JPH03206055A - 液晶化合物及び液晶組成物 - Google Patents
液晶化合物及び液晶組成物Info
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- JPH03206055A JPH03206055A JP78390A JP78390A JPH03206055A JP H03206055 A JPH03206055 A JP H03206055A JP 78390 A JP78390 A JP 78390A JP 78390 A JP78390 A JP 78390A JP H03206055 A JPH03206055 A JP H03206055A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は液晶表示装置に用いられるネマチック液晶組成
物の成分として有用な新規液晶化合物および該液晶化一
フ物を含有する液晶組戒物に関する［発明の概要］ 本発明は一般式 Ｒ←咄κ←Ｏ Ｈ， Ｏ Ｈ， −Ｑ−Ｆ
（＋１？ （上式中、Ｒは炭素原子数が１〜１０の直鎖アルキル基
、ルは１又は２を示す。）で表わされることを特徴とす
る液晶化合物であり、ネマチック一等方性液体相転移点
（Ｎ一工点）が比較的高く、かつ複屈折（Δル）が小さ
い特徴を有する。
物の成分として有用な新規液晶化合物および該液晶化一
フ物を含有する液晶組戒物に関する［発明の概要］ 本発明は一般式 Ｒ←咄κ←Ｏ Ｈ， Ｏ Ｈ， −Ｑ−Ｆ
（＋１？ （上式中、Ｒは炭素原子数が１〜１０の直鎖アルキル基
、ルは１又は２を示す。）で表わされることを特徴とす
る液晶化合物であり、ネマチック一等方性液体相転移点
（Ｎ一工点）が比較的高く、かつ複屈折（Δル）が小さ
い特徴を有する。
したがって、本発明の液晶化物と他の液晶化合物を混合
することにより実用温度範囲が広く、かつ視角範囲の広
い液晶組或物を得ることができる［従来の技術］ 従来より最も広く用いられている捩れたネマチソク型（
ＴＮ型）およびスーパーツイステクドネマチノク型（Ｓ
ＴＮ型）の液晶表示装置に要求される特性には （１＋ 着色がなく、熱，光，電気的，化学的に安定
なこと。
することにより実用温度範囲が広く、かつ視角範囲の広
い液晶組或物を得ることができる［従来の技術］ 従来より最も広く用いられている捩れたネマチソク型（
ＴＮ型）およびスーパーツイステクドネマチノク型（Ｓ
ＴＮ型）の液晶表示装置に要求される特性には （１＋ 着色がなく、熱，光，電気的，化学的に安定
なこと。
（２） 実用温度範囲が広いこと。
｛３｝ 電圧一光透過率特性のしきい値電圧（ ｖｔ
ｈ）が低く、その温度依存性が小さいこと。
ｈ）が低く、その温度依存性が小さいこと。
（４） 視角範囲が広いこと。
（５） 応答速度が速いこと。
ノエどが掲げられる。
これらの特性のうち（１）を満足する液晶化合物は多数
存在するが、（２）以下の特性を単一成分で満足させる
液晶化合物は知られていない。そこで、これらの特性を
得るために複数のネマチノク液晶化合物又はその類似化
合物を混合した液晶組戊物を用いて℃・る。
存在するが、（２）以下の特性を単一成分で満足させる
液晶化合物は知られていない。そこで、これらの特性を
得るために複数のネマチノク液晶化合物又はその類似化
合物を混合した液晶組戊物を用いて℃・る。
［発明が解決しようとする課Ｎ］
液晶組戒物の実用温度範囲は一般的には−２０℃〜６０
℃であるが、最近では更に広温度範囲が要求されている
。また，ｖｔｈは誘電率異方性（Δε）が正で大きな液
晶化合物を混合することにより下げられるが、従来のΔ
εの大きな化合物はＮ−工点が低いものが多く、か一つ
