JP3400180B2 - シリカガラス治具 - Google Patents
シリカガラス治具Info
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- JP3400180B2 JP3400180B2 JP09749495A JP9749495A JP3400180B2 JP 3400180 B2 JP3400180 B2 JP 3400180B2 JP 09749495 A JP09749495 A JP 09749495A JP 9749495 A JP9749495 A JP 9749495A JP 3400180 B2 JP3400180 B2 JP 3400180B2
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- JP
- Japan
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- silica glass
- jig
- crystal phase
- thermal expansion
- phase
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜が蒸着したシリカ
ガラス治具、特に半導体製造のプラズマエッチング工程
で好適に使用できるシリカガラス治具に関する。
ガラス治具、特に半導体製造のプラズマエッチング工程
で好適に使用できるシリカガラス治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリカガラスは、高純度で、耐熱
性、耐薬品性に優れ、かつ加工および洗浄が容易である
ところから半導体製造工程で用いる治具や装置用部材と
して使用されてきた。ところが、近年、大規模集積回路
のパターンの微細化、高集積化に伴い、サブミクロンオ
ーダの高精度の加工がシリコンウエーハに施されるよう
になり、シリコンウエーハのエッチング処理もプラズマ
エッチングに変わってきた。このプラズマエッチング工
程でシリカガラス治具を使用すると使用するガス雰囲気
によってはシリカガラス自体がエッチングされ、その結
果発生するパーティクルでシリコンウエーハが汚染され
るという不都合があった。そのためシリカガラス治具の
表面に金属またはセラミックスの薄膜を蒸着したシリカ
ガラス治具が考えられていたが、シリカガラスの熱膨張
係数が前記金属やセラミックスより小さいところから、
該治具を高温熱処理に使用すると薄膜が大きく収縮し、
クラックが発生するという問題点があり、実用には至っ
ていなかった。
性、耐薬品性に優れ、かつ加工および洗浄が容易である
ところから半導体製造工程で用いる治具や装置用部材と
して使用されてきた。ところが、近年、大規模集積回路
のパターンの微細化、高集積化に伴い、サブミクロンオ
ーダの高精度の加工がシリコンウエーハに施されるよう
になり、シリコンウエーハのエッチング処理もプラズマ
エッチングに変わってきた。このプラズマエッチング工
程でシリカガラス治具を使用すると使用するガス雰囲気
によってはシリカガラス自体がエッチングされ、その結
果発生するパーティクルでシリコンウエーハが汚染され
るという不都合があった。そのためシリカガラス治具の
表面に金属またはセラミックスの薄膜を蒸着したシリカ
ガラス治具が考えられていたが、シリカガラスの熱膨張
係数が前記金属やセラミックスより小さいところから、
該治具を高温熱処理に使用すると薄膜が大きく収縮し、
クラックが発生するという問題点があり、実用には至っ
ていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、融点が２０℃以上
異なる２種以上の結晶質二酸化珪素混合粉を加熱してガ
ラス化することにより、治具表面の薄膜と同程度の熱膨
張係数を有し、かつ耐熱性の高いシリカガラスが得ら
れ、それで作成した治具表面に耐プラズマエッチング性
に優れた金属またはセラミックスの薄膜を蒸着すると、
薄膜にクラックが発生することなく、パーティクルによ
るシリコンウエーハの汚染を防止するとともに寿命の長
いプラズマエッチング処理用治具が得られることを見出
し本発明を完成したものである。すなわち、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、融点が２０℃以上
