JPH03190026A - 真空インタラプタの製造方法 - Google Patents
真空インタラプタの製造方法Info
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- JPH03190026A JPH03190026A JP32913089A JP32913089A JPH03190026A JP H03190026 A JPH03190026 A JP H03190026A JP 32913089 A JP32913089 A JP 32913089A JP 32913089 A JP32913089 A JP 32913089A JP H03190026 A JPH03190026 A JP H03190026A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、真空インタラプタの製造方法に係り、特に電
極が銅を主成分としている真空インタラブ夕の製造方法
に関したものである。
極が銅を主成分としている真空インタラブ夕の製造方法
に関したものである。
B1発明の概要
本発明は、真空インタラプタの最後の組立段階における
ロウ付部にTi−Alを主成分とするロウ材を用い、し
かむ真空中にて加熱排気することにより、ロウ付け強度
、気密接合の向上を図ったものである。
ロウ付部にTi−Alを主成分とするロウ材を用い、し
かむ真空中にて加熱排気することにより、ロウ付け強度
、気密接合の向上を図ったものである。
C1従来の技術
第4図は、この種真空インタラプタの従来の概略構成図
である。
である。
図中において、■は固定側部材であり、固定電極11を
内端に具備するり−ド棒I2と、固定側端板13とを主
要な部材として構成している。2は可動側部材であり、
可動電極2Iを内端に具備するリード棒22と、可動側
端板23と、ベローズ24とを主要な部材として構成し
ている。3はセラミックス等の部材からなる絶縁筒であ
り、31は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである。
内端に具備するり−ド棒I2と、固定側端板13とを主
要な部材として構成している。2は可動側部材であり、
可動電極2Iを内端に具備するリード棒22と、可動側
端板23と、ベローズ24とを主要な部材として構成し
ている。3はセラミックス等の部材からなる絶縁筒であ
り、31は絶縁筒の内側に設けた金属シールドである。
このように構成した真空インタラプタは、可動電極2M
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。
を図中で上下方向に可動することにより電流の開閉を行
うものである。
このような構成からなる真空インタラプタの製造は、一
般には次のような手段によって製造される。
般には次のような手段によって製造される。
■第4図のように構成各部材の接合部に、板ロウ、線ロ
ウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、これ
を真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って真
空インタラプタを一括して製造する。
ウからなるロウ材41〜47を配置して仮組立し、これ
を真空炉に入れて加熱排気とロウ付けを同時に行って真
空インタラプタを一括して製造する。
■固定側部材1と可動側部材2の一部、または全部を予
め前工程で製造しておき、そして、絶縁筒3との間にロ
ウ材42.47を介在させて、真空中でロウ付けと加熱
排気を同時に行って真空インタラプタを製造する。
め前工程で製造しておき、そして、絶縁筒3との間にロ
ウ材42.47を介在させて、真空中でロウ付けと加熱
排気を同時に行って真空インタラプタを製造する。
なお、前記■の場合には各所に同じロウ材(例えばCu
系のロウ材)を配置し、■の場合には溶融点の異なるロ
ウ材(例えばCu系とAg系)を使用するのが一般的で
ある。
系のロウ材)を配置し、■の場合には溶融点の異なるロ
ウ材(例えばCu系とAg系)を使用するのが一般的で
ある。
p8発明が解決しようとする課題
従来、真空インタラプタに要求される種々の特性を満た
すために、電極はCu(銅)を主成分としこれに低融点
金属、例えばBi(ビスマス)を、0.1〜20 重量
%含有することが一般的に行われている。
