JPH03183749A - 電解コンデンサー用陽極箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサー用陽極箔の製造方法Info
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- JPH03183749A JPH03183749A JP32165089A JP32165089A JPH03183749A JP H03183749 A JPH03183749 A JP H03183749A JP 32165089 A JP32165089 A JP 32165089A JP 32165089 A JP32165089 A JP 32165089A JP H03183749 A JPH03183749 A JP H03183749A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、電解コンデンサー用陽極箔の製造に係り、よ
り詳しくは、交流エツチングにより表面積を拡大して使
用される中低圧電解コンデンサー用に好適なアルミニウ
ム箔の製造方法に関するものである。 （従来の技術及び解決しようとする課題）電解コンデン
サー用アルミニウム電極として用いられるアルミニウム
箔は、陽極用と陰極用に大別されるが、陽極用箔は化成
処理により表面に酸化アルミニウムを形成して用いられ
、一方、陰極用箔は化成処理せずに用いられる。 前者の陽極用アルミニウム箔は、更に高圧陽極用箔と中
低圧陽極用箔に大別されるが、いずれも、静電容量の増
大のため、電気化学的エツチングにより、表面積を拡大
して用いられている。 そして、近年、更に静電容量を高める目的で、材料組成
や金属組織の改善、エツチング方法の改善、箔の製造工
程に関する研究等１種々の研究がなされている。 すなわち、高圧陽極用箔に関しては、その軟質材に直流
エツチング法によってエツチング処理を施して表面積の
拡大化が図られている１例えば。 ４Ｈ［５３−１１４０５９や特開１１３−２８Ｅ００８
や特公昭６２−４２３７０にｉ：ｔ、ｐｂを含むアルミ
ニウム箔に最終焼鈍を高温で施して静が容量を高める方
法が提案されている。しかし、しずれも、直流エツチン
グによりトンネル状のエッチピットを形成した後２００
Ｖ以上で化成処理する、所謂高圧陽極用箔であり、軟質
箔として使汗されるものであるため、強度が低く、この
ような技術を中低圧用電解コンデンサー用箔には適用で
きない。 一方、中低圧用電解コンデンサーは、特に小型大容量が
要求されるため、エツチング方法も表面がより均一微細
に粗面化される交流エツチング法が適用されている。 しかしながら、特に中低圧陽極用箔に関しては従来の電
解コンデンサー陽極用アルミニウム箔では、充分に静電
容量が増大しないばかりか、場合によっては、エツチン
グ時に表面が化学的溶解作用により崩壊し、静電容量が
低下するという問題があった。 本発明は、特に中低圧陽極用箔に関する上記従来技術の
問題点を解決し、エツチング後の静電容量を顕著に増大
し得る電解コンデンサ１用ｐ１ｈ極アルミニウム箔の製
造方法を提供することを目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の問題点を解決するため種々検討した
結果、適正な量のＣｕとｐｂの共存と圧延工程中の焼鈍
との組合せによって、著しくエツチング後の静電容量が
増大できることを見い出し、本発明を完成したものであ
る。 すなわち１本発明は、必須元素として０．００１％≦Ｃ
ｕＳ０．０１％及び０．００００１％≦Ｐｂ≦０．００
０２％を含み、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり
、不純物としてＦｅ量０．０３％。 ＳｉＳ２．０３、その他の不純物の合計量〈０．０１％
以下に規制してなる純度≧９９．９４％のアルミニウム
鋳塊からアルミニウム箔を製造する方法において、熱間
圧延直後、又は冷間圧延の途中に焼鈍を施すことを特徴
とする電解コンデンサー用陽極箔の製造方法を要旨とす
るものである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） まず、本発明法は、特定組成のアルミニウム鋳塊を使用
