する。
半導体膜の除去であり、第２に半導体膜の凝集反応によ
る金属電極上での単結晶化である。以下にそれぞれの現
象を詳しく説明する。
（１）固相反応
以下に本発明における固相反応による半導体膜の除去を
半導体膜の例としてＳｉ膜を、絶縁膜の例としてＳｉＯ
■膜を例として説明する。
半導体膜の例としてＳｉ膜を、絶縁膜の例としてＳｉＯ
■膜を例として説明する。
これは、第１図（Ａ）に示すようにＳｉＯ２膜１０１上
に非単結晶性のＳｉ［１０２（多結晶でも非晶貿でもか
まわない）が形成されている場合、これを例えばＨ，を
含むガスのような還元ガス雰囲気中でアニールすると、
固相のままでＳｉとＳｉ○２が反応を起こして蒸気圧の
高いＳｉＯを形成し、昇華してしまう現象である。これ
は、結果的には、 Ｓｉ＋ＳｉＯ． →２ＳｉＯ ↑ という反応系であると考えられる。
に非単結晶性のＳｉ［１０２（多結晶でも非晶貿でもか
まわない）が形成されている場合、これを例えばＨ，を
含むガスのような還元ガス雰囲気中でアニールすると、
固相のままでＳｉとＳｉ○２が反応を起こして蒸気圧の
高いＳｉＯを形成し、昇華してしまう現象である。これ
は、結果的には、 Ｓｉ＋ＳｉＯ． →２ＳｉＯ ↑ という反応系であると考えられる。
この反応は、例えば第１図（Ａ）に描かれているように
Ｓｉ膜１０２の厚みと、Ｓｉ０２膜１０１の厚みが、ほ
ぼ１：１で反応し、Ｓｔ膜１０２及びＳｉｎ．膜１０１
の一部は共に消失する。またＳｉ膜１０２は第１図（Ａ
）に描かれているように、パターニングされていなくて
、Ｓｉｎ２膜１０１全面を覆う膜であっても反応は起こ
る。ただしこの全面の膜のときは、本願発明者の実験に
よると膜厚約５０００人を越えると、反応が起こり難く
なる場合がある。
Ｓｉ膜１０２の厚みと、Ｓｉ０２膜１０１の厚みが、ほ
ぼ１：１で反応し、Ｓｔ膜１０２及びＳｉｎ．膜１０１
の一部は共に消失する。またＳｉ膜１０２は第１図（Ａ
）に描かれているように、パターニングされていなくて
、Ｓｉｎ２膜１０１全面を覆う膜であっても反応は起こ
る。ただしこの全面の膜のときは、本願発明者の実験に
よると膜厚約５０００人を越えると、反応が起こり難く
なる場合がある。
また、Ｓｉ膜１０２にＰ．Ｂ，Ａ．等の不純物がドープ
されていると、反応が促進される。
されていると、反応が促進される。
逆に、下がＳｉ膜１０２で、Ｓｉ０２膜１０１がキャッ
プ層になフている場合は、３４１図（Ｂ）のようにＳｉ
０２膜１０１が一部開口されていて、Ｓｉ膜１０２とＳ
ｉ ０２膜１０１の界面（反応点）１０３が露出して
いるときにのみ反応が起こる。Ｓｉ０２膜１０１が完全
に表面を覆っているときには、反応は殆ど起こらない．
なお、この反応は約８５０℃以上で起こり得、約９５０
℃以上で起こり易い。
プ層になフている場合は、３４１図（Ｂ）のようにＳｉ
０２膜１０１が一部開口されていて、Ｓｉ膜１０２とＳ
ｉ ０２膜１０１の界面（反応点）１０３が露出して
いるときにのみ反応が起こる。Ｓｉ０２膜１０１が完全
に表面を覆っているときには、反応は殆ど起こらない．
なお、この反応は約８５０℃以上で起こり得、約９５０
℃以上で起こり易い。
したがって、固相反応により半導体膜と絶縁膜とを除去
するためのアニール温度としては、好ましくは８５０℃
以上半導体材料の融点以下、より好ましくは９５０℃以
上１２００℃以下、最適には１０００℃以上１１００℃
以下とするのが望ましい。
するためのアニール温度としては、好ましくは８５０℃
以上半導体材料の融点以下、より好ましくは９５０℃以
上１２００℃以下、最適には１０００℃以上１１００℃
以下とするのが望ましい。
また、前述の固相反応により絶縁膜までも消失させない
ためには、その材料の組合せにもよるが、半導体膜の膜
厚を絶縁膜の膜厚より薄くすることが望ましい． また、前述の固相反応により前記絶縁膜に開口を設ける
こともできる．そのためには開口を設ける所望の位置に
前記絶縁膜よりも厚い半導体膜を設け前記固相反応によ
り前記所望位置の絶縁膜を消失させればよい。
ためには、その材料の組合せにもよるが、半導体膜の膜
厚を絶縁膜の膜厚より薄くすることが望ましい． また、前述の固相反応により前記絶縁膜に開口を設ける
こともできる．そのためには開口を設ける所望の位置に
前記絶縁膜よりも厚い半導体膜を設け前記固相反応によ
り前記所望位置の絶縁膜を消失させればよい。
前述の固相反応を効率よく行うためにはアニル雰囲気中
の水素ガス含有量としては好ましくは２０ｖｏ １％以
上であることが望ましい。
の水素ガス含有量としては好ましくは２０ｖｏ １％以
上であることが望ましい。
（２）凝集反応
凝集反応とは、薄膜の表面エネルギーを最小にするため
か、もしくは内部応力（エネルギー）を緩和するため等
の原因により、固相でも原子が移動し前記薄膜の表面積
を減少しビーズアップする現象を示している。したがっ
て本発明における凝集は、堆積膜中のエネルギーの安定
化を駆動力として、膜状から表面積の小さな形状、例え
ば半球状に外形を変化させる現象を示す． その様子は第２図に示されるような形状の変化をもって
