JPH03193637A - Alドープト石英ガラス - Google Patents
Alドープト石英ガラスInfo
- Publication number
- JPH03193637A JPH03193637A JP33061189A JP33061189A JPH03193637A JP H03193637 A JPH03193637 A JP H03193637A JP 33061189 A JP33061189 A JP 33061189A JP 33061189 A JP33061189 A JP 33061189A JP H03193637 A JPH03193637 A JP H03193637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- doped
- high purity
- heat resistance
- doped quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、平板デイスプレィ基板やフォトマスク基板な
どに応用可能な高純度かつ高耐熱性を有する石英ガラス
に関する。
どに応用可能な高純度かつ高耐熱性を有する石英ガラス
に関する。
[従来の技術]
石英ガラスの特性は、その製造方法により大きく異なる
が、2つに分類することができる。1つは、水晶を高温
溶融して得られる天然(溶融)石英ガラスであり、他方
は、S iC14、Hz、O2を原料とするCVD法に
代表される気相法により得られる合成石英ガラスである
。
が、2つに分類することができる。1つは、水晶を高温
溶融して得られる天然(溶融)石英ガラスであり、他方
は、S iC14、Hz、O2を原料とするCVD法に
代表される気相法により得られる合成石英ガラスである
。
〔発明が解決しようとする課題]
しかし、従来の石英ガラスは、高純度かつ高耐熱性を要
求される用途、例えば、平板デイスプレィ基板、フォト
マスク基板などには、必ずしも満足できるものではない
、すなわち、天然(溶融)石英ガラスにおいては、耐熱
性は要求を満たすものがあるものの、水晶を原料とする
ため、Na、K、Liなど金属不純物の混入が避けられ
ない、また合成石英ガラスにおいては、極めて高純度で
あるものの耐熱性という点で高温にて変形してしまう、
どちらも一長一短で、その応用範囲を狭くしてしまって
いるという問題点を有する。
求される用途、例えば、平板デイスプレィ基板、フォト
マスク基板などには、必ずしも満足できるものではない
、すなわち、天然(溶融)石英ガラスにおいては、耐熱
性は要求を満たすものがあるものの、水晶を原料とする
ため、Na、K、Liなど金属不純物の混入が避けられ
ない、また合成石英ガラスにおいては、極めて高純度で
あるものの耐熱性という点で高温にて変形してしまう、
どちらも一長一短で、その応用範囲を狭くしてしまって
いるという問題点を有する。
そこで本発明の目的は、平板デイスプレィ基板やフォト
マスク基板などを初め、多用途に応用可能な、高純度か
つ高耐熱性を有する石英ガラスを提供するところにある
。
マスク基板などを初め、多用途に応用可能な、高純度か
つ高耐熱性を有する石英ガラスを提供するところにある
。
本発明のAI2ドープト石英ガラスは、高純度合成石英
ガラス中に、Siに対しAI2を1〜1,000ppm
ドープすることを特徴とする。
ガラス中に、Siに対しAI2を1〜1,000ppm
ドープすることを特徴とする。
[作 用]
石英ガラス中に/lをドープすることにより、種々の構
造欠陥(Si−0’、Si 、等のラジカルなど)が減
少し、耐熱性が向上する。また、AJ2のドープ量が前
記程度であれば、クリストバライト等の結晶の析出も極
めて少なく、半導体プロセスや、分光特性的にも、Aj
2の不純物としての悪影響は小さいものである。
造欠陥(Si−0’、Si 、等のラジカルなど)が減
少し、耐熱性が向上する。また、AJ2のドープ量が前
記程度であれば、クリストバライト等の結晶の析出も極
めて少なく、半導体プロセスや、分光特性的にも、Aj
2の不純物としての悪影響は小さいものである。
ベルヌーイ法(直接法)による石英ガラスの合成におい
て、原料として5icln、Aj2c13、H2,o□
と用い、AεC13の量を調整し、A℃のドープ量が、
Siに対して、0、l、5.1O140,100,50
0,1000,2000ppmの石英ガラスを合成した
。
て、原料として5icln、Aj2c13、H2,o□
と用い、AεC13の量を調整し、A℃のドープ量が、
Siに対して、0、l、5.1O140,100,50
0,1000,2000ppmの石英ガラスを合成した
。
これらの石英ガラスを15x15Xo、1cmに精密研
磨(平坦度〈10μm)L、治具に立てた後、1200
℃で3時間、アニールした。アニール後、平坦度の測定
を行なったところ下表のような結果が得られた。
磨(平坦度〈10μm)L、治具に立てた後、1200
℃で3時間、アニールした。アニール後、平坦度の測定
を行なったところ下表のような結果が得られた。
上記のように、AJ2を1〜1000 p p mドー
プした石英ガラスについては、良好な結果が得られたが
、ドープしないものは、大きく変形してしまった。また
2000ppmドープしたものは、AI2を核として結
晶が析出してしまった。
プした石英ガラスについては、良好な結果が得られたが
、ドープしないものは、大きく変形してしまった。また
2000ppmドープしたものは、AI2を核として結
晶が析出してしまった。
[発明の効果]
本発明のAj2ドープト石英ガラスは、平板デイスプレ
ィ基板やフォトマスク基板などを初め、多用途に応用可
能な、高純度かつ高耐熱性を有するものである。
ィ基板やフォトマスク基板などを初め、多用途に応用可
能な、高純度かつ高耐熱性を有するものである。
以上
Claims (1)
- 1)高純度合成石英ガラス中に、Siに対しAlを1〜
1,000ppmドープしたことを特徴とするAlドー
プト石英ガラス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33061189A JPH03193637A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Alドープト石英ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33061189A JPH03193637A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Alドープト石英ガラス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03193637A true JPH03193637A (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=18234597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33061189A Pending JPH03193637A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Alドープト石英ガラス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03193637A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03199133A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Shinetsu Sekiei Kk | 熱処理用石英ガラス材料 |
EP0627390A1 (en) * | 1993-06-01 | 1994-12-07 | General Electric Company | Viscosity tailoring of fused silica |
US6235669B1 (en) | 1993-06-01 | 2001-05-22 | General Electric Company | Viscosity tailoring of fused silica |
JP2005336011A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tosoh Corp | 耐食性ガラス部材およびその製造方法並びにそれを用いた装置 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP33061189A patent/JPH03193637A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03199133A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Shinetsu Sekiei Kk | 熱処理用石英ガラス材料 |
EP0627390A1 (en) * | 1993-06-01 | 1994-12-07 | General Electric Company | Viscosity tailoring of fused silica |
US6235669B1 (en) | 1993-06-01 | 2001-05-22 | General Electric Company | Viscosity tailoring of fused silica |
JP2005336011A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tosoh Corp | 耐食性ガラス部材およびその製造方法並びにそれを用いた装置 |
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