ｖｔｂの温度依存性も大きかった。次に、視角範囲はΔ
ｎｆ（小さくすることにより改良されるが、従来のこの
種の液晶化合物は｛２｝および（３）の特性に難点があ
った。
℃であるが、最近では更に広温度範囲が要求されている
。また，ｖｔｈは誘電率異方性（Δε）が正で大きな液
晶化合物を混合することにより下げられるが、従来のΔ
εの大きな化合物はＮ−工点が低いものが多く、か一つ
ｖｔｂの温度依存性も大きかった。次に、視角範囲はΔ
ｎｆ（小さくすることにより改良されるが、従来のこの
種の液晶化合物は｛２｝および（３）の特性に難点があ
った。
さらに、（３１ ， （４１ ，および電圧一光透過率
特性の急峻性は時分割駆動の容量に関係しており、｛２
｝〜（４）の特性が良好な液晶化合物は高時分割駆動に
極めて有用である。
特性の急峻性は時分割駆動の容量に関係しており、｛２
｝〜（４）の特性が良好な液晶化合物は高時分割駆動に
極めて有用である。
そこで、本発明の目的はＮ一工点が高く、Δεが正で大
きく、かつΔｎの小さい液晶化合物を提供することにあ
り、また、本発明の他の目的は該欣晶化合物と他の液晶
化合物を混合することにより実用温度範囲が広く、ｖｔ
ｈが低く、視角範囲が広く、高時分割駆動が可能な液晶
組戊物欠提供することにある。
きく、かつΔｎの小さい液晶化合物を提供することにあ
り、また、本発明の他の目的は該欣晶化合物と他の液晶
化合物を混合することにより実用温度範囲が広く、ｖｔ
ｈが低く、視角範囲が広く、高時分割駆動が可能な液晶
組戊物欠提供することにある。
Ｌ課題を解決するための手段］
本発明は一般式
Ｒや劇猾七）− ０ Ｈ２Ｃ Ｈ２−Ｑ− Ｆ
（１１Ｆ （上式中，Ｒは炭素原子数が１〜１０の直鎖アノレキル
基、ルは１又は２を示す。）で表わされることを特徴と
する液晶化合物であり、例えば次に示す製造方法により
得ることができる。即ち、Ｒモ（財），Ｅ−＠−ＣＨ２
０ Ｈ２↑ＦＦ （１） （上式中、Ｒは炭素原子数が、１〜１０の直鎖アルキル
基、ルは１又は２を示す。） ステノブ１では化合物（２）と３，４−ジフルオ口フエ
ニル酢酸クロライド（３）をａｓ２中でｐ．ｔｃｔ，＊
触媒に用いてＦｒｉｅｄｅｌ − Ｃ！ｒａｆｔｓ
反応させて化合物｛４｝を得る。ステップ２では化合物
（４）をジエチレングリコール（ＤＥＧ）中でＨ２Ｎ
−Ｎ Ｈ， − Ｈ２０とＫＯＨを用いてＷｏｌｆ−Ｋ
ｉｓｃｈｎｅｎ還元により本発明の液晶化合物｛１｝を
得る。
（１１Ｆ （上式中，Ｒは炭素原子数が１〜１０の直鎖アノレキル
基、ルは１又は２を示す。）で表わされることを特徴と
する液晶化合物であり、例えば次に示す製造方法により
得ることができる。即ち、Ｒモ（財），Ｅ−＠−ＣＨ２
０ Ｈ２↑ＦＦ （１） （上式中、Ｒは炭素原子数が、１〜１０の直鎖アルキル
基、ルは１又は２を示す。） ステノブ１では化合物（２）と３，４−ジフルオ口フエ
ニル酢酸クロライド（３）をａｓ２中でｐ．ｔｃｔ，＊
触媒に用いてＦｒｉｅｄｅｌ − Ｃ！ｒａｆｔｓ
反応させて化合物｛４｝を得る。ステップ２では化合物
（４）をジエチレングリコール（ＤＥＧ）中でＨ２Ｎ
−Ｎ Ｈ， − Ｈ２０とＫＯＨを用いてＷｏｌｆ−Ｋ
ｉｓｃｈｎｅｎ還元により本発明の液晶化合物｛１｝を
得る。
本発明の液晶化合物を他の液晶化合物と混合して液晶組
或物を作る場合には、相手の液晶化合物は特定のものに
限定されることなくあらゆる系列の液晶化合物と良好な
相客性を有し、その特性を発揮する。また、本発明の液
晶化合物を混合できる割合は１〜５０重量％の範囲であ
るが、より好ましくは５〜６０重量％である。
或物を作る場合には、相手の液晶化合物は特定のものに
