JPH03202408A - 高炉へのフラックスの吹込み方法 - Google Patents
高炉へのフラックスの吹込み方法Info
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- JPH03202408A JPH03202408A JP34186589A JP34186589A JPH03202408A JP H03202408 A JPH03202408 A JP H03202408A JP 34186589 A JP34186589 A JP 34186589A JP 34186589 A JP34186589 A JP 34186589A JP H03202408 A JPH03202408 A JP H03202408A
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Landscapes
- Manufacture Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、高炉へのフラックス吹込み方法に関する。
［従来の技術］
コークス比の低下を目的として、高炉羽口から微粉炭を
吹込むことが行われている。また、製銑〜製鋼間のトー
タルコストミニマムの追及および高級鋼製造のニーズか
ら、溶銑予備処理技術とともに、高炉低Ｓｉ操業技術の
一つとして、羽口から粉体を吹込み銑中Ｓｉを低下させ
る羽口粉体吹込み技術が鉄鋼各社で試みられている。そ
の一つとして、微粉の酸化鉄を溶銑屯当たり５ｋｇ以上
吹込むか、前記酸化鉄を燃料と一緒に吹込んで、ＳＬを
酸化して５ｉ０２に滓化するものく特開昭５８−９６８
０３号公報〉がある、また、羽目部よりＭｇＯ源やＣａ
Ｏ源としてのフラックスを吹込む方法がある。これは、
高炉内でＳｉＯガスが発生するのは、主として雰囲気温
度の高い羽口先レースウェー近傍であり、 Ｓ ｉ ０２ ＋Ｃ−＋Ｓ ｉ Ｏ＋ＣＯの反応によっ
て生威し、このＳｉＯガスは上昇中に溶銑中のＣと接触
して ＳｉＯ＋Ｃ−４Ｓｉ＋Ｃ○ の反応によってＳｉが溶銑中に入ることによるものと考
えられ、ＭｇＯ５ＣａＯ系のフラックスを羽目から吹込
むことにより、羽口近傍のスラグ中の５ｉ０２の活量を
低下させ、 ５ｉ０２＋Ｃ→ＳｉＯ＋Ｃ○ の反応を抑制して、銑中Ｓｉを低下させると考えられて
いる。
吹込むことが行われている。また、製銑〜製鋼間のトー
タルコストミニマムの追及および高級鋼製造のニーズか
ら、溶銑予備処理技術とともに、高炉低Ｓｉ操業技術の
一つとして、羽口から粉体を吹込み銑中Ｓｉを低下させ
る羽口粉体吹込み技術が鉄鋼各社で試みられている。そ
の一つとして、微粉の酸化鉄を溶銑屯当たり５ｋｇ以上
吹込むか、前記酸化鉄を燃料と一緒に吹込んで、ＳＬを
酸化して５ｉ０２に滓化するものく特開昭５８−９６８
０３号公報〉がある、また、羽目部よりＭｇＯ源やＣａ
Ｏ源としてのフラックスを吹込む方法がある。これは、
高炉内でＳｉＯガスが発生するのは、主として雰囲気温
度の高い羽口先レースウェー近傍であり、 Ｓ ｉ ０２ ＋Ｃ−＋Ｓ ｉ Ｏ＋ＣＯの反応によっ
て生威し、このＳｉＯガスは上昇中に溶銑中のＣと接触
して ＳｉＯ＋Ｃ−４Ｓｉ＋Ｃ○ の反応によってＳｉが溶銑中に入ることによるものと考
えられ、ＭｇＯ５ＣａＯ系のフラックスを羽目から吹込
むことにより、羽口近傍のスラグ中の５ｉ０２の活量を
低下させ、 ５ｉ０２＋Ｃ→ＳｉＯ＋Ｃ○ の反応を抑制して、銑中Ｓｉを低下させると考えられて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
フラックスの吹込みは、通常、吹込みランス先端を羽口
内に位置させて行われているが、銑中Ｓｉ％の低下に効
果ある吹込みランス先端位置およびフラックスの噴射角
度について明確にされていない。本発明の方法は、銑中
Ｓｉ％の低下に効果ある吹込みランス先端位置およびフ
ラックスの噴射角度を提供することを目的とするもので
ある。
内に位置させて行われているが、銑中Ｓｉ％の低下に効
果ある吹込みランス先端位置およびフラックスの噴射角
度について明確にされていない。本発明の方法は、銑中
Ｓｉ％の低下に効果ある吹込みランス先端位置およびフ
ラックスの噴射角度を提供することを目的とするもので
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明の方法は、上記目的を達成しようとするもので、
