JPH03183129A - ウェーハ研磨方法 - Google Patents
ウェーハ研磨方法Info
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- JPH03183129A JPH03183129A JP1322959A JP32295989A JPH03183129A JP H03183129 A JPH03183129 A JP H03183129A JP 1322959 A JP1322959 A JP 1322959A JP 32295989 A JP32295989 A JP 32295989A JP H03183129 A JPH03183129 A JP H03183129A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェーハの周側面に嵌合する貫通孔のホールを有して遊
星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャリアを用い、
該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研磨布を押し当
てて該ウェーハを研磨するウェーハ研磨方法に関し、 ウェーハの面だれを低減させることを目的とし、前記キ
ャリアは、その厚さをウェーハの仕上がりよりも薄くし
て、前記ホールの周縁部に厚さ方向の突起を設けたもの
を用いるように構成する。
星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャリアを用い、
該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研磨布を押し当
てて該ウェーハを研磨するウェーハ研磨方法に関し、 ウェーハの面だれを低減させることを目的とし、前記キ
ャリアは、その厚さをウェーハの仕上がりよりも薄くし
て、前記ホールの周縁部に厚さ方向の突起を設けたもの
を用いるように構成する。
本発明は、ウェーハの周側面に嵌合する貫通孔のホール
を有して遊星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャリ
アを用い、該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研磨
布を押し当てて該ウェーハを研磨するウェーハ研磨方法
に関する。
を有して遊星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャリ
アを用い、該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研磨
布を押し当てて該ウェーハを研磨するウェーハ研磨方法
に関する。
上記のウェーハ研磨は、半導体装置の半導体基板として
用いられるウェーハを製造する際に賞月される工程であ
り、半導体装置の高集積化に伴い、ウェーハの面だれを
極力低減させることが望まれている。
用いられるウェーハを製造する際に賞月される工程であ
り、半導体装置の高集積化に伴い、ウェーハの面だれを
極力低減させることが望まれている。
第３図（ａ）（ロ）は当該ウェーハ研磨を説明する側断
面図と平面図である。
面図と平面図である。
第３図において、このウェーハ研磨は、ウェーハＷの周
側面に嵌合する貫通孔のホール２を有して、（ロ）に示
す遊星歯車機構により遊星運動をする円板状のキャリア
１を用い、（ａ）に示すように、ホール２にウェーハＷ
を嵌入し表裏両面に研磨布４を押し当ててウェーハＷの
両面を研磨するものである。なお、キャリア２の周縁は
、前記遊星運動のために歯車の歯３が形成されている。
側面に嵌合する貫通孔のホール２を有して、（ロ）に示
す遊星歯車機構により遊星運動をする円板状のキャリア
１を用い、（ａ）に示すように、ホール２にウェーハＷ
を嵌入し表裏両面に研磨布４を押し当ててウェーハＷの
両面を研磨するものである。なお、キャリア２の周縁は
、前記遊星運動のために歯車の歯３が形成されている。
また、研磨布４の押し当て面には適宜の研磨剤が供給さ
れる。
れる。
このウェーハ研磨の従来例で用いる上記キャリアは、第
４図（ａ）（ロ）の平面図と側断面図に示される。
４図（ａ）（ロ）の平面図と側断面図に示される。
同図において、１人は第３図のキャリア１に該当するキ
ャリアである。
ャリアである。
キャリアＩＡは、材料に樹脂を用い、表裏両面を平面に
して、厚さをウェーハＷの仕上がりよりも薄くしである
。この材料は、歯３の寿命を考えると金属にするのが望
ましいが、金属はウェーハＷに混入すると製造する半導
体装置に悪影響を及ぼすので、敢えて樹脂にしである。
して、厚さをウェーハＷの仕上がりよりも薄くしである
。この材料は、歯３の寿命を考えると金属にするのが望
ましいが、金属はウェーハＷに混入すると製造する半導
体装置に悪影響を及ぼすので、敢えて樹脂にしである。
また、厚さを上記のように薄くしであるのは、研磨布４
の押圧力をウェーハＷに集中させるためであり、それに
より研磨レートを確保するための総押圧力を最小限にさ
せ歯３の寿命を延伸させている。
の押圧力をウェーハＷに集中させるためであり、それに
より研磨レートを確保するための総押圧力を最小限にさ
せ歯３の寿命を延伸させている。
キャリアｌ＾を用いた研磨では、ウェーハＷの周縁部に
おいて周縁側がその内側よりも次第に薄くなる面だれが
生ずる、この面だれは、内側との厚さの差で表現され、
