JPH03206928A - Ｉｃ温度センサ - Google Patents
Ｉｃ温度センサInfo
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- JPH03206928A JPH03206928A JP2001793A JP179390A JPH03206928A JP H03206928 A JPH03206928 A JP H03206928A JP 2001793 A JP2001793 A JP 2001793A JP 179390 A JP179390 A JP 179390A JP H03206928 A JPH03206928 A JP H03206928A
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- JP
- Japan
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- transistor
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路（以下、ＩＣという）才一デ
ィオ用パワーＩＣ、モータ制御用ＩＣ等のＩＣチップの
温度を検出するＩＣ温度センサに関する． （口）従来の技術 第５図は従来のＩＣ温度センサで、Ｉｒ＋は定電流源、
Ｄ，はダイオードであり、この回路は、ダイオードＤ，
のアノード・カソード間電圧■ｏが約−２ｍＶ／”Ｃの
温度特性を有することを利用し、定電流源Ｉ ｒ ＋と
ダイオードＤ１との接続点から温度に比例した電圧が検
出される． この回路は，極めて簡単に構成できるが、この回路構成
においては、素子特性のばらつきにより、最悪温度係数
がｌＯ％程度ばらつきが生じるという問題があった． そこで，素子特性のばらつきを考慮した回路が特開昭６
１−１１８６３０号公報等に提案されている．この種の
回路は第６図に示す如く、ベース・コレクタ間を短絡し
たトランジスタＱ，と、このトランジスタＱ１のベース
と共通に接続されたトランジスタＱ２とを備え、電圧ｖ
ｃｃが夫々のトランジスタＱ．Ｑ．のコレクタに抵抗Ｒ
０、Ｒ２を介して印加され、またトランジスタＱ２のエ
ミッタは抵抗Ｒ＋を介して接地される．そして、トラン
ジスタＱ２のコレクタよりチップ温度に応じた電圧が？
り出される． この第６図の回路は、 Ｖｏｕｙ” Ｖｅｃ−Ｉ ＋・Ｒ ｚ■ＶｃｃｌＶｓｔ
＋−Ｖｓｔ＊ｌＲｚ／ＲＩとなることを利用したちので
ある． ところで上述の（１）式は、 （１） となる． ここで、Ｋはポルツマン定数、ｑは電子の電荷、Ｉｓは
トランジスタの飽和電流、Ｔは絶対温度である． このように、第６図に示す回路構成では、回路の精度を
悪くしているＩｓの影響を受けない．しかしながら、上
述した第６図の回路においても、ｖｅｃが変動すると、
Ｖｏｕｒも変動する欠点がある． また、第７図に示すように、入力トランジスタの大きさ
に差をつけ、トランジスタのベース・エミッタ間電圧に
差を生じせしめ、温度に比例した電流を取り出すように
構成したちのがある．すなわち、第７図において、コレ
クタ・ベースを短絡したトランジスタＱ１のベースとト
ランジスタＱ２のベースとを接続し、両者のトランジス
タＱ．Ｑ．のエミッタに工，の電流が与えられる．一方
、トランジスタＱ，のコレクタとトランジスタＱ３のコ
レクタとが接続されると共に、べ一ス・コレククが短絡
されたトランジスタＱ４のコレクタにトランジスタＱ２
のコレクタが接続される．また、トランジスタＱ３及び
Ｑ４のベースは共通接続されており、トランジスタＱ．
のエミッタは抵抗Ｒを介してトランジスタＱ４のエミッ
タに共通接続されている． 而して、第７図の回路のものでは、 となる． ここで、エア＝ Ｌ＋Ｉｚ ＝ ２Ｌ （’，’ Ｌ＝
ＬｌＩｔ＝２ＫＴ／ｑＲ Ｉｎ ｎ となり、回路を流れる全電流は温度に比例することにな
る． しかしながら、この回路のものでは、出力は電流として
、現われるため扱いに＜＜、他に電流一電圧変換回路を
必要とするなどの難点がある．（ハ）発明が解決しよう