その一つは高炉へＣａＯ、ＭｇＯ系フランクスを吹込む
高炉へのフラックス吹込み方法において、フラックス吹
込みランスの先端をレースウェー先端から０．４〜０．
６ｍの範囲に位Ｉさせてフラックスを吹込むことを特徴
とする高炉へのフラックスの吹込み方法であり、他の一
つは前記方法において、フラックスの噴射角度を３０〜
４５度の範囲にしたものである。
その一つは高炉へＣａＯ、ＭｇＯ系フランクスを吹込む
高炉へのフラックス吹込み方法において、フラックス吹
込みランスの先端をレースウェー先端から０．４〜０．
６ｍの範囲に位Ｉさせてフラックスを吹込むことを特徴
とする高炉へのフラックスの吹込み方法であり、他の一
つは前記方法において、フラックスの噴射角度を３０〜
４５度の範囲にしたものである。
［作用コ
フラックス吹込みランスの先端をレースウェー先端から
０．４〜０．６ｍの範囲としたのは、フラックス吹込み
ランスの先端をレースウェー先端から０．４ｍ未満とす
ると、局部的にフラックスが濃縮し、銑中ＳＬの低減効
果が少なくなり、フラックス吹込みランスの先端とレー
スウェー先端の距離が、０．６ｍを越えるとフラックス
が分散し、銑中Ｓｉの低減効果が少なくなるからである
。
０．４〜０．６ｍの範囲としたのは、フラックス吹込み
ランスの先端をレースウェー先端から０．４ｍ未満とす
ると、局部的にフラックスが濃縮し、銑中ＳＬの低減効
果が少なくなり、フラックス吹込みランスの先端とレー
スウェー先端の距離が、０．６ｍを越えるとフラックス
が分散し、銑中Ｓｉの低減効果が少なくなるからである
。
フラックスの噴射角度を３０〜４５度の範囲にしたのは
、３０度未満とすると、局部的にフラックスが濃縮し、
銑中Ｓｊの低減効果が少なくなり、４５度を越えると、
フラックスが分散し、銑中Ｓｉの低減効果が少なくなる
からである。
、３０度未満とすると、局部的にフラックスが濃縮し、
銑中Ｓｊの低減効果が少なくなり、４５度を越えると、
フラックスが分散し、銑中Ｓｉの低減効果が少なくなる
からである。
「実施例］
本発明の実施例を以下に詳細に説明する。第３図は羽口
先に形成されるレースウェーを示す図である。１は高炉
々壁、２はブローパイプ、３は羽口、５は羽口先に形成
されたレースウェー、６はレースウェー先端、４はブロ
ーパイプ２および羽口３の中を通してレースウェー５内
に、先端を装入したフラックス吹込みランスである。レ
ースウェー内におけるＳｉＯガスの発生は、０２濃度が
低く且つ高温であるレースウェー先端部にて多いと考え
られている。そこで、発明者等は、フラックス吹込みラ
ンス〈以下吹込みランス〉の先端をレースウェー内に位
置させ、フラックスを吹込んだときの銑中Ｓｉの低減効
果を調べる試験を小型試験高炉を用いて行った。先ず、
ＭｇＯ吹込み量１０ｋｇ／Ｔ、フラックス噴射角度４０
度と一定とし、レースウェー先端と吹込みランス先端間
の距離（第３図のｇ）を変化させて、銑中Ｓｉ％の変化
を調査した。この結果をグラフに表したものが第１図で
ある。このグラフより、吹込みランス先端をレースウェ
ー先端から離してゆくと、銑中Ｓｉ％は急激に下がり、
レースウェー先端からの距離０．５ｍで最低値となり、
０．５ｍを越えて距離を離してゆくと、銑中Ｓｉ％は急
激に上昇することが分かった。なお、このときのレース
ウェー先端から羽口先端までの距離（レースウニ深さ）
は１ｍであった０次に、ＭｇＯ吹込み量１０ｋｇ／Ｔ、
レースウェー先端とランス先端間距離を０．５ｍと一定
にし、フラックス噴射角度を変化させて、銑中Ｓｉ％の
変化を調査した。フラックス噴射角度を１０度より増加
してゆくと、銑中Ｓｉは急激に低下し、噴射角度４０度
で最低値となり、４０度を越すと急激に増加することが
分かった。
先に形成されるレースウェーを示す図である。１は高炉
々壁、２はブローパイプ、３は羽口、５は羽口先に形成
されたレースウェー、６はレースウェー先端、４はブロ
ーパイプ２および羽口３の中を通してレースウェー５内
に、先端を装入したフラックス吹込みランスである。レ
ースウェー内におけるＳｉＯガスの発生は、０２濃度が
低く且つ高温であるレースウェー先端部にて多いと考え
られている。そこで、発明者等は、フラックス吹込みラ
ンス〈以下吹込みランス〉の先端をレースウェー内に位
置させ、フラックスを吹込んだときの銑中Ｓｉの低減効
果を調べる試験を小型試験高炉を用いて行った。先ず、
