JPH0320046A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0320046A JPH0320046A JP15539589A JP15539589A JPH0320046A JP H0320046 A JPH0320046 A JP H0320046A JP 15539589 A JP15539589 A JP 15539589A JP 15539589 A JP15539589 A JP 15539589A JP H0320046 A JPH0320046 A JP H0320046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilicon
- oxide film
- drain
- source
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶ディスプレイの駆動回路等に用いること
が出来る半導体装置の製造方法に関するものである。
が出来る半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
以下に従来行なって来た薄膜トランジスタの製造方法に
ついて説明する。従来の製造方法を第3図に示す。初め
に、第3図(a)の様に石英基板31上にトランジスタ
の能動領域となるポリシリコンを形成し、パターニング
後エッチングを行ないポリシリコン32とする。次に、
第3図(b)の様に1100℃の温度で熱酸化を行ない
ゲート酸化膜33を形成する。次に、ゲート電極となる
ポリシリコン層を形成し、パターニング後エッチングを
行ないポリシリコン34とする。次に、第3図(C)の
様にゲート電極のポリシリコン34直下のゲート酸化膜
33以外にあるゲート酸化膜はエッチングを行ない除去
する。最後に第3図(d)の様にセルフJラインでP+
をイオン注入し、n型領域35を形威し、ソース・ドレ
イン領域とする。又、P型トランジスを形成する場合は
B+を注入する。
ついて説明する。従来の製造方法を第3図に示す。初め
に、第3図(a)の様に石英基板31上にトランジスタ
の能動領域となるポリシリコンを形成し、パターニング
後エッチングを行ないポリシリコン32とする。次に、
第3図(b)の様に1100℃の温度で熱酸化を行ない
ゲート酸化膜33を形成する。次に、ゲート電極となる
ポリシリコン層を形成し、パターニング後エッチングを
行ないポリシリコン34とする。次に、第3図(C)の
様にゲート電極のポリシリコン34直下のゲート酸化膜
33以外にあるゲート酸化膜はエッチングを行ない除去
する。最後に第3図(d)の様にセルフJラインでP+
をイオン注入し、n型領域35を形威し、ソース・ドレ
イン領域とする。又、P型トランジスを形成する場合は
B+を注入する。
第4図に例えば、P+を注入した場合の深さ方向に対す
る不純物(B+)濃度分布を示す。
る不純物(B+)濃度分布を示す。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような従来の半導体製造方法では
、イオン注入時の加速電圧は30KeV程度迄しか低加
速化出来ず、この時のシリコンに対するP十及びB+の
射影飛程(R−P)はおよそ0.04μmから0.1μ
mである。薄膜トランジスタのポリシリコンの厚さが相
互コンダクタンス(gm)を向上させるために数百人で
あることから、イオン注入されたP十及びB+の殆んど
は石英基板に到達してしまい、不純物としての役割を果
たしていない。その結果,ソース・ドレイン部のコンタ
クト抵抗が高くなってしまう欠点を有していた。
、イオン注入時の加速電圧は30KeV程度迄しか低加
速化出来ず、この時のシリコンに対するP十及びB+の
射影飛程(R−P)はおよそ0.04μmから0.1μ
mである。薄膜トランジスタのポリシリコンの厚さが相
互コンダクタンス(gm)を向上させるために数百人で
あることから、イオン注入されたP十及びB+の殆んど
は石英基板に到達してしまい、不純物としての役割を果
たしていない。その結果,ソース・ドレイン部のコンタ
クト抵抗が高くなってしまう欠点を有していた。
本発明は上記欠点を鑑み、薄膜トランジスタのソース・
ドレイン上にゲート酸化膜を数百八残すという工程を含
むことにより、ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗を
低減できる半導体装置の製造方法を提供するものである
。
ドレイン上にゲート酸化膜を数百八残すという工程を含
むことにより、ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗を
低減できる半導体装置の製造方法を提供するものである
。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、ポリシリコン層上に形成された酸化膜をゲート
電極直下以外の酸化膜のエッチング工程で酸化膜を残す
ようにしておくものである。
方法は、ポリシリコン層上に形成された酸化膜をゲート
電極直下以外の酸化膜のエッチング工程で酸化膜を残す
ようにしておくものである。
作用
この構成により、注入される不純物はポリシリコン上の
酸化膜によりある程度エネルギーを損失するため、ポリ
シリコンに達した時にはエネルギーが低減している。す
なわち、30KeVよりも更に低エネルギーで注入した
ことになる。そのため、数百Aの超薄膜ポリシリコンの
場合でも注入した不純物は、ポリシリコン薄膜を突き抜
け石英基板に到達するのではなく、ポリシリコン薄膜中
にとり込まれ、ポリシリコン中の不純物濃度が高くなる
。その結果、ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗が従
来よりも著しく低減できる。
酸化膜によりある程度エネルギーを損失するため、ポリ
シリコンに達した時にはエネルギーが低減している。す
なわち、30KeVよりも更に低エネルギーで注入した
ことになる。そのため、数百Aの超薄膜ポリシリコンの
場合でも注入した不純物は、ポリシリコン薄膜を突き抜
け石英基板に到達するのではなく、ポリシリコン薄膜中
にとり込まれ、ポリシリコン中の不純物濃度が高くなる
。その結果、ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗が従
来よりも著しく低減できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は、本発明の一実施例に於けるn型半導体装置の
製造方法を示すものである。第1図に於いて11は石英
基板、12は薄膜トランジスタとなるポリシリコン層、
13はゲート酸化膜、14はゲート電極となるポリシリ
コン層、15はn型不純物領域である。以上の様に構成
された半導体装置の製造方法について、以下その製造方
法を説明する。
製造方法を示すものである。第1図に於いて11は石英
基板、12は薄膜トランジスタとなるポリシリコン層、
13はゲート酸化膜、14はゲート電極となるポリシリ
コン層、15はn型不純物領域である。以上の様に構成
された半導体装置の製造方法について、以下その製造方
法を説明する。
まず初めに、第1図(a)の様に石英基板11上にポリ
シリコン層厚さ200OAをLPCVD法により戒長し
、パターニングを行ない薄膜トランジスタの能動領域を
形成する。次に、第1図(b)の様にポリシリコン層上
に熱酸化によって厚さ1300人のゲート酸化膜13を
形成し、その直上にポリシリコン層厚さ3000Aを成
長させ、バターニングを行ないゲート電極14を形成す
る。更に、フッ酸系のエッチング液により、ゲート酸化
膜13をゲート電極14直下の両側を500A残す様に