とする課題 前述したように、第６図の回路のものにおいては、Ｖ
ｃｃの変動により出力が変動するという欠点があり、ま
た第７図の回路においては、出力が電流として現われる
ために取り扱いが困難であるなどの問題があった． 本発明は上述した問題点に鑑みなされたものにして、素
子特性のばらつきによる影響を抑制し、精度の良好な温
度センサを提供することをその課題とする． （二）課題を解決するための手段 本発明は、二出力の基準電圧発生回路と、この基準電圧
発生回路の二出力が入力される差動増幅回路と、を備え
、基準電圧発生回路の一方の出力が抵抗を介して差動増
幅回路の第１の入カトランジスタに入力され、基Ｉ１！
電圧回路の他方の出力が第２の入力トランジスタに入カ
され、差動増幅回路の出力と第１のトランジスタ間が抵
抗を介して帰還接続されていると共に、所定の比率でも
って第１と第２のトランジスタの大きさを設定したこと
を特徴とする． （ホ）作用 本発明においては、基準電圧回路からの出方が入力され
てトランジスタの大きさにより、差電圧を得、その差電
圧を基に温度センサ出カが得られる．基準電圧回路から
の出カ精度を保持することで、物理的に決まる値で素子
特性のばらつきに依存しない精度の良い温度センサが得
られる．更に、抵抗並びに大きさの比率を目的によって
変化させることにより、所望の出力が得られる．（へ）
実施例 以下、本発明を第１図ないし第４図に従い説明する． 第１図は本発明の基本的構成を示す回路図である． まず、本発明においては、二出力の基ｔＳ電圧回路ｌを
備える．この基準電圧回路１の一方の出力Ｏｌは抵抗Ｒ
１の一端と接続する．この抵抗Ｒ１の他端は、差動増幅
回路２の第ｌの入力トランジスタとしてのトランジスタ
Ｑ２のベースと抵抗Ｒ２に接続される．そして、トラン
ジスタＱ２のエミックは、第２の入力トランジスタとし
てのトランジスタＱ４のエミッタと定電流源Ｉｒ＋の一
端に接続され、定１ｉ流源Ｉｒ＋の他端は最低電位Ｖａ
ｔに接続される．また、トランジスタＱ２のコレクタは
、トランジスタＱ１のコレクタ、ベース及びトランジス
タＱ３のベースに接続され、トランジスタＱ３のコレク
タはトランジスタＱ４のコレクタとトランジスタＱ，の
ベースに接続される． 更に、各トランジスタＱ．．Ｑ
．、Ｑ，のエミッタはｔ源電圧Ｖ ｅｅに接続される．
トランジスタＱ．のコレクタは定電流源Ｉｒ２と抵抗Ｒ
２に接続される、これを出力とする．Ｉｒｘの他端はｖ
ｔＥにつながっている．また、基ｌ１！電圧回路１の他
方の出力は、トランジスタＱ４のベースに接続されてい
る． ここで、トランジスタＱ，と０３はカレントミラーを構
成しており、そのコレクタ電流の工、と■２は等しい． 又、トランジスタＱ２と０４は、そのエミッタの大きさ
をｍ：ｎにしておけば、トランジスタＱ２のベース・エ
ミッタ間電圧Ｖ。２とトランジスタＱ４のベース・エミ
ッタ間電圧Ｖ ．４の差ΔＶ ＩＩＫは、 ？なる， 又、ＩＣ内部では工．１二Ｉ■となる．ここで、トラン
ジスタＱ４のベース電位ｖ２は基準電圧源によって決ま
っており、温度変動はないちのと考えると、トランジス
タＱ２のベース電位Ｖ，は、 Ｖ．＝Ｖ． Ｖａｔ４＋Ｖｓｔｚ”Ｌ” ΔＶＳｔ また、 抵抗Ｒ を流れる電流Ｉ のトランジスタ Ｑ ２のベースに流れる電流を無視すると、（゜．゜ （６） より） と表せる． ここで、 ■ ■ を精度よく出すことができ れば、 では夫々±３％、 ±２ｍＶ程度に押えこむことかで きるので、 精度のよい温度センサが得られる． また、 ト ランジスタのｍ ：ｎの比率、 ■ と ■ Ｒ と Ｒ ２を目的によって変化させられる ことができるという自由度の高さも有し、電源電圧の影
響もほとんど受けない． 更に、Ｒ＋＋Ｒｚ／Ｒ＋． ｎ・Ｉｓｚ／ｍ・Ｌ＋はそ
れ自体温度特性をほとんど持たないので、（７）式から
■。ＵＴは温度に対してリニアに変化し，その傾きは正
となる．第２図は上述した回路の温度と■。ＬＩＴの関
係を示した特性図である．第３図は、本発明の具体的な
実施例の一つである．第ｌ図における基準電圧回路１を
バンドギャップリファンス回路によって構成したもので
