JPH03195004A - バリスタ磁器 - Google Patents
バリスタ磁器Info
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- JPH03195004A JPH03195004A JP1336067A JP33606789A JPH03195004A JP H03195004 A JPH03195004 A JP H03195004A JP 1336067 A JP1336067 A JP 1336067A JP 33606789 A JP33606789 A JP 33606789A JP H03195004 A JPH03195004 A JP H03195004A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子機器等で異常高電圧サージ保護用に使用
されるS r T 10 s及びCaTiO3を主成分
とするコンデンサとバリスタの両機能を有する電圧依存
非直線抵抗体磁器(以下、バリスタ磁器と言う)に関す
る。
されるS r T 10 s及びCaTiO3を主成分
とするコンデンサとバリスタの両機能を有する電圧依存
非直線抵抗体磁器(以下、バリスタ磁器と言う)に関す
る。
[従来の技術]
チタン酸ストロンチウム(SrTi03)を主成分とす
るバリスタは例えば特開昭57−35303号公報、特
開昭58−16504号公報、特開昭58−13561
4号公報及び特開昭59−35402号公報に開示され
ている。また、5r(1−X) Ca T t 03
を主成分とするバリスタは例えば特開昭57−1879
06号公報及び特開昭58−91602号公報に開示さ
れている。これ等のバリスタは大きな静電容量を有する
ので電子機器等を雷などのサージ、ノイズ等から保護す
る部品として多用されている。
るバリスタは例えば特開昭57−35303号公報、特
開昭58−16504号公報、特開昭58−13561
4号公報及び特開昭59−35402号公報に開示され
ている。また、5r(1−X) Ca T t 03
を主成分とするバリスタは例えば特開昭57−1879
06号公報及び特開昭58−91602号公報に開示さ
れている。これ等のバリスタは大きな静電容量を有する
ので電子機器等を雷などのサージ、ノイズ等から保護す
る部品として多用されている。
[発明が解決しようとする課H]
しかし、マイクロモータの火花消去等のために更に静電
容量の大きいバリスタ磁器が要求されている。
容量の大きいバリスタ磁器が要求されている。
そこで、本発明の目的は、上記要求に応えることができ
るバリスタ磁器を提供することにある。
るバリスタ磁器を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するための本発明は、(SrTiO)
(CaTiO3)1−x(但し、Xは0゜3 × 50〜0.97の数値)から成る100モル部の主成分
と、Nbにニオブ)、La(ランタン)、Ta(タンタ
ル)、W(タングステン)の各金属酸化物の内の少なく
とも1種から成る0、05〜0.50モル部の第1の添
加成分と、Cu (!ii:I)の酸化物から成る0、
05〜0.50モル部の第2の添加成分と、Mo(モリ
ブデン)の酸化物から成る0、05〜0.50モル部の
第3の添加成分とから成るバリスタ磁器に係わるもので
ある。
(CaTiO3)1−x(但し、Xは0゜3 × 50〜0.97の数値)から成る100モル部の主成分
と、Nbにニオブ)、La(ランタン)、Ta(タンタ
ル)、W(タングステン)の各金属酸化物の内の少なく
とも1種から成る0、05〜0.50モル部の第1の添
加成分と、Cu (!ii:I)の酸化物から成る0、
05〜0.50モル部の第2の添加成分と、Mo(モリ
ブデン)の酸化物から成る0、05〜0.50モル部の
第3の添加成分とから成るバリスタ磁器に係わるもので
ある。
[作用]
本発明に従って添加するMOの酸化物は静電容量の増大
に寄与する。
に寄与する。
[実施例]
次に、本発明に係わる実施例及び比較例を表及び図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
表の主成分の欄には、各試料の主成分であるSrTiO
3(チタン酸ストロンチウム)とCaTiO3(チタン
酸カルシウム)との添加量がモル部で示されている。即
ち、5rTi、03の欄にはxXlooが示され、Ca
T 103の欄には(1−x)X100が示されてい
る。第1の添加成分の欄には、Nb O(酸化ニオブ
)、Ta2O5 5(酸化タンタル)、La2O3(酸化ランタン)、W
O2(酸化タングステン)の添加量がモル部で示されて
いる。第2及び第3の添加成分の柵には、CuO(酸化
銅)とM o O3(酸化モリブデン)の添加量がモル
部で夫々示されている。静電容量の欄には完成したバリ
スタの静電容量がnFの単位で示されている。
3(チタン酸ストロンチウム)とCaTiO3(チタン
酸カルシウム)との添加量がモル部で示されている。即
ち、5rTi、03の欄にはxXlooが示され、Ca
