JPH03192919A - Cmos集積回路 - Google Patents
Cmos集積回路Info
- Publication number
- JPH03192919A JPH03192919A JP33354189A JP33354189A JPH03192919A JP H03192919 A JPH03192919 A JP H03192919A JP 33354189 A JP33354189 A JP 33354189A JP 33354189 A JP33354189 A JP 33354189A JP H03192919 A JPH03192919 A JP H03192919A
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- JP
- Japan
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- analog switch
- voltage
- operational amplifier
- operating voltage
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- Prior art date
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- Pending
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003334 potential effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はアナログスイッチを内蔵するCMO8集積回路
に関する。
に関する。
[従来の技術]
第5図はこの種のCMO3I a回路の従来例に内蔵さ
れているアナログスイッチを示す回路図である。
れているアナログスイッチを示す回路図である。
pチャネル型トランジスタPsoとnチャネル型トラン
ジスタN5oを並列持続し、逆位相の信号φ、φをそれ
ぞれのゲートに供給することによって構成されたもので
あり、デジタル回路におけるトランスファゲートと同一
のものであった。
ジスタN5oを並列持続し、逆位相の信号φ、φをそれ
ぞれのゲートに供給することによって構成されたもので
あり、デジタル回路におけるトランスファゲートと同一
のものであった。
[発明が解決しようとする課題]
トー述した従来のCMOS集積回路は、内蔵するアナロ
グスイッチの動作に関し、電源電圧が高く、スイッチを
構成するnチャネル、pチャネル各トランジスタのゲー
ト信号が少なくとも一方のトランジスタの動作抵抗を十
分下げるのにモ分な電位であればよいが、電源電圧が低
くなった場合にはデジタル回路やオペアンプ等の他のア
ナログ回路よりも一層深刻な問題を生ずるという欠点が
ある。
グスイッチの動作に関し、電源電圧が高く、スイッチを
構成するnチャネル、pチャネル各トランジスタのゲー
ト信号が少なくとも一方のトランジスタの動作抵抗を十
分下げるのにモ分な電位であればよいが、電源電圧が低
くなった場合にはデジタル回路やオペアンプ等の他のア
ナログ回路よりも一層深刻な問題を生ずるという欠点が
ある。
なぜならアナログスイッチの場合ソース(nチャネルト
ランジスタの場合ゲートを除く他の2端子の低電イ17
側であり、Pチャネルトランジスタの場合はゲートを除
く他の2端子の高電位側端子である)の電(E7が低電
位電源電位から高電位電源電位の間の広い範囲の電位と
なるため、ゲート・ソース間電圧が小さくなると同時に
、一般にはソース基板間電圧がOvではないため基板電
位効果によりトランジスタのしきい′3圧も高くなって
しまうからである。従って、アナログスイッチを含むC
MOS集積回路は、最低動作電圧を下げることが他の集
積回路よりも難しいという欠点がある。例えば特別な措
置を加えない場合、低電位電源電位が接地電位、高電位
′ttL fA電位がV。。であり、CMOSスイッチ
の入力端子範囲(スイッチを構成するトランジスタのソ
ース電圧範囲)が接地電位からVIIOまでである場合
、各人力電位に対しCMOSスイッチを構成するp、n
チャネル各トランジスタのゲート・ソース間電圧の絶対
(gffの大きい方の値を考えると、そわが最小となる
のは、人力電荀がV。I、/2の時で、その時のトラン
ジスタのゲート・ソース間電圧もV oo/ 2となる
。従って、トランジスタのしきい電圧の絶対値を1vと
した場合、ゲート・ソース間電圧を少なくともしきい電
圧以トに保つためだけにも、電源電圧Vnoは小さくと
62v以上でなければならない。従って、現状2v程度
以下の電源電圧でアナログスイッチを使う場合は、昇圧
回路を使っている。しかし、これは外付のコンデンサを
必要としたり、または、非常に著しいチップ面積の増加
をまねくという欠点がある。
ランジスタの場合ゲートを除く他の2端子の低電イ17
側であり、Pチャネルトランジスタの場合はゲートを除
く他の2端子の高電位側端子である)の電(E7が低電
位電源電位から高電位電源電位の間の広い範囲の電位と
なるため、ゲート・ソース間電圧が小さくなると同時に
、一般にはソース基板間電圧がOvではないため基板電
位効果によりトランジスタのしきい′3圧も高くなって
しまうからである。従って、アナログスイッチを含むC
MOS集積回路は、最低動作電圧を下げることが他の集
積回路よりも難しいという欠点がある。例えば特別な措
置を加えない場合、低電位電源電位が接地電位、高電位
′ttL fA電位がV。。であり、CMOSスイッチ
