JPH03184301A - 厚膜サーミスタ組成物 - Google Patents
厚膜サーミスタ組成物Info
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- JPH03184301A JPH03184301A JP32325289A JP32325289A JPH03184301A JP H03184301 A JPH03184301 A JP H03184301A JP 32325289 A JP32325289 A JP 32325289A JP 32325289 A JP32325289 A JP 32325289A JP H03184301 A JPH03184301 A JP H03184301A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は基板上の電極間にサンドイッチ形に印刷形成さ
れる厚膜サーミスタ用の厚膜サーミスタ組成物に関する
。
れる厚膜サーミスタ用の厚膜サーミスタ組成物に関する
。
（従来の技術）
従来の厚膜サーミスタ組成物としては、Ｍｎ。
Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｎｉなとの遷移金属の酸化物粉末と、
導電材料としてのＲｕＯ２粉末と、さらにガラス粉末を
混合したものが知られている。
導電材料としてのＲｕＯ２粉末と、さらにガラス粉末を
混合したものが知られている。
そしてその使用方法としては、絶縁基板上の同一平面に
対設した印刷された電極間に両端を電極上に重ねてサー
ミスタ組成物を厚膜印刷して形成されたシート形サーミ
スタ、絶縁基板上に先ず第１の電極を印刷形成し次にこ
の第１の電極上に一部が重なるようにサーミスタ組成物
を卸刷して厚膜サーミスタ体を形成し、この厚膜サーミ
スタ体上に重ねて第２の電極を印刷してサンドイッチ形
にしたものが知られている。
対設した印刷された電極間に両端を電極上に重ねてサー
ミスタ組成物を厚膜印刷して形成されたシート形サーミ
スタ、絶縁基板上に先ず第１の電極を印刷形成し次にこ
の第１の電極上に一部が重なるようにサーミスタ組成物
を卸刷して厚膜サーミスタ体を形成し、この厚膜サーミ
スタ体上に重ねて第２の電極を印刷してサンドイッチ形
にしたものが知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、厚膜サーミスタは一般に、金属酸化物を成形
、焼結させたディスクタイプのサーミスタに比べ比抵抗
の高いガラス粉末を含んでいるため、抵抗値が非常に高
くなる。そのため低抵抗となるように、上記シート形よ
りも上記サンドイッチ形の印刷方法が主にとられている
。
、焼結させたディスクタイプのサーミスタに比べ比抵抗
の高いガラス粉末を含んでいるため、抵抗値が非常に高
くなる。そのため低抵抗となるように、上記シート形よ
りも上記サンドイッチ形の印刷方法が主にとられている
。
しかし、このサンドイッチ形印刷を行なっても抵抗値は
最低２にΩが限度である。
最低２にΩが限度である。
モして厚膜サーミスタの抵抗値を下げるために、ＲｕＯ
□粉末を加えているが、ＲｕＯ２の添加量が８ｗ１％を
越えると、第４図、第５図に示すように抵抗値およびＢ
定数（抵抗変化率を知る定数で一般のサーミスタではＢ
＝２０００に〜５０００にである）も急激に低下し、サ
ーミスタとして使用できなくなる。
□粉末を加えているが、ＲｕＯ２の添加量が８ｗ１％を
越えると、第４図、第５図に示すように抵抗値およびＢ
定数（抵抗変化率を知る定数で一般のサーミスタではＢ
＝２０００に〜５０００にである）も急激に低下し、サ
ーミスタとして使用できなくなる。
そこで抵抗値を下げるためにＲｕＯ２に加え、さらにＡ
ｇ１＾ｕ、 Ｃｕなどを加える方法もあるが、八ｇはマ
イグレーションなど信頼性の面で、＾Ｕは価格面で使用
できない。
ｇ１＾ｕ、 Ｃｕなどを加える方法もあるが、八ｇはマ
イグレーションなど信頼性の面で、＾Ｕは価格面で使用
できない。
またＣｕを含む材料は、従来のディスクタイプでも低抵
抗値品に使われているが、厚膜サーミスタとした場合、
Ｃｕを粉末のまま多量に加えると、ＲｕＯ□と同様に急
激な抵抗値低下を招くという問題がある。
抗値品に使われているが、厚膜サーミスタとした場合、
Ｃｕを粉末のまま多量に加えると、ＲｕＯ□と同様に急
激な抵抗値低下を招くという問題がある。
本発明の目的は上記問題点に鑑み金属酸化物と、ＲｕＯ
２とガラスよりなる厚膜サーミスタの抵抗値を下げるた
めにガラスの比抵抗を低下させた厚膜サーミスタ組成物
を提供するものである。
２とガラスよりなる厚膜サーミスタの抵抗値を下げるた
めにガラスの比抵抗を低下させた厚膜サーミスタ組成物
を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明の厚膜サーミスタ組成物はＭｎ、 Ｃｏ、 Ｆｅ
。
。
Ｎｉの夫々の酸化物のうちから選ばれたサーミスタ特性
を有する少なくとも２種の金属酸化物と、ＲｕＯ２より
なる導電性物質と、ガラスにＣｏ５Ｃｕ酸化物、Ｃｕ水
酸化物およびＣｕ炭酸塩のうちの少なくとも１種を溶融
