JPH03204962A

JPH03204962A - Ｉｃパッケージの製造方法

Info

Publication number: JPH03204962A
Application number: JP34369289A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Saito; 斉藤　茂夫
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1989-12-29
Filing date: 1989-12-29
Publication date: 1991-09-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はＩＣパッケージの製造方法に関する。

［従来の技術］従来より、ＩＣパッケージの基板主面上に形成された配
線部、および裏面に形成された出力端子にメッキ（Ｎｉ
およびＡｕメッキ）を施す場合、内部配線からパッケー
ジの側面にメッキ引出線を引き出し、そのメッキ引出線
を介して配線部や出力端子の導通を取る方法がある。

ところが、このような方法では、基板内でメッキ引出線
が多層に亘って交差するため、キャパシタンス、インダ
クタンス、およびクロストークが形成されて電気特性が
悪くなる。また、製品としてのバフケージ側面にメッキ
引出線が露出するため、絶縁不良となる等の問題があっ
た。

そこで、例えば、基板の裏面に出力端子として突起電極
が形成されたＩＣパッケージては、メ・・ｌキ引出線が
多層に亘って交差しない以下のような方法か考えられる
。

基板には、基板の主面上から裏面まで貫通する１本のメ
ッキ引出線が形成され、主面上で、基板の主面上外周部
に設けられるシールリング（パッケージに搭載される半
導体素子を気密に封止するためのキャップを支持するも
の）と電気的に接続されている。

まず、メッキの前工程で、パッケージに付着した汚れ（
エツチングに使用したレジストの残りなど）を除去する
ため、プラズマアッシャによる洗浄が行われる。

そして、基板の裏面に、突起電極を覆ってメッキ引出線
と突起電極とを電気的に接続させる薄膜（蒸着やスパッ
タなどで形成）が形成され、さらに、その薄膜上に、絶
縁性樹脂によるマスキングが行われる。

そして、シールリンクを導通させ゛Ｃ，基板主面上に形
成された配線部、およびシールリングのメッキを行う。

この時、基板裏面側はマスキングに覆われているためメ
ッキされない。

主面側のメッキか終了した後、裏面側のマスキングを除
去し、さらにエツチングにより薄膜を除去する。

次に、裏面側と同様の方法で、メッキが施された主面上
に薄膜を形成し、マスキングを施した後、シールリング
を導通させて基板裏面に形成された突起電極のメッキを
行う。

裏面側のメッキが終了した後、主面側のマスキングおよ
び薄膜をエツチングによって除去し、熱処理を行って完
了する。

［発明が解決しようとする課題］しかるに、上述のように、基板の主面側と裏面側とのメ
ッキを交互に行う従来の方法では、メッキ工程が複雑で
工数が多くなることから、工期が長くなり、その結果、
製品コストが高くなるとともに、製品歩留まりが悪くな
るなどの課題を有していた。

本発明は、上記事情に基づいてなされたもので、その目
的は、メ・ソキ工程を簡略化して工数を少なくすること
により、コストを抑え、かつ製品歩留まりを向上させる
ことのできるＩＣパッケージの製造方法を提供すること
にある。

［課題を解決するための手段］本発明は上記目的を達成するために、基板の主面上に形
成された導体部、および該導体部と電気的に接続されて
前記基板の裏面に形成された突起電極に、前記基板の主
面から裏面まで引き出されたメッキ引出線を介して導通
を取ることによりメッキを施すＩＣパッケージの製造方
法であって、前記メッキは、次の各工程により行われる
ことを技術的手段とする。

前記基板の裏面に、前記突起電極を覆って、前記基板の
裏面丈で引き出された前記メッキ引出線と前記突起電極
とを電気的に接続させる金属膜を形成する第一工程、該
金属膜上にホトレジスト（感光剤）を塗布した後、露光
および現像工程を経て、前記突起電極を覆う前記ホトレ
ジストを除去する第二工程、前記メッキ引出線を介して
導通を取ることにより、前記導体部と前記突起電極とに
、同時にメッキを施す第三工程、残りの前記ホトレジス
トおよび不要部の前記金属膜を除去する第四工程。

［作用］上記構成よりなる本発明のＩＣパッケージの製造方法は
、以下の作用を有する。

基板の裏面に、突起電極を覆っ°Ｃ金属膜を形成するこ
とにより、基板の裏面に露出するメッキ引出線と突起電
極とが金属膜によって電気的に接続される。その金属膜
は、突起電極部分のみ露出した状態で、ホトレジストに
よって覆われる。