ある．この基準電圧回路１は、電源電圧■ｃｃが抵抗Ｒ
，及びダイ才−ドＤ１、Ｄ２を介して接地され、この抵
抗Ｒ３とダイオードＤ，間の電圧がトランジスタＱ６の
ベースに与えられる．そしてトランジスタＱ６のコレク
タには１ｆ源電圧ＶＣＣと接続されている．このトラン
ジスタＱ６のエミッタはトランジスタＱ．Ｑ．．のべー
ス及びトランジスタＱ．のエミッタのと接続される．ト
ラジスタＱ．のコレクタはトランジスタＱ６のエミッタ
ト接続され、そして、トランジスタＱ，のベースに？続
される．このトランジスタＱ７のコレクタは接地される
．トランジスタＱ．のエミツタは抵抗Ｒ４、Ｒｓを介し
て接地され、この抵抗で分圧された出力がトランジスタ
Ｑ ｚのエミッタに供給されている．トランジスタＱ８
のエミッタは電源電圧Ｖｃｃと接続され、このトランジ
スタＱ８のエミッタとトランジスタＱ ｔｏのエミツク
が接続されている．このトランジスタＱ１。のコレクタ
はトランジスタＱ ｚのコレクタと接続される．更に、
このコレククはトランジスタＱ１■のベースと接続され
る。トランジスタＱ，。のベースはダイ才−ドＤ，、Ｄ
４を介して、電源電圧Ｖ ｅｃが接続され、更にこのベ
ースは抵抗Ｒ６を介して接地される。
ィオ用パワーＩＣ、モータ制御用ＩＣ等のＩＣチップの
温度を検出するＩＣ温度センサに関する． （口）従来の技術 第５図は従来のＩＣ温度センサで、Ｉｒ＋は定電流源、
Ｄ，はダイオードであり、この回路は、ダイオードＤ，
のアノード・カソード間電圧■ｏが約−２ｍＶ／”Ｃの
温度特性を有することを利用し、定電流源Ｉ ｒ ＋と
ダイオードＤ１との接続点から温度に比例した電圧が検
出される． この回路は，極めて簡単に構成できるが、この回路構成
においては、素子特性のばらつきにより、最悪温度係数
がｌＯ％程度ばらつきが生じるという問題があった． そこで，素子特性のばらつきを考慮した回路が特開昭６
１−１１８６３０号公報等に提案されている．この種の
回路は第６図に示す如く、ベース・コレクタ間を短絡し
たトランジスタＱ，と、このトランジスタＱ１のベース
と共通に接続されたトランジスタＱ２とを備え、電圧ｖ
ｃｃが夫々のトランジスタＱ．Ｑ．のコレクタに抵抗Ｒ
０、Ｒ２を介して印加され、またトランジスタＱ２のエ
ミッタは抵抗Ｒ＋を介して接地される．そして、トラン
ジスタＱ２のコレクタよりチップ温度に応じた電圧が？
り出される． この第６図の回路は、 Ｖｏｕｙ” Ｖｅｃ−Ｉ ＋・Ｒ ｚ■ＶｃｃｌＶｓｔ
＋−Ｖｓｔ＊ｌＲｚ／ＲＩとなることを利用したちので
ある． ところで上述の（１）式は、 （１） となる． ここで、Ｋはポルツマン定数、ｑは電子の電荷、Ｉｓは
トランジスタの飽和電流、Ｔは絶対温度である． このように、第６図に示す回路構成では、回路の精度を
悪くしているＩｓの影響を受けない．しかしながら、上
述した第６図の回路においても、ｖｅｃが変動すると、
Ｖｏｕｒも変動する欠点がある． また、第７図に示すように、入力トランジスタの大きさ
に差をつけ、トランジスタのベース・エミッタ間電圧に
差を生じせしめ、温度に比例した電流を取り出すように
構成したちのがある．すなわち、第７図において、コレ
クタ・ベースを短絡したトランジスタＱ１のベースとト
ランジスタＱ２のベースとを接続し、両者のトランジス
タＱ．Ｑ．のエミッタに工，の電流が与えられる．一方
、トランジスタＱ，のコレクタとトランジスタＱ３のコ
レクタとが接続されると共に、べ一ス・コレククが短絡
されたトランジスタＱ４のコレクタにトランジスタＱ２
のコレクタが接続される．また、トランジスタＱ３及び
Ｑ４のベースは共通接続されており、トランジスタＱ．
のエミッタは抵抗Ｒを介してトランジスタＱ４のエミッ
タに共通接続されている． 而して、第７図の回路のものでは、 となる． ここで、エア＝ Ｌ＋Ｉｚ ＝ ２Ｌ （’，’ Ｌ＝
ＬｌＩｔ＝２ＫＴ／ｑＲ Ｉｎ ｎ となり、回路を流れる全電流は温度に比例することにな
る． しかしながら、この回路のものでは、出力は電流として
、現われるため扱いに＜＜、他に電流一電圧変換回路を
必要とするなどの難点がある．（ハ）発明が解決しよう