異なる２種以上の結晶質二酸化珪素混合粉を加熱してガ
ラス化することにより、治具表面の薄膜と同程度の熱膨
張係数を有し、かつ耐熱性の高いシリカガラスが得ら
れ、それで作成した治具表面に耐プラズマエッチング性
に優れた金属またはセラミックスの薄膜を蒸着すると、
薄膜にクラックが発生することなく、パーティクルによ
るシリコンウエーハの汚染を防止するとともに寿命の長
いプラズマエッチング処理用治具が得られることを見出
し本発明を完成したものである。すなわち、
【０００４】本発明は、高純度で、耐熱性が高く耐プラ
ズマエッチング性に優れたシリカガラス治具を提供する
ことを目的とする。
ズマエッチング性に優れたシリカガラス治具を提供する
ことを目的とする。
【０００５】また、本発明は、薄膜パーテクルによるシ
リコンウエーハの汚染のないシリカガラス治具を提供す
ることを目的とする。
リコンウエーハの汚染のないシリカガラス治具を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、シリカガラス表面に薄膜が蒸着したシリカガラス
治具において、前記シリカガラスがクリストバライト結
晶相とシリカガラス相とからなる結晶相含有シリカガラ
スであることを特徴とするシリカガラス治具に係る。
明は、シリカガラス表面に薄膜が蒸着したシリカガラス
治具において、前記シリカガラスがクリストバライト結
晶相とシリカガラス相とからなる結晶相含有シリカガラ
スであることを特徴とするシリカガラス治具に係る。
【０００７】本発明の治具を構成する結晶相含有シリカ
ガラスは、ＳｉＯ2結晶相の１つであるα−クリストバ
ライト結晶相とシリカガラス相とからなるシリカガラス
であって、少なくとも１μｍのα−クリストバライト結
晶相を１０〜９９重量％含有する結晶相含有シリカガラ
スである。前記α−クリストバライト結晶相の大きさが
１μｍ未満では、熱膨張係数の上昇がみられない。ま
た、α−クリストバライト結晶相の含有量が１０重量％
未満では結晶相含有シリカガラスの熱膨張係数の増加が
ほとんどみられない。しかし、結晶相含有シリカガラス
を１０００℃以上の温度で徐々に再加熱し結晶成長させ
るとクラックの発生がなくα−クリストバライト結晶相
の含有量を９９重量％とすることができる。
ガラスは、ＳｉＯ2結晶相の１つであるα−クリストバ
ライト結晶相とシリカガラス相とからなるシリカガラス
であって、少なくとも１μｍのα−クリストバライト結
晶相を１０〜９９重量％含有する結晶相含有シリカガラ
スである。前記α−クリストバライト結晶相の大きさが
１μｍ未満では、熱膨張係数の上昇がみられない。ま
た、α−クリストバライト結晶相の含有量が１０重量％
未満では結晶相含有シリカガラスの熱膨張係数の増加が
ほとんどみられない。しかし、結晶相含有シリカガラス
を１０００℃以上の温度で徐々に再加熱し結晶成長させ
るとクラックの発生がなくα−クリストバライト結晶相
の含有量を９９重量％とすることができる。
【０００８】上記結晶相含有シリカガラスは、融点が２
０℃以上異なる２種以上の結晶質二酸化珪素混合粉を原
料とし、それを耐熱性型枠に充填し、融点の最も低い結
晶質二酸化珪素粉の融点以上で、かつ融点の最も高い結
晶質二酸化珪素粉の融点未満で加熱することで製造され
る。特に不活性ガス雰囲気中で、１０００℃以下の温度
では１０〜５０℃／分の昇温速度で、１０００℃を超え
融点が最も低い結晶質二酸化珪素粉の融点又は該融点よ
り１０℃高い温度までは１０℃／分以下の昇温速度でゆ
っくり昇温し、さらに融点の最も高い結晶質二酸化珪素
粉の融点未満までをゆっくり加熱することにより、α−
クリストバライト結晶相が球状に形成され、熱膨張係数
の高い結晶相含有シリカガラスが得られる。前記加熱に
より融点の最も低い結晶質二酸化珪素粉は溶融してシリ
カガラス相となり、融点の最も高い結晶質二酸化珪素粉
は未溶融で残り、α−クリストバライト結晶相を形成す
る。このように本発明の治具を構成する結晶相含有シリ
カガラスは焼結したりあるいは結晶生成剤をドープして
製造するところがないので、結晶生成剤等の不純物や焼
結による空隙を含むことがなく高純度でかつ機械的強度
が高い。
０℃以上異なる２種以上の結晶質二酸化珪素混合粉を原
