JPH03214736A - バンプめっき方法 - Google Patents
バンプめっき方法Info
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- JPH03214736A JPH03214736A JP1108390A JP1108390A JPH03214736A JP H03214736 A JPH03214736 A JP H03214736A JP 1108390 A JP1108390 A JP 1108390A JP 1108390 A JP1108390 A JP 1108390A JP H03214736 A JPH03214736 A JP H03214736A
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体上に金、はんだ等のバンブを形成するた
めのバンプめっき方法に関するものである。
めのバンプめっき方法に関するものである。
本発明は、半導体ウェハ上にハンブ形成用レジストを形
成して行うバンブめっき方法において、めっきのための
接点ピンが接触する部分のウェハ上の一定領域にはレジ
ストを形成せず、コンタクトホールとし、この部分に耐
めっき性の薄膜を形成した後、バンプめっきを行うこと
により、バンプ形成用レジストとして数十ミクロンレベ
ルの厚いレジスト膜を使用しても、電気的コンタクトが
確実で安定なバンプめっきを可能にするものである。
成して行うバンブめっき方法において、めっきのための
接点ピンが接触する部分のウェハ上の一定領域にはレジ
ストを形成せず、コンタクトホールとし、この部分に耐
めっき性の薄膜を形成した後、バンプめっきを行うこと
により、バンプ形成用レジストとして数十ミクロンレベ
ルの厚いレジスト膜を使用しても、電気的コンタクトが
確実で安定なバンプめっきを可能にするものである。
従来、半導体ウェハ上にバンプ形成用レジストを形成し
て行うバンプめっき方法は、第２図の断面図に示すよう
なカソブ状噴流式めっき装置を使用し、半導体ウェハ上
の全面にハンブ形成用レジストを形成し、前記めっき装
置に付属している鋭利な先端を有する接点ビンにより、
前記レジストを突き破ることにより、電気的コンタクト
をとりバンプめっきを行うのが一般的であった。
て行うバンプめっき方法は、第２図の断面図に示すよう
なカソブ状噴流式めっき装置を使用し、半導体ウェハ上
の全面にハンブ形成用レジストを形成し、前記めっき装
置に付属している鋭利な先端を有する接点ビンにより、
前記レジストを突き破ることにより、電気的コンタクト
をとりバンプめっきを行うのが一般的であった。
しかしながら従来の方法においては、ハンブ形成用レジ
ス１・が薄い場合は問題ないが、数十ミクロンと言った
厚膜レジストにおいては、レジストが濃いために鋭利な
先端を有する接点ピンによっても、レジストを突き破る
ことが難しく、バンプめっきが不安定となりやすがった
。
ス１・が薄い場合は問題ないが、数十ミクロンと言った
厚膜レジストにおいては、レジストが濃いために鋭利な
先端を有する接点ピンによっても、レジストを突き破る
ことが難しく、バンプめっきが不安定となりやすがった
。
本発明においては上記のような問題点を解決するため、
同様なバンプめっきにおいて、めっきのための接点ピン
が接触する部分のウェハ上の一定領域にはレジス１・を
形成せず、コンタクトボールとし、この部分に耐めっき
性の薄膜を形成した後、バンプめっきを行うようにした
。
同様なバンプめっきにおいて、めっきのための接点ピン
が接触する部分のウェハ上の一定領域にはレジス１・を
形成せず、コンタクトボールとし、この部分に耐めっき
性の薄膜を形成した後、バンプめっきを行うようにした
。
半導体ウェハを上記のような構成とすることにより、コ
ンタク１・ホールにおいて鋭利な先端を有する接点ピン
により電気的コンタクトを取りゃすくし、なおかつ耐め
っき性の薄膜を形成することでコンタクトホール部にめ
っきがつがないようにし、ウェハをチップにスクライブ
する際、ブレードが破損しやすくなると言った作業性の
低下を防止している。以下実施例により、本発明をさら
に詳細に説明する。
ンタク１・ホールにおいて鋭利な先端を有する接点ピン
により電気的コンタクトを取りゃすくし、なおかつ耐め
っき性の薄膜を形成することでコンタクトホール部にめ
っきがつがないようにし、ウェハをチップにスクライブ
する際、ブレードが破損しやすくなると言った作業性の
低下を防止している。以下実施例により、本発明をさら
に詳細に説明する。
集積回路を形成し、バンプ形成部位となるアルミ電極上
を除いてＰＳＧ．窒化膜などの保護膜を形成した半導体
ウェハ上に、下地と接着性の良い金属膜（クロム、ニク
ロムなど）、バンプめっきのためのめっき性の良い導電
金属膜（銅、金、ニソケルなど）を順次形成する。
を除いてＰＳＧ．窒化膜などの保護膜を形成した半導体
ウェハ上に、下地と接着性の良い金属膜（クロム、ニク
ロムなど）、バンプめっきのためのめっき性の良い導電
金属膜（銅、金、ニソケルなど）を順次形成する。
このようなウェハに厚膜レジストをコートする。
この際の厚膜レジストとしては１８〜７５ミクロンのド
ライフィルムあるいはドライフィルムと同様タイプの液
状レジスト （東京応化製０１”２，ＢＭＲなど）が使
用される。
ライフィルムあるいはドライフィルムと同様タイプの液
状レジスト （東京応化製０１”２，ＢＭＲなど）が使
用される。
次に、バンプ形成部位に、ハンブめっき用の孔が形成で
き、かつカップ状噴流式めっき装置を使用しめっきする
際、鋭利な先端を有する接点ピンが接触する部分のウェ
ハ」二の領域に、コンタクトホールが形成できるように
製作したフォトマスクにより露光、現像を行い、バンプ
形成部とめっきのための接点ピンが接触する部分のウェ
ハ上の一定領域にはレジストを形成せず、めっき用孔あ
るいはコンタクトホールとしたウェハとした。
き、かつカップ状噴流式めっき装置を使用しめっきする
際、鋭利な先端を有する接点ピンが接触する部分のウェ
ハ」二の領域に、コンタクトホールが形成できるように
