JPH03211819A - ホトレジスト供給装置 - Google Patents
ホトレジスト供給装置Info
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- JPH03211819A JPH03211819A JP746290A JP746290A JPH03211819A JP H03211819 A JPH03211819 A JP H03211819A JP 746290 A JP746290 A JP 746290A JP 746290 A JP746290 A JP 746290A JP H03211819 A JPH03211819 A JP H03211819A
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- stirrer
- resist
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Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置を製造する際に、レジストを安定し
て供給するホトレジスト供給装置に関する。
て供給するホトレジスト供給装置に関する。
従来の技術
半導体装置の製造工程で用いられるホトレジストは半導
体装置が微細化するにつれ、安定した品質と性能を維持
することが重要である。
体装置が微細化するにつれ、安定した品質と性能を維持
することが重要である。
従来、この種のレジスト供給装置は第2図に示すような
構成であった。
構成であった。
第2図において、1はホトレジスト容器、2はホトレジ
スト、3はホトレジスト供給管、4は不活性ガス注入管
、5はホトレジスト塗布機である。
スト、3はホトレジスト供給管、4は不活性ガス注入管
、5はホトレジスト塗布機である。
以上のように構成されたホトレジスト供給装置について
、以下その動作を説明する。
、以下その動作を説明する。
まず不活性ガス注入管4に流される窒素ガスにより、ホ
トレジスト容器1の内部が加圧される。
トレジスト容器1の内部が加圧される。
このときホトレジスト2は、ホトレジスト塗布機5のポ
ンプに吸引され、ホトレジスト供給管3を通りホトレジ
スト塗布機5に供給され、ウェハ上に塗布されていた。
ンプに吸引され、ホトレジスト供給管3を通りホトレジ
スト塗布機5に供給され、ウェハ上に塗布されていた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、以下の原因■〜■により、
同一ホトレジスト容器においても、ホトレジスト塗布機
に供給されるホトレジストの組成、粘度、感光度といっ
た物理的、化学的性質が経時変化する。
同一ホトレジスト容器においても、ホトレジスト塗布機
に供給されるホトレジストの組成、粘度、感光度といっ
た物理的、化学的性質が経時変化する。
原因■ホトレジスト中にホトレジスト製造時の原材料、
副反応生成物などの不純物が混入している。
副反応生成物などの不純物が混入している。
原因■ホトレジストの溶質である感光性樹脂や増感剤が
、溶媒である有機溶媒に対し溶解度が小さく、ホトレジ
スト中で偏在している。
、溶媒である有機溶媒に対し溶解度が小さく、ホトレジ
スト中で偏在している。
原因■ホトレジストの容器交換時にホトレジストが空気
にふれ、酸化、吸湿、揮発といった変質や劣化を起こし
ている。
にふれ、酸化、吸湿、揮発といった変質や劣化を起こし
ている。
このため、ホトレジストがウェハに塗布、N光、現像さ
れた後のパターン再現性が悪く、半導体装置の安定的量
産の障害になるという課題があった。
れた後のパターン再現性が悪く、半導体装置の安定的量
産の障害になるという課題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、ホトレジス
ト塗布機に物理的、化学的性質が均一なホトレジストを
供給することのできるホトレジスト供給装置を提供する
ことを目的とするものである。
ト塗布機に物理的、化学的性質が均一なホトレジストを
供給することのできるホトレジスト供給装置を提供する
ことを目的とするものである。
課題を解決するだめの手段
この課題を解決するために本発明はホトレジスト供給装
置のホトレジスト容器内に設けた攪拌子と前記攪拌子の
駆動装置とによりホトレジストを攪拌するものである。
置のホトレジスト容器内に設けた攪拌子と前記攪拌子の
駆動装置とによりホトレジストを攪拌するものである。
作用
この構成によって、レジスト容器内の攪拌子が駆動手段
によって運動し、その攪拌子の運動によってホトレジス
トが攪拌されることにより、前記ホトレジスト容器内の
ホトレジストの物理的化学的性質の均一化が図られ、ホ
トレジストをウェハに塗布する場合のホトレジストの組
成、粘度、感光度の変動といった問題を最小限に抑える
ことができる。
によって運動し、その攪拌子の運動によってホトレジス
トが攪拌されることにより、前記ホトレジスト容器内の
ホトレジストの物理的化学的性質の均一化が図られ、ホ
