JPS62221465A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPS62221465A JPS62221465A JP6403986A JP6403986A JPS62221465A JP S62221465 A JPS62221465 A JP S62221465A JP 6403986 A JP6403986 A JP 6403986A JP 6403986 A JP6403986 A JP 6403986A JP S62221465 A JPS62221465 A JP S62221465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center
- solution
- treated
- centering mechanism
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、塗布技術、特に、半導体装置の製造において
ウェハにフォトレジストを塗布する工程に適用して有効
な技術に関する。
ウェハにフォトレジストを塗布する工程に適用して有効
な技術に関する。
［従来の技術］
ウェハに対するフォトレジストの塗布技術に付いては、
株式会社工業調査会、昭和６０年１１月２０日発行、［
電子材料Ｊ １９Ｂ５年１１月号別冊、Ｐ８９〜Ｐ９４
に記載されている。
株式会社工業調査会、昭和６０年１１月２０日発行、［
電子材料Ｊ １９Ｂ５年１１月号別冊、Ｐ８９〜Ｐ９４
に記載されている。
その概要は、複数の滴下ノズルを、先端部の軸方向が回
転されるウェハの中心に一致するように傾斜させて固定
し、個々の滴下ノズルから、種類の異なるフォトレジス
トがウェハ中心部に滴下されるようにしたものである。
転されるウェハの中心に一致するように傾斜させて固定
し、個々の滴下ノズルから、種類の異なるフォトレジス
トがウェハ中心部に滴下されるようにしたものである。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のような構造のものでは、滴下ノズ
ルに供給されるフォトレジストの圧力や粘性の変動など
によって、フォトレジストの滴下位置がウェハの中心か
ら逸れる場合があり、この滴下位置のウェハ中心からの
ずれに起因してウェハ表面に塗布されるフォトレジスト
の膜厚分布にばらつきを生じるなどの問題があることを
本発明者は見いだした。
ルに供給されるフォトレジストの圧力や粘性の変動など
によって、フォトレジストの滴下位置がウェハの中心か
ら逸れる場合があり、この滴下位置のウェハ中心からの
ずれに起因してウェハ表面に塗布されるフォトレジスト
の膜厚分布にばらつきを生じるなどの問題があることを
本発明者は見いだした。
本発明の目的は、均一な塗布結果を得ることが可能な塗
布技術を堤供することにある。
布技術を堤供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
［問題点を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を面単に説明すれば、次の通りである。
を面単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、回転される被処理物上に溶液を滴下する複数
の滴下ノズルを有する塗布装置で、複数の滴下ノズルの
任意の一つを被処理物の中心に位置させるセンタリング
機構を設けたものである。
の滴下ノズルを有する塗布装置で、複数の滴下ノズルの
任意の一つを被処理物の中心に位置させるセンタリング
機構を設けたものである。
［作 用］
上記した手段によれば、滴下ノズルから供給される溶液
の滴下位置を被処理物の中心に正確に一致させることが
可能となり、溶液の滴下位置が被処理物の中心から逸れ
ることなどに起因して、該被処理物における）守成の塗
布膜厚の分布が不均一となることが回避され、均一な塗
布結果を得ることができる。
の滴下位置を被処理物の中心に正確に一致させることが
可能となり、溶液の滴下位置が被処理物の中心から逸れ
ることなどに起因して、該被処理物における）守成の塗
布膜厚の分布が不均一となることが回避され、均一な塗
布結果を得ることができる。
［実施例１］
第１図は、本発明の一実施例である塗布装置の要部を示
す側面図であり、第２図は、前記第１図において線■−
■で示される方向より見た平面図である。
す側面図であり、第２図は、前記第１図において線■−
■で示される方向より見た平面図である。
図示しないモータなどによって回転される回転台ｌの上
には、たとえばウェハなどの被処理物２が、たとえば真
空吸着などによって着脱自在に固定されように構成され
ている。
には、たとえばウェハなどの被処理物２が、たとえば真
空吸着などによって着脱自在に固定されように構成され
ている。
さらに、回転台１の上方には、複数の滴下ノズルＮ ｌ
、 滴下ノズルＮ２．滴下ノズルＮ３がほぼ垂直下向
きに設けられ、それぞれ複数のポンプＰ１、ポンプＰ２
．ポンプＰ３を介して、互い種類の異なるフォトレジス
トなどの溶液Ｌｌ、溶液Ｌ２、溶液Ｌ３がそれぞれ貯留
されるタンクＴｌ。
、 滴下ノズルＮ２．滴下ノズルＮ３がほぼ垂直下向
きに設けられ、それぞれ複数のポンプＰ１、ポンプＰ２
．ポンプＰ３を介して、互い種類の異なるフォトレジス
トなどの溶液Ｌｌ、溶液Ｌ２、溶液Ｌ３がそれぞれ貯留
されるタンクＴｌ。
タンクＴ２．クンクＴ３に接続されている。
この場合、回転台１の上方には、複数の滴下ノズルＮｌ