とする課題 前述したように、第６図の回路のものにおいては、Ｖ
ｃｃの変動により出力が変動するという欠点があり、ま
た第７図の回路においては、出力が電流として現われる
ために取り扱いが困難であるなどの問題があった． 本発明は上述した問題点に鑑みなされたものにして、素
子特性のばらつきによる影響を抑制し、精度の良好な温
度センサを提供することをその課題とする． （二）課題を解決するための手段 本発明は、二出力の基準電圧発生回路と、この基準電圧
発生回路の二出力が入力される差動増幅回路と、を備え
、基準電圧発生回路の一方の出力が抵抗を介して差動増
幅回路の第１の入カトランジスタに入力され、基Ｉ１！
電圧回路の他方の出力が第２の入力トランジスタに入カ
され、差動増幅回路の出力と第１のトランジスタ間が抵
抗を介して帰還接続されていると共に、所定の比率でも
って第１と第２のトランジスタの大きさを設定したこと
を特徴とする． （ホ）作用 本発明においては、基準電圧回路からの出方が入力され
てトランジスタの大きさにより、差電圧を得、その差電
圧を基に温度センサ出カが得られる．基準電圧回路から
の出カ精度を保持することで、物理的に決まる値で素子
特性のばらつきに依存しない精度の良い温度センサが得
られる．更に、抵抗並びに大きさの比率を目的によって
変化させることにより、所望の出力が得られる．（へ）
実施例 以下、本発明を第１図ないし第４図に従い説明する． 第１図は本発明の基本的構成を示す回路図である． まず、本発明においては、二出力の基ｔＳ電圧回路ｌを
備える．この基準電圧回路１の一方の出力Ｏｌは抵抗Ｒ
１の一端と接続する．この抵抗Ｒ１の他端は、差動増幅
回路２の第ｌの入力トランジスタとしてのトランジスタ
Ｑ２のベースと抵抗Ｒ２に接続される．そして、トラン
ジスタＱ２のエミックは、第２の入力トランジスタとし
てのトランジスタＱ４のエミッタと定電流源Ｉｒ＋の一
端に接続され、定１ｉ流源Ｉｒ＋の他端は最低電位Ｖａ
ｔに接続される．また、トランジスタＱ２のコレクタは
、トランジスタＱ１のコレクタ、ベース及びトランジス
タＱ３のベースに接続され、トランジスタＱ３のコレク
タはトランジスタＱ４のコレクタとトランジスタＱ，の
ベースに接続される． 更に、各トランジスタＱ．．Ｑ
．、Ｑ，のエミッタはｔ源電圧Ｖ ｅｅに接続される．
トランジスタＱ．のコレクタは定電流源Ｉｒ２と抵抗Ｒ
２に接続される、これを出力とする．Ｉｒｘの他端はｖ
ｔＥにつながっている．また、基ｌ１！電圧回路１の他
方の出力は、トランジスタＱ４のベースに接続されてい
る． ここで、トランジスタＱ，と０３はカレントミラーを構
成しており、そのコレクタ電流の工、と■２は等しい． 又、トランジスタＱ２と０４は、そのエミッタの大きさ
をｍ：ｎにしておけば、トランジスタＱ２のベース・エ
ミッタ間電圧Ｖ。２とトランジスタＱ４のベース・エミ
ッタ間電圧Ｖ ．４の差ΔＶ ＩＩＫは、 ？なる， 又、ＩＣ内部では工．１二Ｉ■となる．ここで、トラン
ジスタＱ４のベース電位ｖ２は基準電圧源によって決ま
っており、温度変動はないちのと考えると、トランジス
タＱ２のベース電位Ｖ，は、 Ｖ．＝Ｖ． Ｖａｔ４＋Ｖｓｔｚ”Ｌ” ΔＶＳｔ また、 抵抗Ｒ を流れる電流Ｉ のトランジスタ Ｑ ２のベースに流れる電流を無視すると、（゜．゜ （６） より） と表せる． ここで、 ■ ■ を精度よく出すことができ れば、 では夫々±３％、 ±２ｍＶ程度に押えこむことかで きるので、 精度のよい温度センサが得られる． また、 ト ランジスタのｍ ：ｎの比率、 ■ と ■ Ｒ と Ｒ ２を目的によって変化させられる ことができるという自由度の高さも有し、電源電圧の影
響もほとんど受けない． 更に、Ｒ＋＋Ｒｚ／Ｒ＋． ｎ・Ｉｓｚ／ｍ・Ｌ＋はそ
れ自体温度特性をほとんど持たないので、（７）式から
■。ＵＴは温度に対してリニアに変化し，その傾きは正
となる．第２図は上述した回路の温度と■。ＬＩＴの関
係を示した特性図である．第３図は、本発明の具体的な
実施例の一つである．第ｌ図における基準電圧回路１を
バンドギャップリファンス回路によって構成したもので