の入力端子範囲(スイッチを構成するトランジスタのソ
ース電圧範囲)が接地電位からVIIOまでである場合
、各人力電位に対しCMOSスイッチを構成するp、n
チャネル各トランジスタのゲート・ソース間電圧の絶対
(gffの大きい方の値を考えると、そわが最小となる
のは、人力電荀がV。I、/2の時で、その時のトラン
ジスタのゲート・ソース間電圧もV oo/ 2となる
。従って、トランジスタのしきい電圧の絶対値を1vと
した場合、ゲート・ソース間電圧を少なくともしきい電
圧以トに保つためだけにも、電源電圧Vnoは小さくと
62v以上でなければならない。従って、現状2v程度
以下の電源電圧でアナログスイッチを使う場合は、昇圧
回路を使っている。しかし、これは外付のコンデンサを
必要としたり、または、非常に著しいチップ面積の増加
をまねくという欠点がある。
本発明は上記の欠点のないCMOS集稙回集金回路する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明のCMOS集積回路は、内蔵するアナログスイッ
チが、制御信号により出力状態をハイインピーダンスに
することができるオペアンプのポルデージフォロワ回路
である。
チが、制御信号により出力状態をハイインピーダンスに
することができるオペアンプのポルデージフォロワ回路
である。
[作用]
オン動作のときはボルテージフォロワ回路として働き、
オフ動作のときは出力をハイインピーダンスとするので
、従来のアナログスイッチと等価であり、動作電圧範囲
はオペアンプの動作電圧範囲となる。
オフ動作のときは出力をハイインピーダンスとするので
、従来のアナログスイッチと等価であり、動作電圧範囲
はオペアンプの動作電圧範囲となる。
[実施例]
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明のCMOS集積回路の第1の実施例を示
すブロック図、第2図、第3図はそれぞれ第1図の実施
例のオペアンプAIl+ A 21〜.A、、を詳細に
示す回路し1である。
すブロック図、第2図、第3図はそれぞれ第1図の実施
例のオペアンプAIl+ A 21〜.A、、を詳細に
示す回路し1である。
オペアンプA 11. A21.〜+An+はそれぞれ
各チャネルのアナログ入力端子V chI+ V ch
2−〜V chnを人力し、制御イl′S号φ、1.φ
、+(j=1゜2、・・・、n)がアクティブのときは
、人力したアナログ入力電圧V 、、hi T V c
h2 + 〜+ V chn L応じた出力′市川を出
力し、制御13号φ1.φJ1がインアクデイプのとき
は、出力をハイインピーダンスにする。アナログ・デジ
タル変換部CNV、はオペアンプA II+ A2.、
〜. An、が出力した出力電圧をA/D?換し出力@
D n II tに出力する。
各チャネルのアナログ入力端子V chI+ V ch
2−〜V chnを人力し、制御イl′S号φ、1.φ
、+(j=1゜2、・・・、n)がアクティブのときは
、人力したアナログ入力電圧V 、、hi T V c
h2 + 〜+ V chn L応じた出力′市川を出
力し、制御13号φ1.φJ1がインアクデイプのとき
は、出力をハイインピーダンスにする。アナログ・デジ
タル変換部CNV、はオペアンプA II+ A2.、
〜. An、が出力した出力電圧をA/D?換し出力@
D n II tに出力する。
ルj御信桂φ月、φ」1は互に逆相の関係にあり、選択
されるべきアナログ入力端子■l++ ” 21+〜、
Vnlか印加されているオペアンプAll+ A21
〜+An+の制御信−号φjl+φ月のみかアクティブ
にされる(本実施例では制御信号φJ1が電源vDDに
、制御信号φjlがグランドにそれぞれ接続される)。
されるべきアナログ入力端子■l++ ” 21+〜、
Vnlか印加されているオペアンプAll+ A21
〜+An+の制御信−号φjl+φ月のみかアクティブ
にされる(本実施例では制御信号φJ1が電源vDDに
、制御信号φjlがグランドにそれぞれ接続される)。
入力差動対がpチャネルトランジスタP3゜P4で構成
されているためグランドからほぼ(Voo l Vt
p l )程度までの電圧を入力とすることかてきる(
VTPはpチャネル・トランジスタのしきい電圧)。逆
に、vDI)からであれば入力差動対かnチャネル・ト
ランジスタであるものを用いればよいし、また、グラン
ドからvoまでの全範囲の電圧を入力電圧範囲としたけ
れば、やや素子数は増加するが第3図のようなnチャネ
ル・トランジスタ、pチャネル・トランジスタそれぞれ
からなる差動段を有するオペアンプを用いればよい。
されているためグランドからほぼ(Voo l Vt
p l )程度までの電圧を入力とすることかてきる(
VTPはpチャネル・トランジスタのしきい電圧)。逆
に、vDI)からであれば入力差動対かnチャネル・ト
ランジスタであるものを用いればよいし、また、グラン
ドからvoまでの全範囲の電圧を入力電圧範囲としたけ
れば、やや素子数は増加するが第3図のようなnチャネ
ル・トランジスタ、pチャネル・トランジスタそれぞれ
からなる差動段を有するオペアンプを用いればよい。
第4図は本発明の第2の実施例を示すブロック図である
。
。
デジタル・アナログ変換部C0NVRはデジタル入力電
圧DinをD/A変換する。オペアンプA1!。
圧DinをD/A変換する。オペアンプA1!。
A 2 t +〜、A、!はデジタル・アナログ変換部
C0NV2のD/A変換出力を入力し、制御信号φJ2
+φj2(J=’+ 2+〜+m)がアクティブのとき