一般に、ＴＴＶ Ｃウェーへの厚みばらつき〉と共に、
周縁から幅３ｍｍの領域（半導体装置に利用されない領
域〉を除いて評価するものであり、従来例の場合０．５
〜１μｍ程度である。
おいて周縁側がその内側よりも次第に薄くなる面だれが
生ずる、この面だれは、内側との厚さの差で表現され、
一般に、ＴＴＶ Ｃウェーへの厚みばらつき〉と共に、
周縁から幅３ｍｍの領域（半導体装置に利用されない領
域〉を除いて評価するものであり、従来例の場合０．５
〜１μｍ程度である。
そして従来は、ＴＴＶに対する要求が３〜４μｍ程度を
許容しているので、０．５〜１μｍ程度の面だれが問題
になっていない。
許容しているので、０．５〜１μｍ程度の面だれが問題
になっていない。
しかしながら、昨今のように半導体装置の集積度が益々
高まってくると、露光の焦点深度が一層浅くなることに
より、ＴＴＶを１μｍ程度にすることが要求されるよう
になるものと考えられる。
高まってくると、露光の焦点深度が一層浅くなることに
より、ＴＴＶを１μｍ程度にすることが要求されるよう
になるものと考えられる。
そしてそうなると、上記面だれは、従来例で生じていた
０、５〜１μｍ程度の大きさが問題となってくるので、
その大きさを低減させる必要がある。
０、５〜１μｍ程度の大きさが問題となってくるので、
その大きさを低減させる必要がある。
そこで本発明は、上述のウェーハ研磨において、ウェー
ハの面だれを低減させる方法の提供を目的とする。
ハの面だれを低減させる方法の提供を目的とする。
上記目的は、ウェーハの周側面に嵌合する貫通孔のホー
ルを有して遊星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャ
リアを用い、該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研
磨布を押し当てて該ウェーハを研磨するに際して、前記
キャリアは、その厚さをウェーハの仕上がりよりも薄く
して、前記ホールの周縁部に厚さ方向の突起を設けたも
のを用いる本発明のウェーハ研磨方法によって達成され
る。
ルを有して遊星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャ
リアを用い、該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研
磨布を押し当てて該ウェーハを研磨するに際して、前記
キャリアは、その厚さをウェーハの仕上がりよりも薄く
して、前記ホールの周縁部に厚さ方向の突起を設けたも
のを用いる本発明のウェーハ研磨方法によって達成され
る。
従来例の場合前述のようにウェーハの面だれが大きくな
るのは、キャリアにおけるホール周縁部の厚さがウェー
ハの仕上がりよりも薄いために、ウェーハに対する研磨
布の押圧力が研磨終了時点においても周縁側で大きくな
っているからである。
るのは、キャリアにおけるホール周縁部の厚さがウェー
ハの仕上がりよりも薄いために、ウェーハに対する研磨
布の押圧力が研磨終了時点においても周縁側で大きくな
っているからである。
これに対して本発明によれば、前記突起の配設によって
前記ホール周縁部の厚さをウェーハの仕上がりとほぼ等
しくすることにより、研磨終了時点においてウェーハに
対する研磨布の押圧力を面内で均一化することができて
、ウェーハの面だれを小さくさせることが可能となる。
前記ホール周縁部の厚さをウェーハの仕上がりとほぼ等
しくすることにより、研磨終了時点においてウェーハに
対する研磨布の押圧力を面内で均一化することができて
、ウェーハの面だれを小さくさせることが可能となる。
前記ホール周縁部の厚さをウェーハの仕上がりとほぼ等
しくすることは、前記突起を設けないでキャリア全体を
その厚さにしても実現できるが、その場合は、従来例で
説明した研磨布４の総押圧力を最小限にさせる特徴が失
われる。このことから本発明では、キャリアの厚さを従
来例と同様にウェーハの仕上がりよりも薄くしてその特
徴を確保している。
しくすることは、前記突起を設けないでキャリア全体を
その厚さにしても実現できるが、その場合は、従来例で
説明した研磨布４の総押圧力を最小限にさせる特徴が失
われる。このことから本発明では、キャリアの厚さを従
来例と同様にウェーハの仕上がりよりも薄くしてその特
徴を確保している。
以下本発明の実施例について第１図及び第２図を用いて
説明する。第１図（ａ）（ｂ）は実施例を説明する側断
面図とキャリアの平面図、第２！！１（ａ）（ｂ）は他
の実施例で用いるキャリアの平面図と側断面図、であり
、企図を通し同一符号は同一対象物を示す。
説明する。第１図（ａ）（ｂ）は実施例を説明する側断
面図とキャリアの平面図、第２！！１（ａ）（ｂ）は他
の実施例で用いるキャリアの平面図と側断面図、であり
、企図を通し同一符号は同一対象物を示す。
第１図において、１Ｂは第３図のキャリア１に該当する
キャリアである。
キャリアである。
キャリア１Ｂは、従来例で用いたキャリア１への表裏両
面のホール２周縁部に厚さ方向の突起１ａを設けたもの
である。突起１ａは、キャリア１＾と同一材料を用い、
ホール２周縁部の全域を占めるように環状にしたものを
張り付けて形成しである。実施例は、６インチサイズの
ウェーハＷを仕上がり厚さ７５０μｍに研磨する場合で
あり、キャリアＩＢの厚さは５５０μｍ１ホール２の直
径はウェーハＷに合わせて１５１ｍｍφ、突起１ａの高
さは１００μｍ１その幅は約５ｒ＋ｏｒ＋である。従っ
て、ホール２周縁部の厚さは７５０μｍになっている。