することを前提とするものである６すなわち、以下に成
分限定連山を示すように。 必須元素として０．００１％≦Ｃｕ≦０．０１％と０．
００００１ ％≦Ｐｂ≦０．０００２％を含み、不純物
としてＦｅ量０．０３％、ＳｉＳ２．０３、その他の不
純物の合計量＜０．０１％の純度〉９９゜９４％のアル
ミニウム鋳塊を使用する必要がある。 Ｃｕ： Ｃｕは電解エツチング性の改善及び強度の向上のために
添加される元素であるが、Ｏ，００１％未満ではその効
果がなく、また０、０１％を超えるとエツチング性が強
くなり過ぎ、過剰溶解となるので好ましくない。したが
って、Ｃｕ量は０．００１〜０．０１％の範囲とする。 Ｐｂ： 同様に＋ Ｐｂも電解エツチング性の改善のために添加
される元素であるが、０．００００１％未満ではその効
果がなく、また０、０００２％を超えるとエツチング性
が強くなり過ぎ、過剰溶解となるので好ましくない。し
たがって、Ｐｂｆｉは０゜００００１〜０．０００２％
の範囲とし、より望ましくは、０．００００１．％＜ｐ
ｂ≦０．０００２％である。 Ｆｅ： Ｆｅは、電解エツチング時の化学溶解性に影響を及ぼし
、０．０３％より多いと化学溶解性が過剰となり、電解
コンデンサー用としては不適当であるので、Ｆｅ量は０
．０３％以下に規制する。なお、０．００２％未満では
、Ｃｕとｐｂの添加による効果がやや小さいので、０．
００２％≦Ｆｅ≦０゜０３％が好ましい。 Ｓｉ： Ｓｉは、電解コンデンサー用の場合、化学溶解性等に特
に悪影響を与えるものではないが、本発明の効果領域を
確保するために規制する。Ｓｉ量は通常、Ｆｅと略同等
の量であって、０．０３％以下とする。なお、０．００
２％≦Ｆｅの場合はＳｉも同様に０．００２％以上とす
るのが好ましい。 その他の不純物量： その他の不純物は、できるだけ少ない方が好ましく、合
計量で０．０１％未満に規制する。 純度： 純度が９９．９４％未満の場合は、Ｆｅが過剰となり、
前記の理由から好ましくないばかりでなく、Ｍｎ、Ｃｒ
等の不純物も多くなり、電解エツチング性を阻害するた
め、純度は９９．９４％以上とする。 次に製造条件について説明する。 上記成分組成のアルミニウム鋳塊について、本発明では
、熱間圧延直後、又は冷間圧延の途中に焼鈍を施す。こ
のような熱処理を施すことにより、素材中のｐｂが表面
に濃縮し、交流エツチングのエツチング性を高めるもの
と考えられるが、熱処理（焼鈍）を施したままでは箔の
強度が小さく、また、ｐｂともにエツチング性を高める
働きがある転位の密度が低いため、充分な静電容量の増
大をもたらさない。したがって、本発明では、熱処理後
の冷間圧延により、箔の強度と静電容量とを高めるので
ある。 この焼鈍の条件は特に限定されるものではなく、通常の
中間焼鈍温度である２５０〜ｂ ４時間以下の加熱で充分である。しかし、２５０℃未満
ではその効果が期待できない。 また熱間圧延及び冷間圧延の条件も特に制限されない。 このように、熱間圧延直後、又は冷間圧延の途中に焼鈍
を施して所望の箔厚とした電解コンデンサー用箔は、そ
のまま硬質箔として用いるため、エツチングや化成処理
時の通板性等のハンドリング性も良好である。 また、得られた硬質箔に適用されるエツチング方法は、
交流エツチングであればその条件は特に限定されるもの
ではないが、ＣＱイオンを２〜２０％及び燐酸又はシュ
ウ酸を０．１〜５％含む電解液中で処理することが望ま
しい。 なお、冷間圧延後に焼鈍を施すと、静電容量は増大する
が、強度が低下するので望ましくない。 （実施例） 以下に本発明の実施例を示す。 本見豐班上 Ｃｕ：０．００３％、ｐｂ：ｏ、ｏ ＯＯＯ３％を含み
、不純物としてＦｅ：０．００５％、Ｓｉ：０．００５
％とその他の不純物を含む純度９９．９８％のＡｌを常
法によって造塊し、均質化処理、熱間圧延し、６■厚の
板を作製した。この６ｍｍ厚の板を冷間圧延して０．５
ｍｍの厚さにし、３６０℃で２時間の中間焼鈍を行った
後、０．１１１１ｍｌ厚に圧延し、エツチング用の硬質
箔とした。 本見里男ス。 実施例１と同様にして８ＩＩＩＩ＋厚の板を熱間圧延に
より得た直後、４００℃で３時間の焼鈍を施し、冷間圧
延により０．１＋ｏ■厚とし、エツチング用の硬質箔と
した。 本１世１４走 Ｃｕ：０．００３％、Ｐｂ：Ｏ，０ＯＯ０６％を含み、