限定されることなくあらゆる系列の液晶化合物と良好な
相客性を有し、その特性を発揮する。また、本発明の液
晶化合物を混合できる割合は１〜５０重量％の範囲であ
るが、より好ましくは５〜６０重量％である。
［実施例コ
以下、実施例と応用例とにより本発明を更に詳しく説明
する。
する。
（実施例１）
１−［４’−（｝ランスー４〃−ブロビルシクロヘキシ
ル）フエニル］−２−（５’ ，４’−ジフルオロフエ
ニル）エタンの製造方法 ステップ１ ａｓ２４Ｑｃ，４とｋｔｃｔ，３．５ ｆ （ ０．０
２ ６モル）を攪拌しなから３，４−ジンルオロフエ
ニル酢酸クロライド３． ８ ｒ （ ０． ０ ２モ
ル）を滴下した。この混合物を水冷攪拌下に４−（トラ
ンス−４′プロビルシクロヘキシル）ベンゼン４． Ｏ
ｒ （ ０． ０２モル）を滴下した。滴下後、水冷
下に２時間攪拌した。反応物ｅ氷水中に注ぎクロロホル
ムで抽出し、１０％ＨＣｔおよび水で洗浄した。この溶
液中の溶媒を留去し、残渣をアセトンとメタノールの混
合溶媒から再結晶して２ （ Ｓ／ ， ４／ジフルオ
ロフエニル）−４’−（｝ランスー４ ／／ブロビルシ
クロヘキシル）アセトフエノン５７ｉｉｉ’ （ ０．
０ １ ６モル）を得た。
ル）フエニル］−２−（５’ ，４’−ジフルオロフエ
ニル）エタンの製造方法 ステップ１ ａｓ２４Ｑｃ，４とｋｔｃｔ，３．５ ｆ （ ０．０
２ ６モル）を攪拌しなから３，４−ジンルオロフエ
ニル酢酸クロライド３． ８ ｒ （ ０． ０ ２モ
ル）を滴下した。この混合物を水冷攪拌下に４−（トラ
ンス−４′プロビルシクロヘキシル）ベンゼン４． Ｏ
ｒ （ ０． ０２モル）を滴下した。滴下後、水冷
下に２時間攪拌した。反応物ｅ氷水中に注ぎクロロホル
ムで抽出し、１０％ＨＣｔおよび水で洗浄した。この溶
液中の溶媒を留去し、残渣をアセトンとメタノールの混
合溶媒から再結晶して２ （ Ｓ／ ， ４／ジフルオ
ロフエニル）−４’−（｝ランスー４ ／／ブロビルシ
クロヘキシル）アセトフエノン５７ｉｉｉ’ （ ０．
０ １ ６モル）を得た。
ステップ２
２ （’３／，４／−ジフルオ口フエニル）−４′−
（トランス−４７−ブロビルシク口ヘキシル）アセトフ
エノン５． ７ Ｓ’ （ ０． ０ １ ６モル），
Ｍ水ヒドラジン２． ４ ｒ （ ０． ０ ４ ８モ
ル），ｘｏＨ２．１ｒ（ ｏ． ０ ３ ２モル）オヨ
ヒシエチレングリコール８０ ｃｒｌを１９０−２００
℃で５時間攪拌した。反応物を水２００−に注ぎクロロ
ホルムで抽出し、水で洗浄した。この溶液中のクロロホ
ルムを留去し、残渣をメタノールから再結晶して１−［
４’（トランス−４“−プロビルシクロヘキシル）フｘ
二ｋコ−２−（ ３’ ＃ ４’ −ジフルオ口フエニ
ル）エタン（ ０． ０ ０ ７モル）を得た。この化
合物の相転移点ｆｆ：ＤＳＣを用いて測定した結果は次
のとうりであった。
（トランス−４７−ブロビルシク口ヘキシル）アセトフ
エノン５． ７ Ｓ’ （ ０． ０ １ ６モル），
Ｍ水ヒドラジン２． ４ ｒ （ ０． ０ ４ ８モ
ル），ｘｏＨ２．１ｒ（ ｏ． ０ ３ ２モル）オヨ
ヒシエチレングリコール８０ ｃｒｌを１９０−２００
℃で５時間攪拌した。反応物を水２００−に注ぎクロロ
ホルムで抽出し、水で洗浄した。この溶液中のクロロホ
ルムを留去し、残渣をメタノールから再結晶して１−［
４’（トランス−４“−プロビルシクロヘキシル）フｘ
二ｋコ−２−（ ３’ ＃ ４’ −ジフルオ口フエニ
ル）エタン（ ０． ０ ０ ７モル）を得た。この化
合物の相転移点ｆｆ：ＤＳＣを用いて測定した結果は次
のとうりであった。
ＯｓＨｑ． ｅ−ｏ−ＣＨ２”Ｈ２ ＋ＦＦ
７５４℃ １ ４５℃