エッチングをして、第1図(C)の様にする。この状態
で第1図(d)に示す様にセルフ2ラインでP・又はA
s+をイオン注入( I X 1 0”dose. 3
0KeV)l,、n型領域15を形成する。このn型
領域15は、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイ
ン領域となる。イオン注入工程終了後以下は、従来から
用いられているプロセスに従ってソース電極,ドレイン
電極を形成することにより石英基板上に薄膜トランジス
タを形成する。
シリコン層厚さ200OAをLPCVD法により戒長し
、パターニングを行ない薄膜トランジスタの能動領域を
形成する。次に、第1図(b)の様にポリシリコン層上
に熱酸化によって厚さ1300人のゲート酸化膜13を
形成し、その直上にポリシリコン層厚さ3000Aを成
長させ、バターニングを行ないゲート電極14を形成す
る。更に、フッ酸系のエッチング液により、ゲート酸化
膜13をゲート電極14直下の両側を500A残す様に
エッチングをして、第1図(C)の様にする。この状態
で第1図(d)に示す様にセルフ2ラインでP・又はA
s+をイオン注入( I X 1 0”dose. 3
0KeV)l,、n型領域15を形成する。このn型
領域15は、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイ
ン領域となる。イオン注入工程終了後以下は、従来から
用いられているプロセスに従ってソース電極,ドレイン
電極を形成することにより石英基板上に薄膜トランジス
タを形成する。
以上の様にして形成した薄膜トランジスタは、ソース・
ドレイン領域のゲート酸化膜を完全に除去せず、500
A残した状態でイオン注入を行なうことにより第2図で
示した様にポリシリコン層内で不純物濃度が高くなり、
ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗を小さくできる。
ドレイン領域のゲート酸化膜を完全に除去せず、500
A残した状態でイオン注入を行なうことにより第2図で
示した様にポリシリコン層内で不純物濃度が高くなり、
ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗を小さくできる。
なお、本実施例ではP+又はAs+のイオン注入により
n型トランジスタとしたが、B十注入によるP型トラン
ジスタを用いても良い。
n型トランジスタとしたが、B十注入によるP型トラン
ジスタを用いても良い。
発明の効果
以上の様に、本発明の特徴は薄膜トランジスタの能動領
域上に形成したゲート酸化膜を、ゲート電極直下両側の
領域でわずかに残してソース・ドレイン部のイオン注入
を行なうことにある。本発明の工程を導入することによ
り、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域で不純物
濃度、言い変えればキャリア濃度が高くなり、ソース・
ドレイン各電極を形成した時、コンタクト抵抗が低減で
きる。
域上に形成したゲート酸化膜を、ゲート電極直下両側の
領域でわずかに残してソース・ドレイン部のイオン注入
を行なうことにある。本発明の工程を導入することによ
り、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域で不純物
濃度、言い変えればキャリア濃度が高くなり、ソース・
ドレイン各電極を形成した時、コンタクト抵抗が低減で
きる。
第1図(a)〜(イ)は本発明の実施例に於ける半導体
装置の製造方法を示す工程図、第2図は本発明の半導体
装置の製造方法を用いて、ポリシリコン層にイオン注入
した時の深さ方向の不純物濃度分布図、第3図(a)〜
(イ)は従来の半導体装置の製造方法を示す工程図、第
4図は従来の半導体装置の製造方法を用いて、ポリシリ
コン層にイオン注入した時の深さ方向の不純物濃度分布
図である。 1・・・・・・石英基板、2・・・・・・ポリシリコン
層、3・・・・・・ゲート酸化膜、4・・・・・・ゲー
ト電極用ポリシリコン層、5・・・・・・n型不純物領
域。
装置の製造方法を示す工程図、第2図は本発明の半導体
装置の製造方法を用いて、ポリシリコン層にイオン注入
した時の深さ方向の不純物濃度分布図、第3図(a)〜
(イ)は従来の半導体装置の製造方法を示す工程図、第
4図は従来の半導体装置の製造方法を用いて、ポリシリ
コン層にイオン注入した時の深さ方向の不純物濃度分布
図である。 1・・・・・・石英基板、2・・・・・・ポリシリコン
層、3・・・・・・ゲート酸化膜、4・・・・・・ゲー
ト電極用ポリシリコン層、5・・・・・・n型不純物領
域。
Claims (1)
- トランジスタとなるポリシリコン層上に、酸化膜を形成
する工程と、前記酸化膜上にゲート電極を形成する工程
と、このゲート電極以外の部分の酸化膜をエッチングし
て薄くする工程と、前記ポリシリコン層中にイオン注入
によりソース・ドレイン領域を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1155395A JP2553704B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1155395A JP2553704B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0320046A true JPH0320046A (ja) | 1991-01-29 |
JP2553704B2 JP2553704B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=15605021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1155395A Expired - Lifetime JP2553704B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2553704B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001029898A1 (fr) * | 1999-10-21 | 2001-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transistor en couches minces, procede de fabrication associe et afficheur lcd a transistor en couches minces |
KR100343307B1 (ko) * | 1996-06-20 | 2002-08-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
US6544825B1 (en) | 1992-12-26 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
JP2005229096A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Samsung Sdi Co Ltd | Ldd構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US6972435B2 (en) | 1996-06-04 | 2005-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Camera having display device utilizing TFT |