T 103の欄には(1−x)X100が示されてい
る。第1の添加成分の欄には、Nb O(酸化ニオブ
)、Ta2O5 5(酸化タンタル)、La2O3(酸化ランタン)、W
O2(酸化タングステン)の添加量がモル部で示されて
いる。第2及び第3の添加成分の柵には、CuO(酸化
銅)とM o O3(酸化モリブデン)の添加量がモル
部で夫々示されている。静電容量の欄には完成したバリ
スタの静電容量がnFの単位で示されている。
表の試料NOIに従うバリスタを得る時には、5rT1
03 90モル部 CaTiO310モル部 Nb2O50,05モル部 CuO0,10モル部 M o 03 0 、05モル部の組成に
なるように各成分を秤量し、これ等の混合物に水を加え
てボールミルで15時間撹拌して湿式混合した後、大気
中150℃で乾燥し、更にバインダーとしてポリビニー
ルアルコールを添加して、混合し、これを造粒して原料
粉末を作成した。
03 90モル部 CaTiO310モル部 Nb2O50,05モル部 CuO0,10モル部 M o 03 0 、05モル部の組成に
なるように各成分を秤量し、これ等の混合物に水を加え
てボールミルで15時間撹拌して湿式混合した後、大気
中150℃で乾燥し、更にバインダーとしてポリビニー
ルアルコールを添加して、混合し、これを造粒して原料
粉末を作成した。
次に、この原料粉末を乾式プレスで金型を用いて150
0 kg/cra2の圧力で成型して外径12IIm、
内径6 n+n、成型体密度3 、0 g/C11”の
リング状成型体を得た。続いて、この成型体をN2ガス
96体積%とH2ガス4体積%とから成る還元性雰囲気
(非酸化性雰囲気)、1350℃で3時間焼成して、半
導体セラミックスから成る焼結体を作成した。
0 kg/cra2の圧力で成型して外径12IIm、
内径6 n+n、成型体密度3 、0 g/C11”の
リング状成型体を得た。続いて、この成型体をN2ガス
96体積%とH2ガス4体積%とから成る還元性雰囲気
(非酸化性雰囲気)、1350℃で3時間焼成して、半
導体セラミックスから成る焼結体を作成した。
次に、この焼結体に大気中(酸化性雰囲気)で温度10
00℃、3時間の熱処理を施して第1図に示すリング状
バリスタ磁器1を得た。
00℃、3時間の熱処理を施して第1図に示すリング状
バリスタ磁器1を得た。
次に、バリスタを得るために、リング状バリスタ磁器1
の一方の表面に第2図に示すように銀ベーストを塗布し
て180℃で10分間乾燥した後780°Cで10分間
焼付けることによって電極2.3.4を形成してバリス
タを完成させた。しかる後、このバリスタの静電容量C
を測定したところ51n[であった。
の一方の表面に第2図に示すように銀ベーストを塗布し
て180℃で10分間乾燥した後780°Cで10分間
焼付けることによって電極2.3.4を形成してバリス
タを完成させた。しかる後、このバリスタの静電容量C
を測定したところ51n[であった。
試料NO,2〜11においても、組成を表に示すように
種々変えた他は、同一の製造方法でバリスタを作り、静
電容量を測定した。なお、試料NO,11はM o O
3を含んでいないので、本願発明の範囲外の比較例であ
る。
種々変えた他は、同一の製造方法でバリスタを作り、静
電容量を測定した。なお、試料NO,11はM o O
3を含んでいないので、本願発明の範囲外の比較例であ
る。
表から明らかなように、CuOとMoO3との両方を含
む試料NO,1〜10のバリスタの静電容量は51〜5
9nFであり、一方、M o Osを含まない試料NQ
IIの静電容量は40nFである。従って、MoO3を
含めることにより、静電容量を約30〜50%向上させ
ることができる。
む試料NO,1〜10のバリスタの静電容量は51〜5
9nFであり、一方、M o Osを含まない試料NQ
IIの静電容量は40nFである。従って、MoO3を
含めることにより、静電容量を約30〜50%向上させ
ることができる。
なお、主成分の組成式におけるS r T i O3と
Ca T 103との割合を示すXが0.50よりも小
さいとき及び0.97よりも大きい時には、バリスタの
非直線性が悪くなる。
Ca T 103との割合を示すXが0.50よりも小
さいとき及び0.97よりも大きい時には、バリスタの
非直線性が悪くなる。
また、第1の添加成分が0.05モル部未満になると、
バリスタ電圧が高くなり過ぎ、0.50モル部を超える
とバリスタ電圧のバラツキが大きくなる。
バリスタ電圧が高くなり過ぎ、0.50モル部を超える
とバリスタ電圧のバラツキが大きくなる。
また、CuOが0.05モル部未満になるとバリスタ電
圧の温度特性が悪化し、0.50モル部を超えるとバリ
スタ電圧のバラツキが大きくなる。
圧の温度特性が悪化し、0.50モル部を超えるとバリ
スタ電圧のバラツキが大きくなる。
また、MoO3が0.05モル部未満になると、静電容
量向上の効果を期待することができず、0゜5モル部を
超えるとバリスタ電圧の温度特性が悪化する。
量向上の効果を期待することができず、0゜5モル部を
超えるとバリスタ電圧の温度特性が悪化する。
[変形例]