すために、電極はCu(銅)を主成分としこれに低融点
金属、例えばBi(ビスマス)を、0.1〜20 重量
%含有することが一般的に行われている。
しかし、電極がこのような低融点金属を含有している場
合には、ロウ付け時の温度(700〜1000℃)にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ社内に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼすことがある。
合には、ロウ付け時の温度(700〜1000℃)にて
電極より低融点金属の一部が蒸発することが知られてい
る。この蒸発した金属は、真空容器内部材に付着するば
かりか、その一部は溶融しているロウ社内に侵入してロ
ウ付け接合に悪影響を及ぼすことがある。
このような弊害の程度は、低融点金属の含有量との関係
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。
もあるが、特に問題となるのは気密シール接合部である
。
つまり、機械的な接合強度は十分であったとしても気密
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。
シール接合としては不十分なものとなってしまうおそれ
があるからである。
このような気密シール接合部としては、前述の第4図に
おける41,42,45,46.47のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■真空炉中で一括組立する場
合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。
おける41,42,45,46.47のロウ材の部位が
各々該当する箇所であり、■真空炉中で一括組立する場
合には、これらのロウ材の箇所全部が該当する。
■前工程で固定側、可動側部材を予め制作しておき次工
程で一体化する場合には、42.47のロウ材の箇所が
該当する。
程で一体化する場合には、42.47のロウ材の箇所が
該当する。
E1課題を解決するための手段
発明者らは、種々実験を行った結果、Cu(銅)部材相
互の接合を、TiとAIとからなるロウ材で接合すれば
、ロウ付け部に低融点金属の侵入がなく気密接合ロウ付
けを確実にできることを見出した。換言すれば、真空イ
ンタラプタにおけるCuまたはCuを主成分とする部材
相互のロウ付け接合、にTi−Alロウ材を用いれば確
実なロウ付け接合ができることが判った。また、Tiま
たはAIと共晶を作る材料を添加すると、Ti。
互の接合を、TiとAIとからなるロウ材で接合すれば
、ロウ付け部に低融点金属の侵入がなく気密接合ロウ付
けを確実にできることを見出した。換言すれば、真空イ
ンタラプタにおけるCuまたはCuを主成分とする部材
相互のロウ付け接合、にTi−Alロウ材を用いれば確
実なロウ付け接合ができることが判った。また、Tiま
たはAIと共晶を作る材料を添加すると、Ti。
AIの拡散層を安定化でき、接合を一層確実なものにで
きることも判明した。
きることも判明した。
すなわち、ロウ付部にTi、AIの拡散層が存在するこ
とで、例え電極等の部材が蒸発しやすい低融点金属を含
有していても、これらの金属のロウ付け接合界面への侵
入を効果的に防止でき、安定にロウ付けできることが判
った。
とで、例え電極等の部材が蒸発しやすい低融点金属を含
有していても、これらの金属のロウ付け接合界面への侵
入を効果的に防止でき、安定にロウ付けできることが判
った。
従って、本発明は、真空インタラプタにおけるCu部材
相互を接合するロウ材として、Tiを20〜90重量%
含有するT i −A 1合金ロウ材を用いたものであ
る。
相互を接合するロウ材として、Tiを20〜90重量%
含有するT i −A 1合金ロウ材を用いたものであ
る。
なお、
(I)TiまたはAIのいずれかと共晶を作る材料から
なる第3成分を添加し、TiとAIとを合計で20重量
%以上含有し、且つ重量比で、T i / A I =
20 / 80〜90/10とした合金ロウ材でも良
い。この共晶を作る材料(第3成分)としては、例えば
、Cu(銅)、In(インジウム)、 Ni にッケル
)、Mn(マンガン)、Pe(鉄)のうちの少なくとも
1種類が該当する。
なる第3成分を添加し、TiとAIとを合計で20重量
%以上含有し、且つ重量比で、T i / A I =
