JPH03174708A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300’C〜1600°Cの酸化性雰囲気中で焼結
させた。これにより、誘電t*磁器と内部電極とが同時
に得られる。
温で焼結させても目的とする内部電極を得ることができ
る。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価である
ため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になった
。
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (Bak−xMx)OkTiO2(但し、MはMg及び
Znの内の少なくとも1種)から成る基本成分と、Li
OとSio2とから成る添加成分とを含む誘電体磁
器組成物が開示されている。
昭61〜14607号公報のLi2OとSiO2の代り
に、Li2O20とS iO2とMO(但し、MOはB
aO、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とから
戒る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
8−7MxLy)OkTi02 (但し、MはMg及び
Znの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なく
とも1種)から成る基本成分とL i 20とSiO□
とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示さ
れている。
昭6’l−14609号公報におけるLi2O20とS
i 02の代りに、Ll。0とS 102とMO(但
し、MOはBaO、CaO及びSrOの内の少なくとも
1種)とから成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
−x Mx)OkTi02 (但し、MはMg、Zn
、Sr及びCaの少なくとも1種)から成る基本成分と
、BOと3102とから成る添加3 成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
M ) OTiO2(但し、MはMg、Z−xxk n、Sr及びCaの内の少なくとも1種)から戒る基本
成分と、B2O3とMO(但しMOはBaO1M g
O、Z n O、S r O及びCaOの少なくとも1
種)とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
62−1595号公報のB2O3とMOの代りに、B2
O3とS t O2とMO(但しMOはBaO、MgO
,ZnO,SrO及びCaOの内の少なくとも1種〉と
から成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
雰囲気1200°C以下の条件の焼成で得ることかでき
、比誘電率が2000以上、静電容量の温度変化率が一
25℃〜+85℃で±10%の範囲にすることができる
ものである。
デンサの小型化の要求か非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高い
誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の温
度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器がioo、o重量部
の基本成分と、3.0重量部以下の第1の添加成分と、
0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、前
記基本成分が、(1−α)((Ba、、Mx)Ok(T
i1−yR)O)+αCaZrO3(ただし、Mはy
2−y/2 Mg、Znの内の少なくとも1種の金属、RはSc、
Y、 Gd、 Dy 、 Ho、
E r、 Yb、 T b 、Tm、
Luの内の少なくとも1種の金属、αは0005〜0.
04の範囲の数値、kは1.00〜1.05の範囲の数
値、Xは0.01〜0.10の範囲の数値、yは0.0
4以下のOよりも大きい数値)であり、前記第1の添加
成分がCr 203とAl2O3の内の少なくとも1種
の金属酸化物であり、前記第2の添加成分がL 120
と5tO2とMO(但し、MOはBaO5SrO,Ca
OlMgO及びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化
物)から成り、且つ前記f−120と前記SiO2と前
記MOとの組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角
図における前記L l 20が1モル%、前記SiO2
が80モル%、前記M2Oが19モル%の点(A>と、
前記L 120が1モル%、前記S i O2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の点くB)と、前記1−1
20が30モル%、前記S i O2が30モル%、前
記MOが40モル%の点(C)と、前記L 120が5
0モル%、前記S 102が50モル%、前記M2Oが
0モル%の点(D>と、前記り、120が20モル%、
前記SiO2が80モル%、前記MOが0モル%の点(
E)とを順に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内のもので
あるコンデンサに係わるものである。なお、基本成分を
示す組成式において、k−x、x、k、1−y、y、2
−y/2は勿論それぞれの元素の原子数を示し、(1−
α)とαは組成式の第1項の(Ba M )O(T
i R)Ok−x x k 1−y
y、 2−V/2と第2項のCa Z r O3と
の割合をモルで示すものであり、Baはバリウム、0は
