JPS59175521A - 真空バルブの製造方法 - Google Patents

真空バルブの製造方法

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JPS59175521A
JPS59175521A JP4868783A JP4868783A JPS59175521A JP S59175521 A JPS59175521 A JP S59175521A JP 4868783 A JP4868783 A JP 4868783A JP 4868783 A JP4868783 A JP 4868783A JP S59175521 A JPS59175521 A JP S59175521A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は各構成部品を750°0以上で接合する工程と
、750℃以下で接合する工程に区分された真空バルブ
の製造方法に係り、特に750°C以下の温度で真空気
密接合するのに適した接合材料及びそれを用いた真空バ
ルブの製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に、真空バルブは絶縁容器とその両端を端板で閉塞
して構成した内部圧力1 (F Torr以下の真空容
器内に、一対の接離自在な電極を配して構成している。
しかして一方の電極には、固定軸が取付けられており、
一方の端板を密に貫通して外部に導出し電路を構成して
いる。また他方の電極には電路となる可動軸が取付けら
れており、この、可動軸はベローズを介して、他側の端
板に取付けられ、真空保持状態で電極の開閉を可能にし
ている。
なお真空バルブの構成部品としては、その他に′前記電
極の周囲を取巻くように配置したアークシールドなどが
あり、使用目的や必要とする機能を確保するために上記
した以外の多くの構成部品が取付けられている。
これら構成部品の取付方法としては、接合材料となる金
属ろう(以下ろう材という)を用いたろう付や点溶接や
アーク溶接、成子ビーム溶接などによる方法があり、ま
た、それらを組合せて行うことがある。そのうちろう付
による方法が最も多く用いられている。この方法は、予
め互に接合しようとする部品の近傍にろう材を設定して
おき非酸化雰囲気炉中で高温に加熱してろう材を溶融さ
せ部品同志の接合を行なう方法であり、非酸化雰囲気炉
としては真空炉又は水素炉が一般に用いられている。
ところで、一般の真空バルブは真空バルブの内部を高真
空にするために真空バルブに設けた排気管を利用し、真
空ポンプで内部ガスを排気し、所定の高真空を得た後に
排気管を圧着等の手段によ−り封じ切ることによって真
空バルブを完成させる製造方法が知られている。しかし
排気管封じ切り部が外部に突出し配置されるため取扱い
上邪魔になるだけでなく、封じ切9部先端が損傷されや
すいという欠点があった。
その欠点を除去するために、排気管を有さない真空バル
ブがこれまでに種々提案されており、この製造方法を大
別すると次のようになっている。
(1)真空中で1回のろう付で全部品の組立てと真空密
閉を行う方法。
(2)  部分的な組立を真空中ろう付で行った後、更
に真空中ろう付にて真空密閉する方法。
(3)部分的な組立を水素雰囲気中ろう付で行った後、
真空中ろう付にて真空密閉する方法。
しかしながら、この排気管を、有しない真空ノ(ルブの
製造方法には1次のような欠点を有している。
すなわ°ち上記(1)の真空中で1回のろう付で全部品
の組立と、真空密閉を行う方法は、真空ノ(ルブの内部
部品が正常に配置されているかどうか、またろう材部の
状態が良好に保たれているかどうかなどの点について完
成した真空)くルブの外部から検査することが難かしく
真空バルブの品質保障を図る上で問題があった。
このような欠点を除去するため、上記(2)の部分的な
組立を真空中ろう付で行なっておき、しかる後に真空中
ろう付で真空密閉する方法が提案されている。この方法
によれば、部分的な組立を例えば950℃以上の温度で
高真空中(10’〜10”’ Thrr)でろう付する
ことにより、ベローズやアークシールドのようなステン
レス部品のろう付は表面にNi等のめっきを施えなくて
も、ろう材の濡れ性が良好となりろう付ができるという
長所を有している。
しかしながら真空バルブにおいては、このようなろう付
性のみならず電気的特性も勘案してろう付条件を選′定
しなければならない。すなわちこの方法では、短絡1流
通電時の溶着を防止する目的でCu中にBi、Pb、T
e、8b  などの高蒸気圧成分物質を少量添加するこ
とが多く、これら接点材料がちの高蒸気圧物質の飛散が