20 / 80〜90/10とした合金ロウ材でも良
い。この共晶を作る材料(第3成分)としては、例えば
、Cu(銅)、In(インジウム)、 Ni にッケル
)、Mn(マンガン)、Pe(鉄)のうちの少なくとも
1種類が該当する。
(2)低融点金属としては、例えば、Bi(ビスマス)
、Sb(アンチモン)等の耐溶着性、さい所持性を向上
させるのに添加する低融点金属が該当する。
、Sb(アンチモン)等の耐溶着性、さい所持性を向上
させるのに添加する低融点金属が該当する。
(3)ロウ材の使用条件としては、
■ロウ材は温度は、900〜l000℃。
■ロウ材は雰囲気は、真空中、不活性ガス中。
■ロウ材の厚さは、0.02〜1 、 Owx。
とするのが好ましい。
(4)電極は、前工程で予めリード棒にロウ付けしでも
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とリード棒
との接合の場合は本発明で用いたTi−Alロウ材でな
く、従来一般的に使用されているCu−Mn−Ni等の
ロウ材であっても差し支えない。ただし、本発明で使用
したTiAlロウ材を用いるのが望ましい。
良い。また低融点金属の含有量が少ない電極とリード棒
との接合の場合は本発明で用いたTi−Alロウ材でな
く、従来一般的に使用されているCu−Mn−Ni等の
ロウ材であっても差し支えない。ただし、本発明で使用
したTiAlロウ材を用いるのが望ましい。
(5)真空インタラプタを構成するCuまたはCuを主
成分とする部材は、全体をCuで形成する場合に限らず
、接合部のみにCu部材を用いることでも良い。
成分とする部材は、全体をCuで形成する場合に限らず
、接合部のみにCu部材を用いることでも良い。
F8作用
Cu部材のロウ付け接合部にTi、AIの拡散層が存在
することで低融点金属の接合界面への侵入を効果的に防
止でき、例え電極が低融点金属を含有していても真空イ
ンタラプタのロウ付け接合強度、および気密シール接合
を確実に且つ信頼性の高いものにできる。
することで低融点金属の接合界面への侵入を効果的に防
止でき、例え電極が低融点金属を含有していても真空イ
ンタラプタのロウ付け接合強度、および気密シール接合
を確実に且つ信頼性の高いものにできる。
G、実施例
本発明を以下の実施例に基づいて詳細に説明する。
まずロウ材の特性について調べた実験結果を説明する。
(実験例=1)
Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10il
f量%の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無
酸素銅との接合例である。
f量%の成分からなる、低融点金属含有の金属部材と無
酸素銅との接合例である。
(a)低融点金属を含有した部材についてlOOメツシ
ュの粒径のCr(クロム)粉末を、アルミナ容器(内径
683111)に約160g入れ、このCr粉末上にC
u−B1合金(約400g)を載置し、容器に蓋をかぶ
せ、これを真空炉内にて脱ガスと共にCu−B1合金の
融点以下の温度で加熱処理して、まずCr粒子を拡散結
合させて多孔質の溶浸母材を形成する。
ュの粒径のCr(クロム)粉末を、アルミナ容器(内径
683111)に約160g入れ、このCr粉末上にC
u−B1合金(約400g)を載置し、容器に蓋をかぶ
せ、これを真空炉内にて脱ガスと共にCu−B1合金の
融点以下の温度で加熱処理して、まずCr粒子を拡散結
合させて多孔質の溶浸母材を形成する。
その後温度を上げて、Cu、Biを溶浸母材に溶浸させ
る。
る。
この際にアルミナ容器内は、Bi蒸気を含んだ雰囲気と
なり、Biを多量に含有した複合金属が得られる。
なり、Biを多量に含有した複合金属が得られる。
こうして得られた金属材料を、容器から取り出し、外面
を機械加工して所定の寸法形状にする。
を機械加工して所定の寸法形状にする。
(b)ロウ材について
325メツシユの粒径のTiとAIの粉末と、これらT
i、AIと共晶を作る第3成分としてのCu粉末(−3
25メツシユ)とを用意し、Tih(35重量%、AI
が30重量%、Cuが35重量%となるように混合する
。
i、AIと共晶を作る第3成分としてのCu粉末(−3
25メツシユ)とを用意し、Tih(35重量%、AI
が30重量%、Cuが35重量%となるように混合する
。
この混合粉末を非酸化性雰囲気中で加熱溶解し、得られ