トレジストをウェハに塗布する場合のホトレジストの組
成、粘度、感光度の変動といった問題を最小限に抑える
ことができる。
実施例
第1図は本発明の一実施例におけるレジスト供給装置の
構成図である。第1図において、1は容ff13.78
1のガロン瓶からなるホトレジスト容器、2はホトレジ
スト、3はホトレジスト供給管、4は不活性ガス注入管
、5はホトレジスト塗布機、6はテフロンでコーティン
グされた長さ7印の棒形の攪拌子、7はマグネティック
スターラである。
構成図である。第1図において、1は容ff13.78
1のガロン瓶からなるホトレジスト容器、2はホトレジ
スト、3はホトレジスト供給管、4は不活性ガス注入管
、5はホトレジスト塗布機、6はテフロンでコーティン
グされた長さ7印の棒形の攪拌子、7はマグネティック
スターラである。
以上のように構成された本実施例のレジスト供給装置の
動作を説明する。
動作を説明する。
まず、マグネティックスターラフによりスターラ捧6は
レジスト容器1内で、毎分60回から120回の速度で
回転する。このとき、攪拌子6の回転の中心がホトレジ
スト容器1の底面の中心に来るようにし、攪拌子6がホ
トレジスト容器1の側面にぶつかって踊らないように設
定する。ホトレジスト2はこの攪拌子6の回転により攪
拌され、ホトレジスト容器1内で物理的、化学的性質が
均一となる。すなわち、ホトレジスト2中での不純物の
偏在や、感光性樹脂や増感剤の偏在、酸化や吸湿による
変質レジストの偏在がなくなる。
レジスト容器1内で、毎分60回から120回の速度で
回転する。このとき、攪拌子6の回転の中心がホトレジ
スト容器1の底面の中心に来るようにし、攪拌子6がホ
トレジスト容器1の側面にぶつかって踊らないように設
定する。ホトレジスト2はこの攪拌子6の回転により攪
拌され、ホトレジスト容器1内で物理的、化学的性質が
均一となる。すなわち、ホトレジスト2中での不純物の
偏在や、感光性樹脂や増感剤の偏在、酸化や吸湿による
変質レジストの偏在がなくなる。
一方、不活性ガス注入管4より窒素ガスが圧入され、ホ
トレジスト容器1内部は加圧される。ホトレジスト2は
ホトレジスト塗布機5内のポンプに吸引され、ホトレジ
スト供給管3を通ってホトレジスト塗布機5に供給され
る。ホトレジスト塗布機5に供給されたホトレジスト2
は特性が安定しているため、塗布機の膜厚、感光度が均
一で、露光、現像後のパターン再現性が良く、半導体装
置の安定的量産が実現できる。
トレジスト容器1内部は加圧される。ホトレジスト2は
ホトレジスト塗布機5内のポンプに吸引され、ホトレジ
スト供給管3を通ってホトレジスト塗布機5に供給され
る。ホトレジスト塗布機5に供給されたホトレジスト2
は特性が安定しているため、塗布機の膜厚、感光度が均
一で、露光、現像後のパターン再現性が良く、半導体装
置の安定的量産が実現できる。
なお、上記実施例ではホトレジスト容器1は容量3.7
51のガロン瓶であったが、密閉性が良く、ホトレジス
トと反応せず、内部で攪拌子6が回転できるものであれ
ば、どのような素材、形状のものでも良く、例えばテフ
ロン製で立方体のものとしても良い。
51のガロン瓶であったが、密閉性が良く、ホトレジス
トと反応せず、内部で攪拌子6が回転できるものであれ
ば、どのような素材、形状のものでも良く、例えばテフ
ロン製で立方体のものとしても良い。
また、上記実施例で容器内の攪拌に使った攪拌子6はテ
フロンでコーティングした長さ7anの棒形のものであ
ったが、マグネティックスターラフによりホトレジスト
容器1内で回転し、ホトレジスト2を攪拌できるもので
あればどのような素材、形状のものでも良く、例えばフ
ットボール形や円盤形でも良い。
フロンでコーティングした長さ7anの棒形のものであ
ったが、マグネティックスターラフによりホトレジスト
容器1内で回転し、ホトレジスト2を攪拌できるもので
あればどのような素材、形状のものでも良く、例えばフ
ットボール形や円盤形でも良い。
また、攪拌子の駆動手段として用いたマグネティックス
ターラフも上部にホトレジスト容器1を載置し、ホトレ
ジスト容器1内の攪拌子を回転させ、ホトレジスト2を
攪拌できるものであればどのような構造、能力のもので
も良い。
ターラフも上部にホトレジスト容器1を載置し、ホトレ
ジスト容器1内の攪拌子を回転させ、ホトレジスト2を
攪拌できるものであればどのような構造、能力のもので
も良い。
また、ホトレジスト以外のレジスト材料、例えば電子線
レジストやX線レジストにも本発明は実施することがで
きる。
レジストやX線レジストにも本発明は実施することがで
きる。
発明の効果
実施例の説明からも明らかなように本発明によればレジ
スト容器内の攪拌子と前記攪拌子の駆動手段を有するこ
とを特徴とし、レジスト容器内のレジストを攪拌するこ
とで、レジスト塗布機に供給するレジストの物理的、化
学的性質を均一にすることができるホトレジスト供給装
置を実現でき、半導体装置を安定に歩留りよく生産でき
るという効果が得られる。
スト容器内の攪拌子と前記攪拌子の駆動手段を有するこ
