JP2018503585A - ドープト超低膨張ガラス及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ΔCTE=CTEmax−CTEmin (1)
によって決定することができる。図3に示されるように、CTEmax及びCTEminの位置はTZC=20℃と標記されたDSTガラスについてのCTE対温度曲線に関して示される。
TiCl4及びSiCl4のそれぞれの火炎加水分解によってチタニア及びシリカのスート粒子を作製し、スートを、OVDプロセスを用い、旋盤に取り付けたベイトロッド上に約16.5時間堆積させた。このようにした作製したスートブランクの重量は6010gであり、密度は0.43g/cm3、直径は135.2mmであった。次いで、スートブランクをマッフル炉内で以下のようにして固結した。He流(5slpm−標準リットル毎分)内において1125℃で60分間加熱する。次いで、炉内に0.15slpmのCl2を5slpmのHeとともに流しながら、1125℃でさらに120分間スートブランクを乾燥した。次に、4.96slpmのHe、0.04slpmのO2及び0.75slpmのSiF4を1125℃で40分間流すことでClをパージした。最後に、ブランクを、ガラス内の1.5重量%の目標F濃度に対して、4.96slpmのHe、0.04slpmのO2及び0.75slpmのSiF4を用い、マッフル炉内を6mm/分で下降させながら、1385℃のピーク温度で焼結した。得られたブランクはTiO2結晶の存在により青みを帯びた灰色を呈していた。60mm長(軸方向)×40mm幅(接線方向)×15mm厚のガラス板を固結ブランクから切り出し、結晶を融解させて透明ガラスを得るため、1670℃で1時間加熱した。1050℃と700℃の間、ガラス板を30℃/時間で冷却した。このガラス板を次いで870℃で1時間加熱することでアニールし、次いで、620℃から1℃/時間または0.3℃/時間の制御された冷却速度で冷却して、それぞれ713℃と698℃の2つの異なる仮想温度Tfを達成した。
TiCl4及びSiCl4のそれぞれの火炎加水分解によってチタニア及びシリカのスート粒子を作製し、スートを、OVDプロセスを用い、旋盤に取り付けたベイトロッド上に約16.5時間堆積させた。このようにした作製したスートブランクの重量は5992gであり、密度は0.42g/cm3、直径は135.7mmであった。次いで、スートブランクをマッフル炉内で以下のようにして固結した。He流(5slpm−標準リットル毎分)内において1125℃で60分間加熱する。次いで、炉内に0.15slpmのCl2を5slpmのHeとともに流しながら、1125℃でさらに120分間スートブランクを乾燥した。次に、4.96slpmのHeを1125℃で30分間流すことでClパージを行った。最後に、ブランクを、ガラス内の0.8重量%の目標F濃度に対して、4.92slpmのHe、0.08slpmのO2及び0.2slpmのSiF4を用い、マッフル炉内を6mm/分で下降させながら、1440℃のピーク温度で焼結した。得られたブランクはTiO2結晶の存在により青みを帯びた灰色を呈していた。60mm長(軸方向)×40mm幅(接線方向)×15mm厚のガラス板を固結ブランクから切り出し、結晶を融解させて透明ガラスを得るため、1670℃で1時間加熱した。1050℃と700℃の間、ガラス板を30℃/時間で冷却した。このガラス板を次いで970℃で1時間加熱することでアニールし、次いで、700℃まで1℃/時間または0.3℃/時間の制御された冷却速度で冷却して、それぞれ760℃と752℃の2つの異なる仮想温度Tfを達成した。
ドープトシリカ−チタニアガラス品において、
(i)シリカ−チタニアベースガラス、
(ii)フッ素ドーパント、及び
(iii)第2のドーパント、
を含むガラス組成を有するガラス品であり、
前記フッ素ドーパントが5重量%までのフッ素濃度を有し、前記第2のドーパントが、Al、Nb、Ta、B、Na、K、Mg、Ca及びLiの酸化物からなる群から選ばれる1つ以上の酸化物を50ppmから6重量%までの総酸化物濃度で含む、及び
さらに、前記ガラス品が20℃において0.5ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、
ガラス品。
前記シリカ−チタニアベースガラスが、8重量%から16重量%のチタニア及び残余のシリカを含む、実施形態1に記載のガラス品。
前記ガラス品が20℃において0.25ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、実施形態1に記載のガラス品。
前記ガラス品が750℃より低い仮想温度を有する、実施形態1に記載のガラス品。
前記ガラス品が0℃と100℃の間に第1のゼロクロス温度及び第2のゼロクロス温度を有し、前記ゼロクロス温度の間の最大CTEが8ppb/Kより小さい、実施形態1に記載のガラス品。
ドープトシリカ−チタニアガラス品において、
(i)シリカ−チタニアベースガラス、
(ii)5重量%までの濃度のフッ素ドーパント、及び
(iii)100ppmより低い濃度のOH、
を含むガラス組成を有するガラス品であり、