面のホール２周縁部に厚さ方向の突起１ａを設けたもの
である。突起１ａは、キャリア１＾と同一材料を用い、
ホール２周縁部の全域を占めるように環状にしたものを
張り付けて形成しである。実施例は、６インチサイズの
ウェーハＷを仕上がり厚さ７５０μｍに研磨する場合で
あり、キャリアＩＢの厚さは５５０μｍ１ホール２の直
径はウェーハＷに合わせて１５１ｍｍφ、突起１ａの高
さは１００μｍ１その幅は約５ｒ＋ｏｒ＋である。従っ
て、ホール２周縁部の厚さは７５０μｍになっている。
そして研磨は、第３図で説明したように行う。
この実施例の研磨では、ホール２周縁部の厚さがウェー
ハＷの仕上がりと等しくなっているいるので、研磨終了
時点においてウェーハＷに対する研磨布４の押圧力が面
内で均一化されて、ウェーハの面だれが従来例の場合よ
りも小さく０．２μｍ以下となる。
ハＷの仕上がりと等しくなっているいるので、研磨終了
時点においてウェーハＷに対する研磨布４の押圧力が面
内で均一化されて、ウェーハの面だれが従来例の場合よ
りも小さく０．２μｍ以下となる。
また、キャリアＩＢの突起１ａ以外の部分の厚さがウェ
ーハＷの仕上がりよりも薄くなっているので、研磨レー
トを確保するための研磨布４の総押圧力は、従来例の方
法で同様な研磨を行う場合とほぼ同じで足りている。こ
のことにより、従来例で説明した研磨布４の総押圧力を
最小限にさせる特徴が確保されている。
ーハＷの仕上がりよりも薄くなっているので、研磨レー
トを確保するための研磨布４の総押圧力は、従来例の方
法で同様な研磨を行う場合とほぼ同じで足りている。こ
のことにより、従来例で説明した研磨布４の総押圧力を
最小限にさせる特徴が確保されている。
上述のようにウェーハの面だれを低減させる他の実施例
は、キャリアＩＢの代わりに第２図に示すキャリア１Ｃ
を用いたものである。
は、キャリアＩＢの代わりに第２図に示すキャリア１Ｃ
を用いたものである。
第２図において、キャリアＩＣは、従来例で用いたキャ
リア１＾の表裏両面のホール２周縁部に厚さ方向の突起
１ｂを設けたものである。突起１ｂは、前述の突起１ａ
を円周方向でほぼ均等に８分割して相互間に約５ｏ＋ｒ
ｎの間隙を設けたもので、８個の円弧状のものを張り付
けて形成しである。その他の寸法は先のキャリアＩＢと
同じである。
リア１＾の表裏両面のホール２周縁部に厚さ方向の突起
１ｂを設けたものである。突起１ｂは、前述の突起１ａ
を円周方向でほぼ均等に８分割して相互間に約５ｏ＋ｒ
ｎの間隙を設けたもので、８個の円弧状のものを張り付
けて形成しである。その他の寸法は先のキャリアＩＢと
同じである。
このキャリア１Ｃは、研磨が終了に近づいた時点で、突
起１ｂの上記分割間隙が、ウェーハＷの研磨された粉末
及びウェーハＷ上の研磨剤の外側への流出を容易にさせ
る利点がある占そして、その間隙の大きさが相対的に小
さいことからキャリアＩＢと同様に作用して、ウェーハ
の面だれをキャリアＩＢと同様に小さくさせる。
起１ｂの上記分割間隙が、ウェーハＷの研磨された粉末
及びウェーハＷ上の研磨剤の外側への流出を容易にさせ
る利点がある占そして、その間隙の大きさが相対的に小
さいことからキャリアＩＢと同様に作用して、ウェーハ
の面だれをキャリアＩＢと同様に小さくさせる。
なお、上述の実施例ではキャリア１＾またはＩＢにおけ
るホール２周縁部の厚さをウェーハＷの仕上がりと等し
くしたが、その厚さは厳密なものではなくウェーハＷの
仕上がりから多少ずれていても、ウェーハの面だれを低
減させる効果を十分に得ることができる。
るホール２周縁部の厚さをウェーハＷの仕上がりと等し
くしたが、その厚さは厳密なものではなくウェーハＷの
仕上がりから多少ずれていても、ウェーハの面だれを低
減させる効果を十分に得ることができる。
以上説明したように本発明の構成によれば、ウェーハの
周側面に嵌合する貫通孔のホールを有して遊星歯車機構
の遊星運動をする円板状のキャリアを用い、該ホールに
ウェーハを嵌入し表裏両面に研磨布を押し当てて該ウェ
ーハを研磨するウェーハ研磨方法において、ウェーハの
面だれを低減させることができて、半導体装置の集積度
向上に伴うＴＴＶの低減要求に対する対応を容易にさせ
る効果がある。
周側面に嵌合する貫通孔のホールを有して遊星歯車機構
の遊星運動をする円板状のキャリアを用い、該ホールに
ウェーハを嵌入し表裏両面に研磨布を押し当てて該ウェ
ーハを研磨するウェーハ研磨方法において、ウェーハの
面だれを低減させることができて、半導体装置の集積度
向上に伴うＴＴＶの低減要求に対する対応を容易にさせ
る効果がある。
第１１！Ｉ（ａ）（ｂ）は実施例を説明する側断面図と
キャリアの平面図、 第２図（ａ）（ロ）は他の実施例で用いるキャリアの平
面図と側断面図、 第３図（ａ）（ロ）は当該ウェーハ研磨を説明する側断
面図と平面図、 第４図（ａ）（ロ）は従来例で用いるキャリアの平面図
と側断面図、 である。 図において、 １、ｌ＾〜ＩＣはキャリア、 ｌａ、 ｌｂは突起、 ２はホール、 ３は歯車の歯、 ４は研磨布、 Ｗはウェーハ、 である。 ４：研Ｊ１布 ウーーハ 寅施伊ｊを説明する傅１ｖｆｒ面図とキャリアの平面図
＄１ 図 １Ｃ，キャリア ２・ホール ル 突起 ３′會翠の歯 他の実施分ｊで用りするキャリアの平＠図と傅１断面図
！２ 図 １ニキヤリア ３：＃Ｉ車Φ歯 ２ ： 永−ル ４：研磨布 当該ウェー八研磨を説明する４ＩＩ＋断面図と平面図柄
３ 図
キャリアの平面図、 第２図（ａ）（ロ）は他の実施例で用いるキャリアの平
