JPH0319222Y2 - - Google Patents

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JPH0319222Y2
JPH0319222Y2 JP1983019621U JP1962183U JPH0319222Y2 JP H0319222 Y2 JPH0319222 Y2 JP H0319222Y2 JP 1983019621 U JP1983019621 U JP 1983019621U JP 1962183 U JP1962183 U JP 1962183U JP H0319222 Y2 JPH0319222 Y2 JP H0319222Y2
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core tube
furnace core
furnace
heating
cooling
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、半導体ウエハーの熱処理に使用する
熱処理装置に関するものである。
第1図は従来の熱処理装置としての化合物半導
体製造用液相エピタキシヤル装置の構成を示す模
式図であり、処理するウエハーを載置した高純度
炭素製ボート8は、管状加熱炉3の中央部の位置
に配置され炉芯管1内で熱処理される。その際材
料の一部であるAs、その他の物質が蒸発し、雰
囲気ガスに含まれて加熱炉3に覆われていないむ
き出し部分の炉芯管1の内面4に付着、堆積す
る。処理済のウエハーはボート8に載置された状
態で冷却位置10に引き出されここで冷却され、
冷却後13で示す方向に引き出されて炉芯管1外
に取り出される。図において、2は加熱炉3を収
容する炉体、5はチヤンバーフランジ、6は排気
口、7はボート引き出し棒、9は雰囲気ガス導入
ノズルである。
この方式によれば、炉芯管1の内面4の部分に
付着したAs等の清掃が困難であるばかりでなく、
炉芯管の洗浄頻度も高く、この結果、いわゆる炉
芯管の枯し作業に時間を要し、稼働率の悪いもの
であつた。さらに、冷却位置10の部分でボート
8を冷却する際、ボート8の熱により内面4の部
分に付着したAsの一部が再蒸発し、ボート8に
吸着し次サイクルのウエハーに、その特性を損う
ような悪影響を及ぼし、時に不良となるようなダ
メージを与えるという欠点があつた。
本考案の目的は、炉芯管の内面に不純物の付
着、堆積が生ぜず、処理物にダメージを生じさせ
ない熱処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本考案による熱処理
装置においては、炉芯管と、加熱炉と、加熱機構
と、冷却機構とを有する熱処理装置であつて、 炉芯管は、熱処理すべき処理物を収納するもの
であり、 加熱炉は、炉芯管内に収納された処理物を熱処
理するものであり、炉芯管の一部周面を覆つて配
置され、 加熱機構は、加熱炉から露出した炉芯管の処理
物取出口側の周囲に設置されたもので、炉芯管を
加熱して処理により生じた不純物が炉芯管に付着
するのを防止するものであり、 冷却機構は、炉芯管の処理物取出口側に設置さ
れ、炉芯管を強制的に冷却するものである。
以下に本考案の一実施例を図により説明する。
なお、第1図と同一構成部分には同一番号を付
してその説明を省略する。第2図に示すように、
本考案は管状加熱炉3から露出した炉芯管1の処
理物取出口側の下側に強制空冷用の冷却フアン1
2を設けるとともに、炉芯管1の処理物取出口側
に、該炉芯管を覆い、かつ割型にして移動可能と
したヒータ11を配置したものである。尚、割型
としたヒータ11に代えてシーズヒータを利用し
た通気性をもつ篭状の加熱体を設置しても良い。
実施例において、ウエハー処理中はヒータ11
に通電を行い、炉芯管1の内面4部分を加熱し、
As等の付着を防ぐ。雰囲気ガスに含まれたこれ
らの物質は、一部がチヤンバーフランジ5に付着
し、排気口6を通じて外部へ排出される。処理
後、ボート8を引き出し棒7により冷却位置10
に引き出すと同時にヒータ11への通電を断ち、
図示しない移動機構によりヒータ11を炉芯管1
より引き離し、炉芯管1を露出させて、強制空冷
フアン12を動作させ冷却を行う。冷却後、13
の方向にボート8を移動させてウエハーを取り出
し、次サイクルのウエハーを装填する。本考案に
おいては、As類の付着した部分へボートが移動
してくるときは、ボート8が十分に冷却された状
態であり、チヤンバーフランジ5に付着した不純
物の再蒸発、吸収を行うにいたらない。
以上説明したように、本考案によれば、炉芯管
内部で発生した不純物等の付着、堆積による炉芯
管自体の汚染を防いで洗浄頻度を低減でき、装置
の稼動率を向上できるばかりでなく、製品に与え
るダメージを低減でき、しかもボートの冷却促進
の効果があり、製品製造のサイクルタイムを低減
できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置の構成を示す模式図、第2図
は本考案の一実施例を示す模式図である。 1……炉芯管、3……加熱炉、11……ヒー
タ、12……強制空冷用フアン。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 炉芯管と、加熱炉と、加熱機構と、冷却機構と
    を有する熱処理装置であつて、 炉芯管は、熱処理すべき処理物を収納するもの
    であり、 加熱炉は、炉芯管内に収納された処理物を熱処
    理するものであり、炉芯管の一部周面を覆つて配
    置され、 加熱機構は、加熱炉から露出した炉芯管の処理
    物取出口側の周囲に設置されたもので、炉芯管を
    加熱して処理により生じた不純物が炉芯管に付着
    するのを防止するものであり、 冷却機構は、炉芯管の処理物取出口側に設置さ
    れ、炉芯管を強制的に冷却するものであることを
    特徴とする熱処理装置。
JP1962183U 1983-02-14 1983-02-14 熱処理装置 Granted JPS59125832U (ja)

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JPS59125832U JPS59125832U (ja) 1984-08-24
JPH0319222Y2 true JPH0319222Y2 (ja) 1991-04-23

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56153728A (en) * 1980-04-30 1981-11-27 Kokusai Electric Co Ltd Electric furnace having uniform temperature distribution region
JPS57112011A (en) * 1980-12-29 1982-07-12 Fujitsu Ltd Heat treatment equipment for semiconductor wafer
JPS5835428A (ja) * 1981-08-27 1983-03-02 Mitsubishi Electric Corp 温度記憶素子
JPS5934627A (ja) * 1982-08-23 1984-02-25 Hitachi Ltd 半導体熱処理装置

Patent Citations (4)

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JPS5835428A (ja) * 1981-08-27 1983-03-02 Mitsubishi Electric Corp 温度記憶素子
JPS5934627A (ja) * 1982-08-23 1984-02-25 Hitachi Ltd 半導体熱処理装置

Also Published As

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JPS59125832U (ja) 1984-08-24

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