US7087962B1 (en) | 1991-12-24 | 2006-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a MOS transistor having lightly dopped drain regions and structure thereof |
US7170138B2 (en) | 1993-10-01 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7348227B1 (en) | 1995-03-23 | 2008-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2009027200A (ja) * | 1992-04-06 | 2009-02-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置及びその作製方法 |
US7531839B2 (en) | 2001-02-28 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having driver TFTs and pixel TFTs formed on the same substrate |
US7705358B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US8435892B2 (en) | 2005-08-23 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device comprising the step of doping semiconductor film through contact hole |
US8835271B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US9105727B2 (en) | 2002-04-09 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US10133139B2 (en) | 2002-05-17 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182272A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
JPS6425479A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of mos type semiconductor device |
JPH02137335A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155395A patent/JP2553704B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182272A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
JPS6425479A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of mos type semiconductor device |
JPH02137335A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7087962B1 (en) | 1991-12-24 | 2006-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a MOS transistor having lightly dopped drain regions and structure thereof |
JP4503671B2 (ja) * | 1992-04-06 | 2010-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2009027200A (ja) * | 1992-04-06 | 2009-02-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置及びその作製方法 |
US6544825B1 (en) | 1992-12-26 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
US7351615B2 (en) | 1992-12-26 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
US7170138B2 (en) | 1993-10-01 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7301209B2 (en) | 1993-10-01 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7348227B1 (en) | 1995-03-23 | 2008-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7816195B2 (en) | 1995-03-23 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8574976B2 (en) | 1995-03-23 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7414288B2 (en) | 1996-06-04 | 2008-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having display device |
US6979841B2 (en) | 1996-06-04 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof |
US6972435B2 (en) | 1996-06-04 | 2005-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Camera having display device utilizing TFT |
US8405149B2 (en) | 1996-06-04 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having display device |
US8928081B2 (en) | 1996-06-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having display device |
KR100343307B1 (ko) * | 1996-06-20 | 2002-08-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
CN1319177C (zh) * | 1999-10-21 | 2007-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管、其制造方法以及使用它的液晶装置和衬底 |
WO2001029898A1 (fr) * | 1999-10-21 | 2001-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transistor en couches minces, procede de fabrication associe et afficheur lcd a transistor en couches minces |