不純物としてＦｅ：０．００３％、Ｓｉ：０．００３％
、その他の不純物を含む純度９９．９８％のＡｌを用い
た以外は、実施例１と同様にしてＱ 、 １ ｍａ＋厚
の硬質箔を作製した。 本」目東例４− Ｃｕ：０．００３％、Ｐｂ：Ｏ，ＯＯＯＯ３％を含み、
不純物としてＦｅ：Ｏ，００１％、Ｓｉ：Ｏ，００１％
、その他の不純物を含む純度９９．９９％のＡｌを用い
た以外は、実施例１と同様にして０．１＋＋ｕｓ厚の硬
質箔を作製した。 生敗斑よ Ｃｕ：０．００３％、Ｐｂ＜０．００００１％、Ｆｅ二
０．００５％、Ｓｉ：０．００５％、その他の不純物を
含む純度９９．９８％のＡｌを用いた以外は、実施例１
と同様にして０．１１ＩＩＩ１１厚の硬質箔を作製した
。 」社主 実施例１と同様にして熱間圧延により得た８■厚の板に
ついて、中間焼鈍を行わずに冷間圧延して、０．Ｉｎ＋
ｍ厚の硬質箔を作製した。 良笠銖１ Ｃ１ｌ：０．００３％、Ｐｂ＜０．００００５％、Ｆｅ
二０．００２％、Ｓｉ：０．００２％、その他の不純物
を含む純度９９．９９％のＡｌを用い、比較例２と同様
にして０ 、１ ａｍ厚の硬質箔を作製した後、５５０
℃で４時間の真空焼鈍を施した。 黒栓例ｊ工 Ｃｕ：０．００３％、ｐｂ＜ｏ、ｏ ｏ ｏ ｏ ：ｔ
％、Ｆｅ：ｏ、ｏｏｉ％、Ｓｉ：Ｏ，００１％、その他
の不純物を含む純度９９．９９％のＡｌを用いた以外は
。 比較例２と同様にしてＯ、ｌ ＩＩＩｍ厚の硬質箔を作
製した。 以上の各実験例で得られた０、１＋ｕ＋厚さの硬質箔又
は軟質箔を、６０℃の３％塩酸に０．５％の燐酸を加え
た電解液中で０ 、６ Ａ ／ｃｏｄ”で４分間の５０
Ｈｚの交流エツチングを行った。その後、アジピン酸ア
ンモン水溶液中で、２０Ｖに化成処理し、ホウ酸アンモ
ン水溶液中で静電容量を測定した。比較例４で得られた
箔の場合の静電容量を１００とし、各実験例で得られた
箔についての静電容量の拡大率を求めた。その結果を第
１表に示す。 また、本発明例１、比較例１及び比較例３については、
交流エツチングによる重量減少量を交流エツチング前後
の重量差を測定することにより算出した。その結果を第
１表に示す。 更に、各実験例で得られた箔の抗張力を第１表に示す。 第１表より明らかなように、本発明例で得られた箔は、
静電容量が顕著に増大しており、しかも強度も充分得ら
れている。また、本発明の製造条件によれば重量減少が
少ない。 一方、本発明の製造条件であってもｐｂ量が不足してい
る比較例１は、静電容量が増大されていない。また、冷
間圧延の途中に焼鈍を行わない比較例２．４については
、ｐｂの量に拘らず、静電容量の向上は認められず、同
様に冷間圧延の途中に焼鈍を行わない比較例３は、冷間
圧延後に真空焼鈍を施しているので静電容量の増大が認
められるものの、強度が劣化している。
り詳しくは、交流エツチングにより表面積を拡大して使
用される中低圧電解コンデンサー用に好適なアルミニウ
ム箔の製造方法に関するものである。 （従来の技術及び解決しようとする課題）電解コンデン
サー用アルミニウム電極として用いられるアルミニウム
箔は、陽極用と陰極用に大別されるが、陽極用箔は化成
処理により表面に酸化アルミニウムを形成して用いられ
、一方、陰極用箔は化成処理せずに用いられる。 前者の陽極用アルミニウム箔は、更に高圧陽極用箔と中
低圧陽極用箔に大別されるが、いずれも、静電容量の増
大のため、電気化学的エツチングにより、表面積を拡大
して用いられている。 そして、近年、更に静電容量を高める目的で、材料組成
や金属組織の改善、エツチング方法の改善、箔の製造工
程に関する研究等１種々の研究がなされている。 すなわち、高圧陽極用箔に関しては、その軟質材に直流
エツチング法によってエツチング処理を施して表面積の
拡大化が図られている１例えば。 ４Ｈ［５３−１１４０５９や特開１１３−２８Ｅ００８
や特公昭６２−４２３７０にｉ：ｔ、ｐｂを含むアルミ
ニウム箔に最終焼鈍を高温で施して静が容量を高める方
法が提案されている。しかし、しずれも、直流エツチン
グによりトンネル状のエッチピットを形成した後２００
Ｖ以上で化成処理する、所謂高圧陽極用箔であり、軟質
箔として使汗されるものであるため、強度が低く、この
ような技術を中低圧用電解コンデンサー用箔には適用で