酸素、T1はチタン、Mgはマグネシウム、Znは亜鉛
である。
ガドリニウム、Dyはジスプロシウム、HOはホロニウ
ム、Erはエルビウム、ybはイッテルビウム、Tbは
テルビウム、Tmはツリウム、Luはルテチウムである
。第1の添加成分のCr2O3は酸化クロム、A I
203は酸化アルミニウムである。第2の添加成分にお
けるL 120は酸化リチウム、SiO2は酸化けい素
、BaOは酸化バリウム、SrOは酸化ストロンチウム
、CaOは酸化カルシウム、MgOは酸化マグネシウム
、ZnOは酸化亜鉛である。
2の14添加成分との混合物を用意する工程と、少なく
とも2つの電極部分を有する前記混合物の成形物を作る
工程と、前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰
囲気で焼成する工程と、前記焼成で得られた成形物を酸
化性雰囲気で熱処理する工程とを含む磁器コンデンサの
製造方法に係わるものである。
性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ることができる。
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρが1
×106MΩ・cm以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125°Cで一15%〜+15%(2
5℃を基準)、−25℃〜85℃で一10%〜+10%
(20’Cを基準)の範囲に収まる誘電体磁器を備えた
コンデンサを提供することができる。
。
2−y/2 の(Bak−x MX )ok (T’1−y y
2−y/R)O 2 (以下第1基本成分と呼ぶ)を第1表及び第2表の
試料No、 1のに−x、x、y、にの欄に示す割合で
得るため、換言ずれは、(Ba0.96M0.06)O
(Ti R)O、更に詳細に1.02
0.99 0.01 1.995は、M =Mg
Zn 及びR,=YbO,060,050,
010,01 ゜、。1であるので、 〈BaO,96Mg0.05ZnO,01)O1.02
(T’ 0゜99”bo、01)O1.995を得るた
めに、純度990%以上のB a C03(炭酸バリウ
ム) 、Mg0(酸化マグネシウム) 、Z、nO<酸
化亜鉛)、及びT i 02 (酸化チタン) 、Y
b 203 (酸化イッテルビウム)を用意し、不純
物を目方に入れないで BaC0:1041.96g(0,96モル部相当) MgO:11.09g <0.05モル部相当)ZnO
:4.48g (0,01モル部相当)Tx02’:
435.06g (0−99モル部相3 当) Yb O:10.84g<0.005モル部3 相当)を秤量した。
ll1ill)に入れ、更にアルミナボールと水2゜5
fJとを入れ、15時間湿式撹拌した後、撹拌物をステ
ンレスポットに入れて熱風式乾燥器で150℃、4時間
乾燥した。次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物を
トンネル炉にて大気中で1200℃、2時間仮焼し、上
記組成式の第1基本成分を得た。
、第2基本成分と呼ぶ)を得るために、CaC0(炭酸
カルシウム)とZr02(酸化ジルコニウム)とが等モ
ルとなる様に前者を448.96g、後者を551.0
4gをそれぞれ秤量し、これ等を混合し、乾燥し、粉砕
した後に、約1250°Cで2時間大気中で仮焼した。
0.98モル、αが0,02モルとなるように、 4 98モル部(984,34g)の第1基本成分(Ba0
.96Mgo、05Zn0.01)O1.02(Ti0
.99Yb )Oの粉末と、2モル部(15゜0.
01 1.995 66g〉の第2基本成分(Ca Z r O3)の粉末
とを混合して1000gの基本成分を得た。
ために、L l 20 ’Ir−0−44g (1モル
部)と、SiO2を70.99g (80モル部)と、
BaCO3を11.10g (3,8モル部)と、Ca
CO3を14.70g (9,5モル部)と、MgOを
3.40g (5,7モル部)とをそれぞれ秤量し、こ
の混合物にアルコールを300cc加え、ポリエチレン
ポットにてアルミナボールを用いて10時間撹拌した後
、大気中1000℃で2時間仮焼成し、これを300c
cの水と共にアルミナポットに入れ、アルミナボールで
15時間粉砕し、しかる後、150℃で4時間乾燥させ
てL 120が1モル%、S z O2が80モル%、
MOが19モル%(BaO3,8モル%+Ca09.5
モル%+Mg05.7モル%)の組成の第2の5 添加成分の粉末を得た。なお、MOの内容であるBaO
とCaOとMgOとの割合は第3表に示すように20モ
ル%、50モル%、30モル%となる。
部(20g)の第2の添加成分を添加し、更に、第1の
添加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った
純度99.0%以上のCr 20 とA1゜03とを夫
々0.1重量部(1g)添加し、更に、アクリル酸エス
テルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液から
成る有機バインダを基本成分と第1及び第2の添加成分
との合計重量に対して15重量%添加し、更に、50重
量%の水を加え、これ等をボールミルに入れて粉砕及び
混合して磁器原料のスラリーを作製した。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100℃に
加熱して乾燥させ、厚6 さ約25μmの未焼結磁器シートを得た。このシートは
長尺なものであるが、これを10CIn角の正方形に裁
断して使用する。
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0.9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ14 ff1m、幅7 mmのパター