なされる。
か、もしくは内部応力（エネルギー）を緩和するため等
の原因により、固相でも原子が移動し前記薄膜の表面積
を減少しビーズアップする現象を示している。したがっ
て本発明における凝集は、堆積膜中のエネルギーの安定
化を駆動力として、膜状から表面積の小さな形状、例え
ば半球状に外形を変化させる現象を示す． その様子は第２図に示されるような形状の変化をもって
なされる。
しかも、これらの変化は固相で起こり、すなわち、融点
未満の温度または融点で起こり、薄膜の厚みが薄い程起
こり易い。例えば、厚さ１０００人の多結晶ＳｉｗＡは
水素雰囲気中１０５０℃前後で凝集反応が起こり、５０
０人の薄膜では９８０℃前後で起こる。
未満の温度または融点で起こり、薄膜の厚みが薄い程起
こり易い。例えば、厚さ１０００人の多結晶ＳｉｗＡは
水素雰囲気中１０５０℃前後で凝集反応が起こり、５０
０人の薄膜では９８０℃前後で起こる。
凝集したそれぞれの領域はＴＥＭで観察したところ、単
結晶であることが確かめられた。凝集した個々の結晶の
外形はＳｉ単結晶特有のファイセットは見られず、ほぼ
半球状をしており、その半球の形も基板材料によってい
わゆる「濡れ角」の違いが生じ、一概には決まらない． また、これらの凝集反応において、最も特異な現象は、
特に水素ガスを含む雰囲気中で極めて起こり易く、他の
雰囲気、例えば窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム等だけ
の水素ガスを含まない雰囲気中では凝集が起こり難いこ
とがあるということである。したがって、再現性よく、
高い歩留りで単結晶性の凝集体（種子）を形成するには
、アニール雰囲気としては水素ガスを含む雰囲気が好ま
しい。
結晶であることが確かめられた。凝集した個々の結晶の
外形はＳｉ単結晶特有のファイセットは見られず、ほぼ
半球状をしており、その半球の形も基板材料によってい
わゆる「濡れ角」の違いが生じ、一概には決まらない． また、これらの凝集反応において、最も特異な現象は、
特に水素ガスを含む雰囲気中で極めて起こり易く、他の
雰囲気、例えば窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム等だけ
の水素ガスを含まない雰囲気中では凝集が起こり難いこ
とがあるということである。したがって、再現性よく、
高い歩留りで単結晶性の凝集体（種子）を形成するには
、アニール雰囲気としては水素ガスを含む雰囲気が好ま
しい。
ここで、アニール雰囲気中の水素ガスの含有量としては
、その上限は１００％すなわち水素ガス雰囲気とされ、
下限としては０％（アニール雰囲気中に水素ガスを含ん
でいなくても凝集が起こる）とされる．再現性及び歩留
りよく単結晶性の種子を形成すると共に前記固相反応を
効率よく利用するための水素ガス含有量としては、好ま
しくは５０％以上１００％以下、より好ましくは８０％
以上１００％以下とされるのが望ましい。
、その上限は１００％すなわち水素ガス雰囲気とされ、
下限としては０％（アニール雰囲気中に水素ガスを含ん
でいなくても凝集が起こる）とされる．再現性及び歩留
りよく単結晶性の種子を形成すると共に前記固相反応を
効率よく利用するための水素ガス含有量としては、好ま
しくは５０％以上１００％以下、より好ましくは８０％
以上１００％以下とされるのが望ましい。
本発明においてこの凝集反応を利用するためには、ある
任意の領域内で、薄膜が１個の単結晶に凝集するように
、凝集前の多結晶膜もしくは非晶質＠（以後「原種子」
と呼ぶ。）の膜厚とノ＼ターニング寸法を選んでやらな
ければならなレ）。すなわち、′ｓ２図（ａ）に示すよ
うに、薄膜２０１の膜厚ｔにたいしてパターニング寸法
１が大きすぎると、複数個に分断し、凝集するため、凝
集体の複数２０１゜を形成してしまう。そこで単数に凝
集させるために第２図（ｂ）のように薄膜２０２の膜厚
ｔを厚くしてやると単一の凝集体２０２゛を形成する．
もしくは膜厚を変えずに、ノ＜ターニング寸法文を小さ
くした薄膜２０３を設け、単一の原種子から車−の凝集
体２０３″を形成してもかまわない（第２図（Ｃ））。
任意の領域内で、薄膜が１個の単結晶に凝集するように
、凝集前の多結晶膜もしくは非晶質＠（以後「原種子」
と呼ぶ。）の膜厚とノ＼ターニング寸法を選んでやらな
ければならなレ）。すなわち、′ｓ２図（ａ）に示すよ
うに、薄膜２０１の膜厚ｔにたいしてパターニング寸法
１が大きすぎると、複数個に分断し、凝集するため、凝
集体の複数２０１゜を形成してしまう。そこで単数に凝
集させるために第２図（ｂ）のように薄膜２０２の膜厚
ｔを厚くしてやると単一の凝集体２０２゛を形成する．
もしくは膜厚を変えずに、ノ＜ターニング寸法文を小さ
くした薄膜２０３を設け、単一の原種子から車−の凝集
体２０３″を形成してもかまわない（第２図（Ｃ））。
この様ニシテ、任意の位置に阜数のｊＩＬ結晶（種子）
を形成する。
を形成する。
単数の種結晶に凝集させるための原種子の膜厚ｔとパタ