して含有させたＣｕ融合ガラスとよりなるものである。
を有する少なくとも２種の金属酸化物と、ＲｕＯ２より
なる導電性物質と、ガラスにＣｏ５Ｃｕ酸化物、Ｃｕ水
酸化物およびＣｕ炭酸塩のうちの少なくとも１種を溶融
して含有させたＣｕ融合ガラスとよりなるものである。
（作用）
本発明の厚膜サーミスタ組成物は、金属酸化物によって
サーミスタ特性を、ＲｕＯ２により導電性が附与される
厚膜サーミスタ組成物の結合剤としてのガラスにＣｕが
融合されて添加されているため、ＲｕＯ２を増加させた
り、Ｃｕをそのまま添加した場合のように得られた厚膜
サーミスタの急激な抵抗値の低下がなく添加量に伴って
ゆるやかに抵抗値が低下し、低抵抗でＢ定数の大きい厚
膜サーミスタが得られる。
サーミスタ特性を、ＲｕＯ２により導電性が附与される
厚膜サーミスタ組成物の結合剤としてのガラスにＣｕが
融合されて添加されているため、ＲｕＯ２を増加させた
り、Ｃｕをそのまま添加した場合のように得られた厚膜
サーミスタの急激な抵抗値の低下がなく添加量に伴って
ゆるやかに抵抗値が低下し、低抵抗でＢ定数の大きい厚
膜サーミスタが得られる。
（実施例）
市販のホウケイ酸鉛ガラス粉末とＣｕＯを９９ｗｔ％〜
９０ｗｔ％：１ｗ（％〜１０ｗ１％となるように秤量し
、自動混合機またはボールミルにより充分に混合する。
９０ｗｔ％：１ｗ（％〜１０ｗ１％となるように秤量し
、自動混合機またはボールミルにより充分に混合する。
その後この混合粉末を白金ルツボに入れ、１２５０℃で
１０分間溶融する。溶融物を攪拌水中に滴下し、Ｃｕ融
合ガラスを作成する。このＣｕ融合ガラスをさらに粉砕
機またはボールミルで粉砕する。粉砕後３２５メツシュ
の篩にかけ、目的とするＣｕ融合ガラス粉末を得る。
１０分間溶融する。溶融物を攪拌水中に滴下し、Ｃｕ融
合ガラスを作成する。このＣｕ融合ガラスをさらに粉砕
機またはボールミルで粉砕する。粉砕後３２５メツシュ
の篩にかけ、目的とするＣｕ融合ガラス粉末を得る。
次にＭｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、Ｆｅ３Ｏ４を１：１：０
．２の重量比で固相反応させた金属酸化物粉末４７ｖｔ
％と ＲｕＯ２８ｖ１％、Ｃｕ融合ガラス粉末４５ｗｔ
％を混合する。ここに有機ビヒクルとして８Ｗ（％のエ
チルセルロースを含むブチルカルピトールを前記混合物
の３０ｗ（％となる様に加え、３本ロール等で充分に混
合し、厚膜サーミスタペーストを作成する。
．２の重量比で固相反応させた金属酸化物粉末４７ｖｔ
％と ＲｕＯ２８ｖ１％、Ｃｕ融合ガラス粉末４５ｗｔ
％を混合する。ここに有機ビヒクルとして８Ｗ（％のエ
チルセルロースを含むブチルカルピトールを前記混合物
の３０ｗ（％となる様に加え、３本ロール等で充分に混
合し、厚膜サーミスタペーストを作成する。
得られた厚膜サーミスタペーストを用い、第１図に示す
ように、基板１上に上下に対向する電極２，２の面積が
０．２５ｍｍ２でサーミスタ体３の膜厚が５０μｍとな
るようにサンドイッチ形の厚膜サーミスタを印刷、焼成
によって形成した。
ように、基板１上に上下に対向する電極２，２の面積が
０．２５ｍｍ２でサーミスタ体３の膜厚が５０μｍとな
るようにサンドイッチ形の厚膜サーミスタを印刷、焼成
によって形成した。
得られた厚膜サーミスタのガラス中のＣｕＯ添加量と出
現抵抗値を第２図に、同じくガラス中のＣｕＯ添加量と
Ｂ定数との関係を第３図に示す。
現抵抗値を第２図に、同じくガラス中のＣｕＯ添加量と
Ｂ定数との関係を第３図に示す。
以上の実施例ではガラスと融合するＣｕ原料としてＣｕ
Ｏを用いたが、他に、Ｃｕ、 Ｃｕ２Ｏ、Ｃｕ水酸化物
、Ｃｕ炭酸塩を使用することもできる。
Ｏを用いたが、他に、Ｃｕ、 Ｃｕ２Ｏ、Ｃｕ水酸化物
、Ｃｕ炭酸塩を使用することもできる。
なお、ガラスに含まれるＣｕまたはＣＵ酸化物（ＣｕＯ
５ＣＵ２０ ） 、Ｃｕ水酸化物、Ｃｕ炭酸塩は、１０
ｗｔ％までとした。それは１０ｗ１％を越えるとＣｕ添
加量に対し、比抵抗の低下率が悪（なるためである。
５ＣＵ２０ ） 、Ｃｕ水酸化物、Ｃｕ炭酸塩は、１０
ｗｔ％までとした。それは１０ｗ１％を越えるとＣｕ添
加量に対し、比抵抗の低下率が悪（なるためである。
第２図から、ガラス中のＣｕＯ含有量の増加に対し厚膜
サーミスタの出現抵抗値はゆるやかに低下している。
サーミスタの出現抵抗値はゆるやかに低下している。
また第３図から、ガラス中のＣｕＯ含有量の増加に比例
してＢ定数がゆるやかに低下している。
してＢ定数がゆるやかに低下している。
以上の結果より、Ｃｕ融合ガラス粉末を用いることによ
り抵抗値をゆるやかに低下させ、さらに高いＢ定数を有
する厚膜サーミスタを得ることができることがわかる。
り抵抗値をゆるやかに低下させ、さらに高いＢ定数を有
する厚膜サーミスタを得ることができることがわかる。
本発明によれば、サーミスタ特性を有する金属酸化物と
、導電性物質としてのＲｕＯ２と、Ｃｕ融合ガラスとよ
りなりＣＩｌを組成に直接添加しないため、Ｃｕがガラ
スの比抵抗を低下させ、厚膜サーミスタを形成した場合
低抵抗でＢ定数の高いものを得ることができる。
、導電性物質としてのＲｕＯ２と、Ｃｕ融合ガラスとよ