ンを50個有するスクリーンを介して上記未焼結磁器シ
ートの片開に印刷した後、これを乾燥させた。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長平方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した。次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約40トン
の荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を格
子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
雰囲気中で100’C/hの速度で600℃まで昇温し
て、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気
を大気からH2(2体積%)十N2 (98体積%)の
雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気
とした状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼
結温度の1150℃まで、100’C/hの速度で昇温
して1150’C(M高温度)を3時間保持した後、1
00℃/hの速度で600″Cまで降温し、雰囲気を大
気雰囲気(酸化性雰囲気)におきかえて、600 ’C
を30分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで
冷却して積層焼結体チップを作製した。
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部電極14とか
ら成る積層焼結体チップ15に一対の外部電極16を形
成した。なお、外部電極16は、電極が露出する焼結体
チップ15の測面に亜鉛とカラスフリット(glass
frit)とビヒクル(vehicle)とから成
る導電性 8 ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で550℃の
温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18を形成し、更に
この上に無電解メツキで法で銅層20を形成し、更にこ
の上に電気メツキ法でpbSn半田層22を設けたもの
から成る。
2+wm、一対の内部電極14の対向面積は5m+nX
5mm=25m+n”である。なお、焼結後の磁器層
12の組成は、焼結前の基本成分と添加成分との混合組
成と実質的に同じである。
値を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε8が
3950、tanδが1.1%、抵抗率ρが7.OX1
06MΩ・CI、25℃の静電容量を基準にした一55
℃及び+125℃の静電容量の変化率ΔC、ΔC1゜5
が−10,8%、55 +3.0%、20℃のW?電電量量基準にした一25℃
、+85°Cの静電容量の変化率ΔC、Δ25 C8,は−5,6%、−6,0%であった。
H2、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測定
し、この測定値一対の内部型If114の対向面積25
mm2と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.
02mmから計算で求めた。
条件で測定した。
おいてDCIO○Vを1分間印加した後に一対の外部電
極16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づ
いて計算で求めた。
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+20℃、25℃、
+40℃、+60℃、+85℃、+105℃、+125
°Cの各温度において、周波数1kHz、電圧(実効値
)1.OVの条件で静電容量を測定し、20℃及び25
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た。
成分、第1及び第2の添加成分の組成、これ等の割合、
及び還元性雰囲気での焼成温度を第1表〜第4表に示す
ように変えた他は、試料No、 1と全く同一の方法で
積層磁器コンデンサを作製し、同一方法で電気的特性を
測定した。
とαとに−xとXが示され、Xの欄のMg、Znは一般
式のMの内容を示し、Mg、Znの欄にはこれ等の原子
数が示され、合計の欄にはこれ等の合計値(X値)が示
されている。
及びkの値が示されている。即ち、yの欄のSe、Y、
Gd、Dy、Ho、Er、Ybは一般式のRの内容を示
し、これ等の欄にはこれ等の原子数が示され、合計の欄
にはこれ等の合計値(y値)が示されている。
添加量及び組成が示されている。第1及び第2の添加成
分の添加量は基本成分100重量1 部に対する重量部で示されている。第3表の第2の添加
成分のMOの内容の欄には、BaO、MgO,Zn02
SrO,CaOの割合がモル%で示されている。
第4表において、静電容量の温度特性は、25℃の静電
容量を基準にした一55°C及び+125℃の静電容量
変化率ΔC(%)及びΔC55 125(%)と、20℃の静電容量を基準にした25℃
及び+85°Cの静電容量変化率ΔC−25(%〉及び
ΔC8,(%)とで示されている。
は、非酸化性雰囲気、1200°C以下の焼成で、比誘
電率ε が3000以上、誘電体損失tanδが2.5
%以下、抵抗率ρがlXl0”MΩ・cm以上、静電容
量の温度変化率ΔC−5,及びΔC125か一15%〜
+15%、ΔC−25及びΔC85は一10%〜+10
%の範囲となり、所望特性のコンデンサを得ることか出
来る。一方、試料No11〜16.30.35.40.