たインゴットを圧延成形して、約0 、2 zxの箔状
のロウ材に加工する。
たインゴットを圧延成形して、約0 、2 zxの箔状
のロウ材に加工する。
(c)ロウ付げについて
上記ロウ材(Ti−AI−Cu)を、Cu −Cr−B
i合金部材と、無酸素銅からなる部材との間に入れ、こ
れらをアルミナ容器内に設置し、且つ蓋をし、真空炉に
て加熱処理(980℃、15分間)して接合した。
i合金部材と、無酸素銅からなる部材との間に入れ、こ
れらをアルミナ容器内に設置し、且つ蓋をし、真空炉に
て加熱処理(980℃、15分間)して接合した。
(d)ロウ付けの結果について
上記のようにして得られた接合物は、強固に接合されて
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。
おり、しかもロウ材も十分に流動していることが確認さ
れた。
また、X線マイクロアナライザにて接合部の断面を観察
すると、Ti、AIの拡散層によって、Biの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。
すると、Ti、AIの拡散層によって、Biの界面への
析出は防止され、安定したロウ付け接合層が形成されて
いることが確認された。
(実験例−2〜38)
上述の実験例−1と同様な条件で、ロウ材の成分を変え
てロウ付け接合について調べた。その結果は第3図及び
下表に示す通りであった。
てロウ付け接合について調べた。その結果は第3図及び
下表に示す通りであった。
(以下余白)
なお、実験例−30〜35,37.38における、接合
強度は良好であり、引っ張り試験の結果、ロウ付け部で
はなく、接合した母材の部分が破壊する結果であった。
強度は良好であり、引っ張り試験の結果、ロウ付け部で
はなく、接合した母材の部分が破壊する結果であった。
従って、これらの結果から、■ロウ材をTiとAIとで
形成し、且つ両者の成分比(重量比)を、T i /
A lが20/80〜90/10とすれば良いことが判
った。
形成し、且つ両者の成分比(重量比)を、T i /
A lが20/80〜90/10とすれば良いことが判
った。
■Ti、Alと共晶を作る第3成分を添加すると、Tf
、AIの拡散層を安定化させる効果があり、含有させる
上限は80重量%であることが判った。
、AIの拡散層を安定化させる効果があり、含有させる
上限は80重量%であることが判った。
■好ましい組成は、T1とAIと共晶を作る材料(第3
成分)との組み合わせであり、且つ成分比(重量比)を
、 Ti /AI = 40/60〜80/20(T x
+A I ) / (第3成分)= 20/80〜90
/10とすれば良いことが判った。
成分)との組み合わせであり、且つ成分比(重量比)を
、 Ti /AI = 40/60〜80/20(T x
+A I ) / (第3成分)= 20/80〜90
/10とすれば良いことが判った。
(比較実験例)
比較のために一般的に知られている、AK−Cu−In
系ロウ材、及びCu−Mn−Ni系ロウ材を用い、温度
条件を前者は800℃、後者は950℃とし、且つ他の
条件は上記実施例=1と同様にしてロウ付けを試みたが
、いずれも剥離し、ロウ付けができなかった。
系ロウ材、及びCu−Mn−Ni系ロウ材を用い、温度
条件を前者は800℃、後者は950℃とし、且つ他の
条件は上記実施例=1と同様にしてロウ付けを試みたが
、いずれも剥離し、ロウ付けができなかった。
(一実施例)
上述の結果からTiを20〜90重量%含有するTi−
Al合金ロウ材であれば低融点金属を含有するCu(銅
)部材を直接接合しても十分な接合強度が得られること
が判ったので、このロウ材を用いて第1図に示す真空イ
ンタラプタを構成した。
Al合金ロウ材であれば低融点金属を含有するCu(銅
)部材を直接接合しても十分な接合強度が得られること
が判ったので、このロウ材を用いて第1図に示す真空イ
ンタラプタを構成した。
すなわち、第1図に示す真空インタラプタを構成するに
際して、まず第2図(a)に示す固定側部材1、及び第
2図(b)に示す可動側部材2を各々前工程で形成する
。
際して、まず第2図(a)に示す固定側部材1、及び第
2図(b)に示す可動側部材2を各々前工程で形成する
。
固定側部材1は、Cu(銅)からなる固定側端板13、
Cuからなるリード棒12、Cuからなる排気管I4、
からなるもので、これらの各部材の間に、35Cu−3
