JPH05326468A - ウェーハの研磨方法 - Google Patents
ウェーハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH05326468A JPH05326468A JP4153025A JP15302592A JPH05326468A JP H05326468 A JPH05326468 A JP H05326468A JP 4153025 A JP4153025 A JP 4153025A JP 15302592 A JP15302592 A JP 15302592A JP H05326468 A JPH05326468 A JP H05326468A
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- JP
- Japan
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- wafer
- polishing
- grinding
- thickness
- ring
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの研磨方法を提供する。
【構成】 ウェーハ３を接着した硬質プレート４を定盤
１上に貼付された研磨布２面上で回転摺動させてウェー
ハ３を研磨する際に、ウェーハ３の周縁にウェーハの仕
上がり厚さよりも薄い厚さとされるリングを装着した状
態で研磨することにより、ウェーハの平坦度を改善して
面だれの低減を図ることができる。
１上に貼付された研磨布２面上で回転摺動させてウェー
ハ３を研磨する際に、ウェーハ３の周縁にウェーハの仕
上がり厚さよりも薄い厚さとされるリングを装着した状
態で研磨することにより、ウェーハの平坦度を改善して
面だれの低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの研磨方法に
係り、特に片面ポリッシングに適したウェーハの研磨方
法に関する。
係り、特に片面ポリッシングに適したウェーハの研磨方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体技術の進歩には著しいもの
があり、半導体の高機能化や高性能化、超小型化、軽量
化、高集積化などが一段と進んでいる。これらに応じて
ウェーハのより一層の高品質化が要求されている。ウェ
ーハの品質はその電気特性もさることながら、加工精度
においても超精密仕上げが求められている。たとえばシ
リコンウェーハの場合は、その表面の平坦度については
２μm 以下が要求されるようになっている。このような
高品質化は、ウェーハの直径が大きくなればより達成が
困難になると予想される。
があり、半導体の高機能化や高性能化、超小型化、軽量
化、高集積化などが一段と進んでいる。これらに応じて
ウェーハのより一層の高品質化が要求されている。ウェ
ーハの品質はその電気特性もさることながら、加工精度
においても超精密仕上げが求められている。たとえばシ
リコンウェーハの場合は、その表面の平坦度については
２μm 以下が要求されるようになっている。このような
高品質化は、ウェーハの直径が大きくなればより達成が
困難になると予想される。
【０００３】一般にウェーハの研磨加工方法としては、
上記したように厳しい加工精度を要求されることから、
図６に示すように、たとえば硬質ガラスなどの硬質プレ
ートを用いたポリッシングが採用されている（たとえ
ば、特開平１−216768号公報参照）。すなわち、図に示
すように、直径が十分大きな表面の平坦な定盤１の上面
に研磨布２を貼付し、図７に示すように複数枚のウェー
ハ３を接着した硬質プレート４をその背面からたとえば
Ｗの力で加圧しながら研磨布２面上で回転摺動させて、
ウェーハ３の一方の表面を研磨する。
上記したように厳しい加工精度を要求されることから、
図６に示すように、たとえば硬質ガラスなどの硬質プレ
ートを用いたポリッシングが採用されている（たとえ
ば、特開平１−216768号公報参照）。すなわち、図に示
すように、直径が十分大きな表面の平坦な定盤１の上面
に研磨布２を貼付し、図７に示すように複数枚のウェー
ハ３を接着した硬質プレート４をその背面からたとえば
Ｗの力で加圧しながら研磨布２面上で回転摺動させて、
ウェーハ３の一方の表面を研磨する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな研磨方法では、図８に示すように、１枚のウェーハ
３が研磨布２から受ける反力分布Ｐは、ウェーハ３の周
縁部３ｂの反力がその中心部３ａのそれより極めて大き
く、したがって硬質プレート１全面を上部から均一に加
圧してもウェーハ周縁部３ｂが中心部３ａより加圧され
た状態になるため、ウェーハ３は中心部３ａよりも周縁
部３ｂがより研磨されることになり、面だれが大きくな
るという欠点がある。その結果、所望の平坦度を得るこ
とが困難になる。本発明は、上記のような課題を解決す
べくしてなされたものであって、片面ポリッシングする