は、入力したものをそれぞれ出力端0ehl+0ch2
゜〜Ochmに出力し、制御信号φJ2+ φ1□がイ
ンアクティブのときは出力端Oehl 、o eh2*
〜、Ochwaをハイインピーダンスとする。
C0NV2のD/A変換出力を入力し、制御信号φJ2
+φj2(J=’+ 2+〜+m)がアクティブのとき
は、入力したものをそれぞれ出力端0ehl+0ch2
゜〜Ochmに出力し、制御信号φJ2+ φ1□がイ
ンアクティブのときは出力端Oehl 、o eh2*
〜、Ochwaをハイインピーダンスとする。
つまり、本実施例は第1の実施例とは異なり、出力チャ
ネルの切換のために用いられている。
ネルの切換のために用いられている。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、通常のアナログスイッチ
としてボルテージフォロワ接続のオペアンプを用いるこ
とにより、アナログスイッチを必要とするCMO3集積
回路の最低動作電圧をオペアンプの最低動作電圧まで下
げることかできる効果がある。
としてボルテージフォロワ接続のオペアンプを用いるこ
とにより、アナログスイッチを必要とするCMO3集積
回路の最低動作電圧をオペアンプの最低動作電圧まで下
げることかできる効果がある。
第1図は本発明のCMO8集積回路の第1の実施例を示
すブロック図、第2図、第3図はそれぞれ第1図の実施
例のオペアンプAll、Al21〜.Alnを詳細に示
す回路図、第4図は本発明の第2の実施例を示すブロッ
ク図、第5図は従来例を示す回路図である。 A II、A 21+〜* Anl+ AI2+ A2
2+〜、A、、。 ・・・オペアンプ、 C0NV+・・・アナログ・デジタル変換部、C0NV
2・・・デジタル・アナログ変換部、PI + P 2
*〜*P*O・・・Pチャネル型トランジスタ、Nl
、N2.〜.N5n・・・nチャネル型トランジスタ。
すブロック図、第2図、第3図はそれぞれ第1図の実施
例のオペアンプAll、Al21〜.Alnを詳細に示
す回路図、第4図は本発明の第2の実施例を示すブロッ
ク図、第5図は従来例を示す回路図である。 A II、A 21+〜* Anl+ AI2+ A2
2+〜、A、、。 ・・・オペアンプ、 C0NV+・・・アナログ・デジタル変換部、C0NV
2・・・デジタル・アナログ変換部、PI + P 2
*〜*P*O・・・Pチャネル型トランジスタ、Nl
、N2.〜.N5n・・・nチャネル型トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アナログスイッチを内蔵するCMOS集積回路にお
いて、 前記アナログスイッチが、制御信号により出力状態をハ
イインピーダンスにすることができるオペアンプのボル
テージフォロワ回路であることを特徴とするCMOS集
積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33354189A JPH03192919A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Cmos集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33354189A JPH03192919A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Cmos集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03192919A true JPH03192919A (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=18267200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33354189A Pending JPH03192919A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Cmos集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03192919A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098305A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Yamaha Corp | 磁気測定装置 |
CN103973294A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-06 | 上海空间电源研究所 | 取最小值电路 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP33354189A patent/JPH03192919A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098305A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Yamaha Corp | 磁気測定装置 |
CN103973294A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-06 | 上海空间电源研究所 | 取最小值电路 |
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