従って、メッキを行った場合に、基板の裏面では、ホト
レジストに覆われていない突起電極のみメッキが施され
ることになる。

そして、突起電極は、基板の主面上に形成された導体部
とそれぞれ電気的に接続されているため、メッキ引出線
を介して導通をとり、メッキを行うことにより、導体部
と突起電極とに、同時にメ・・ｌキを施すことかできる
。

［発明の効果］」二足作用を有する本発明では、基板の主面側と裏面側
とを同時に、−回でメッキすることか′できるため、メ
ッキ工程が簡略化されて工数を少なくするにとかて゛き
る。

その結果、基板の主面側と裏面側とのメッキを交互に行
う従来のＩＣパッケージと比較して、工期を短縮するこ
とができ、製品コストの低減、および製品歩留まりの向
上を実現することができる。

［実施例］次に、本発明のＩＣパッケージの製造方法を図面に示す
一実施例に基つき説明する。

第１図はＩＣパッケージの斜視図であり、第２図ないし
第５図はＩＣパッケージのメッキ工程を示す説明図であ
る。

本実施例のＩＣパッケージ１は、ＩＣチップ（集積回路
が形成された半導体素子、図示しない）が搭載さｉする
セラミック製の多層基板（以下基板と呼ぶ）２を備える
。

この基板２は、アルミナを主原料として作成された多数
のグリーンシートを積層して、加湿雰囲気の水素炉中で
高温焼成して得られる。

焼成前の各グリーンジーＩ〜には、ＷやＭＯなどの導体
ペーストがスクリーン印刷されるとともに、適宜ピアホ
ール３の打ち抜き孔が形成され、該孔内に、上記の導体
ペーストが充填されている。

そして、グリーンシートの焼結により、上記導体ペース
トがメタライズされて、基板２の各層に内部配線４が形
成されるとともに、その各内部配線４を接続するピアホ
ール３が形成される。

また、基板２には、基板２を貫通する１本のメッキ引出
線（後述する）５が設けられている。このメッキ引出線
５は、各グリーンシートの同位置に打ち抜いた孔内に上
記の導体ペーストを充填し、内部配線４およびピアホー
ル３と同様に、グリーンシートの焼結によりメタライズ
されて得られる。

ＩＣチップが搭載される基板２の主１面上には、ＩＣチ
ップの各電極とワイヤボンデインクなどで電気的に接続
される多数の配線部（本発明の導体部）６、およびＩＣ
チップがマウントされるマウンｌ〜部（本発明の導体部
）７が形成され、裏面には、上記の内部配線４およびピ
アホール３を介して、各配線部６およびマウント部７と
それぞれ電気的に接続された多数の突起電極（バンプ電
極）８が形成されている。なお、配線部６およびマウン
ト部７は、下層から順にＴｉ、Ｍｏ、Ｃｕの各薄膜をス
パッタリングで形成し、さらにＣｕメッキ（厚さ１０μ
）を順に施した後、パターン露光、現像、およびエツチ
ングを経て形成される。

また、突起電極８は、Ｗの導体ペーストをスクリーン印
刷して形成され、外表面にＮｉメッキ（厚さ２μ）およ
びＣｕメッキ（厚さ１０μ）が順に施されている。

基板２には、基板２に搭載したＩＣチップを気密に封止
するためのキャップ（図示しない）が被せられるため、
基板２の主面上外周部に、そのキャップを支持するため
のコバール製シールリング９がろう付けされている。

上記したメッキ引出線５は、基板２の主面上でシールリ
ング９と接続され、基板２の裏面で、その裏面に形成さ
れた導体突起部（蒸着、スパッタ、あるいはスクリーン
印刷などの方法で形成）１０と接続されている。

このＩＣパッケージ１には、ＩＣチップの搭載やワイヤ
ボンディングを確実に行うため、および耐蝕防止等のた
めに、ＮｉメッキおよびＡｕメッキの仕上げメッキ（第
５図参照）１１が行われる。

以下に、この仕上げメッキ工程を、第２図ないし第５図
を参照して説明する。

■まず、プラズマアッシャ（図示しない）による基板２
の洗浄（０２、ＣＦ４などのイオン化ガスを吹き付ける
）を行った後、第２図に示すように、基板２の裏面全面
に、導体突起部１０および各突起電極８を覆って、厚さ
０．５μのＣｕの薄膜（本発明の金属膜）１２をスパッ
タリングにより形成する（本発明の第一工程）。これに
より、導体突起部１０と各突起電極８とが、薄膜１２を
介して電気的に接続される。