りなりＣＩｌを組成に直接添加しないため、Ｃｕがガラ
スの比抵抗を低下させ、厚膜サーミスタを形成した場合
低抵抗でＢ定数の高いものを得ることができる。
また、抵抗値の調整は、ＲｕＯ□の添加量に加えてＣｕ
融合ガラスのＣｕ、 Ｃｕ酸化物、Ｃｕ水酸化物、Ｃｕ
炭酸塩の添加量を変化させることによって複合的に行な
えるため抵抗値とＢ定数の幅の広い調整をすることがで
きる。
融合ガラスのＣｕ、 Ｃｕ酸化物、Ｃｕ水酸化物、Ｃｕ
炭酸塩の添加量を変化させることによって複合的に行な
えるため抵抗値とＢ定数の幅の広い調整をすることがで
きる。
第１図は本発明の組成物を用いたサンドイッチ形厚膜サ
ーミスタの縦断正面図、第２図は同上厚膜サーミスタの
ＣｕＯ添加量と抵抗値特性図、第３図は同上ＣｕＯ添加
量とＢ定数特性図、第４図は従来の厚膜サーミスタの ＲｕＯ□ の添加量と抵抗値 特性図、 第５図は同上 ＲｕＯ２ 添加量とＢ定数特性 図である。
ーミスタの縦断正面図、第２図は同上厚膜サーミスタの
ＣｕＯ添加量と抵抗値特性図、第３図は同上ＣｕＯ添加
量とＢ定数特性図、第４図は従来の厚膜サーミスタの ＲｕＯ□ の添加量と抵抗値 特性図、 第５図は同上 ＲｕＯ２ 添加量とＢ定数特性 図である。
Claims (1)
- （１）Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの夫々の酸化物のうちか
ら選ばれたサーミスタ特性を有する少なくとも２種の金
属酸化物と、 ＲｕＯ＿２よりなる導電性物質と、 ガラスにＣｕ、Ｃｕ酸化物、Ｃｕ水酸化物およびＣｕ炭
酸塩のうちの少なくとも１種を溶融して含有させたＣｕ
融合ガラスとよりなることを特徴とする厚膜サーミスタ
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32325289A JPH03184301A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 厚膜サーミスタ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32325289A JPH03184301A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 厚膜サーミスタ組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184301A true JPH03184301A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18152712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32325289A Pending JPH03184301A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 厚膜サーミスタ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223039A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型サーミスタおよびその特性調整方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115799A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Hitachi Ltd | Thermistor composition |
| JPS54119695A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-17 | Hitachi Ltd | Composite material for thick film thermistor |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32325289A patent/JPH03184301A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115799A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Hitachi Ltd | Thermistor composition |
| JPS54119695A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-17 | Hitachi Ltd | Composite material for thick film thermistor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223039A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型サーミスタおよびその特性調整方法 |
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