5Ti−30AI(重量%)の成分からなるロウ材(板
状ロウ材、線状ロウ材)を配置して仮組立し、非酸化性
雰囲気中(真空中)にて約980℃の温度に加熱して接
合形成する。
Cuからなるリード棒12、Cuからなる排気管I4、
からなるもので、これらの各部材の間に、35Cu−3
5Ti−30AI(重量%)の成分からなるロウ材(板
状ロウ材、線状ロウ材)を配置して仮組立し、非酸化性
雰囲気中(真空中)にて約980℃の温度に加熱して接
合形成する。
また、可動側部材2は、Cuからなる固定側端板23、
Cuからなるリード棒22.5US(ステンレス鋼)製
のベローズ24からなるもので、これらの各部材間に、
Cu−Mn−Niロウ材を配置して仮組立し、非酸化性
雰囲気中(真空中)にて約tooo℃の温度に加熱して
接合形成する。
Cuからなるリード棒22.5US(ステンレス鋼)製
のベローズ24からなるもので、これらの各部材間に、
Cu−Mn−Niロウ材を配置して仮組立し、非酸化性
雰囲気中(真空中)にて約tooo℃の温度に加熱して
接合形成する。
上述のように予め形成した固定側部材!と可動側部材2
とは、第1図に示すように、各リード棒12.22の内
端部にロウ材43.44 (板状ロウ材)を介して、電
極(Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10
重量%の成分)を設けて仮組立する。また、両端部にC
u(銅)からなる補助部材131,231を備えた絶縁
筒3に各々ロウ材42.47(板状ロウ材)を介して仮
組立する。
とは、第1図に示すように、各リード棒12.22の内
端部にロウ材43.44 (板状ロウ材)を介して、電
極(Cuが50重量%、Crが40重量%、Biが10
重量%の成分)を設けて仮組立する。また、両端部にC
u(銅)からなる補助部材131,231を備えた絶縁
筒3に各々ロウ材42.47(板状ロウ材)を介して仮
組立する。
これらロウ材42,43,44.47は、74Cu−1
3Ti−13AI (重量%)(実験例−37)であり
、非酸化性雰囲気中(真空)にて前工程のロウ付け温度
より低い温度の約920℃でロウ付け接合して所定の真
空インタラプタを一体化構成すると共に加熱排気して所
望の真空インタラプタを得る。
3Ti−13AI (重量%)(実験例−37)であり
、非酸化性雰囲気中(真空)にて前工程のロウ付け温度
より低い温度の約920℃でロウ付け接合して所定の真
空インタラプタを一体化構成すると共に加熱排気して所
望の真空インタラプタを得る。
このようにして形成した真空インタラプタにおける電極
11.21とリード棒12.22との接合、及び端板1
3,23と補助金具131.231とは強固に接合され
ている。特に端板13.23と補助金具131,231
との接合部は、ヘリウム・リークデテクターにより調査
した結果リークの全く無いことが確認できた。
11.21とリード棒12.22との接合、及び端板1
3,23と補助金具131.231とは強固に接合され
ている。特に端板13.23と補助金具131,231
との接合部は、ヘリウム・リークデテクターにより調査
した結果リークの全く無いことが確認できた。
なお、ベローズとリード棒及び端板との間に従来から一
般的に使用しているC u −M n −N lのロウ
材を使用したのは、本発明におけるCuTi−Alでは
SUSのロウ付けが安定していないことによるものであ
り、前述のような構成の可動側部材2を構成する場合に
あっては、このロウ材の部分がBiの悪影響を受けるこ
とはほとんど無いからである。
般的に使用しているC u −M n −N lのロウ
材を使用したのは、本発明におけるCuTi−Alでは
SUSのロウ付けが安定していないことによるものであ
り、前述のような構成の可動側部材2を構成する場合に
あっては、このロウ材の部分がBiの悪影響を受けるこ
とはほとんど無いからである。
H0発明の効果
本発明は、Ti、AIを主成分としたロウ材を用いてい
ることから、ロウ付け部にTi、AIの拡散層を形成し
、この拡散層が低融点金属の接合界面への侵入を効果的
に防止できることから、例え電極が低融点金属を含有(
0,1〜20重量%)していても電極とリード棒の接合
は確実である。
ることから、ロウ付け部にTi、AIの拡散層を形成し
、この拡散層が低融点金属の接合界面への侵入を効果的
に防止できることから、例え電極が低融点金属を含有(
0,1〜20重量%)していても電極とリード棒の接合