ーニング寸法ｌの関係の典型的な例を第３図に示す． 第３図からも分るとおり、原種子をアニールして単一の
凝集体を形成するためには適切なサイズの原種子を配さ
なければならない。すなわち、本発明において原種子の
大きさは凝集して単結晶性の種子となるに充分小さいこ
とが望ましい。
ーニング寸法ｌの関係の典型的な例を第３図に示す． 第３図からも分るとおり、原種子をアニールして単一の
凝集体を形成するためには適切なサイズの原種子を配さ
なければならない。すなわち、本発明において原種子の
大きさは凝集して単結晶性の種子となるに充分小さいこ
とが望ましい。
具体的には膜厚ｔは１００００人（１μｍ）以下が使用
可能であり、４０００人以下が好ましく、より好ましく
は２０００人以下とするのが再現性よく、かつ短時間で
歩留りよく単結晶性の種子を形成するのには望ましい。
可能であり、４０００人以下が好ましく、より好ましく
は２０００人以下とするのが再現性よく、かつ短時間で
歩留りよく単結晶性の種子を形成するのには望ましい。
原種子のパターニング寸法１としては分断せず単一の凝
集体を形成するためにはその最大径が好ましくは５μｍ
以下、より好ましくは０．５μｍ以上、２μｍ以下とな
るよう開口、またはパターニングした半導体を配するこ
とが望ましい，また、原種子中に周期律表第ＩＩＩ族元
素や第Ｖ族元素、例えば、Ｂ，Ｐ，Ａｓ等のドーバント
が含有されていると凝集反応は起こりやすい。
集体を形成するためにはその最大径が好ましくは５μｍ
以下、より好ましくは０．５μｍ以上、２μｍ以下とな
るよう開口、またはパターニングした半導体を配するこ
とが望ましい，また、原種子中に周期律表第ＩＩＩ族元
素や第Ｖ族元素、例えば、Ｂ，Ｐ，Ａｓ等のドーバント
が含有されていると凝集反応は起こりやすい。
なお、本発明に使用し得る多結晶又は非晶買の非単結晶
性の原種子の材料と絶縁膜の材料の他の組合せとしては
、例えばシリコンと酸化シリコン（Ｓｉｎ．）、シリコ
ンと窒化酸化シリコン（ＳｉＯ．Ｎ，）、ゲルマニウム
と酸化シリコン、及びゲルマニウムと窒化酸化シリコン
等の半導体材料と酸化物系絶縁体材料との組合せが好適
に用いられる。
性の原種子の材料と絶縁膜の材料の他の組合せとしては
、例えばシリコンと酸化シリコン（Ｓｉｎ．）、シリコ
ンと窒化酸化シリコン（ＳｉＯ．Ｎ，）、ゲルマニウム
と酸化シリコン、及びゲルマニウムと窒化酸化シリコン
等の半導体材料と酸化物系絶縁体材料との組合せが好適
に用いられる。
［実施例］
（実施例１）
第４図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。本実
施例は本発明の現象を利用して太陽電池を形成したもの
である． （Ａ）下部金属電極４０１としてタングステン（Ｗ）を
用い、ソノ上１．ｍＣＶＤ法でＳｉＯ２膜４０２を６０
００人堆積した。Ｓｉ０２膜に通常のフォトリソグラフ
ィ技術を用いて２μｍＸ２μｍのコンタクトホール４０
３を形成するため５０μｍピッチで格子点上にパターニ
ングし、ウェット法でエッチングしコンタクトホール４
０３を形成した（第４図（Ａ））。
施例は本発明の現象を利用して太陽電池を形成したもの
である． （Ａ）下部金属電極４０１としてタングステン（Ｗ）を
用い、ソノ上１．ｍＣＶＤ法でＳｉＯ２膜４０２を６０
００人堆積した。Ｓｉ０２膜に通常のフォトリソグラフ
ィ技術を用いて２μｍＸ２μｍのコンタクトホール４０
３を形成するため５０μｍピッチで格子点上にパターニ
ングし、ウェット法でエッチングしコンタクトホール４
０３を形成した（第４図（Ａ））。
（Ｂ）次いでＬＰＧＶＤを用イテ、多結晶Ｓｉ層４０４
を２０００人堆積し、！１ｐ− （リン）イオンを４
０ｋｅｙで１．５ｘｌＯ”ｃｍ−２のドーズ量でイオン
注入した（第４図（Ｂ））。
を２０００人堆積し、！１ｐ− （リン）イオンを４
０ｋｅｙで１．５ｘｌＯ”ｃｍ−２のドーズ量でイオン
注入した（第４図（Ｂ））。
（Ｃ）次いで、上記基板を水素雰囲気中で１０３０℃、
８分間アニールした．その結果、Ｓｉｎ２膜上４０２の
多結晶Ｓｔは全て消失し、Ｓｉ０２膜の膜厚は、約４０
００人に変化していた。一方、コンタクトホール４０３
のタングステン上にあった多結晶Ｓｉは金属表面で凝集
を起こしｎ゛型の単結晶Ｓｉの凝集体く種子）４０５に
変化していった（第４図（Ｃ））。
８分間アニールした．その結果、Ｓｉｎ２膜上４０２の
多結晶Ｓｔは全て消失し、Ｓｉ０２膜の膜厚は、約４０
００人に変化していた。一方、コンタクトホール４０３
のタングステン上にあった多結晶Ｓｉは金属表面で凝集
を起こしｎ゛型の単結晶Ｓｉの凝集体く種子）４０５に
変化していった（第４図（Ｃ））。
（Ｄ）次に、凝集によって得られたｎ＋型単結晶Ｓｉの
凝集体４０５を種結晶として、Ｓｉｎ．層４０２をマス
クとして、公知の選択的な気相法による結晶成長技術を
用いて結晶成長を行なった。このときの条件は下記に示
すとおりである。
凝集体４０５を種結晶として、Ｓｉｎ．層４０２をマス
クとして、公知の選択的な気相法による結晶成長技術を