ある．この基準電圧回路１は、電源電圧■ｃｃが抵抗Ｒ
，及びダイ才−ドＤ１、Ｄ２を介して接地され、この抵
抗Ｒ３とダイオードＤ，間の電圧がトランジスタＱ６の
ベースに与えられる．そしてトランジスタＱ６のコレク
タには１ｆ源電圧ＶＣＣと接続されている．このトラン
ジスタＱ６のエミッタはトランジスタＱ．Ｑ．．のべー
ス及びトランジスタＱ．のエミッタのと接続される．ト
ラジスタＱ．のコレクタはトランジスタＱ６のエミッタ
ト接続され、そして、トランジスタＱ，のベースに？続
される．このトランジスタＱ７のコレクタは接地される
．トランジスタＱ．のエミツタは抵抗Ｒ４、Ｒｓを介し
て接地され、この抵抗で分圧された出力がトランジスタ
Ｑ ｚのエミッタに供給されている．トランジスタＱ８
のエミッタは電源電圧Ｖｃｃと接続され、このトランジ
スタＱ８のエミッタとトランジスタＱ ｔｏのエミツク
が接続されている．このトランジスタＱ１。のコレクタ
はトランジスタＱ ｚのコレクタと接続される．更に、
このコレククはトランジスタＱ１■のベースと接続され
る。トランジスタＱ，。のベースはダイ才−ドＤ，、Ｄ
４を介して、電源電圧Ｖ ｅｃが接続され、更にこのベ
ースは抵抗Ｒ６を介して接地される。
そして、トランジスタＱ，■のエミツタ出力が、第１の
出力○，として出力される．そしてこのエミッタに抵抗
Ｒ？Ｒ．を介して接地された抵抗分割出力が第２の出力
０２として出力される．この回路はよく知られているよ
うに、ＯＩに約１．２ Ｖの電圧を出力するように作ら
れており、この場合、電源電圧変動や、温度変動による
出力０．の変動は、数十ｍＶ程度には押えこまれる．更
に、出力０２をＯｌの抵抗分割出力とした場合、０２の
変動は０１の変動のＲ，／Ｒア＋Ｒ８に押えこまれるこ
とになる． このような構成の他に、基準電圧回路のＯＩと０２を同
一の一端子とし、第１図でＶ ＋ ＝ Ｖ ２とした場
合や、センサの入力部にあたる第１図のＱ．．Ｑ．をＮ
ＰＮトランジスタではなく、ＰＮＰトランジスタを用い
た形式にしても可能である。これらの回路は一般に、第
４図の回路で表すことができる． 第４図に示すように
、二出力の基準電圧回路１からの一方の出力Ｏ，が差動
増幅回路２の負端子一に抵抗Ｒ１を介して入力される．
また、差動増幅回路２の正端子十には基準電圧回路１に
他方の出力０２が入力される。そして、差動増幅回路１
の出力Ｖ。ＵＴと負入力−との間には抵抗Ｒ２を介して
負帰還接続されでいる．そして、本発明はこの差動増幅
回路２の第１及び第２の入力トランジスタの大きさを所
定の比率によって設定されている． また、本発明の温度センサは，その出力に比較器を接続
することにより、ある温度で出力が変化する温度検出装
置にも応用できる． （ト）発明の効果 本発明は、電源電圧変動，素子特性のばらつきよる影響
を押えたので、精度のよい温度センサを実現することが
できる．また、全てＩＣに内蔵でき，外付回路が必要な
くなり、システムとしてもスペースを有効利用できる．
出力○，として出力される．そしてこのエミッタに抵抗
Ｒ？Ｒ．を介して接地された抵抗分割出力が第２の出力
０２として出力される．この回路はよく知られているよ
うに、ＯＩに約１．２ Ｖの電圧を出力するように作ら
れており、この場合、電源電圧変動や、温度変動による
出力０．の変動は、数十ｍＶ程度には押えこまれる．更
に、出力０２をＯｌの抵抗分割出力とした場合、０２の
変動は０１の変動のＲ，／Ｒア＋Ｒ８に押えこまれるこ
とになる． このような構成の他に、基準電圧回路のＯＩと０２を同
一の一端子とし、第１図でＶ ＋ ＝ Ｖ ２とした場
合や、センサの入力部にあたる第１図のＱ．．Ｑ．をＮ
ＰＮトランジスタではなく、ＰＮＰトランジスタを用い
た形式にしても可能である。これらの回路は一般に、第
４図の回路で表すことができる． 第４図に示すように
、二出力の基準電圧回路１からの一方の出力Ｏ，が差動
増幅回路２の負端子一に抵抗Ｒ１を介して入力される．
また、差動増幅回路２の正端子十には基準電圧回路１に
他方の出力０２が入力される。そして、差動増幅回路１