とを特徴とし、レジスト容器内のレジストを攪拌するこ
とで、レジスト塗布機に供給するレジストの物理的、化
学的性質を均一にすることができるホトレジスト供給装
置を実現でき、半導体装置を安定に歩留りよく生産でき
るという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例によるホトレジスト供給装置
の構成図、第2図は従来のレジスト供給装置の構成図で
ある。 1・・・・・・ホトレジスト容器、2・・・・・・ホト
レジスト、3・・・・・・ホトレジスト供給管、5・・
・・・・ホトレジスト塗布機、6・・・・・・攪拌子、
7・・・・・・マグネテイツクスターラ。
の構成図、第2図は従来のレジスト供給装置の構成図で
ある。 1・・・・・・ホトレジスト容器、2・・・・・・ホト
レジスト、3・・・・・・ホトレジスト供給管、5・・
・・・・ホトレジスト塗布機、6・・・・・・攪拌子、
7・・・・・・マグネテイツクスターラ。
Claims (1)
- ホトレジスト容器と、前記ホトレジスト容器内に設置し
た攪拌子と、前記撹拌子の駆動手段とを備えたホトレジ
スト供給装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP746290A JPH03211819A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | ホトレジスト供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP746290A JPH03211819A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | ホトレジスト供給装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03211819A true JPH03211819A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11666484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP746290A Pending JPH03211819A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | ホトレジスト供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03211819A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015018966A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
CN104932203A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-09-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光阻汲取装置 |
JP2018056587A (ja) * | 2017-12-08 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP746290A patent/JPH03211819A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015018966A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
CN104932203A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-09-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光阻汲取装置 |
WO2017008261A1 (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光阻汲取装置 |
US20170225137A1 (en) * | 2015-07-10 | 2017-08-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Photo-resistor draw devices |
US10293316B2 (en) | 2015-07-10 | 2019-05-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Photo-resistor draw devices |
JP2018056587A (ja) * | 2017-12-08 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
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