用いて結晶成長を行なった。このときの条件は下記に示
すとおりである。
・ガス組成 Ｓ ｉ Ｈ２ Ｃｌｚ ／ＨＣｊｌ！／Ｈ
２・ガス流量 ０．５３／ １．６ ／ １００ （ｆ
／ｍｉｎ）・温度 ９９０℃ ・圧力 １５０ｔｏｒｒ また選択エビタキシャル成長の初期はドーパントを入れ
ずに中性のノンドーブＳｔ単結晶層４０６を径１０μｍ
まで成長させ、途中から８２Ｈ６をドーバント源としな
がら、ｐ型の結晶層４０７を成長させた（第４図（Ｄ）
）。
２・ガス流量 ０．５３／ １．６ ／ １００ （ｆ
／ｍｉｎ）・温度 ９９０℃ ・圧力 １５０ｔｏｒｒ また選択エビタキシャル成長の初期はドーパントを入れ
ずに中性のノンドーブＳｔ単結晶層４０６を径１０μｍ
まで成長させ、途中から８２Ｈ６をドーバント源としな
がら、ｐ型の結晶層４０７を成長させた（第４図（Ｄ）
）。
結晶が成長し、隣り同士の結晶がぶつかり合うと、コン
タクトホール間のほぼ中間の位置に粒界（グレインバン
ダリー）４０８を生じる。このときグレインの大きさは
コンタクトホールのピッチ間距離５０μｍにほぼ等しい
。グレイン同士が衝突し合フてからもしばらく成長を続
け、結晶の高さ（山型の頂点）が約３０μｍ程度になっ
たところで成長をとめた。結晶の外形はＳｉ結晶特有の
ファセットが見られ、それぞれが単結晶であることを示
している。またファセットで囲まれているために、表面
形状は激しい凹凸を有するが、太陽電池の場合、この凹
凸が照射された光を効率よく利用するためのいわゆるテ
クスチャー構造となり得、変換効率向上の要素となる。
タクトホール間のほぼ中間の位置に粒界（グレインバン
ダリー）４０８を生じる。このときグレインの大きさは
コンタクトホールのピッチ間距離５０μｍにほぼ等しい
。グレイン同士が衝突し合フてからもしばらく成長を続
け、結晶の高さ（山型の頂点）が約３０μｍ程度になっ
たところで成長をとめた。結晶の外形はＳｉ結晶特有の
ファセットが見られ、それぞれが単結晶であることを示
している。またファセットで囲まれているために、表面
形状は激しい凹凸を有するが、太陽電池の場合、この凹
凸が照射された光を効率よく利用するためのいわゆるテ
クスチャー構造となり得、変換効率向上の要素となる。
Ｓｔ結晶上にデバイスを形成するときは、例えば表面を
研磨し、平坦化すればよい． （Ｅ）次に上部電極をとるためにＳｉ結晶表面にＢ０イ
オンをイオン注入しｐ０型の層領域４０９を形成し、さ
らにファセットの谷間に沿って上部電極４１０としてＴ
ｉ−Ａｇをスパッタ法にてマスク蒸着して、太陽電池を
形成した（第４図（Ｅ））。
研磨し、平坦化すればよい． （Ｅ）次に上部電極をとるためにＳｉ結晶表面にＢ０イ
オンをイオン注入しｐ０型の層領域４０９を形成し、さ
らにファセットの谷間に沿って上部電極４１０としてＴ
ｉ−Ａｇをスパッタ法にてマスク蒸着して、太陽電池を
形成した（第４図（Ｅ））。
このようにして形成した太陽電池は下部金属電極４０１
とｎ０型単結晶４０５とが良好な電気的接触を有すると
共に光電変換効率に優れた単結晶半導体を光電変換領域
に有するので、高い変換効率と、信頼性を有していた。
とｎ０型単結晶４０５とが良好な電気的接触を有すると
共に光電変換効率に優れた単結晶半導体を光電変換領域
に有するので、高い変換効率と、信頼性を有していた。
（実施例２）
第５図は他の実施例として、フォトセンサを形成したと
きの説明を図示したものである．以下第５図にしたがフ
て形成法を解説する． （Ａ）石英ガラスからなる下地材料５０１上にスパツタ
法でタングステン膜を０．５μｍの厚さで堆積した．そ
して該タングステン膜を３０μｍ×３０μｍの下部電極
５０２の領域とその領域からの配線部分を残して他をエ
ッチング除去した。
きの説明を図示したものである．以下第５図にしたがフ
て形成法を解説する． （Ａ）石英ガラスからなる下地材料５０１上にスパツタ
法でタングステン膜を０．５μｍの厚さで堆積した．そ
して該タングステン膜を３０μｍ×３０μｍの下部電極
５０２の領域とその領域からの配線部分を残して他をエ
ッチング除去した。
次いで先に述べた実施例１と同じ方法で、ｎ◆−Ｓｉ車
結晶性の凝集体５０３をＳｉｎ，層からなる絶縁層５０
４の開口より露出したコンタクトポイントにのみ形成し
た（′ｊ４５図（Ａ））。
結晶性の凝集体５０３をＳｉｎ，層からなる絶縁層５０
４の開口より露出したコンタクトポイントにのみ形成し
た（′ｊ４５図（Ａ））。
（Ｂ）次に、前記ｎ”−Ｓｉ単結晶性の凝集体５０３を
種としてｎ型Ｐ型の順にドーピングガスを連続的に変化
させて選択的に結晶成長を行ない、ｎ型単結晶層５０５
及びｐ型単結晶層５０６を形成した。成長条件は先の実
施例１と同じである．なお、この成長は隣同士の結晶が
衝突する前に終わるように、あらかじめ実験により求め
た結晶成長処理時間５０分間結晶成長処理した。
種としてｎ型Ｐ型の順にドーピングガスを連続的に変化
させて選択的に結晶成長を行ない、ｎ型単結晶層５０５
及びｐ型単結晶層５０６を形成した。成長条件は先の実