の出力Ｖ。ＵＴと負入力−との間には抵抗Ｒ２を介して
負帰還接続されでいる．そして、本発明はこの差動増幅
回路２の第１及び第２の入力トランジスタの大きさを所
定の比率によって設定されている． また、本発明の温度センサは，その出力に比較器を接続
することにより、ある温度で出力が変化する温度検出装
置にも応用できる． （ト）発明の効果 本発明は、電源電圧変動，素子特性のばらつきよる影響
を押えたので、精度のよい温度センサを実現することが
できる．また、全てＩＣに内蔵でき，外付回路が必要な
くなり、システムとしてもスペースを有効利用できる．
第１図は本発明の基本的構成を示す回路図、第２図はそ
の回路の温度と電圧との関係を示す特製図、第３図は本
発明の具体的な一実施例を示す回路図、第４図は本発明
の他の実施例の回路図である． 第５図ないし第７図は夫々従来装置を示す回路図である
． ｌ・・・基準電圧回路、２・・・差動増幅回路、Ｑ２・
・・第ｌの入力トランジスタ、Ｑ４・・・第２の入力ト
ランジスタ． 第 ５ 図 ｉ’ｉ ６ 口 第 ７ 図
の回路の温度と電圧との関係を示す特製図、第３図は本
発明の具体的な一実施例を示す回路図、第４図は本発明
の他の実施例の回路図である． 第５図ないし第７図は夫々従来装置を示す回路図である
． ｌ・・・基準電圧回路、２・・・差動増幅回路、Ｑ２・
・・第ｌの入力トランジスタ、Ｑ４・・・第２の入力ト
ランジスタ． 第 ５ 図 ｉ’ｉ ６ 口 第 ７ 図
Claims (1)
- （１）二出力の基準電圧回路と、この基準電圧回路の二
出力が入力される差動増幅回路と、を備え、前記基準電
圧回路の一方の出力が抵抗を介して前記差動増幅回路の
第１の入力トランジスタに入力され、前記基準電圧回路
の他方の出力が第２の入力トランジスタに入力され、前
記差動増幅回路の出力と第１の入力トランジスタ間が抵
抗を介して帰還接続されていると共に、前記第１と第２
のトランジスタの大きさを所定の比率でもって設定した
ことを特徴とするＩＣ温度センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001793A JP2749925B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Ｉｃ温度センサ |
| US07/623,206 US5094546A (en) | 1990-01-09 | 1990-12-06 | Ic temperature sensor with reference voltages supplied to transistor bases |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001793A JP2749925B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Ｉｃ温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206928A true JPH03206928A (ja) | 1991-09-10 |
| JP2749925B2 JP2749925B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=11511454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001793A Expired - Fee Related JP2749925B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Ｉｃ温度センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5094546A (ja) |
| JP (1) | JP2749925B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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