問題になる。また電流開閉時のさい断レベルを低める目
的で高導電性材料Agと低仕事画数の材料であるWCと
を合金化した接点が知られているが、この接点材料から
の高導送性材料の蒸発損失が問題となる。特に800℃
を越えた温度での真空封着を行うとき急激な蒸発と、耐
溶着性の低下が発生する。このように一定の温度以上で
、しかも高真空中でろう付した場合高蒸気圧物質は、蒸
発や飛散しゃすく耐溶着性能等を低下させるという欠点
があった。更に、高蒸気圧物質飛散に伴ない真空炉が汚
れやすいという欠点も有している。
このような点から上記(3)の部分的な組立を水素雰囲
気中ろう付で行う方法が良いが、この場合ステンレス部
品の表面にはNiなとのめっきを施さ欠ければろう付性
が良好に保てないという欠点を有している。すなわち水
素雰囲気中のろう付は、水素の還元作用を利用したもの
であり、ステンレスのようにCrを大量に含有したもの
では、950℃の場合露点を一40℃以下にすればNi
めつきを施さなくてもろう付することは可能であるが、
このような露点に保つことは構成部品からの水成分の放
出などの影響もあり工業的には困難な場合がある。
このような点から、部分的な組立を上記した950℃以
上の温度よりも、はるかに低い750℃以下の温度で行
えば、Bi、Pb、Te、Sb等の高蒸気圧物質或いは
Ag等の高導電性材料の蒸発や飛散を抑制し、耐溶着性
の低下を防止し得ることが考えられる。ここで、Bi、
Pb、Te、8bのような高蒸気圧物質が著しく蒸発す
ることは容易に理解できるが、これより数桁以上蒸気圧
の低いAgにおいても、(例えばAg−40,Ag−W
中の)800℃以上の接合温度で蒸発が顕著に認められ
、Agの欠損部を中心とした接触抵抗の増大→温度上昇
の繰返しによるジュール熱浴着を誘発する現象が、最近
の小型化などによる限界設計において、発生している。
すなわち、−例として27%Ag−wc接点で、600
°0,700℃、750℃、800”0゜850℃で1
0 ’ Torr の真空中で熱処理を与えた直径20
mm、100Rの浴着評価用試験片を用いた20kA 
の通電テストにおいて、接触圧力100kgの場合の溶
着引けずし力は、  600”0,700”C1750
℃処理ではほぼ20〜30kg以下であるのに対して、
SOO℃では80〜120kg% 850”0の場合1
50kg以上の値を示している。各試験片の通電テスト
前、すなわち真空中熱処理直後の表面層のAgの蒸発損
失の程度をX線マイクロアナライザでAgの強度として
求めると、真空中熱処理前を1.0としたとき、600
″0.700℃では0.9〜0.95,750℃では0
.9を維持しているが。
800°Cでは急激に低下し0.65,850℃では0
.5以下の強度を示し、上記溶着引けずし力とAg強度
は処理温度間の相関性を示している。この実験からもB
i、Pb、Te、Sb など高蒸気圧成分のみならず、
 Agなどにおいても全体接合温度は、接点特性を確保
する意味から処理温度は750 ’O以内とすべきこと
が判る。
以上述べたように、信頼性の高い真空バルブを得るため
には、真空バルブ気密部の接合熱処理温度は、750℃
より低い温度で行うことが得策である。750℃以下の
溶融点を持つ接合材料としては、従来からAgとCuを
主体とし、これにZnまたはZn+Cdを添加し、溶融
点の低下及びろう接合性の改善を図かったものが知られ
ている。真空中のろう接合では、Znなどの蒸発による
組成の変動に伴う特性の変化或いは炉の汚染を招くので
適していない。上記欠点を除いたものとしてやはりAg
とCuを主体とし、これにSnまたはInを添加したも
のが知られている。これらの合金は、Sn。
Inが比較的低い熱気圧特性を持っているので。
上記したZnのような蒸発によるトラブルは見当らず、
従って耐浴着性に致命的な影響は与えていない。しかし
本発明者らの実験によれば、Ag−Cu−8nは気密封
着部でのろう材の流動性不良を起こしやすい傾向を持ち
、局部的に被接合物の表面に濡れていないところが観察
されると共に気密不良を示す欠点がある。これは材料中
の8nの選択的酸化現象によるものと推考され、Ag−
Cu−8n合金が溶融に至る前に、ろう材自身から放出
される水分或いは真空容器内壁に吸着している空気、水
分などにより昇温過程で酸化を受は被接合物に対して濡
れ性を示さなかりたものと考えられる。
A g−Cu −I nは、上述とは逆に濡れ性がむし
ろ良すぎるため、一方の被接合物表面を濡らすと。
他方の被接合物表面にまで、ろう材がまわらず。
第1図のように見掛上ろう材Aが不足するように見受け
られ、結果的に十分な面積をカバーした濡れが得られな
い場合がある。特に十分な脚長Bが得られない。