施例１と同じである．なお、この成長は隣同士の結晶が
衝突する前に終わるように、あらかじめ実験により求め
た結晶成長処理時間５０分間結晶成長処理した。
次いで上部電極とのコンタクトのために、全面にＢ＋イ
オンをイオン注入し、表面をｐＩ型にしてｐ０型の層５
０７を形成した（第５図（Ｂ））。
オンをイオン注入し、表面をｐＩ型にしてｐ０型の層５
０７を形成した（第５図（Ｂ））。
（Ｃ）個々の結晶を完全に絶縁分離するために表面を熱
酸化し、Ｓｉｎ，層５０８を形成し、次いで各結晶の周
辺部の酸化膜をエッチングし、周辺部にＰ＋型の層５０
７の表面を露出させ、上部電極５０９とコンタクトする
ためのコンタクトホールを形成した。次いでコンタクト
ホールより露出したコンタクトポイントに上部電極５０
９を、マスク蒸着法で形成し、フォトセンサを形成した
。
酸化し、Ｓｉｎ，層５０８を形成し、次いで各結晶の周
辺部の酸化膜をエッチングし、周辺部にＰ＋型の層５０
７の表面を露出させ、上部電極５０９とコンタクトする
ためのコンタクトホールを形成した。次いでコンタクト
ホールより露出したコンタクトポイントに上部電極５０
９を、マスク蒸着法で形成し、フォトセンサを形成した
。
このようにして形成したフォトセンサは高感度の単結晶
半導体領域を基体上の所望のセンサ画素位置に設けると
共に、下部電極５０２との電気的接触が良好なので、入
射した光に忠実で高感度の応答性を有する。
半導体領域を基体上の所望のセンサ画素位置に設けると
共に、下部電極５０２との電気的接触が良好なので、入
射した光に忠実で高感度の応答性を有する。
（実施例３）
アニール条件を以下の条件とした以外は実施例１と同様
にして太陽電池を形成した。
にして太陽電池を形成した。
アニール雰囲気 水素 ８０％
アルゴン ２０％
アニール温度 １０５０℃
圧力 １００Ｔｏｒｒ
アニール時間 １２分間
本実施例により実施例１と同様の良好な特性を示す太陽
電池が形成できた。
電池が形成できた。
（実施例４）
タグステン板からなる下部金属電極６０１上に通常のＣ
ＶＤ法により非晶買酸化ケイ素膜６０２を厚さ２０００
人で形成し、その上に、ＰＯＣｆ３を用いてリンを飽和
状態まで拡散した多結晶ケイ素膜を厚さ４０００人で形
成した。続いて通常のフォトリソグラフィー及びドライ
エッチングプロセスにより縦横１．５μｍの正方形の島
状に残し、他の部分の多結晶ケイ素膜をエッチング除去
し、多結晶性の原種子６０３を５０μｍピッチで設けた
基体を形成した（第６図（Ａ））。
ＶＤ法により非晶買酸化ケイ素膜６０２を厚さ２０００
人で形成し、その上に、ＰＯＣｆ３を用いてリンを飽和
状態まで拡散した多結晶ケイ素膜を厚さ４０００人で形
成した。続いて通常のフォトリソグラフィー及びドライ
エッチングプロセスにより縦横１．５μｍの正方形の島
状に残し、他の部分の多結晶ケイ素膜をエッチング除去
し、多結晶性の原種子６０３を５０μｍピッチで設けた
基体を形成した（第６図（Ａ））。
この基体にＨ２雰囲気中、温度１０３０℃、圧力１００
Ｔｏｒｒの条件で２０分間アニールした。
Ｔｏｒｒの条件で２０分間アニールした。
上述のアニールにより多結晶性の原種子６０３は単一の
凝集体にｗ１ａすると同時に酸化ケイ素膜６０２と固相
反応を起こし、原種子６０３と接した部分の酸化ケイ素
膜６０２を消失させ、タングステンからなる下部金属電
極６０１とオーミックコンタクトする単結晶性の種子６
０４となる（第６図（Ｂ））。
凝集体にｗ１ａすると同時に酸化ケイ素膜６０２と固相
反応を起こし、原種子６０３と接した部分の酸化ケイ素
膜６０２を消失させ、タングステンからなる下部金属電
極６０１とオーミックコンタクトする単結晶性の種子６
０４となる（第６図（Ｂ））。
このようにしてａＸ反応及び固相反応を利用して形成し
た下部金属電極６０１上の開口を有する酸化ケイ素膜６
０２と該開口に自己整合的に形成した単結晶性の種子６
０４とを有する基体に対して実施例１と同様にして太陽
電池を形成したところ実施例１と同様に良好な特性を有
していた。
た下部金属電極６０１上の開口を有する酸化ケイ素膜６
０２と該開口に自己整合的に形成した単結晶性の種子６
０４とを有する基体に対して実施例１と同様にして太陽
電池を形成したところ実施例１と同様に良好な特性を有
していた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、アニールという
−の操作をすることのみで、 （ｉ）固相反応による、半導体材料のコンタクトポイン
トへのセルファライメント効果と、（ｉｆ）電極上での
多結晶半導体膜または非晶質半導体膜の凝集による単結
晶化と、 （ｉｉｉ）前記凝集した単結晶半導体と金属表面でのオ
ーミックコンタクトをとれる、という３つの効果を一度
に得られるようになった． これらにより、例えば金属基板上にも、該金属基板とコ
ンタクトをとったＳｏｌタイプのＳｉ単結晶を成長せし
めることが可能になり、安価で高性能な太陽電池等のデ
バイス形成が可能となった。
−の操作をすることのみで、 （ｉ）固相反応による、半導体材料のコンタクトポイン