際のウェーハの面だれを低減させるに好適なウェーハの
研磨方法を提供することを目的とする。
うな研磨方法では、図８に示すように、１枚のウェーハ
３が研磨布２から受ける反力分布Ｐは、ウェーハ３の周
縁部３ｂの反力がその中心部３ａのそれより極めて大き
く、したがって硬質プレート１全面を上部から均一に加
圧してもウェーハ周縁部３ｂが中心部３ａより加圧され
た状態になるため、ウェーハ３は中心部３ａよりも周縁
部３ｂがより研磨されることになり、面だれが大きくな
るという欠点がある。その結果、所望の平坦度を得るこ
とが困難になる。本発明は、上記のような課題を解決す
べくしてなされたものであって、片面ポリッシングする
際のウェーハの面だれを低減させるに好適なウェーハの
研磨方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様は、
ウェーハを接着した硬質プレートを定盤上に貼付された
研磨布面上で回転摺動させてウェーハを研磨する方法に
おいて、ウェーハの周縁にウェーハの仕上がり厚さより
も薄い厚さとされるリングを装着した状態で研磨するこ
とを特徴とするウェーハの研磨方法である。
ウェーハを接着した硬質プレートを定盤上に貼付された
研磨布面上で回転摺動させてウェーハを研磨する方法に
おいて、ウェーハの周縁にウェーハの仕上がり厚さより
も薄い厚さとされるリングを装着した状態で研磨するこ
とを特徴とするウェーハの研磨方法である。
【０００６】また、本発明の第２の態様は、ウェーハを
接着した硬質プレートを定盤上に貼付された研磨布面上
で回転摺動させてウェーハを研磨する方法において、前
記硬質プレートのウェーハを接着する部分の厚さを薄く
した状態にしてウェーハを研磨することを特徴とするウ
ェーハの研磨方法である。
接着した硬質プレートを定盤上に貼付された研磨布面上
で回転摺動させてウェーハを研磨する方法において、前
記硬質プレートのウェーハを接着する部分の厚さを薄く
した状態にしてウェーハを研磨することを特徴とするウ
ェーハの研磨方法である。
【０００７】
【作 用】本発明によれば、硬質プレートに接着したウ
ェーハの表面を定盤で研磨する際に、ウェーハの周縁に
ウェーハの厚さよりも薄いリングを装着するようにした
ので、ウェーハの面だれを低減することができる。な
お、硬質プレートのウェーハの接着部分にウェーハの厚
さよりも浅い深さの溝部を設けるようにしても、研磨布
からの反力を緩和することができるから、同様の作用効
果を得ることができる。
ェーハの表面を定盤で研磨する際に、ウェーハの周縁に
ウェーハの厚さよりも薄いリングを装着するようにした
ので、ウェーハの面だれを低減することができる。な
お、硬質プレートのウェーハの接着部分にウェーハの厚
さよりも浅い深さの溝部を設けるようにしても、研磨布
からの反力を緩和することができるから、同様の作用効
果を得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の実施例について、図面を参
照して詳しく説明する。図１は、本発明に用いられる硬
質プレートの第１の実施例を示す平面図であり、前出し
た図７の従来例との相違点はウェーハ３の周縁にリング
５を装着したことにある。このリング５の厚さｔは図２
(a) に示すように、ウェーハ３の厚さをｗとしその研磨
代をｓとすると、ｔ≦ｗ−ｓを満足する値とされる。こ
れによって、ウェーハ３の研磨布２から受ける反力Ｐの
分布は、図２(b) に示すように、中心部３ａに対する周
縁部３ｂで受ける反力Ｐの増加度合いは従来例に比して
小さいことがわかる。したがって、この状態でウェーハ
３の研磨を行うようにすれば、研磨布２からの反力が緩
和されるため、従来例に比してウェーハ３の面だれを低
減することが期待できる。
照して詳しく説明する。図１は、本発明に用いられる硬
質プレートの第１の実施例を示す平面図であり、前出し
た図７の従来例との相違点はウェーハ３の周縁にリング
５を装着したことにある。このリング５の厚さｔは図２
(a) に示すように、ウェーハ３の厚さをｗとしその研磨
代をｓとすると、ｔ≦ｗ−ｓを満足する値とされる。こ
れによって、ウェーハ３の研磨布２から受ける反力Ｐの
分布は、図２(b) に示すように、中心部３ａに対する周
縁部３ｂで受ける反力Ｐの増加度合いは従来例に比して
小さいことがわかる。したがって、この状態でウェーハ
３の研磨を行うようにすれば、研磨布２からの反力が緩
和されるため、従来例に比してウェーハ３の面だれを低
減することが期待できる。
【０００９】図３は本発明の第２の実施例を示したもの
であり、硬質プレート４のウェーハ３を装着する位置に
それぞれ溝部６が設けられる。この溝部６の深さｈは、
図４(a) に示すように、ｈ≦ｗ−ｓとされる。これによ
って、図４(b) に示すように、ウェーハ３の研磨布２か
ら受ける反力Ｐの分布は、中心部３ａに対する周縁部３
ｂで受ける反力Ｐの増加度合いは従来例に比して小さい
ことがわかる。したがって、この状態でウェーハ３の研
磨を行うようにすれば、研磨布２からの反力が第１の実