料とし、それを耐熱性型枠に充填し、融点の最も低い結
晶質二酸化珪素粉の融点以上で、かつ融点の最も高い結
晶質二酸化珪素粉の融点未満で加熱することで製造され
る。特に不活性ガス雰囲気中で、１０００℃以下の温度
では１０〜５０℃／分の昇温速度で、１０００℃を超え
融点が最も低い結晶質二酸化珪素粉の融点又は該融点よ
り１０℃高い温度までは１０℃／分以下の昇温速度でゆ
っくり昇温し、さらに融点の最も高い結晶質二酸化珪素
粉の融点未満までをゆっくり加熱することにより、α−
クリストバライト結晶相が球状に形成され、熱膨張係数
の高い結晶相含有シリカガラスが得られる。前記加熱に
より融点の最も低い結晶質二酸化珪素粉は溶融してシリ
カガラス相となり、融点の最も高い結晶質二酸化珪素粉
は未溶融で残り、α−クリストバライト結晶相を形成す
る。このように本発明の治具を構成する結晶相含有シリ
カガラスは焼結したりあるいは結晶生成剤をドープして
製造するところがないので、結晶生成剤等の不純物や焼
結による空隙を含むことがなく高純度でかつ機械的強度
が高い。
【０００９】上記結晶相含有シリカガラスの原料混合粉
は、粒径１０〜１０００μｍの融点が２０℃以上異なる
２種以上の結晶質二酸化珪素混合粉を、融点が最も高い
結晶質二酸化珪素粉が１０〜８０重量％となるように混
合した混合粉が使用される。前記融点が最も高い結晶質
二酸化珪素粉の含有によりα−クリストバライト結晶相
は少なくとも１μｍの大きさに、またその含有量が１０
重量％以上となる。原料の粒度と結晶相の大きさが一致
しないのは、原料粉のガラス化中に結晶が微粉化するこ
とに起因するものと考えられる。
は、粒径１０〜１０００μｍの融点が２０℃以上異なる
２種以上の結晶質二酸化珪素混合粉を、融点が最も高い
結晶質二酸化珪素粉が１０〜８０重量％となるように混
合した混合粉が使用される。前記融点が最も高い結晶質
二酸化珪素粉の含有によりα−クリストバライト結晶相
は少なくとも１μｍの大きさに、またその含有量が１０
重量％以上となる。原料の粒度と結晶相の大きさが一致
しないのは、原料粉のガラス化中に結晶が微粉化するこ
とに起因するものと考えられる。
【００１０】上記結晶相含有シリカガラスはα−クリス
トバライト結晶相を１０重量％以上含有することにより
その熱膨張係数は１×１０-6／℃以上となる。
トバライト結晶相を１０重量％以上含有することにより
その熱膨張係数は１×１０-6／℃以上となる。
【００１１】原料の結晶質二酸化珪素粉としては天然の
結晶質二酸化珪素粉が好ましく使用され、例えばハリス
鉱山から生成した結晶質二酸化珪素粉や、ホーキンス鉱
山から生成した結晶質二酸化珪素粉を挙げることができ
る。前記ハリス鉱山から生成した結晶質二酸化珪素粉は
ホーキンス鉱山から生成した結晶質二酸化珪素粉に比べ
て融点が約５０℃程度高いことが本発明者により確認さ
れている。
結晶質二酸化珪素粉が好ましく使用され、例えばハリス
鉱山から生成した結晶質二酸化珪素粉や、ホーキンス鉱
山から生成した結晶質二酸化珪素粉を挙げることができ
る。前記ハリス鉱山から生成した結晶質二酸化珪素粉は
ホーキンス鉱山から生成した結晶質二酸化珪素粉に比べ
て融点が約５０℃程度高いことが本発明者により確認さ
れている。
【００１２】上記結晶質二酸化珪素混合粉は耐熱性型枠
に充填されるが、該耐熱性型枠としては、カーボン製型
枠、セラミック製型枠、または前記型枠内に挿入された
透明石英ガラス管等が用いられる。特に、透明石英ガラ
ス管の使用は、原料の高純度が維持されるとともに、製
造されるシリカガラスに形崩れが起らず良好な結晶化シ
リカガラスが得られる。また、溶融するための加熱手段
としては、ＯＨ基の混入が少なく耐熱性の高いシリカガ
ラスが得られる電気溶融法を採用する。その時の雰囲気
は、窒素ガス雰囲気等の不活性ガス雰囲気や真空雰囲気
が用いられるが、型枠がカーボン性のときは、不活性ガ
ス雰囲気を必須する。型枠がセラミックス製であれば、
任意の雰囲気を選択することができる。
に充填されるが、該耐熱性型枠としては、カーボン製型
枠、セラミック製型枠、または前記型枠内に挿入された
透明石英ガラス管等が用いられる。特に、透明石英ガラ
ス管の使用は、原料の高純度が維持されるとともに、製
造されるシリカガラスに形崩れが起らず良好な結晶化シ