トへのセルファライメント効果と、（ｉｆ）電極上での
多結晶半導体膜または非晶質半導体膜の凝集による単結
晶化と、 （ｉｉｉ）前記凝集した単結晶半導体と金属表面でのオ
ーミックコンタクトをとれる、という３つの効果を一度
に得られるようになった． これらにより、例えば金属基板上にも、該金属基板とコ
ンタクトをとったＳｏｌタイプのＳｉ単結晶を成長せし
めることが可能になり、安価で高性能な太陽電池等のデ
バイス形成が可能となった。
第１図は本発明の実行を可能にするＳｉ一ＳｉＯ２固相
反応の説明図、第２図は同じく凝集反応の説明図、＄３
図は凝集反応により単一単結晶Ｓｉを形成するための典
型的な条件を示すためのグラフ、第４図は第１実施例で
、太陽電池の形成プロセスの模式的説明図、第５図は第
２実施例でフォトセンサの形成プロセスの模式的説明図
、第６図は他の実施例を説明するための模式的説明図で
ある。 （符号の説明） １０１，４０２−Ｓｉ０２膜、 １０２・・・Ｓｉ膜、 １０３・・・界面（反応点）、 ２０１，２０２，２０３・・・薄膜、 ２０１゜．２０２″．２０３″・・・凝集体、４０１・
・・下部金属電極、 ４０３・・・コンタクトホール、 ４０４・・・多結晶Ｓｉ層、 ４０５・・・ｎ＋型の単結晶Ｓｉの凝集体（種子）、４
０６・・・中性のノンドープＳｉ単結晶層、４０７・・
・ｐ型の結晶層、 ４０８・・・粒界（グレインバンダリー）、４０９・・
・ｐ＋型の層領域、 ４１０，５０９・・・上部電極、 ５０１・・・下地材料、 ５０２・・・下部電極、 ５０３・・・ｎ”−Ｓｉ単結晶性の凝集体、５０４・・
・絶縁層、 ５０５・・・ｎ型車結晶層、 ５０６・・・ｐ型単結晶層、 ５０７・・・ｐ９型の層、 ５０８”ＳｉＯｚ 層． 第１ （Ａ） 図 第 ■ 図 第 ４ 図
反応の説明図、第２図は同じく凝集反応の説明図、＄３
図は凝集反応により単一単結晶Ｓｉを形成するための典
型的な条件を示すためのグラフ、第４図は第１実施例で
、太陽電池の形成プロセスの模式的説明図、第５図は第
２実施例でフォトセンサの形成プロセスの模式的説明図
、第６図は他の実施例を説明するための模式的説明図で
ある。 （符号の説明） １０１，４０２−Ｓｉ０２膜、 １０２・・・Ｓｉ膜、 １０３・・・界面（反応点）、 ２０１，２０２，２０３・・・薄膜、 ２０１゜．２０２″．２０３″・・・凝集体、４０１・
・・下部金属電極、 ４０３・・・コンタクトホール、 ４０４・・・多結晶Ｓｉ層、 ４０５・・・ｎ＋型の単結晶Ｓｉの凝集体（種子）、４
０６・・・中性のノンドープＳｉ単結晶層、４０７・・
・ｐ型の結晶層、 ４０８・・・粒界（グレインバンダリー）、４０９・・
・ｐ＋型の層領域、 ４１０，５０９・・・上部電極、 ５０１・・・下地材料、 ５０２・・・下部電極、 ５０３・・・ｎ”−Ｓｉ単結晶性の凝集体、５０４・・
・絶縁層、 ５０５・・・ｎ型車結晶層、 ５０６・・・ｐ型単結晶層、 ５０７・・・ｐ９型の層、 ５０８”ＳｉＯｚ 層． 第１ （Ａ） 図 第 ■ 図 第 ４ 図
Claims (32)
- （１）金属電極上に設けられた絶縁膜上に単結晶を成長
させる結晶成長方法において、 金属電極と絶縁膜とを有する基体に半導体膜を設け、 前記半導体膜と前記絶縁膜とがその界面で固相反応し、
前記金属電極上で前記半導体膜が凝集するためのアニー
ルを施すことにより前記絶縁膜の開口部に前記半導体膜
の凝集した単結晶性の凝集体を形成し、 前記単結晶性の凝集体を種子として単結晶を成長させる
ことを特徴とする結晶の成長方法。 - （２）請求項１において、前記絶縁膜は酸化ケイ素より
なることを特徴とする結晶の成長方法。 - （３）請求項１において、前記半導体膜はシリコンより
なることを特徴とする結晶の成長方法。 - （４）請求項１において、前記半導体膜は周期律表第I
II族元素を含むことを特徴とする結晶の成長方法。 - （５）請求項１において、前記半導体膜は周期律表第Ｖ
族元素を含むことを特徴とする結晶の成長方法。 - （６）請求項１において、前記アニールの温度は８５０
℃以上、半導体材料の融点以下であることを特徴とする
結晶の成長方法。 - （７）請求項１において、前記アニールの雰囲気は水素
ガスを含有することを特徴とする結晶の成長方法。 - （８）請求項１において、前記基体上に、複数の単結晶
を形成することを特徴とする結晶の成長方法。 - （９）請求項１において、前記半導体膜は前記絶縁膜の
開口より前記金属電極の露出した基体上に設けられるこ
とを特徴とする結晶の成長方法。 - （１０）請求項１において、開口を有する前記絶縁膜の
膜厚は前記半導体膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする
結晶の成長方法。 - （１１）請求項１において、前記半導体膜は前記絶縁膜
と接して設けられ、アニールにより単一の凝集体となる
に充分小さいことを特徴とする結晶の成長方法。 - （１２）請求項１において、前記半導体膜の厚さは前記