施例と同様に緩和されるから、従来例に比してウェーハ
３の面だれを低減することが期待できる。
であり、硬質プレート４のウェーハ３を装着する位置に
それぞれ溝部６が設けられる。この溝部６の深さｈは、
図４(a) に示すように、ｈ≦ｗ−ｓとされる。これによ
って、図４(b) に示すように、ウェーハ３の研磨布２か
ら受ける反力Ｐの分布は、中心部３ａに対する周縁部３
ｂで受ける反力Ｐの増加度合いは従来例に比して小さい
ことがわかる。したがって、この状態でウェーハ３の研
磨を行うようにすれば、研磨布２からの反力が第１の実
施例と同様に緩和されるから、従来例に比してウェーハ
３の面だれを低減することが期待できる。
【００１０】図５は本発明法によるウェーハ中心からの
距離 (cm) に対するウェーハの相対的な厚み (μm)の変
化分布を従来例と併せて示したものである。図中、○印
の本発明例Ｉは上記した第１の実施例によりリング５を
装着したときの面だれ状況を示したものであり、△印の
本発明例IIは第２の実施例により溝部６を設けたときの
面だれ状況を示したものである。この図から明らかなよ
うに、本発明例Ｉ，IIはいずれも従来例に比してウェー
ハの面だれ状況が大幅に改善され、その平坦度が向上し
ていることがわかる。
距離 (cm) に対するウェーハの相対的な厚み (μm)の変
化分布を従来例と併せて示したものである。図中、○印
の本発明例Ｉは上記した第１の実施例によりリング５を
装着したときの面だれ状況を示したものであり、△印の
本発明例IIは第２の実施例により溝部６を設けたときの
面だれ状況を示したものである。この図から明らかなよ
うに、本発明例Ｉ，IIはいずれも従来例に比してウェー
ハの面だれ状況が大幅に改善され、その平坦度が向上し
ていることがわかる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、硬
質プレートに装着したウェーハの表面を定盤で研磨する
際に、ウェーハの周縁を囲うリングを用いるか硬質プレ
ートのウェーハの装着部分に溝部を設けて研磨布からの
反力を緩和するようにしたので、ウェーハの面だれを低
減することができ、ウェーハの品質の向上に大いに寄与
する。
質プレートに装着したウェーハの表面を定盤で研磨する
際に、ウェーハの周縁を囲うリングを用いるか硬質プレ
ートのウェーハの装着部分に溝部を設けて研磨布からの
反力を緩和するようにしたので、ウェーハの面だれを低
減することができ、ウェーハの品質の向上に大いに寄与
する。
【図１】本発明に用いられる硬質プレートの第１の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２】(a) は図１のＡ−Ａ矢視部分断面図、(b) はウ
ェーハの反力Ｐの分布を示す特性図である。
ェーハの反力Ｐの分布を示す特性図である。
【図３】本発明に用いられる硬質プレートの第１の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図４】(a) は図３のＢ−Ｂ矢視部分断面図、(b) はウ
ェーハの反力Ｐの分布を示す特性図である。
ェーハの反力Ｐの分布を示す特性図である。
【図５】本発明法を適用したときの面だれ状況を従来例
のと併せて示した特性図である。
のと併せて示した特性図である。
【図６】硬質プレートを用いたポリッシングの従来例を
示す部分側面図である。
示す部分側面図である。
【図７】硬質プレートの従来例を示す平面図である。
【図８】(a) は図７のＣ−Ｃ矢視部分断面図、(b) はウ
ェーハの反力Ｐの分布を示す特性図である。
ェーハの反力Ｐの分布を示す特性図である。
１ 定盤 ２ 研磨布 ３ ウェーハ ３ａ ウェーハの中心部 ３ｂ ウェーハの周縁部 ４ 硬質プレート ５ リング ６ 溝部 Ｐ 反力
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェーハを接着した硬質プレートを定
盤上に貼付された研磨布面上で回転摺動させてウェーハ
を研磨する方法において、ウェーハの周縁にウェーハの
仕上がり厚さよりも薄い厚さとされるリングを装着した
状態で研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。 - 【請求項２】 ウェーハを接着した硬質プレートを定
盤上に貼付された研磨布面上で回転摺動させてウェーハ
を研磨する方法において、前記硬質プレートのウェーハ
を接着する部分の厚さを薄くした状態にしてウェーハを