リカガラスが得られる。また、溶融するための加熱手段
としては、ＯＨ基の混入が少なく耐熱性の高いシリカガ
ラスが得られる電気溶融法を採用する。その時の雰囲気
は、窒素ガス雰囲気等の不活性ガス雰囲気や真空雰囲気
が用いられるが、型枠がカーボン性のときは、不活性ガ
ス雰囲気を必須する。型枠がセラミックス製であれば、
任意の雰囲気を選択することができる。
【００１３】本発明の治具は、上記製造方法で得られた
結晶相含有シリカガラスで作成したシリカガラス治具の
表面に耐プラズマエッチング性に優れた金属またはセラ
ミックスの薄膜がＣＶＤ法等で厚さ２ｎｍ以上に蒸着さ
れたシリカガラス治具である。前記薄膜形成の金属また
はセラミックスとしては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、Ｓｉ
3Ｎ4、Ｓｉ、カーボン（Ｃ）等を挙げることができる。
これらの金属またはセラミックスの熱膨張係数は１×１
０-6〜１×１０-5／℃である。そのため結晶相含有シリ
カガラスの熱膨張係数が前記範囲内になるようにα−ク
リストバライト結晶相の大きさ、含有量を選択する必要
がある。そのため、前記製造方法で得られた結晶相含有
シリカガラスを１０００℃以上の温度で徐々に再加熱し
結晶成長させ結晶相の大きさ、含有量をコントロールす
るのが良い。
結晶相含有シリカガラスで作成したシリカガラス治具の
表面に耐プラズマエッチング性に優れた金属またはセラ
ミックスの薄膜がＣＶＤ法等で厚さ２ｎｍ以上に蒸着さ
れたシリカガラス治具である。前記薄膜形成の金属また
はセラミックスとしては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、Ｓｉ
3Ｎ4、Ｓｉ、カーボン（Ｃ）等を挙げることができる。
これらの金属またはセラミックスの熱膨張係数は１×１
０-6〜１×１０-5／℃である。そのため結晶相含有シリ
カガラスの熱膨張係数が前記範囲内になるようにα−ク
リストバライト結晶相の大きさ、含有量を選択する必要
がある。そのため、前記製造方法で得られた結晶相含有
シリカガラスを１０００℃以上の温度で徐々に再加熱し
結晶成長させ結晶相の大きさ、含有量をコントロールす
るのが良い。
【００１４】本発明のシリカガラス治具は半導体のプラ
ズマエッチング処理工程で使用してもエッチングされる
ことが少なく従来のシリカガラス治具の１／１０以下程
度エッチングされるに過ぎない。その上薄膜のパーティ
クルを発生することがない。
ズマエッチング処理工程で使用してもエッチングされる
ことが少なく従来のシリカガラス治具の１／１０以下程
度エッチングされるに過ぎない。その上薄膜のパーティ
クルを発生することがない。
【００１５】以下、実施例に基づいてを本発明を具体的
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
【００１６】
実施例１
Ｕｎｉｍｉｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎで製造している
Ｉｏｔａ ＣＧＵ Ｆｉｎｅ（粒度範囲１００〜２５０
μｍ）とＩｏｔａ ６ Ｆｉｎｅ（粒度範囲１００〜２
５０μｍ）を８０：２０の割合でシリカガラス製ミル内
で混合した。前記混合粉をカーボン製型枠内に挿入した
シリカガラス管内に充填し窒素雰囲気中で１０００℃ま
でを９０分、１０００〜１２００℃を３０分、１２００
〜１６３０℃を９０分、１６３０℃〜１７２０℃を１８
０分で昇温し、１７２０℃で１時間保持した。得られた
結晶相含有シリカガラスを更に１４００℃で６０時間加
熱したところ、島状で１００μｍの大きさのα−クリス
トバライト結晶相を８０重量％含有する結晶相含有シリ
カガラスが得られた。前記結晶相含有シリカガラスを理
学電機（株）製の微小定荷重膨張計を用い、室温から７
００℃までを２℃／分の昇温速度で加熱し温度による長
さの変化率を測定し、計算により熱膨張率及び熱膨張係
数を求めた。前記熱膨張係数を求めるに当っては式１
Ｉｏｔａ ＣＧＵ Ｆｉｎｅ（粒度範囲１００〜２５０
μｍ）とＩｏｔａ ６ Ｆｉｎｅ（粒度範囲１００〜２
５０μｍ）を８０：２０の割合でシリカガラス製ミル内
で混合した。前記混合粉をカーボン製型枠内に挿入した
シリカガラス管内に充填し窒素雰囲気中で１０００℃ま