このような、好ましくない濡れ性は実験室的な短期間の
気密性には合格するが、衝撃的な繰返し荷重を加えられ
たとき強度上に問題を招く欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、ろう何時の接点材料からの高蒸気圧
成分或いは高導電成分の蒸発や飛散−を抑制せしめ、経
済的でかつ信頼性に優れた真空バルブの製造方法を提供
することにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、被接合物間に550〜750 ”0の
溶融温度を持つAg−Cu=s n、’Ag−Cu−I
 n、 Ag−Cu −8,n−In系の接合材料を介
挿して真空バルブを製造する工程において、上記被接合
物の少なくとも一方の接合面が、あらかじめIn、8n
またはこれらの合金層で被覆されていることである。
また本発明の他の特徴は、接合材料がAg−Cu−8n
、Ag−Cu −In、Ag−Cu−Inから選択され
た1種類の芯材と、この芯材の周囲または上下面をAg
、Cu、Niから選択された1種類の材、料で密着被覆
された被覆材とで構成されている点にある。
本発明の他の特徴は、In、SnまたはI n=s n
合金層が1〜20μmの厚さとしたことである。
さらに本発明の他の特徴は、被接合物と接合材料または
複合接合材料との間には1〜50μmの厚さメNi層が
存在する1ことである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を説明する。
まず、本発明を適用する真空バルブの構成例を第2図を
参mlして説明する。1は真空バルブであり、アルミナ
磁器製の絶縁容器2、この絶縁容器2の両端を熱膨張係
数がアルミナ磁器と近似しているFe−Ni−Co合金
またはFe−Ni合金からなる端板3a、3bで閉塞し
、内部圧力がIQ−Torr以下の真空容器内に一対の
接離自在なa極4a。
4bを備えて構成している。しかして一方の電極4aに
は、例えば無酸素鋼からなる固定側通電軸5aが取付け
られ、端板3aを密に貫通して外部に導出し電路を構成
している。また他方の電極4bには、電路となる可動側
通電軸5bが取付けられステンレス製ベローズ6を介し
て端板3bに取付けられ、真空保持状態で電極4a 、
4bの開閉を可能にしている。7はアークシールドであ
り電極4a、4bの周囲を取巻くように配置し、電流開
閉時に電極4a 、4bから発生する金属蒸気で絶縁容
器2の内壁が汚損されることを防止している。
次に、上記で述べた真空バルブ1の製造方法について説
明する。本発明の接合材料及びこれを用いた真空バルブ
の製造方法は、真空バルブに使用する主要構成部品の接
合を全てろう付によって行うものである。
第3固転よび第4図において、8a〜8fは、液相温度
750℃以上を有するろう材であり、各部品を配置し部
品量接合個所にこのろう材83〜8fを配置させておき
1図示しないろう付炉に挿入後ろう材8a〜8fの液相
温度以上に加熱してろう付することにより部分組立が行
われる。
この部分組立が完了した後、第2図に示す絶縁容器20
両端に部分組立完了後の端板3a、3bを、ろう材9a
 、9bと共に設置しておき1図示しガいろう付炉を使
用し圧力10−’ Torr以下の高真空中で、ろう材
9a、9bの液相温度またはそれ以上で、かつ部分組立
に使用したろう材8a〜8fが溶融しない範囲の温度で
加熱し、真空中ろう付することにより真空バルブを製造
する。なおta 謙容器2の両端面には、例えばM o
 −M n等で焼付塗付された金属化層(メタライズ層
)が形成されてあり、端板3a、3bとの金属ろう付を
可能にしている。
周知のようにAgとCuとは共晶を形成することによっ
て接合材料の溶融温度を効率的に低く維持するためのも
ので、通常、銀ろう材料の主要成分として1史われてい
る。−万一 In、SnまたはIn−8n層は、Agと
Cuのみでは、共晶組成に於て779°Cまで低下させ
るのが限界であって1本発明のように更に低い耐融温度
を必要とする場合に選ばれるものであるが、溶融温度の
みを目的とするものであnば、Cd、Zn、Sbなども
有効であるが、例えば800℃で蒸気圧が夫々10’ 
mmHg +2 X 10 ” mmHg ; 2 m
mHgを持つため、真空中の封着に対して好ましくなく
、Sn、Inは夫々5X10イmm、Hg 、  5 
X 10″″4mmHgと前者より著しく低く本発明に
好都合な元素の選択である。尚、銀ろう合金の補助成分
としてSn、Inを用いることは公知技術である。
又、被接合部にIn、SnまたはIn−8nを被覆する