研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153025A JPH05326468A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | ウェーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153025A JPH05326468A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | ウェーハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326468A true JPH05326468A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15553323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153025A Pending JPH05326468A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | ウェーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326468A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6062954A (en) * | 1998-01-09 | 2000-05-16 | Speedfam Co., Ltd. | Semiconductor wafer surface flattening apparatus |
| US6110014A (en) * | 1997-11-20 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Method and apparatus polishing wafer for extended effective area of wafer |
| EP1164431A1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicle and method for manufacture thereof |
| US6517422B2 (en) | 2000-03-07 | 2003-02-11 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Polishing apparatus and method thereof |
| US7459397B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-12-02 | Opnext Japan, Inc. | Polishing method for semiconductor substrate, and polishing jig used therein |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP4153025A patent/JPH05326468A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110014A (en) * | 1997-11-20 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Method and apparatus polishing wafer for extended effective area of wafer |
| US6062954A (en) * | 1998-01-09 | 2000-05-16 | Speedfam Co., Ltd. | Semiconductor wafer surface flattening apparatus |
| EP1164431A1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicle and method for manufacture thereof |
| EP1164431A4 (en) * | 1999-09-13 | 2003-04-09 | Asahi Glass Co Ltd | FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| US6517422B2 (en) | 2000-03-07 | 2003-02-11 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Polishing apparatus and method thereof |
| US7459397B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-12-02 | Opnext Japan, Inc. | Polishing method for semiconductor substrate, and polishing jig used therein |
| DE102005001259B4 (de) * | 2004-05-06 | 2011-02-17 | OpNext Japan, Inc., Yokohama | Polierverfahren für ein Halbleitersubstrat |
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