きない。 一方、中低圧用電解コンデンサーは、特に小型大容量が
要求されるため、エツチング方法も表面がより均一微細
に粗面化される交流エツチング法が適用されている。 しかしながら、特に中低圧陽極用箔に関しては従来の電
解コンデンサー陽極用アルミニウム箔では、充分に静電
容量が増大しないばかりか、場合によっては、エツチン
グ時に表面が化学的溶解作用により崩壊し、静電容量が
低下するという問題があった。 本発明は、特に中低圧陽極用箔に関する上記従来技術の
問題点を解決し、エツチング後の静電容量を顕著に増大
し得る電解コンデンサ１用ｐ１ｈ極アルミニウム箔の製
造方法を提供することを目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の問題点を解決するため種々検討した
結果、適正な量のＣｕとｐｂの共存と圧延工程中の焼鈍
との組合せによって、著しくエツチング後の静電容量が
増大できることを見い出し、本発明を完成したものであ
る。 すなわち１本発明は、必須元素として０．００１％≦Ｃ
ｕＳ０．０１％及び０．００００１％≦Ｐｂ≦０．００
０２％を含み、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり
、不純物としてＦｅ量０．０３％。 ＳｉＳ２．０３、その他の不純物の合計量〈０．０１％
以下に規制してなる純度≧９９．９４％のアルミニウム
鋳塊からアルミニウム箔を製造する方法において、熱間
圧延直後、又は冷間圧延の途中に焼鈍を施すことを特徴
とする電解コンデンサー用陽極箔の製造方法を要旨とす
るものである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） まず、本発明法は、特定組成のアルミニウム鋳塊を使用
することを前提とするものである６すなわち、以下に成
分限定連山を示すように。 必須元素として０．００１％≦Ｃｕ≦０．０１％と０．
００００１ ％≦Ｐｂ≦０．０００２％を含み、不純物
としてＦｅ量０．０３％、ＳｉＳ２．０３、その他の不
純物の合計量＜０．０１％の純度〉９９゜９４％のアル
ミニウム鋳塊を使用する必要がある。 Ｃｕ： Ｃｕは電解エツチング性の改善及び強度の向上のために
添加される元素であるが、Ｏ，００１％未満ではその効
果がなく、また０、０１％を超えるとエツチング性が強
くなり過ぎ、過剰溶解となるので好ましくない。したが
って、Ｃｕ量は０．００１〜０．０１％の範囲とする。 Ｐｂ： 同様に＋ Ｐｂも電解エツチング性の改善のために添加
される元素であるが、０．００００１％未満ではその効
果がなく、また０、０００２％を超えるとエツチング性
が強くなり過ぎ、過剰溶解となるので好ましくない。し
たがって、Ｐｂｆｉは０゜００００１〜０．０００２％
の範囲とし、より望ましくは、０．００００１．％＜ｐ
ｂ≦０．０００２％である。 Ｆｅ： Ｆｅは、電解エツチング時の化学溶解性に影響を及ぼし
、０．０３％より多いと化学溶解性が過剰となり、電解
コンデンサー用としては不適当であるので、Ｆｅ量は０
．０３％以下に規制する。なお、０．００２％未満では
、Ｃｕとｐｂの添加による効果がやや小さいので、０．
００２％≦Ｆｅ≦０゜０３％が好ましい。 Ｓｉ： Ｓｉは、電解コンデンサー用の場合、化学溶解性等に特
に悪影響を与えるものではないが、本発明の効果領域を
確保するために規制する。Ｓｉ量は通常、Ｆｅと略同等
の量であって、０．０３％以下とする。なお、０．００
２％≦Ｆｅの場合はＳｉも同様に０．００２％以上とす
るのが好ましい。 その他の不純物量： その他の不純物は、できるだけ少ない方が好ましく、合
計量で０．０１％未満に規制する。 純度： 純度が９９．９４％未満の場合は、Ｆｅが過剰となり、
前記の理由から好ましくないばかりでなく、Ｍｎ、Ｃｒ
等の不純物も多くなり、電解エツチング性を阻害するた
め、純度は９９．９４％以上とする。 次に製造条件について説明する。 上記成分組成のアルミニウム鋳塊について、本発明では
、熱間圧延直後、又は冷間圧延の途中に焼鈍を施す。こ
のような熱処理を施すことにより、素材中のｐｂが表面
に濃縮し、交流エツチングのエツチング性を高めるもの
と考えられるが、熱処理（焼鈍）を施したままでは箔の
強度が小さく、また、ｐｂともにエツチング性を高める