US8017951B2 (en) | 2001-02-28 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a conductive film having a tapered shape |
US7531839B2 (en) | 2001-02-28 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having driver TFTs and pixel TFTs formed on the same substrate |
US8242508B2 (en) | 2001-02-28 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US9666614B2 (en) | 2002-04-09 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US10050065B2 (en) | 2002-04-09 | 2018-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US8835271B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US11101299B2 (en) | 2002-04-09 | 2021-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US9105727B2 (en) | 2002-04-09 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US9406806B2 (en) | 2002-04-09 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US10854642B2 (en) | 2002-04-09 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US10700106B2 (en) | 2002-04-09 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US10083995B2 (en) | 2002-04-09 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US10133139B2 (en) | 2002-05-17 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10527903B2 (en) | 2002-05-17 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11422423B2 (en) | 2002-05-17 | 2022-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2005229096A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Samsung Sdi Co Ltd | Ldd構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US8435892B2 (en) | 2005-08-23 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device comprising the step of doping semiconductor film through contact hole |
US7705358B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2553704B2 (ja) | 1996-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920009745B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
JP3521246B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH0320046A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR910007103A (ko) | 반도체 장치의 자기 정렬 콘택 제조방법 | |
KR0172509B1 (ko) | 수평 구조의 바이폴라 트랜지스터 제조 방법 | |
JPS63181378A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60134472A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
KR100265824B1 (ko) | 엘디디 구조의 트랜지스터 제조방법 | |
JPH01143358A (ja) | Mos型半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2546650B2 (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造法 | |
JPS6410952B2 (ja) | ||
JPH0247853B2 (ja) | ||
JPH04114476A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6072274A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0437168A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2887902B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6395664A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0458524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05160404A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04162420A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06188259A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02174236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06333869A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS63157474A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0273630A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070822 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |