JPH03192919A - Cmos集積回路 - Google Patents

Cmos集積回路

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Publication number
JPH03192919A
JPH03192919A JP33354189A JP33354189A JPH03192919A JP H03192919 A JPH03192919 A JP H03192919A JP 33354189 A JP33354189 A JP 33354189A JP 33354189 A JP33354189 A JP 33354189A JP H03192919 A JPH03192919 A JP H03192919A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
analog switch
voltage
operational amplifier
operating voltage
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33354189A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Tanimoto
谷本 晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はアナログスイッチを内蔵するCMO8集積回路
に関する。
[従来の技術] 第5図はこの種のCMO3I a回路の従来例に内蔵さ
れているアナログスイッチを示す回路図である。
pチャネル型トランジスタPsoとnチャネル型トラン
ジスタN5oを並列持続し、逆位相の信号φ、φをそれ
ぞれのゲートに供給することによって構成されたもので
あり、デジタル回路におけるトランスファゲートと同一
のものであった。
[発明が解決しようとする課題] トー述した従来のCMOS集積回路は、内蔵するアナロ
グスイッチの動作に関し、電源電圧が高く、スイッチを
構成するnチャネル、pチャネル各トランジスタのゲー
ト信号が少なくとも一方のトランジスタの動作抵抗を十
分下げるのにモ分な電位であればよいが、電源電圧が低
くなった場合にはデジタル回路やオペアンプ等の他のア
ナログ回路よりも一層深刻な問題を生ずるという欠点が
ある。
なぜならアナログスイッチの場合ソース(nチャネルト
ランジスタの場合ゲートを除く他の2端子の低電イ17
側であり、Pチャネルトランジスタの場合はゲートを除
く他の2端子の高電位側端子である)の電(E7が低電
位電源電位から高電位電源電位の間の広い範囲の電位と
なるため、ゲート・ソース間電圧が小さくなると同時に
、一般にはソース基板間電圧がOvではないため基板電
位効果によりトランジスタのしきい′3圧も高くなって
しまうからである。従って、アナログスイッチを含むC
MOS集積回路は、最低動作電圧を下げることが他の集
積回路よりも難しいという欠点がある。例えば特別な措
置を加えない場合、低電位電源電位が接地電位、高電位
′ttL fA電位がV。。であり、CMOSスイッチ
の入力端子範囲(スイッチを構成するトランジスタのソ
ース電圧範囲)が接地電位からVIIOまでである場合
、各人力電位に対しCMOSスイッチを構成するp、n
チャネル各トランジスタのゲート・ソース間電圧の絶対
(gffの大きい方の値を考えると、そわが最小となる
のは、人力電荀がV。I、/2の時で、その時のトラン
ジスタのゲート・ソース間電圧もV oo/ 2となる
。従って、トランジスタのしきい電圧の絶対値を1vと
した場合、ゲート・ソース間電圧を少なくともしきい電
圧以トに保つためだけにも、電源電圧Vnoは小さくと
62v以上でなければならない。従って、現状2v程度
以下の電源電圧でアナログスイッチを使う場合は、昇圧
回路を使っている。しかし、これは外付のコンデンサを
必要としたり、または、非常に著しいチップ面積の増加
をまねくという欠点がある。
本発明は上記の欠点のないCMOS集稙回集金回路する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明のCMOS集積回路は、内蔵するアナログスイッ
チが、制御信号により出力状態をハイインピーダンスに
することができるオペアンプのポルデージフォロワ回路
である。
[作用] オン動作のときはボルテージフォロワ回路として働き、
オフ動作のときは出力をハイインピーダンスとするので
、従来のアナログスイッチと等価であり、動作電圧範囲
はオペアンプの動作電圧範囲となる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明のCMOS集積回路の第1の実施例を示
すブロック図、第2図、第3図はそれぞれ第1図の実施
例のオペアンプAIl+ A 21〜.A、、を詳細に
示す回路し1である。
オペアンプA 11. A21.〜+An+はそれぞれ
各チャネルのアナログ入力端子V chI+ V ch
2−〜V chnを人力し、制御イl′S号φ、1.φ
、+(j=1゜2、・・・、n)がアクティブのときは
、人力したアナログ入力電圧V 、、hi T V c
h2 + 〜+ V chn L応じた出力′市川を出
力し、制御13号φ1.φJ1がインアクデイプのとき