、Ｎ２．Ｎ３を被処理物２の直径方向に所定の間隔をな
して保持する移動部材３ａ、さらには、該移動部材３ａ
をねじ機構３ｂなどを介して被処理物２の直径方向に所
望の距離だけ変位させることにより、複数の滴下ノズル
Ｎｌ、Ｎ２゜Ｎ３のいずれか一つを被処理物２の中心に
位置させる駆動部３ｃなどで構成されるセンタリング機
構３が設けられている。
、Ｎ２．Ｎ３を被処理物２の直径方向に所定の間隔をな
して保持する移動部材３ａ、さらには、該移動部材３ａ
をねじ機構３ｂなどを介して被処理物２の直径方向に所
望の距離だけ変位させることにより、複数の滴下ノズル
Ｎｌ、Ｎ２゜Ｎ３のいずれか一つを被処理物２の中心に
位置させる駆動部３ｃなどで構成されるセンタリング機
構３が設けられている。
この駆動部３ｃは、たとえばサーボモータなどで構成さ
れている。
れている。
また、前記センタリング機構３の駆動部３ｃおよび複数
のポンプＰｉ、Ｐ２．Ｐ３は、制御部４に接続されてお
り、それぞれの動作が制御される構造とされている。
のポンプＰｉ、Ｐ２．Ｐ３は、制御部４に接続されてお
り、それぞれの動作が制御される構造とされている。
以下、本実施例の作用について説明する。
始めに、被処理物２が回転台１の上に載置される。
次に、制御部４によって、たとえば溶液Ｌ２（Ｌｌ）（
Ｌ３）に対応するポンプＰ２（Ｐｉ）（Ｐ３）が選択さ
れて作動されるとともに、センタリング機構３の駆動部
３Ｃが作動され、溶液Ｌ２（ＬＬ）（Ｌ３）に対応する
滴下ノズルＮ２（Ｎ１）（Ｎ３）が被処理物２の中心の
直上部に正確に位置される。
Ｌ３）に対応するポンプＰ２（Ｐｉ）（Ｐ３）が選択さ
れて作動されるとともに、センタリング機構３の駆動部
３Ｃが作動され、溶液Ｌ２（ＬＬ）（Ｌ３）に対応する
滴下ノズルＮ２（Ｎ１）（Ｎ３）が被処理物２の中心の
直上部に正確に位置される。
そして、所定の量の溶液Ｌ２ （Ｌｌ）（Ｌ３）が被処
理物２の中心に正確に滴下され、その後、被処理物２は
回転台ｌとともに回転され、該被処理物２の中心に正確
に滴下された溶液Ｌ２（Ｌｌ）（Ｌ３）は、遠心力の作
用によって被処理物２の表面に均一に分散塗布される。
理物２の中心に正確に滴下され、その後、被処理物２は
回転台ｌとともに回転され、該被処理物２の中心に正確
に滴下された溶液Ｌ２（Ｌｌ）（Ｌ３）は、遠心力の作
用によって被処理物２の表面に均一に分散塗布される。
このように、本実施例においては、以下の効果を得るこ
とができる。
とができる。
（１）、複数の溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３をそれぞれ個別に
供給する複数の滴下ノズルＮ１．Ｎ２．Ｎ３を被処理物
２の直径方向に所定の間隔をなして保持する移動部材３
ａ、さらには、該移動部材３ａをねじ機構３ｂなどを介
して被処理物２の直径方向に所望の距離だけ変位させる
ことにより、複数の滴下ノズルＮ１．Ｎ２．Ｎ３のいず
れか一つを被処理物２の中心に正確に位置させる駆動部
３０などで構成されるセンタリング機構３が設けられて
いるため、複数の溶ＩＬＬ、Ｌ２．Ｌ３の内の任意の一
つを、被処理物２の中心に正確に滴下供給することがで
き、滴下位置が被処理物の中心から逸れることに起因す
る溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３の塗布膜厚のばらつきが回避さ
れ、被処理物２に対する溶液ＬＬ、Ｌ２．Ｌ３の均一な
塗布結果を得ることができる。
供給する複数の滴下ノズルＮ１．Ｎ２．Ｎ３を被処理物
２の直径方向に所定の間隔をなして保持する移動部材３
ａ、さらには、該移動部材３ａをねじ機構３ｂなどを介
して被処理物２の直径方向に所望の距離だけ変位させる
ことにより、複数の滴下ノズルＮ１．Ｎ２．Ｎ３のいず
れか一つを被処理物２の中心に正確に位置させる駆動部
３０などで構成されるセンタリング機構３が設けられて
いるため、複数の溶ＩＬＬ、Ｌ２．Ｌ３の内の任意の一
つを、被処理物２の中心に正確に滴下供給することがで
き、滴下位置が被処理物の中心から逸れることに起因す
る溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３の塗布膜厚のばらつきが回避さ
れ、被処理物２に対する溶液ＬＬ、Ｌ２．Ｌ３の均一な
塗布結果を得ることができる。
（２）、前記（１１の結果、たとえばウェハなどの被処
理物２において、フォトレジストなどの溶液Ｌｌ。
理物２において、フォトレジストなどの溶液Ｌｌ。
Ｌ２．Ｌ３の塗布膜厚のばらつきに起因して、フォトリ
ソグラフィ技術によってウェハに形成されるパターンの
寸法精度が低下されることが回避でき、半導体’ＡＨの
製造における歩留りが向上される。
ソグラフィ技術によってウェハに形成されるパターンの
寸法精度が低下されることが回避でき、半導体’ＡＨの
製造における歩留りが向上される。
［実施例２］
第３図は、本発明の他の実施例である塗布装置の要部を
示す平面図である。
示す平面図である。
本実施例２においては、センタリング機構５が、被処理
物２の上方において複数の滴下ノズルＮｌ。
物２の上方において複数の滴下ノズルＮｌ。
Ｎ２．Ｎ３を、該被処理物２の中心を通過する円周上に
所定の間隔で保持する回動部材５ａで構成され、この回
動部材５ａは前記円周の中心に設けられた回動軸５ｂを
介して図示しないサーボモータなどによって任意の方向
に所望の量だけ回動可能にされているところが前記実施
例１の場合と異なるものである。
所定の間隔で保持する回動部材５ａで構成され、この回
動部材５ａは前記円周の中心に設けられた回動軸５ｂを