技術は、化学メッキ法が一般的で好都合であるが、蒸着
法、ディッピング法で被覆してもよく密着性と脱ガスを
兼ねだ熱処理を付加することは接合信頼性を向上するの
に有効である。
接合のだめの熱処理作業の温度を750℃以下にする理
由は、先にも述べたように接点材料中のBi、Te、P
b、Sb  の蒸発損失を軽減化させ、耐溶着性の維持
を図かるためであり、800℃では耐溶着性を著しく低
下させる。
被接合部に被覆するIn、SnまたはIn−8n層の厚
さq1〜2μmの範囲力5好ましい。その理由は1μm
以下では接合部の真空リークに対して。
被覆層が無いのと大差がなく、また20μmを越えたと
きには接合層の組成、温度制御が困難で、信頼度の面で
実際的でない。
参考例1゜ 0、5 % B 1−Cuを接点材料として持つ真空バ
ルブを全体ろう肘用ろう材としてAg−Cu−Sn合金
を用いて気密封着する。
第3図および第4図に示するう材8a〜8fとして、7
2%Ag−Cuろう材(同相、液相温度共779℃)を
用いあらかじめ水素炉で接合を行う。
こ几を第2図のように絶縁容器2、端板3a、3bなど
と共に組合せ、真空バルブとして組立てるに際しろう材
9a、9bとして60%Ag−30%Cu−10%Sn
  ろう材(固相温度610°C1液相温度720℃)
を採用し、10  ’Torrノ真空炉中で740 ’
Oの作業温度で接合処理を行う。すなわち被接合物すな
わち絶縁容器2の接合部ケよ、InまたはSnf@を設
けずNiメタライズ層のみとし、端板3a、3bの接合
部もInまたはSn層は設けず両者間に60%Ag−3
0%Cu−10%Sn ろう材を介挿した。その結果0
.5%B1−Cu接点合金表面の蒸発に関しては第1表
に示すように耐溶着性に影響を与えることはなかったが
、気密封着部(篤2図の9a、9b)に於けるAg−C
u−8nろう材の流動性不良が発生し、封着部には気泡
などが存在し、ろう材が被接合部に濡れていないところ
が一部に存在し、気密不良(真空度が十分に上がらない
)が認められた。この原因は、被接合、物表面、の汚染
被膜(例えば酸化物)の生成によること及び使用したろ
う材Ag−Cu−8n合金中のanの選択酸化現象によ
るろう材流れの不鼻などが考えられる。
実験例1〜4、参考例2,3 o、5Bi−Cu接点を用いて、その他の部分ろう何部
を参考例1と同様に72%Ag−Cuろう材を用いてあ
らかじめ接合を行なった。第5図に示すように被接合物
である絶縁容器2のNiメタライズ層2aに1.2μm
の厚さのIn金属層(以下In層という)11を付与さ
せ被接合物の端板3a 、3bの接合部分にも1.2μ
m厚さのIn層12を付与させ1両者間には参考例1と
同様に601Ag−30%Cu−10%In (厚さ一
200μm)ろう材を介挿させ10’Torrの真空温
度740℃で全体ろう付けを行った。この結果、ろう材
は端板aa、abに充分はい上った脚長13を示し第1
表に示すように、あらかじめ被接合物に被覆したIn層
12の効果によって参考例】のような気密不良は認めら
れず、完全な接合が行われた。
同様に被接合物へ被覆するInまたはSnの厚さは第1
表に示すように0.5μm、10.4μmでは真空気密
性に問題があり(参考例2.参考例3)、その厚さは実
験例1または実験例3のように1μm以上を必要とする
又、被接合物へ被覆する材料は、In、Sn単体のみで
なく両者の複合であっても、同等の効果が得られている
(実験例4)。
これらの効果は、  0.5 B 1−=Cu接点材料
に関係なく、他の接点にも適用できる。、(以下余白)
参考例4.実験例5 実験例1〜4、参考例1〜3は、第2図に符号9’a’
、 9 bで示す全体組立用ろう材として全てA g 
−’Cu’−S nを用いた例について述べたが、Ag
−Cu −I nについても同様の傾向を示す。すなわ
ち、被接合物上の被覆層の厚さが1.2μm(実験例5
)のときには気密封着は十分性われているが。
被覆層がない場合(参考例4)には気密封着不良が多発
している。
参考列5〜9 第2図に符号9a、9bで示す全体組立て用ろう材料と
して共晶銀ろうを使用し接合を行った。
共晶銀ろうは、溶融温度凝固温度が779 ’Oであり
、第2表に示す参考例5〜9では820°Cを処理温度
とした。第1表に示すように、気密胴着性tよ完全に行
われたものの耐溶着性が各接点とも低下していることが
認められ、これら各接点材料では、全体組立温度を所定
値以下に設定する重要性が示されている。
例えば0.5%B1−Cuの場合では、Ag−Cu−8
nを用いたときの溶着引きはずし力は10〜30 kg
(参考例1、実験例1、参考例3)であるのに対して、
共晶Agろうを用いたときの溶着引きはずし力は40〜