製作したフォトマスクにより露光、現像を行い、バンプ
形成部とめっきのための接点ピンが接触する部分のウェ
ハ上の一定領域にはレジストを形成せず、めっき用孔あ
るいはコンタクトホールとしたウェハとした。
このようなウェハのコンタクトホール部に０．１〜２ミ
クロンの耐めっき性薄膜を第１図に示す要部の断面のよ
うに形成する。
クロンの耐めっき性薄膜を第１図に示す要部の断面のよ
うに形成する。
この薄膜の形成方法としては、揮発性溶剤にテフロン樹
脂、エボキシ樹脂などを溶解したコー１・剤、あるいは
ネガあるいはボジ系の一般的なフ訓トレジス１・をシン
ナーで希釈したものなどをコンタクトホール部に滴下し
て、溶剤分を揮発させ形成することができる。また、薄
膜の厚さを０．１〜２ミクロンとするのはこれ以下にな
ると、耐めっき性が著しく低下し、これ以」二になると
鋭利な先端を有する接点ビンにより安定して突き破るこ
とが困難になるからである。
脂、エボキシ樹脂などを溶解したコー１・剤、あるいは
ネガあるいはボジ系の一般的なフ訓トレジス１・をシン
ナーで希釈したものなどをコンタクトホール部に滴下し
て、溶剤分を揮発させ形成することができる。また、薄
膜の厚さを０．１〜２ミクロンとするのはこれ以下にな
ると、耐めっき性が著しく低下し、これ以」二になると
鋭利な先端を有する接点ビンにより安定して突き破るこ
とが困難になるからである。
このウェハを第２図に示すのと同様なカップ状噴流式め
っき装置を使用して、金、はんだ、ぱんだ／銅などのバ
ンプめっきを行ったところ、従来のようなコンタクトの
不安定さもなく安定なバンプめっきが可能であった。
っき装置を使用して、金、はんだ、ぱんだ／銅などのバ
ンプめっきを行ったところ、従来のようなコンタクトの
不安定さもなく安定なバンプめっきが可能であった。
さらに、このようにしてバンプめっきを行ったウェハを
レジスト剥離、ハンブ形成部以外のめっき性の良い導電
金属膜、下地と接着性の良い金属膜をエソチングしてバ
ンプを完成したが、これについても従来と変わらず、ハ
ンブ形状、強度等も充分な品質を有していた。
レジスト剥離、ハンブ形成部以外のめっき性の良い導電
金属膜、下地と接着性の良い金属膜をエソチングしてバ
ンプを完成したが、これについても従来と変わらず、ハ
ンブ形状、強度等も充分な品質を有していた。
以上述べてきたように本発明によれば、カップ状噴流式
めっき装置の鋭利な先端を有する接点ビンが接触する部
分を耐めっき性薄膜で形成したことにより、接点ピンで
安定しかつ容易に突き破ることができるため、レジスト
の厚さに左右されない安定なハンブめっきが可能となる
。
めっき装置の鋭利な先端を有する接点ビンが接触する部
分を耐めっき性薄膜で形成したことにより、接点ピンで
安定しかつ容易に突き破ることができるため、レジスト
の厚さに左右されない安定なハンブめっきが可能となる
。
なお、本発明によるバンプめっき方法は実施例で述べた
バンプ形成工程に限らず、同様なバンプめっきを行う種
々のバンプ形成工程に応用できる。
バンプ形成工程に限らず、同様なバンプめっきを行う種
々のバンプ形成工程に応用できる。
第１図は本発明の実施例のコンタクトホール部の断面図
、第２図はカップ状噴流式めっき装置の構造を示ず断面
図である。 以 上
、第２図はカップ状噴流式めっき装置の構造を示ず断面
図である。 以 上
Claims (1)
- 半導体ウェハ上にバンプ形成用レジストを形成して行う
バンプめっき方法において、めっきのための接点ピンが
接触する部分のウェハ上の一定領域にはレジストを形成
せず、コンタクトホールとし、この部分に耐めっき性の
薄膜を形成した後、バンプめっきを行うことを特徴とす
るバンプめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108390A JPH03214736A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | バンプめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108390A JPH03214736A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | バンプめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214736A true JPH03214736A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11768084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1108390A Pending JPH03214736A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | バンプめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556814A (en) * | 1994-03-28 | 1996-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming wirings for integrated circuits by electroplating |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1108390A patent/JPH03214736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556814A (en) * | 1994-03-28 | 1996-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming wirings for integrated circuits by electroplating |
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