でを９０分、１０００〜１２００℃を３０分、１２００
〜１６３０℃を９０分、１６３０℃〜１７２０℃を１８
０分で昇温し、１７２０℃で１時間保持した。得られた
結晶相含有シリカガラスを更に１４００℃で６０時間加
熱したところ、島状で１００μｍの大きさのα−クリス
トバライト結晶相を８０重量％含有する結晶相含有シリ
カガラスが得られた。前記結晶相含有シリカガラスを理
学電機（株）製の微小定荷重膨張計を用い、室温から７
００℃までを２℃／分の昇温速度で加熱し温度による長
さの変化率を測定し、計算により熱膨張率及び熱膨張係
数を求めた。前記熱膨張係数を求めるに当っては式１
【００１７】
【式１】α（℃-1）＝（ΔＬ／Ｌ0）×（ｄＬ／ｄｔ）
式中、Ｌ0：基準温度（２５℃）での試料長
ｄｔ：微小温度差（２０℃）
ｄＬ：微小温度差ｄｔでの膨張長さ（μｍ）
に従ってｄｔ＝２０で中心差分法により求めた。それら
の結果を図１に示す。この図１からさらに平均熱膨張係
数を求めたところ、１．５×１０-6／℃であった。
の結果を図１に示す。この図１からさらに平均熱膨張係
数を求めたところ、１．５×１０-6／℃であった。
【００１８】この結晶相含有シリカガラスでプラズマエ
ッチング用治具を作成し、その表面にＳｉＨ4を原料と
して６００℃で５０μｍのポリシリコン膜を蒸着した。
得られた治具を下部電極板のホルダーとしてプラズマエ
ッチング装置に装着し、１ヶ月間使用したのち治具の表
面状態を観察した。ポリシリコン膜は若干エッチングさ
れていたが使用を中断する程のものではなかった。また
ポリシリコン膜にはクラックの発生もみられなかった。
ッチング用治具を作成し、その表面にＳｉＨ4を原料と
して６００℃で５０μｍのポリシリコン膜を蒸着した。
得られた治具を下部電極板のホルダーとしてプラズマエ
ッチング装置に装着し、１ヶ月間使用したのち治具の表
面状態を観察した。ポリシリコン膜は若干エッチングさ
れていたが使用を中断する程のものではなかった。また
ポリシリコン膜にはクラックの発生もみられなかった。
【００１９】実施例２
Ｉｏｔａ ＣＧＵ ＦｉｎｅとＩｏｔａ ６ Ｆｉｎｅ
の割合を５０：５０とした以外は、実施例１と同様にし
てα−クリストバライト結晶相の大きさが４０μｍの結
晶相含有シリカガラスを製造した。この結晶相含有シリ
カガラスの熱膨張係数を実施例１と同様の測定方法で測
ったところ、１×１０-6／℃であった。
の割合を５０：５０とした以外は、実施例１と同様にし
てα−クリストバライト結晶相の大きさが４０μｍの結
晶相含有シリカガラスを製造した。この結晶相含有シリ
カガラスの熱膨張係数を実施例１と同様の測定方法で測
ったところ、１×１０-6／℃であった。
【００２０】上記結晶相含有シリカガラスで治具を作成
し、その表面にモノシランとアンモニアとの混合ガス原
料を用い約３００℃でＳｉ3Ｎ4膜を１μｍ蒸着した。得
られた治具を実施例１と同様に耐プラズマエッチング試
験を行った。その結果、Ｓｉ3Ｎ4膜はほとんどエッチン
グされず、またクラックの発生もなかった。
し、その表面にモノシランとアンモニアとの混合ガス原
料を用い約３００℃でＳｉ3Ｎ4膜を１μｍ蒸着した。得
られた治具を実施例１と同様に耐プラズマエッチング試
験を行った。その結果、Ｓｉ3Ｎ4膜はほとんどエッチン
グされず、またクラックの発生もなかった。
【００２１】実施例３
実施例２で得られた結晶相含有シリカガラスを更に１４
００℃で２０時間加熱し、５００μｍのα−クリストバ
ライト結晶相を含有する結晶相含有シリカガラスを得
た。この加熱後の結晶相含有シリカガラスの熱膨張係数
は５×１０-6／℃であった。前記結晶相含有シリカガラ
スでシリカガラス治具を作成し、実施例１と同様にポリ
シリコン膜を蒸着した。この治具を実施例１と同様に耐
プラズマエッチング試験を行ったところ、若干エッチン
グがみられたが、クラックの発生は全くなかった。
００℃で２０時間加熱し、５００μｍのα−クリストバ
ライト結晶相を含有する結晶相含有シリカガラスを得
た。この加熱後の結晶相含有シリカガラスの熱膨張係数
は５×１０-6／℃であった。前記結晶相含有シリカガラ
スでシリカガラス治具を作成し、実施例１と同様にポリ
シリコン膜を蒸着した。この治具を実施例１と同様に耐
プラズマエッチング試験を行ったところ、若干エッチン
グがみられたが、クラックの発生は全くなかった。