1sokg (参考例5)に上昇している。
同様に4%Te−Cuの場合でもAg−Cu−8nまた
はAg−Cu−Inを用いたときの溶着引きはずし力が
10〜4okg(参考例2、実験例3.参考例4)であ
るのに対して、共晶Agはうを用いたときの溶着引きは
ずし力は、(以下余白) 50〜90kg (参考例5)に上昇している。他の接
点も同様に大幅に耐溶着性は低下している。
尚、上記し、た接合材料は、InまたはSnを10チ含
有したものにつき述べたが接合時の処理温度が耐溶着性
に重要な影響を与えるのであって、実質的には750℃
以下で有効であることから、先のInまたは8nの量を
10係に限定することではない。特に耐I@着性を重要
視する真空バルブにおいては、更に溶融点を下げ、処理
温度を低くするためInまたは8nの量は更に増加する
など、目的に応じて適宜選択することができることはい
うまでもない。
耐浴着性の評価は5次の条件で行った。接点素材から外
径25m+nの円板状試料全作り、外径25閣、先端が
100Rの球面をなす加圧ロンドを対向させ100kg
 の荷重を加え、  10−61!lmHgの真空中に
おいて201cAの電流を流し、そのときの接点の引は
ずし力(kg)で耐溶着性を判断した。尚、上記形状、
寸法接点条件は、各接合材料の全体組立作業温度で真空
中に加熱したものである。
〔発明の効果〕
本発明は以上のように早成されているから、真空容器の
ろう付の際接点倒斜から高蒸気圧取分或いは高導電成分
の蒸発や飛散を抑制し、経済的でしかも信頼性に優れた
真空バルブの製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は不発明に関連する従来のろ9接合の濡れ性を示
す説明図、第2図は本発明に関連する真空バルブの構成
を示す断面図%第3図は本発明に関連する真空バルブの
部分拡大図、第4図は本発明に関連する真空バルブの第
3図と異なるt;5分拡大図、第5図は本発明のろう接
合の濡れ性を示す説明図である。 1・・・・・真空バルブ   2・・・・・絶縁容器3
 a 、 3 b 一端 板   11,1z・−In
 #(7317)  代理人 弁理士 則 近 憲 佑
 (ほか1名)第  1 図 第  2 図 第5図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)接離自在の一対の接点を設ける真空容器を複数の
    接合部材の間に500〜750℃の溶融温度のλg−C
    u−8n 、Ag−Cu−I n 、Ag−Cu−an
     −In系の接合材料を介在させて接合する真空バルブ
    において、前記接合部材の少なくとも一方の表面を、予
    めIn層もしくはSn層またはIn−an合金層で被覆
    したことを%徴とする真空バルブの製造方法。 (21In層もしくはSn層またはIn−an合金層を
    。 1〜20μmの厚さとしたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の真空バルブの製造方法。
JP4868783A 1983-03-25 1983-03-25 真空バルブの製造方法 Granted JPS59175521A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4868783A JPS59175521A (ja) 1983-03-25 1983-03-25 真空バルブの製造方法

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JPS59175521A true JPS59175521A (ja) 1984-10-04
JPH0471286B2 JPH0471286B2 (ja) 1992-11-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05139857A (ja) * 1991-11-14 1993-06-08 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミツクス基板と金属の接合体
US5594224A (en) * 1993-12-24 1997-01-14 Hitachi, Ltd. Vacuum circuit interrupter
JP2007059107A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Hitachi Ltd 電気接点

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