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの
である。
に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの
である。
(1) 焼結体を得る時の焼成温度を例えば1300〜
1500℃の範囲で変えることができる。
1500℃の範囲で変えることができる。
また、焼結体の酸化雰囲気中で熱処理する温度を850
〜1300℃の範囲で変えることができる。
〜1300℃の範囲で変えることができる。
く2) 大気中(酸化雰囲気)で熱処理する前にNaを
含む物質(Na20等)の被覆を焼結体に形成し、Na
を焼結体内に拡散させてもよい。
含む物質(Na20等)の被覆を焼結体に形成し、Na
を焼結体内に拡散させてもよい。
また、原料にNaF、Na2O等を予め含めることも可
能である。
能である。
(3) 主成分としてS r T i O3とCaTi
O3を用意する代りに、チタンの酸化物と、5rC03
又は高温で分解してストロンチウムの酸化物となるスト
ロンチウム化合物と、CaCO3又は高温で分解してカ
ルシウムの酸化物となるカルシウム化合物とを用意し、
これ等に第1、第2及び第3の添加成分を加えてもよい
。
O3を用意する代りに、チタンの酸化物と、5rC03
又は高温で分解してストロンチウムの酸化物となるスト
ロンチウム化合物と、CaCO3又は高温で分解してカ
ルシウムの酸化物となるカルシウム化合物とを用意し、
これ等に第1、第2及び第3の添加成分を加えてもよい
。
[発明の効果コ
上述から明らかなように、本発明によれば、静電容量の
大きいバリスタ磁器を提供することができる。
大きいバリスタ磁器を提供することができる。
第1図は本発明の実施例に従うバリスタ磁器を示す平面
図、 第2図は第1図のバリスタ磁器に電極を設けたバリスタ
を示す平面図である。 1・・・バリスタ磁器、2.3.4・・・電極。
図、 第2図は第1図のバリスタ磁器に電極を設けたバリスタ
を示す平面図である。 1・・・バリスタ磁器、2.3.4・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1](SrTiO_3)_x(CaTiO_3)_1
_−_x(但し、xは0.50〜0.97の数値) から成る100モル部の主成分と、 Nb(ニオブ)、La(ランタン)、Ta(タンタル)
、W(タングステン)の各金属酸化物の内の少なくとも
1種から成る0.05〜0.50モル部の第1の添加成
分と、 Cu(銅)の酸化物から成る0.05〜0.50モル部
の第2の添加成分と、 Mo(モリブデン)の酸化物から成る0.05〜0.5
0モル部の第3の添加成分と から成るバリスタ磁器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1336067A JPH03195004A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | バリスタ磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1336067A JPH03195004A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | バリスタ磁器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03195004A true JPH03195004A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=18295353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1336067A Pending JPH03195004A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | バリスタ磁器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03195004A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01226115A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
JPH01226110A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1336067A patent/JPH03195004A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01226115A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
JPH01226110A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
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