【００２２】比較例１
酸水素溶融法で製造した熱膨張係数が５×１０-7／℃の
シリカガラスを用いて治具を作成し、実施例１と同様な
耐プラズマエッチング試験を行った。治具の表面はプラ
ズマでエッチングされ、使用できる状態ではなかった。
また使用後２週間でパーティクルが発生しシリコンウエ
ーハが汚染した。
シリカガラスを用いて治具を作成し、実施例１と同様な
耐プラズマエッチング試験を行った。治具の表面はプラ
ズマでエッチングされ、使用できる状態ではなかった。
また使用後２週間でパーティクルが発生しシリコンウエ
ーハが汚染した。
【００２３】
【発明の効果】本発明のシリカガラス治具は、高純度
で、耐熱性が高く、しかも治具を構成する結晶相含有シ
リカガラスの熱膨張係数が表面の耐プラズマ用薄膜と同
程度であるところから、該治具を用いてシリコンウエー
ハの高温処理を行っても薄膜にクラックが発生すること
がなく、パーティクルによるシリコンウエーハの汚染が
ない寿命の長い治具である。
で、耐熱性が高く、しかも治具を構成する結晶相含有シ
リカガラスの熱膨張係数が表面の耐プラズマ用薄膜と同
程度であるところから、該治具を用いてシリコンウエー
ハの高温処理を行っても薄膜にクラックが発生すること
がなく、パーティクルによるシリコンウエーハの汚染が
ない寿命の長い治具である。
【図１】本発明のシリカガラス治具の材料である結晶相
含有シリカガラスの室温から７００℃までの熱膨張係数
曲線及び熱膨張率曲線を示す。図１において、１は熱膨
張係数曲線、２は熱膨張率曲線である。
含有シリカガラスの室温から７００℃までの熱膨張係数
曲線及び熱膨張率曲線を示す。図１において、１は熱膨
張係数曲線、２は熱膨張率曲線である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C03C 1/00 - 14/00
C03C 15/00 - 23/00
B32B 1/00 - 35/00
C23C 14/00 - 14/58
H01L 21/302
H01L 21/3065
C30B 1/00 - 35/00
Claims (3)
- 【請求項１】シリカガラス表面に耐プラズマエッチング
性の高い薄膜が蒸着したシリカガラス治具において、該
シリカガラスが１μｍ以上のα−クリストバライト結晶
相とシリカガラス相とからなり、その熱膨張係数が１×
１０-6／℃以上であることを特徴とするシリカガラス治
具。 - 【請求項２】シリカガラスが１μｍ以上のα−クリスト
バライト結晶相を１０〜９９重量％の範囲で含有するこ
とを特徴とする請求項１記載のシリカガラス治具。 - 【請求項３】シリカガラス表面の耐プラズマエッチング
性の高い薄膜が金属またはセラミックスからなり、その
熱膨張係数が１×１０-6〜１×１０ -5 ／℃であることを
特徴とする請求項１または２記載のシリカガラス治具。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09749495A JP3400180B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | シリカガラス治具 |
| EP96903002A EP0757665B1 (en) | 1995-02-28 | 1996-02-27 | Method of producing a cristobalite-containing silica glass |
| PCT/EP1996/000794 WO1996026908A1 (en) | 1995-02-28 | 1996-02-27 | Cristobalite-contained silica glass, method of producing same and silica glass jig made of same |
| DE69611686T DE69611686T2 (de) | 1995-02-28 | 1996-02-27 | Cristobalit enthaltendes Quarzglas, und daraus hergestellte Quarzglas-Haltevorrichtung |
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