介して図示しないサーボモータなどによって任意の方向
に所望の量だけ回動可能にされているところが前記実施
例１の場合と異なるものである。
すなわち、センタリング機構５の回動部材５ａを所定の
方向に所定の角度だけ回動させることにより、複数の滴
下ノズルＮｌ、Ｎ２．Ｎ３の任意の一つを選択して被処
理物２の中心の直上部に正確に位置させることができる
ものである。
方向に所定の角度だけ回動させることにより、複数の滴
下ノズルＮｌ、Ｎ２．Ｎ３の任意の一つを選択して被処
理物２の中心の直上部に正確に位置させることができる
ものである。
このように本実施例２によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、複数の滴下ノズルＮ１．Ｎ２．Ｎ３を被処理物
２の中心を通過する円周上に所定の間隔で保持し、該円
周の中心に設けられた回動軸５ｂを支点として回動され
る回動部材５ａで構成されるセンタリング機構が設けら
れているため、回動部材５ａを所定の方向に所定の角度
だけ回動させることにより、複数の滴下ノズルＮｌ、Ｎ
２．Ｎ３の任意の一つを選択して被処理物２の中心の直
上部に正確に位置させることができ、複数の溶液ＬＬ。
２の中心を通過する円周上に所定の間隔で保持し、該円
周の中心に設けられた回動軸５ｂを支点として回動され
る回動部材５ａで構成されるセンタリング機構が設けら
れているため、回動部材５ａを所定の方向に所定の角度
だけ回動させることにより、複数の滴下ノズルＮｌ、Ｎ
２．Ｎ３の任意の一つを選択して被処理物２の中心の直
上部に正確に位置させることができ、複数の溶液ＬＬ。
Ｌ２．Ｌ３の内の任意の一つを、被処理物２の中心に正
確に滴下供給することが可能となり、滴下位置が被処理
物の中心から逸れることに起因する溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ
３の塗布膜厚のばらつきが回避され、被処理物２に対す
る溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３の均一な塗布結果を得ることが
できる。
確に滴下供給することが可能となり、滴下位置が被処理
物の中心から逸れることに起因する溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ
３の塗布膜厚のばらつきが回避され、被処理物２に対す
る溶液Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３の均一な塗布結果を得ることが
できる。
（２）、前記＋１１の結果、たとえばウェハなどの被処
理物２において、フォトレジストなどの溶ｉＬ１゜Ｌ２
．Ｌ３の塗布膜厚のばらつきに起因して、フォトリソグ
ラフィ技術によってウェハに形成されるパターンの寸法
精度が低下されることが回避でき、半導体装置の製造に
おける歩留りが向上される。
理物２において、フォトレジストなどの溶ｉＬ１゜Ｌ２
．Ｌ３の塗布膜厚のばらつきに起因して、フォトリソグ
ラフィ技術によってウェハに形成されるパターンの寸法
精度が低下されることが回避でき、半導体装置の製造に
おける歩留りが向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、センタリング
機構としては、直線的な変位または回動変位を行うもの
に限らず、滴下ノズルが任意の径路をたどって被処理物
の中心に位置される構造であってもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、センタリング
機構としては、直線的な変位または回動変位を行うもの
に限らず、滴下ノズルが任意の径路をたどって被処理物
の中心に位置される構造であってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハに対するフォ
トレジスト塗布技術に適用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、被処理物に溶液を均
一に塗布することが必要とされる技術に広く適用できる
。
をその背景となった利用分野であるウェハに対するフォ
トレジスト塗布技術に適用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、被処理物に溶液を均
一に塗布することが必要とされる技術に広く適用できる
。
し発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を節単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を節単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、回転される被処理物上に？８液を滴下する複
数の滴下ノズルを有する塗布装置で、前記複数の滴下ノ
ズルの任意の一つを前記被処理物の中心に位置させるセ
ンタリング機構を有する構造であるため、滴下ノズルか
ら供給される溶液の滴下位置を被処理物の中心に正確に
一致させることが可能となり、溶液の滴下位置が被処理
物の中心から逸れることなどに起因して、該被処理物に
おける溶液の塗布膜厚の分布が不均一となることが回避
され、均一な塗布結果を得ることができる。
数の滴下ノズルを有する塗布装置で、前記複数の滴下ノ
ズルの任意の一つを前記被処理物の中心に位置させるセ
ンタリング機構を有する構造であるため、滴下ノズルか
ら供給される溶液の滴下位置を被処理物の中心に正確に
一致させることが可能となり、溶液の滴下位置が被処理
物の中心から逸れることなどに起因して、該被処理物に
おける溶液の塗布膜厚の分布が不均一となることが回避
され、均一な塗布結果を得ることができる。
第１図は、本発明の一実施例である塗布装置の要部を示
す側面図、 第２図は、前記第１図において線■−■で示される方向
より見た平面図、 第３図は、本発明の他の実施例である塗布装置の要部を
示す平面図である。 ｌ・・・回転台、２・・・被処理物、３・・・センタリ
ング機構、３ａ・・・移動部材、３ｂ・・・ねじ機構、
３ｃ・・・駆動部、４・・・制御部、５・・・センタリ
ング機構、５ａ・・・回動部材、５ｂ・・・回動軸、Ｎ
ｌ、Ｎ２．Ｎ３・・・滴下ノズル、ＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・
・・ポンプ、ＴＩ、Ｔ２．Ｔ３・・・タンク、ＬＬ、Ｌ
２．Ｌ３・・・溶液。 第 １ 図 Ａ／／、ｎ２．ＮＪ−；１丁ノス・′ルｐｔ、Ｐ２
ＦＪ−工Ｏユフ１ Ｔｔ、１２．７Ｊ−フ〉り 、デ −イ１ン７１ノ）りパ丁歩七１１１第 ２
図 第 ３ 図
す側面図、 第２図は、前記第１図において線■−■で示される方向
より見た平面図、 第３図は、本発明の他の実施例である塗布装置の要部を
示す平面図である。 ｌ・・・回転台、２・・・被処理物、３・・・センタリ
ング機構、３ａ・・・移動部材、３ｂ・・・ねじ機構、
３ｃ・・・駆動部、４・・・制御部、５・・・センタリ
ング機構、５ａ・・・回動部材、５ｂ・・・回動軸、Ｎ
ｌ、Ｎ２．Ｎ３・・・滴下ノズル、ＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・
・・ポンプ、ＴＩ、Ｔ２．Ｔ３・・・タンク、ＬＬ、Ｌ
２．Ｌ３・・・溶液。 第 １ 図 Ａ／／、ｎ２．ＮＪ−；１丁ノス・′ルｐｔ、Ｐ２
ＦＪ−工Ｏユフ１ Ｔｔ、１２．７Ｊ−フ〉り 、デ −イ１ン７１ノ）りパ丁歩七１１１第 ２
図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、回転される被処理物上に溶液を滴下する複数の滴下
ノズルを有する塗布装置であって、前記複数の滴下ノズ
ルの任意の一つを前記被処理物の中心に位置させるセン
タリング機構を有することを特徴とする塗布装置。 ２、前記センタリング機構が、前記被処理物の直径方向
に所定の間隔で前記複数の滴下ノズルを保持する移動部
材と、該移動部材を前記直径方向に変位させる駆動部と
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
塗布装置。 ３、前記センタリング機構が、前記被検査物の中心を通
過する円周上に前記複数の滴下ノズルを保持し、該円周
の中心を支点として回動される回動部材からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の塗布装置。 ４、前記被処理物がウェハであり、前記溶液がフォトレ
ジストであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6403986A JPS62221465A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6403986A JPS62221465A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221465A true JPS62221465A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13246574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6403986A Pending JPS62221465A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221465A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205422A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH02132444A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-05-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| JPH02258082A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| JPH04215420A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Ckd Corp | 流体制御装置 |
| JPH0641869U (ja) * | 1992-06-30 | 1994-06-03 | 株式会社シーテック | 液体塗布用ノズル |
| JPH081065A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理装置 |