働きがある転位の密度が低いため、充分な静電容量の増
大をもたらさない。したがって、本発明では、熱処理後
の冷間圧延により、箔の強度と静電容量とを高めるので
ある。 この焼鈍の条件は特に限定されるものではなく、通常の
中間焼鈍温度である２５０〜ｂ ４時間以下の加熱で充分である。しかし、２５０℃未満
ではその効果が期待できない。 また熱間圧延及び冷間圧延の条件も特に制限されない。 このように、熱間圧延直後、又は冷間圧延の途中に焼鈍
を施して所望の箔厚とした電解コンデンサー用箔は、そ
のまま硬質箔として用いるため、エツチングや化成処理
時の通板性等のハンドリング性も良好である。 また、得られた硬質箔に適用されるエツチング方法は、
交流エツチングであればその条件は特に限定されるもの
ではないが、ＣＱイオンを２〜２０％及び燐酸又はシュ
ウ酸を０．１〜５％含む電解液中で処理することが望ま
しい。 なお、冷間圧延後に焼鈍を施すと、静電容量は増大する
が、強度が低下するので望ましくない。 （実施例） 以下に本発明の実施例を示す。 本見豐班上 Ｃｕ：０．００３％、ｐｂ：ｏ、ｏ ＯＯＯ３％を含み
、不純物としてＦｅ：０．００５％、Ｓｉ：０．００５
％とその他の不純物を含む純度９９．９８％のＡｌを常
法によって造塊し、均質化処理、熱間圧延し、６■厚の
板を作製した。この６ｍｍ厚の板を冷間圧延して０．５
ｍｍの厚さにし、３６０℃で２時間の中間焼鈍を行った
後、０．１１１１ｍｌ厚に圧延し、エツチング用の硬質
箔とした。 本見里男ス。 実施例１と同様にして８ＩＩＩＩ＋厚の板を熱間圧延に
より得た直後、４００℃で３時間の焼鈍を施し、冷間圧
延により０．１＋ｏ■厚とし、エツチング用の硬質箔と
した。 本１世１４走 Ｃｕ：０．００３％、Ｐｂ：Ｏ，０ＯＯ０６％を含み、
不純物としてＦｅ：０．００３％、Ｓｉ：０．００３％
、その他の不純物を含む純度９９．９８％のＡｌを用い
た以外は、実施例１と同様にしてＱ 、 １ ｍａ＋厚
の硬質箔を作製した。 本」目東例４− Ｃｕ：０．００３％、Ｐｂ：Ｏ，ＯＯＯＯ３％を含み、
不純物としてＦｅ：Ｏ，００１％、Ｓｉ：Ｏ，００１％
、その他の不純物を含む純度９９．９９％のＡｌを用い
た以外は、実施例１と同様にして０．１＋＋ｕｓ厚の硬
質箔を作製した。 生敗斑よ Ｃｕ：０．００３％、Ｐｂ＜０．００００１％、Ｆｅ二
０．００５％、Ｓｉ：０．００５％、その他の不純物を
含む純度９９．９８％のＡｌを用いた以外は、実施例１
と同様にして０．１１ＩＩＩ１１厚の硬質箔を作製した
。 」社主 実施例１と同様にして熱間圧延により得た８■厚の板に
ついて、中間焼鈍を行わずに冷間圧延して、０．Ｉｎ＋
ｍ厚の硬質箔を作製した。 良笠銖１ Ｃ１ｌ：０．００３％、Ｐｂ＜０．００００５％、Ｆｅ
二０．００２％、Ｓｉ：０．００２％、その他の不純物
を含む純度９９．９９％のＡｌを用い、比較例２と同様
にして０ 、１ ａｍ厚の硬質箔を作製した後、５５０
℃で４時間の真空焼鈍を施した。 黒栓例ｊ工 Ｃｕ：０．００３％、ｐｂ＜ｏ、ｏ ｏ ｏ ｏ ：ｔ
％、Ｆｅ：ｏ、ｏｏｉ％、Ｓｉ：Ｏ，００１％、その他
の不純物を含む純度９９．９９％のＡｌを用いた以外は
。 比較例２と同様にしてＯ、ｌ ＩＩＩｍ厚の硬質箔を作
製した。 以上の各実験例で得られた０、１＋ｕ＋厚さの硬質箔又
は軟質箔を、６０℃の３％塩酸に０．５％の燐酸を加え
た電解液中で０ 、６ Ａ ／ｃｏｄ”で４分間の５０
Ｈｚの交流エツチングを行った。その後、アジピン酸ア
ンモン水溶液中で、２０Ｖに化成処理し、ホウ酸アンモ
ン水溶液中で静電容量を測定した。比較例４で得られた
箔の場合の静電容量を１００とし、各実験例で得られた
箔についての静電容量の拡大率を求めた。その結果を第
１表に示す。 また、本発明例１、比較例１及び比較例３については、
交流エツチングによる重量減少量を交流エツチング前後
の重量差を測定することにより算出した。その結果を第
１表に示す。 更に、各実験例で得られた箔の抗張力を第１表に示す。 第１表より明らかなように、本発明例で得られた箔は、
静電容量が顕著に増大しており、しかも強度も充分得ら
れている。また、本発明の製造条件によれば重量減少が
少ない。 一方、本発明の製造条件であってもｐｂ量が不足してい
る比較例１は、静電容量が増大されていない。また、冷