Ｃ！ Ｎ−一呻 工（ここで、Ｃ
は結晶、Ｎはネマチック相、工は等方性液体を表わす。
は結晶、Ｎはネマチック相、工は等方性液体を表わす。
）
（実施例２）
１−（４’−［ｈランスー４“−（トランス−４“−ブ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルコフエニル−２
−（ ５’ ，４’ −ジフルオロフエニル）エタン
の製造方法。
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルコフエニル−２
−（ ５’ ，４’ −ジフルオロフエニル）エタン
の製造方法。
ステップ１
ＯＳ，６０７とＡｔＣｔ３４．５グ（ｏ．ｏｚ６モル）
を攪拌しなから３，４−ジフルオ口フエニル６１クロラ
イド３． ８ ｒ （ ０． ０ ２モル）を滴下した
。この混合物２氷冷攪拌下に４−［トランス−４′−（
トランス−４“−プロビルシクロヘキシル）シクロへキ
シル］ベンゼン５． ７ ｒ （ ０． ０ ２モル）
ヲ滴下した。滴下後、水冷下に２時間攪拌した。反応物
を氷水中に注ぎ、クロロホルムで抽出し、１０％ＨＯｔ
および水で洗浄した。この抽出液中の溶媒を留去し、残
渣をクロロホルムとアセトンの混合溶媒から再結晶して
４’ −［ ｝ランスー４“−（ ｝ランスー４″′一
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（５
’ ，４’−ジフルオロフエニル）アセトフエノン４．
５ ｙ （ ｏ． ｏ １モル）を得た。
を攪拌しなから３，４−ジフルオ口フエニル６１クロラ
イド３． ８ ｒ （ ０． ０ ２モル）を滴下した
。この混合物２氷冷攪拌下に４−［トランス−４′−（
トランス−４“−プロビルシクロヘキシル）シクロへキ
シル］ベンゼン５． ７ ｒ （ ０． ０ ２モル）
ヲ滴下した。滴下後、水冷下に２時間攪拌した。反応物
を氷水中に注ぎ、クロロホルムで抽出し、１０％ＨＯｔ
および水で洗浄した。この抽出液中の溶媒を留去し、残
渣をクロロホルムとアセトンの混合溶媒から再結晶して
４’ −［ ｝ランスー４“−（ ｝ランスー４″′一
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（５
’ ，４’−ジフルオロフエニル）アセトフエノン４．
５ ｙ （ ｏ． ｏ １モル）を得た。
ステップ２
４’ −［ ｝ランスー４“一（トランス−４″′一プ
ロビルシク口ヘキシル）シクロヘキシノレコ−２−（５
’，４’−ジフルオ口フエニル）アセトフエノン４．
５ ｆ （ ０． ０ １モル）、抱水ヒドラジン１．
５ ｆ （ ０． ０ ５モル） ｌ Ｋ Ｏ Ｈ １
． ｓ ｙ （ ｏ． ０ ２モル）およびジエチレン
グリコール１００ＣＪを１９０−２００℃で８時間攪拌
した。反応物を水３０Ｏｄ中に注ぎ、クロロホルムで抽
出し、水で洗浄した。この抽出液中のクロロホルムを留
去し、残渣をアセトンから再結晶して１−｛４’−［｝
ランスー４“一（トランス−４″′−ブロビルシク口ヘ
キシル）シクロへキシル］フエニル｝−２−（３’４′
−ジフルオ口フエニル）エタン２． Ｏ ｆｆ （ ０
．００４７モル）を得た。この化合物の相転移温度をＤ
ＳＯで測定した結果は次のとうりであった。
ロビルシク口ヘキシル）シクロヘキシノレコ−２−（５
’，４’−ジフルオ口フエニル）アセトフエノン４．
５ ｆ （ ０． ０ １モル）、抱水ヒドラジン１．
５ ｆ （ ０． ０ ５モル） ｌ Ｋ Ｏ Ｈ １
． ｓ ｙ （ ｏ． ０ ２モル）およびジエチレン
グリコール１００ＣＪを１９０−２００℃で８時間攪拌
した。反応物を水３０Ｏｄ中に注ぎ、クロロホルムで抽