絶縁膜より厚いことを特徴とする結晶の成長方法。 - （１３）金属電極上に設けられた開口を有する絶縁膜上
に、半導体単結晶を成長させる結晶成長方法において、
前記絶縁膜と、前記絶縁膜の開口から露出した金属電極
面とを有する基体を覆って、非単結晶質の半導体薄膜を
前記絶縁膜より薄い厚さで設け、前記半導体薄膜をアニ
ールすることにより、絶縁膜と半導体薄膜とを固相反応
させ、絶縁膜上にある半導体薄膜のみを除去し、かつ、
金属電極上の半導体薄膜を凝集させ単結晶化した凝集体
を形成し、前記凝集体を種子として、結晶を成長させる
ことを特徴とする結晶の成長方法。 - （１４）請求項１３において、前記絶縁膜は酸化ケイ素
よりなることを特徴とする結晶の成長方法。 - （１５）請求項１３において、前記半導体膜はシリコン
よりなることを特徴とする結晶の成長方法。 - （１６）請求項１３において、前記半導体膜は周期律表
第III族元素を含むことを特徴とする結晶の成長方法。 - （１７）請求項１３において、前記半導体膜は周期律表
第Ｖ族元素を含むことを特徴とする結晶の成長方法。 - （１８）請求項１３において、前記アニールの温度は８
５０℃以上、半導体材料の融点以下であることを特徴と
する結晶の成長方法。 - （１９）請求項１３において、前記アニールの雰囲気は
水素ガスを含有することを特徴とする結晶の成長方法。 - （２０）請求項１３において、前記基体上に、複数の単
結晶を形成することを特徴とする結晶の成長方法。 - （２１）請求項１３において、前記絶縁膜の膜厚は前記
半導体膜の膜厚より厚いことを特徴とする結晶の成長方
法。 - （２２）請求項１３において、前記絶縁膜の開口は、そ
の最大径が５μｍ以下であることを特徴とする結晶の成
長方法。 - （２３）金属電極上に設けられた絶縁膜上に単結晶を成
長させる結晶成長方法において、 金属電極と絶縁膜とを有する基体の前記絶縁膜上に非単
結晶質であってパターニングした半導体膜を設け、前記
半導体膜をアニールすることにより、前記半導体膜と前
記絶縁膜とを固相反応させ前記パターニングした半導体
膜を設けた部分の前記絶縁膜を除去し、前記金属電極上
で前記半導体膜を凝集させ単結晶化した凝集体を形成し
、前記凝集体を種子として、単結晶を成長させることを
特徴とする結晶の成長方法。 - （２４）請求項２３において、前記絶縁膜は酸化ケイ素
よりなることを特徴とする結晶の成長方法。 - （２５）請求項２３において、前記半導体膜はシリコン
よりなることを特徴とする結晶の成長方法。 - （２６）請求項２３において、前記半導体膜は周期律表
第III族元素を含むことを特徴とする結晶の成長方法。 - （２７）請求項２３において、前記半導体膜は周期律表
第Ｖ族元素を含むことを特徴とする結晶の成長方法。 - （２８）請求項２３において、前記アニールの温度は８
５０℃以上、半導体材料の融点以下であることを特徴と
する結晶の成長方法。 - （２９）請求項２３において、前記アニールの雰囲気は
水素ガスを含有することを特徴とする結晶の成長方法。 - （３０）請求項２３において、前記基体上に、複数の単
結晶を形成することを特徴とする結晶の成長方法。 - （３１）請求項２３において、前記半導体膜の膜厚は前
記絶縁膜の膜厚より厚いことを特徴とする結晶の成長方
法。 - （３２）請求項２３において、前記半導体膜の最大径は
５μｍ以下であることを特徴とする結晶の成長方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-163430 | 1989-06-26 | ||
| JP16343089 | 1989-06-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215391A true JPH03215391A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=15773748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160852A Pending JPH03215391A (ja) | 1989-06-26 | 1990-06-19 | 結晶の成長方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5236544A (ja) |
| EP (1) | EP0405896A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03215391A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950013784B1 (ko) | 1990-11-20 | 1995-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터 |