は確実である。
しかも気密シール接合部に蒸発した低融点金属が飛散し
てもロウ付け接合に侵入することはなく、気密シール接
合強度を確実且つ安定なものにできる。
てもロウ付け接合に侵入することはなく、気密シール接
合強度を確実且つ安定なものにできる。
しかも、Ti、AIと共晶を作る金属材料を添加すると
ロウ付け接合を一層安定に行うことができる。
ロウ付け接合を一層安定に行うことができる。
従って、真空インタラプタにおける信頼性、耐久性の向
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。
上が図れ、品質向上に寄与できるものである。
第1図は、本発明の一実施例における真空インタラプタ
の概略構成図、第2図(a)、(b)は、第1図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第3図は、ロウ材の
各実施例における成分比と評価の説明図、第4図は、従
来の真空インタラプタの概略構成図である。 !・・・固定側部材、2・・・可動側部材、42.43
゜44.47・・・ロウ材。
の概略構成図、第2図(a)、(b)は、第1図におけ
る真空インタラプタの部分組立図、第3図は、ロウ材の
各実施例における成分比と評価の説明図、第4図は、従
来の真空インタラプタの概略構成図である。 !・・・固定側部材、2・・・可動側部材、42.43
゜44.47・・・ロウ材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (I)少なくともリード棒と端板を備えた固定側部材と
、少なくともリード棒とベローズとを備えた可動側部材
と、これらの部材の端板が気密接合される絶縁筒と、各
リード棒の内端に設けた電極とを主要な構成部材とした
真空インタラプタの製造方法において、 前記固定側部材、及び可動側部材を予め形成する第1工
程と、形成した固定側部材および可動側部材と絶縁筒と
のロウ付け気密接合、及びリード棒の内端に電極をロウ
付け接合して真空インタラプタを組み立てると共に真空
中にて加熱排気して真空インタラプタを得る第2工程と
からなり、前記電極は銅を主成分とする材料で形成し、
前記第2工程におけるロウ付け部分となる部材の少なく
とも端部を銅を主成分とする材料で形成し、前記第2工
程における少なくとも気密接合部にTiを20〜90重
量%含有するTi−Alが主成分のロウ材を用いたこと
を特徴とする真空インタラプタの製造方法。 (2)第1工程で電極の少なくとも一方をリード棒内端
にロウ付けすることを特徴とする請求項1に記載の真空
インタラプタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32913089A JPH03190026A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 真空インタラプタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32913089A JPH03190026A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 真空インタラプタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03190026A true JPH03190026A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18217959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32913089A Pending JPH03190026A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 真空インタラプタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03190026A (ja) |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32913089A patent/JPH03190026A/ja active Pending
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