出し、水で洗浄した。この抽出液中のクロロホルムを留
去し、残渣をアセトンから再結晶して１−｛４’−［｝
ランスー４“一（トランス−４″′−ブロビルシク口ヘ
キシル）シクロへキシル］フエニル｝−２−（３’４′
−ジフルオ口フエニル）エタン２． Ｏ ｆｆ （ ０
．００４７モル）を得た。この化合物の相転移温度をＤ
ＳＯで測定した結果は次のとうりであった。
０，Ｈ，−８−６−＠−ＯＨ，ＯＨ２−Ｑ−ＦＦ
４１．１℃ １３８．８’０ ２１３．５
’ＯＣ Ｓ Ｎ
エ（ここで、Ｃは結晶、Ｓはスメ
クチック相、Ｎはネマチック相、工は等方性液体を表わ
す。）（応用例１） 市販の液晶組戒物ｚＬ工−１５６５（メルク社製）に本
発明の化合物１−［４’−（ｈランスー４“−フ゜ロビ
ルシクロヘキシル）フエニルコ−２−（ ３’ ，４
’−ジフルオ口フエニル）エタンを混合した［Ｑ晶組成
物Ａ］を作った。この液晶組或物のＮ−１点およびΔｒ
Ｌを測定した。また、セル厚９μｍのＴＮ型赦晶セルに
この組或物を封入し、電圧一 ［液晶組戒物Ａ］ ＺＬエー１ ５ ６−５ ９ ０重量％Ｃ
３Ｈアー０遥←ＯＨ２０Ｈ２−Ｑ−Ｆ １ ０
／／Ｆ 透過光特性のｖｔｈ，視角依存性α、急峻性β、および
１／３デューティ１／３バイアスでの電圧マージンＭｆ
ｆ：測定した。なお，ｖｔｈ，α，βおよびＭは次式で
定義した。以上の結果を第１表ｖｔｈ＝ｖ，０ および ＶＯＯ （Ｖ） ここで、１０および９０は光透過率１０、および９０％
、Ｔは温度、φは視角（正面な０°）を表わす。
’ＯＣ Ｓ Ｎ
エ（ここで、Ｃは結晶、Ｓはスメ
クチック相、Ｎはネマチック相、工は等方性液体を表わ
す。）（応用例１） 市販の液晶組戒物ｚＬ工−１５６５（メルク社製）に本
発明の化合物１−［４’−（ｈランスー４“−フ゜ロビ
ルシクロヘキシル）フエニルコ−２−（ ３’ ，４
’−ジフルオ口フエニル）エタンを混合した［Ｑ晶組成
物Ａ］を作った。この液晶組或物のＮ−１点およびΔｒ
Ｌを測定した。また、セル厚９μｍのＴＮ型赦晶セルに
この組或物を封入し、電圧一 ［液晶組戒物Ａ］ ＺＬエー１ ５ ６−５ ９ ０重量％Ｃ
３Ｈアー０遥←ＯＨ２０Ｈ２−Ｑ−Ｆ １ ０
／／Ｆ 透過光特性のｖｔｈ，視角依存性α、急峻性β、および
１／３デューティ１／３バイアスでの電圧マージンＭｆ
ｆ：測定した。なお，ｖｔｈ，α，βおよびＭは次式で
定義した。以上の結果を第１表ｖｔｈ＝ｖ，０ および ＶＯＯ （Ｖ） ここで、１０および９０は光透過率１０、および９０％
、Ｔは温度、φは視角（正面な０°）を表わす。
にまとめて示した。
第 １ 表
（応用例２）
応用例１と同様にしてＺＬ工−１’５６５に本発明の化
合物１−（４’−［｝ランスー４“一（トランスー４″
′−ブロビルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フエニ
ル）−２−（３’ ，４’−ジフルオロフエニル）エタ
ンを混合した［液晶組戒物Ｂ］を作り応用例１と同じ特
性を測定した結果を第２表に示した。
合物１−（４’−［｝ランスー４“一（トランスー４″
′−ブロビルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フエニ
ル）−２−（３’ ，４’−ジフルオロフエニル）エタ
ンを混合した［液晶組戒物Ｂ］を作り応用例１と同じ特
性を測定した結果を第２表に示した。
［液晶組戒物Ｂコ
ＺＬ工−１ ５６５ ９０ｍ量％０３Ｈ
７→トＯイ←ＯＨ２ ０Ｊ ＋Ｘ’ １ ０
ｐＦ 第 ２ 表 ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の液晶化合物はＮ一工点が比較