前記ガラス品が20℃において0.5ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、
ガラス品。
前記シリカ−チタニアベースガラスが、8重量%から16重量%のチタニア及び残余のシリカを含む、実施形態6に記載のガラス品。
前記ガラス品が20℃において0.25ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、実施形態6に記載のガラス品。
前記ガラス品が750℃より低い仮想温度を有する、実施形態6に記載のガラス品。
前記ガラス品が0℃と100℃の間に第1のゼロクロス温度及び第2のゼロクロス温度を有し、前記ゼロクロス温度の間の最大CTEが8ppb/Kより小さい、実施形態6に記載のガラス品。
ドープトシリカ−チタニアガラス体を作製するための方法において、
シリカ前駆体及びチタニア前駆体を用いてシリカ−チタニアスート粒子を作製する工程、
前記スート粒子からスートブランクを形成する工程、
前記スートブランクを炉内で固結する工程、前記固結工程は、
(a)前記スートブランクを不活性雰囲気流内で1200℃より高温に加熱する工程、及び
(b)ヘリウム含有ガス及び酸素含有ガスを含む固結ガス流、及びフッ素含有ガスを含むドーピングガス、の下で1250℃より高いピーク温度において前記ブランクを固結する工程、
を含む、
前記ブランクを少なくとも1つのガラス体に裁断する工程、
前記少なくとも1つのガラス体を少なくとも1500℃の結晶融解温度に加熱する工程、及び
前記少なくとも1つのガラス体を前記結晶融解温度から室温まで冷却する工程、前記冷却工程は、1050℃と700℃の間を約50℃/時間と0℃/時間の間の第1の冷却速度で約2時間から2000時間かける、前記少なくとも1つのガラス体の第1のアニール工程を含む、
を含む方法。
前記第1のアニール工程の後の前記少なくとも1つのガラス体の第2のアニール工程、前記第2のアニール工程は、
(i)前記少なくとも1つのガラス体を800℃から1000℃の範囲にある上位アニール温度で約0.5〜2時間加熱する工程、及び
(ii)前記少なくとも1つのガラス体を前記上位アニール温度から、600℃から700℃の範囲にある、下位アニール温度まで約50℃/時間と0℃/時間の間の第2の冷却速度で冷却する工程、
を含む、
をさらに含み、
前記第2のアニール工程は前記少なくとも1つのガラス体を前記結晶融解温度から室温まで冷却する前記工程中またはその後に行われる、
実施形態11に記載の方法。
前記フッ素含有ガスの濃度が前記少なくとも1つのガラス体内に重量で約5%までのフッ素を得るように設定される、実施形態11に記載の方法。
シリカ−チタニアスート粒子を作製するための前記工程が、前記少なくとも1つのガラス体内に50ppmから6重量%の総酸化物濃度が得られるように、Al、Nb、Ta、B、Na、K、Mg、Ca及びLiの酸化物からなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物ドーパント前駆体を用いる工程をさらに含む、実施形態11に記載の方法。
前記少なくとも1つのガラス体が、前記冷却工程後、20℃において0.5ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、実施形態11に記載の方法。
ドープトシリカ−チタニアガラス体を作製するための方法において、
シリカ前駆体及びチタニア前駆体を用いてシリカ−チタニアスート粒子を作製する工程、
前記スート粒子からスートブランクを形成する工程、
前記スートブランクを炉内で固結する工程、前記固結工程は、
(a)前記スートブランクを不活性雰囲気流内で1200℃より高温に加熱する工程、及び
(b)ヘリウム含有ガス及び酸素含有ガスを含む固結ガス流の下で1250℃より高いピーク温度において前記ブランクを固結する工程、
を含む、
前記ブランクを少なくとも1つのガラス体に裁断する工程、
前記少なくとも1つのガラス体を少なくとも1500℃の結晶融解温度に加熱する工程、
前記少なくとも1つのガラス体を結晶融解温度に加熱する前記工程の後、アルカリ酸化物で0.04重量%から1.4重量%の濃度のアルカリドーパントを500℃以上において前記少なくとも1つのガラス体内に拡散する工程、及び
前記少なくとも1つのガラス体を前記結晶融解温度から室温まで冷却する工程、前記冷却工程は、1050℃と700℃の間を約50℃/時間と0℃/時間の間に設定された第1の冷却速度で約2時間から2000時間かける、前記少なくとも1つのガラス体の第1のアニール工程を含む、
を含む方法。
前記第1のアニール工程の後の前記少なくとも1つのガラス体の第2のアニール工程、前記第2のアニール工程は、
(i)前記少なくとも1つのガラス体を800℃から1000℃の範囲にある上位アニール温度で約0.5〜2時間加熱する工程、及び
(ii)前記少なくとも1つのガラス体を前記上位アニール温度から、600℃から700℃の範囲にある、下位アニール温度まで約50℃/時間と0℃/時間の間の第2の冷却速度で冷却する工程、
を含む、
をさらに含み、
前記第2のアニール工程は前記少なくとも1つのガラス体を前記結晶融解温度から室温まで冷却する前記工程中またはその後に行われる、