間圧延の途中に焼鈍を行わない比較例２．４については
、ｐｂの量に拘らず、静電容量の向上は認められず、同
様に冷間圧延の途中に焼鈍を行わない比較例３は、冷間
圧延後に真空焼鈍を施しているので静電容量の増大が認
められるものの、強度が劣化している。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明によれば、所定量のＣｕと
ｐｂを含み不純物量を規制した純度〉９９゜９４％のア
ルミニウム鋳塊に特定条件で熱間圧延及び冷間圧延を施
すので、高い静電容量の電解コンデンサー用陽極箔が得
られる。また、硬質箔として強度も充分得られるので、
特に中低圧電解コンデンサー用陽極箔として適している
。
ｐｂを含み不純物量を規制した純度〉９９゜９４％のア
ルミニウム鋳塊に特定条件で熱間圧延及び冷間圧延を施
すので、高い静電容量の電解コンデンサー用陽極箔が得
られる。また、硬質箔として強度も充分得られるので、
特に中低圧電解コンデンサー用陽極箔として適している
。
Claims (2)
- （１）重量％で（以下、同じ）、必須元素として０．０
０１％≦Ｃｕ≦０．０１％及び０．００００１％≦Ｐｂ
≦０．０００２％を含み、残部がＡｌ及び不可避的不純
物からなり、不純物としてＦｅ≦０．０３％、Ｓｉ≦０
．０３、その他の不純物の合計量＜０．０１％以下に規
制してなる純度≧９９．９４％のアルミニウム鋳塊から
アルミニウム箔を製造する方法において、熱間圧延直後
、又は冷間圧延の途中に焼鈍を施すことを特徴とする電
解コンデンサー用陽極箔の製造方法。 - （２）前記アルミニウム箔が中低圧電解コンデンサー用
のものである請求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32165089A JPH03183749A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 電解コンデンサー用陽極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32165089A JPH03183749A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 電解コンデンサー用陽極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183749A true JPH03183749A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18134870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32165089A Pending JPH03183749A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 電解コンデンサー用陽極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183749A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118035A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP2008095199A (ja) * | 2007-10-12 | 2008-04-24 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP32165089A patent/JPH03183749A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118035A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP2008095199A (ja) * | 2007-10-12 | 2008-04-24 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
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