的高く、Δルが小さく、Δεが大きいことがわかった。
７→トＯイ←ＯＨ２ ０Ｊ ＋Ｘ’ １ ０
ｐＦ 第 ２ 表 ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の液晶化合物はＮ一工点が比較
的高く、Δルが小さく、Δεが大きいことがわかった。
また、本発明の化合物を従来の液晶化合物と混合して得
られた液晶組戒物は視角が広く、かつ汀Ｎ型、又はＳＴ
Ｎ型の液晶表示装置において高時分割駆動が可能である
ことが確認できた。
られた液晶組戒物は視角が広く、かつ汀Ｎ型、又はＳＴ
Ｎ型の液晶表示装置において高時分割駆動が可能である
ことが確認できた。
したがって、本発明の液晶化合物はＴＮ型又はＳＴＮ型
の液晶表示装置に用いられる液晶化合物として極めて有
用である。
の液晶表示装置に用いられる液晶化合物として極めて有
用である。
以上
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （上式中、Ｒは炭素原子数が１〜１０の直鎖アルキル基
、ｎは１又は２を示す。） で表わされることを特徴とする液晶化合物。 - （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （上式中、Ｒは炭素原子数が１〜１０の直鎖アルキル基
、ｎは１又は２を示す。） で表わされる液晶化合物を少なくとも一成分含有するこ
とを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP78390A JPH03206055A (ja) | 1990-01-06 | 1990-01-06 | 液晶化合物及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP78390A JPH03206055A (ja) | 1990-01-06 | 1990-01-06 | 液晶化合物及び液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206055A true JPH03206055A (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11483297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP78390A Pending JPH03206055A (ja) | 1990-01-06 | 1990-01-06 | 液晶化合物及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206055A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0449288A2 (de) * | 1990-03-28 | 1991-10-02 | MERCK PATENT GmbH | Phenylethane und flüssigkristallines Medium |
-
1990
- 1990-01-06 JP JP78390A patent/JPH03206055A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0449288A2 (de) * | 1990-03-28 | 1991-10-02 | MERCK PATENT GmbH | Phenylethane und flüssigkristallines Medium |
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