実施形態16に記載の方法。
シリカ−チタニアスート粒子を作製するための前記工程が、B含有前駆体、ハロゲン含有前駆体、OH含有前駆体、Mn含有前駆体及びアルカリ土類含有前駆体からなる群から選ばれる少なくとも1つのドーパント前駆体を使用する工程をさらに含む、実施形態16に記載の方法。
前記固結ガス流がハロゲン含有ガスをさらに含む、実施形態16に記載の方法。
前記少なくとも1つのガラス体が、前記冷却工程後、20℃において1.3ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、実施形態16に記載の方法。
Claims (10)
- ドープトシリカ−チタニアガラス品において、
(i)シリカ−チタニアベースガラス、
(ii)フッ素ドーパント、及び
(iii)第2のドーパント、
を含むガラス組成を有するガラス品であり、
前記フッ素ドーパントが5重量%までのフッ素濃度を有し、前記第2のドーパントが、Al、Nb、Ta、B、Na、K、Mg、Ca及びLiの酸化物からなる群から選ばれる1つ以上の酸化物を50ppmから6重量%の総酸化物濃度で含む、及び
さらに、前記ガラス品が20℃において0.5ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、
ことを特徴とするガラス品。 - 前記シリカ−チタニアベースガラスが、8重量%から16重量%のチタニア及び残余のシリカを含むことを特徴とする請求項1に記載のガラス品。
- 前記ガラス品が20℃において0.25ppb/K2より小さい膨張率勾配を有することを特徴とする請求項1に記載のガラス品。
- 前記ガラス品が750℃より低い仮想温度を有することを特徴とする請求項1に記載のガラス品。
- 前記ガラス品が0℃と100℃の間に第1のゼロクロス温度及び第2のゼロクロス温度を有し、前記ゼロクロス温度の間の最大CTEが8ppb/Kより小さいことを特徴とする請求項1に記載のガラス品。
- ドープトシリカ−チタニアガラス品において、
(i)シリカ−チタニアベースガラス、
(ii)5重量%までの濃度のフッ素ドーパント、及び
(iii)100ppmより低い濃度のOH、
を含むガラス組成を有するガラス品であり、
前記ガラス品が20℃において0.5ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する、
ことを特徴とするガラス品。 - ドープトシリカ−チタニアガラス体を作製するための方法において、
シリカ前駆体及びチタニア前駆体を用いてシリカ−チタニアスート粒子を作製する工程、
前記スート粒子からスートブランクを形成する工程、
前記スートブランクを炉内で固結する工程、前記固結工程は、
(a)前記スートブランクを不活性雰囲気流内で1200℃より高温に加熱する工程、及び
(b)ヘリウム含有ガス及び酸素含有ガスを含む固結ガス流、及びフッ素含有ガスを含むドーピングガス、の下で1250℃より高いピーク温度において前記ブランクを固結する工程、
を含む、
前記ブランクを少なくとも1つのガラス体に裁断する工程、
前記少なくとも1つのガラス体を少なくとも1500℃の結晶融解温度に加熱する工程、及び
前記少なくとも1つのガラス体を前記結晶融解温度から室温まで冷却する工程、前記冷却工程は、1050℃と700℃の間を約50℃/時間と0℃/時間の間の第1の冷却速度で約2時間から2000時間かける、前記少なくとも1つのガラス体の第1のアニール工程を含む、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第1のアニール工程の後の前記少なくとも1つのガラス体の第2のアニール工程、前記第2のアニール工程は、
(i)前記少なくとも1つのガラス体を800℃から1000℃の範囲にある上位アニール温度で約0.5〜2時間加熱する工程、及び
(ii)前記少なくとも1つのガラス体を前記上位アニール温度から、600℃から700℃の範囲にある、下位アニール温度まで約50℃/時間と0℃/時間の間の第2の冷却速度で冷却する工程、
を含む、
をさらに含み、
前記第2のアニール工程は前記少なくとも1つのガラス体を前記結晶融解温度から室温まで冷却する前記工程中またはその後に行われる、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記フッ素含有ガスの濃度が前記少なくとも1つのガラス体内に重量で約5%までのフッ素を得るように設定されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- シリカ−チタニアスート粒子を作製するための前記工程が、前記少なくとも1つのガラス体内に50ppmから6重量%の総酸化物濃度が得られるように、Al、Nb、Ta、B、Na、K、Mg、Ca及びLiの酸化物からなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物ドーパント前駆体を用いる工程をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
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