| US7115902B1 (en) | 1990-11-20 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| US5849601A (en) * | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| US7576360B2 (en) | 1990-12-25 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same |
| US7098479B1 (en) | 1990-12-25 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| US5653730A (en) * | 1993-09-28 | 1997-08-05 | Hemodynamics, Inc. | Surface opening adhesive sealer |
| US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| TW330313B (en) * | 1993-12-28 | 1998-04-21 | Canon Kk | A semiconductor substrate and process for producing same |
| US6103598A (en) * | 1995-07-13 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor substrate |
| US6500257B1 (en) * | 1998-04-17 | 2002-12-31 | Agilent Technologies, Inc. | Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same |
| JP4310076B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 結晶性薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792591A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Ngk Insulators Ltd | Production of single crystal |
| FR2580673B1 (fr) * | 1985-04-19 | 1987-09-25 | Haond Michel | Procede de fabrication sur un support isolant d'un film de silicium monocristallin oriente et a defauts localises |
| GB2180688B (en) * | 1985-09-21 | 1989-09-13 | Stc Plc | Transistors |
| JPS62119914A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Sony Corp | 半導体層の固相成長方法 |
| JPH0732124B2 (ja) * | 1986-01-24 | 1995-04-10 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62210920A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | チッソ株式会社 | わさび辛味成分の製造方法 |
| JPH0782996B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 結晶の形成方法 |
| EP0307109A1 (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming semiconductor crystal and semiconductor crystal article obtained by said method |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160852A patent/JPH03215391A/ja active Pending
- 1990-06-25 EP EP19900306946 patent/EP0405896A3/en not_active Ceased
- 1990-06-26 US US07/543,417 patent/US5236544A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0405896A3 (en) | 1991-03-13 |
| US5236544A (en) | 1993-08-17 |
| EP0405896A2 (en) | 1991-01-02 |
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