面図と側断面図、 第３図（ａ）（ロ）は当該ウェーハ研磨を説明する側断
面図と平面図、 第４図（ａ）（ロ）は従来例で用いるキャリアの平面図
と側断面図、 である。 図において、 １、ｌ＾〜ＩＣはキャリア、 ｌａ、 ｌｂは突起、 ２はホール、 ３は歯車の歯、 ４は研磨布、 Ｗはウェーハ、 である。 ４：研Ｊ１布 ウーーハ 寅施伊ｊを説明する傅１ｖｆｒ面図とキャリアの平面図
＄１ 図 １Ｃ，キャリア ２・ホール ル 突起 ３′會翠の歯 他の実施分ｊで用りするキャリアの平＠図と傅１断面図
！２ 図 １ニキヤリア ３：＃Ｉ車Φ歯 ２ ： 永−ル ４：研磨布 当該ウェー八研磨を説明する４ＩＩ＋断面図と平面図柄
３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハの周側面に嵌合する貫通孔のホールを有して遊
星歯車機構の遊星運動をする円板状のキャリアを用い、
該ホールにウェーハを嵌入し表裏両面に研磨布を押し当
てて該ウェーハを研磨するに際して、 前記キャリアは、その厚さをウェーハの仕上がりよりも
薄くして、前記ホールの周縁部に厚さ方向の突起を設け
たものを用いることを特徴とするウェーハ研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322959A JP2782868B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | ウェーハ研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322959A JP2782868B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | ウェーハ研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183129A true JPH03183129A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2782868B2 JP2782868B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=18149554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322959A Expired - Lifetime JP2782868B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | ウェーハ研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782868B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101104569B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2012-01-11 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 방법 |
| JP2014188668A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Hoya Corp | ガラス基板の製造方法 |
| CN115847281A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-28 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944829A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-13 | Toshiba Corp | ウエ−ハ加工方法およびその加工治具 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP1322959A patent/JP2782868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944829A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-13 | Toshiba Corp | ウエ−ハ加工方法およびその加工治具 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101104569B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2012-01-11 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 방법 |
| JP2014188668A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Hoya Corp | ガラス基板の製造方法 |
| CN115847281A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-28 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2782868B2 (ja) | 1998-08-06 |
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