■次に、その薄膜１２上に、ホトレジスト（感光剤）１
３を２〜４μの厚さで塗布し、図示しないホトマスクを
介してパターン露光を行った後、現像工程を経て、第３
図に示すように、各突起電極８部分のみホトレジスト１
３を除去する（本発明の第二工程）。

■そして、シールリング９を導通させ゛Ｃ５第４図に示
ずように、ＩＣパッケージ１の仕上げメッキ１１を行う
（本発明の第三工程）９ここて、基板２の裏面は、各突起電極８部分のみ薄膜１
２が露出した状態で、残りはホトレジスト１３によって
覆われている。従って、仕上げメッキ１１を行った場合
に、基板２の裏面では、ホトレジスト１３に覆われてい
ない突起電極８のみメ・・ｌキが施されることになる。

また、基板２主面上の各配線部６およびマウント部７は
、内部配線４およびピアホール３を介して基板２裏面の
各突起電極８と電気的に接続されており、その各突起電
極８は、薄膜１２を介してメンキ引出線５に接続された
導体突起部１０と電気的に接続されている。

その結果、メッキ引出線５が接続されたシールリンク９
より導通を取ってメッキを行うことにより、各配線部６
、マウント部７、各突起電極８、およびシールリング９
に、同時に仕上げメッキ１１を施すことができる。

仕上げメッキ１１は、Ｎｉメッキ（２μ）、Ａｕメッキ
（４μ）の順に行われる。

なお、シールリング９より導通を取る代わりに、基板２
主面上に配線部６の一部と接続するメッキ端子部（図示
しない〉を配線部６と同時に形成し、このメッキ端子部
より導通を取っても良い。このようにすれば、シールリ
ング９にメッキ接点の跡が残らないので、シール後の気
密性が良好となる。

■最後に、基板２裏面のホトレジスト１３を除去した後
、エツチングにより不要部の薄膜１２を除去し、熱処理
を行って終了する（第５図参照）。

このように、本実施例によれば、基板２の主面側と裏面
側とを同時に、−回でメッキを施すことができるため、
メッキＥ程が簡略化されてＦ数分少なくすることができ
る。

その結果、基板の主面側と裏面側とのメッキを交互に行
う従来のＩＣパッケージと比較して、１期が短縮されて
製品コストを下げることができるとともに、製品歩留ま
りを向上させることができる。例えば、上記した従来の
メッキ工程では、工数が１４４時間、１期が５〜６日間
、歩留まりが８１％であったのが、本実施例で示したメ
ッキ工程によれば、工数が１００時間、１期が２〜３日
間、歩留まりが８７．５％となり、それぞれ従来と比較
して改善することができた。

なお、本発明の金属膜としてＣｕの薄膜１２を示したが
、これに限定する必要はなく、Ｔｉ、Ｃｒ等でも良い。

あるいは、Ｃｕ−Ｔｉ、Ｃｒ等の複数の薄膜を積層して
も良い。

また、基板２主面上に形成される配線部６も、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ｃｕの薄ｌｌ！１１２ｆｌＩ成に限定されるもので
はない。

上記実施例で示した数値（薄膜１２、ホトレジスト１３
、仕上げメッキ１１の厚み）は−例であり、これらの数
値に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図はＩＣパッケージの斜視図、第２図ないし第５図
はＩＣパッケージのメッキ、ｒ程を示す説明図である。図中１・・・ＩＣパッケージ２・・・基板５・・・メッキ引出線６・・・配線部（導体部）７・・・マウント部（本発明の導体部）８・・・突起電
極１１・・・仕上げメッキ（Ｎｉ／′Ａｕメッキ）１２・
・・薄膜（金属ＷＡ）１３・・・ホトレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板の主面上に形成された導体部、および該導体
部と電気的に接続されて前記基板の裏面に形成された突
起電極に、前記基板の主面から裏面まで引き出されたメ
ッキ引出線を介して導通を取ることによりメッキを施す
ＩＣパッケージの製造方法であって、前記メッキは、次の各工程により行われることを特徴と
するＩＣパッケージの製造方法。（ａ）前記基板の裏面に、前記突起電極を覆って、前記
基板の裏面まで引き出された前記メッキ引出線と前記突
起電極とを電気的に接続させる金属膜を形成する第一工
程、（ｂ）該金属膜上にホトレジスト（感光剤）を塗布した
後、露光および現像工程を経て、前記突起電極を覆う前
記ホトレジストを除去する第二工程、（ｃ）前記メッキ
引出線を介して導通を取ることにより、前記導体部と前
記突起電極とに、同時にメッキを施す第三工程、（ｄ）残りの前記ホトレジストおよび不要部の前記金属
膜を除去する第四工程。