ＭｇＯ吹込み量１０ｋｇ／Ｔ、フラックス噴射角度４０
度と一定とし、レースウェー先端と吹込みランス先端間
の距離（第３図のｇ）を変化させて、銑中Ｓｉ％の変化
を調査した。この結果をグラフに表したものが第１図で
ある。このグラフより、吹込みランス先端をレースウェ
ー先端から離してゆくと、銑中Ｓｉ％は急激に下がり、
レースウェー先端からの距離０．５ｍで最低値となり、
０．５ｍを越えて距離を離してゆくと、銑中Ｓｉ％は急
激に上昇することが分かった。なお、このときのレース
ウェー先端から羽口先端までの距離（レースウニ深さ）
は１ｍであった０次に、ＭｇＯ吹込み量１０ｋｇ／Ｔ、
レースウェー先端とランス先端間距離を０．５ｍと一定
にし、フラックス噴射角度を変化させて、銑中Ｓｉ％の
変化を調査した。フラックス噴射角度を１０度より増加
してゆくと、銑中Ｓｉは急激に低下し、噴射角度４０度
で最低値となり、４０度を越すと急激に増加することが
分かった。
第１図より、吹込みランスの先端位置をレースウェー先
端付近と羽口先端に位置させたときの銑中Ｓｉ％は０．
３％であり、これを０．１％以上下げ得るレースウェー
先端とランス先端間の距離範囲は、０．４〜０，６ｍで
あることが分かる。
端付近と羽口先端に位置させたときの銑中Ｓｉ％は０．
３％であり、これを０．１％以上下げ得るレースウェー
先端とランス先端間の距離範囲は、０．４〜０，６ｍで
あることが分かる。
また、第２図より、フラックス噴射角度が１０度吹込み
ランス先端間の距離。
ランス先端間の距離。
Claims (2)
- （１）高炉へＣａＯ、ＭｇＯ系フラックスを吹込む高炉
へのフラックス吹込み方法において、フラックス吹込み
ランスの先端をレースウエー先端から０．４〜０．６ｍ
の範囲に位置させてフラックスを吹込むことを特徴とす
る高炉へのフラックスの吹込み方法。 - （２）フラックスの噴射角度を３０〜４５度の範囲にし
てフラックスを吹込む請求項１記載の高炉へのフラック
スの吹込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34186589A JPH03202408A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 高炉へのフラックスの吹込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34186589A JPH03202408A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 高炉へのフラックスの吹込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03202408A true JPH03202408A (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=18349346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34186589A Pending JPH03202408A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 高炉へのフラックスの吹込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03202408A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100826963B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2008-05-02 | 주식회사 포스코 | 고로 노심온도 관리 방법 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP34186589A patent/JPH03202408A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100826963B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2008-05-02 | 주식회사 포스코 | 고로 노심온도 관리 방법 |
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