| US5720814A (en) * | 1995-04-25 | 1998-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoresist coating apparatus |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6403986A patent/JPS62221465A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205422A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH0760786B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1995-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布装置 |
| JPH02132444A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-05-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| JPH02258082A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| JPH04215420A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Ckd Corp | 流体制御装置 |
| JPH0641869U (ja) * | 1992-06-30 | 1994-06-03 | 株式会社シーテック | 液体塗布用ノズル |
| JPH081065A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理装置 |
| US5720814A (en) * | 1995-04-25 | 1998-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoresist coating apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100617478B1 (ko) | 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법 | |
| US5089305A (en) | Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer including selecting a nozzle on a stand by state | |
| US20150352587A1 (en) | Liquid coating method, liquid coating apparatus, and computer-readable storage medium | |
| US7488505B2 (en) | Coating film forming method and system | |
| US4385083A (en) | Apparatus and method for forming a thin film of coating material on a substrate having a vacuum applied to the edge thereof | |
| KR100803147B1 (ko) | 도포장치 및 이를 이용한 처리액의 도포 방법 | |
| JP6531831B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
| US20130078378A1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
| WO2008150651A1 (en) | Method and apparatus for dispensing a viscous material on a substrate | |
| KR101526068B1 (ko) | 도포 장치 및 도포 방법 | |
| JPH11119232A (ja) | シール剤の塗布装置 | |
| JPS62221465A (ja) | 塗布装置 | |
| US10847398B2 (en) | Chuck table correction method and cutting apparatus | |
| JPS63301520A (ja) | フォトレジスト塗布装置 | |
| JP2006032905A (ja) | 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 | |
| JP2022176185A (ja) | 複数の電子基板上への複数の供給ポンプを用いた同時供給を可能にする供給ポンプのアレイの回転 | |
| JP2815064B2 (ja) | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 | |
| KR20060048152A (ko) | 약액도포장치 및 약액도포방법 | |
| JP6814847B2 (ja) | 現像方法 | |
| JP2621389B2 (ja) | 電子部品の実装システム | |
| JP3004824U (ja) | 流体塗布装置 | |
| JP2001239198A (ja) | 塗布膜形成装置 | |
| JPS6165435A (ja) | 基板表面処理方法および装置 | |
| JP3568838B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JPS6351975A (ja) | 塗布方法および装置 |