は、出力をハイインピーダンスにする。アナログ・デジ
タル変換部CNV、はオペアンプA II+ A2.、
〜. An、が出力した出力電圧をA/D?換し出力@
D n II tに出力する。
ルj御信桂φ月、φ」1は互に逆相の関係にあり、選択
されるべきアナログ入力端子■l++ ” 21+〜、
 Vnlか印加されているオペアンプAll+ A21
〜+An+の制御信−号φjl+φ月のみかアクティブ
にされる(本実施例では制御信号φJ1が電源vDDに
、制御信号φjlがグランドにそれぞれ接続される)。
入力差動対がpチャネルトランジスタP3゜P4で構成
されているためグランドからほぼ(Voo  l Vt
p l )程度までの電圧を入力とすることかてきる(
VTPはpチャネル・トランジスタのしきい電圧)。逆
に、vDI)からであれば入力差動対かnチャネル・ト
ランジスタであるものを用いればよいし、また、グラン
ドからvoまでの全範囲の電圧を入力電圧範囲としたけ
れば、やや素子数は増加するが第3図のようなnチャネ
ル・トランジスタ、pチャネル・トランジスタそれぞれ
からなる差動段を有するオペアンプを用いればよい。
第4図は本発明の第2の実施例を示すブロック図である
デジタル・アナログ変換部C0NVRはデジタル入力電
圧DinをD/A変換する。オペアンプA1!。
A 2 t +〜、A、!はデジタル・アナログ変換部
C0NV2のD/A変換出力を入力し、制御信号φJ2
+φj2(J=’+ 2+〜+m)がアクティブのとき
は、入力したものをそれぞれ出力端0ehl+0ch2
゜〜Ochmに出力し、制御信号φJ2+ φ1□がイ
ンアクティブのときは出力端Oehl 、o eh2*
〜、Ochwaをハイインピーダンスとする。
つまり、本実施例は第1の実施例とは異なり、出力チャ
ネルの切換のために用いられている。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、通常のアナログスイッチ
としてボルテージフォロワ接続のオペアンプを用いるこ
とにより、アナログスイッチを必要とするCMO3集積
回路の最低動作電圧をオペアンプの最低動作電圧まで下
げることかできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のCMO8集積回路の第1の実施例を示
すブロック図、第2図、第3図はそれぞれ第1図の実施
例のオペアンプAll、Al21〜.Alnを詳細に示
す回路図、第4図は本発明の第2の実施例を示すブロッ
ク図、第5図は従来例を示す回路図である。 A II、A 21+〜* Anl+ AI2+ A2
2+〜、A、、。 ・・・オペアンプ、 C0NV+・・・アナログ・デジタル変換部、C0NV
2・・・デジタル・アナログ変換部、PI + P 2
 *〜*P*O・・・Pチャネル型トランジスタ、Nl
、N2.〜.N5n・・・nチャネル型トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、アナログスイッチを内蔵するCMOS集積回路にお
    いて、 前記アナログスイッチが、制御信号により出力状態をハ
    イインピーダンスにすることができるオペアンプのボル
    テージフォロワ回路であることを特徴とするCMOS集
    積回路。
JP33354189A 1989-12-22 1989-12-22 Cmos集積回路 Pending JPH03192919A (ja)

Priority Applications (1)

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JP33354189A JPH03192919A (ja) 1989-12-22 1989-12-22 Cmos集積回路

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JP33354189A JPH03192919A (ja) 1989-12-22 1989-12-22 Cmos集積回路

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JPH03192919A true JPH03192919A (ja) 1991-08-22

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JP (1) JPH03192919A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006098305A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Yamaha Corp 磁気測定装置
CN103973294A (zh) * 2014-05-05 2014-08-06 上海空间电源研究所 取最小值电路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006098305A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Yamaha Corp 磁気測定装置
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