41.45.46.49.50,58〜60.62.6
3.67.71.83.92.93.99.100では
本発明の目的を達成することができない。従って、これ
等は本発明の範囲外のものである。
料の一25℃〜+85℃の範囲の種々の静電容量の変化
率ΔCは、−10%〜+10%の範囲に収まり、また、
−55℃〜+125°Cの範囲の種々の静電容量の変化
率ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まっている。
場合には、ΔC−25が一10%〜+10%の範囲外、
ΔC−5,が一15%〜+15%の範囲外となるが、試
料No、 51.52に示ず如く、Xの値が001の場
合には、所望の電気的特性を得ることができる。従って
、Xの値の下限は0.01である。
0.12の場合には、ΔC85が一10%〜+10%の
範囲外となるが、試料No、 56.57.61に示す
如く、Xの値が0.10の場合には、所望の電気的特性
を得ることができる。従って、Xの値の上限は0.10
である。なお、M成分のMgとZnとはほぼ同様に働き
、これ等から選択された1つを使用しても、又は複数を
使用しても同様な結果が得られる。そして、M成分の1
種スは複数種の何れの場合においてもXの値を0.01
〜0.10の範囲にすることが望ましい。
.06の場合には緻密な焼結体が得られないが、4 試料No、 39.70に示す如く、yの値が0.04
の場合には所望の電気的特性を得ることができる。
のSc、Y、l)y、Ho、Er、Ybはほぼ同様に働
き、これ等から選択された1つを使用しても、又は複数
を使用しても同様な結果が得られる。そして、R成分が
1種又は複数種のいずれの場合に於いてもyの値を0.
04以下の範囲にすることが望ましい。また、yは0.
04以下であれば、Oに近い微量であってもそれなりの
効果がある。なお、組成式Rで示す成分は、静電容量の
温度特性の改善に寄与する。即ち、R成分の添加によっ
て一55℃〜125℃の範囲での静電容量の温度変化率
△C〜△C1□5を一15%〜55 +15%の範囲に容易に収めることが可能になると共に
、−25℃〜85°Cの範囲での静電容量の温度変化率
△C−25〜△C85を一10%〜+10%の範囲に容
易に収めることが可能になり、且つ各温度範囲における
静電容量の温度変化率の変動幅を小さくすることができ
る。また、R成分は抵5 統率ρを大きくする作用及び焼結性を高める作用を有す
る。
は、△C−25が一10%〜+10%の範囲外、△C−
55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料No
、 42.47に示す如く、αの値が0.005の場合
には、所望の電気的特性を得ることができる。従って、
αの値の下限は0.005である。
05の場合には、△C85が一10%〜+10%の範囲
外となるが、試料No、 44.48に示す如く、αの
値が0.04の場合には所望の電気的特性を得ることが
できる。従って、αの値の上限は0゜04である。
い場合には、ρがlX106MΩ・cm未満となり、大
幅に低くなるが、試料N064に示す如く、kの値が1
.00の場合には、所望の電気的特性が得られる。従っ
て、kの値の下限は1.00である。一方、kの値が、
試料N067に示す如6 く、1.05より大きい場合には緻密な焼結体が得られ
ないか、試料N066に示ずりD <、kの値が1.0
5の場合には所望の電気的特性が得られる。
分の添加量が試料No、 91.99に示ず☆口く3.
0重量部よりも多い場合には1250°Cで焼成しても
緻密な焼結体が得られないが、試料N090.98、に
示す如く添加量が3.0重量部の場合には所望の特性を
得ることができる。従って第1の添加成分の上限は3.
0重量部である。第1の添加成分は3.0重量部以下の
範囲において極く微量であってもそれなりの効果を有す
る。しかし、量産する時の電気的特性のバラツキを考慮
してo、ooi重量部以上添加することが望ましい。な
お、第1の添加成分のCr 20 sとA I 203
とはほぼ同様に鋤き、これ等から選択された1つを使用
しても、又は複数を使用しても同様な結果が得られる。
に於いても、添加量は3゜7 0重量部以下の範囲にすることか望ましい。この第1の
添加成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与する。即
ち、第1の添加成分の添加によって=55℃〜125°
Cの範囲での静電容量の温度変化率△C〜ΔC125を
一15%〜+15%の55 範囲に容易に収めることが可能になると共に、25°C
〜85°Cの範囲での静電容量の温度変化率ΔC〜・△
C85を一10%〜+10%の範囲に25 容易に収めることが可能になり、且つ各温度範囲におけ
るW?電容量の温度変化率の変動幅を小さくすることか
できる。また、第1の添加成分は抵抗率ρを大きくする
作用を若干有する。
30から明らかな如く、焼成温度が1250℃であって
も緻密な焼結体が得られないが、試料N031に示す如
く、添加量が100重量部の基本成分に対して0.2重
量部の場合には、1180℃の焼成で所望の電気的特性
を有する焼結体が得られる。従って、第2の添加成分の
下限は0.2重量部である。一方、試料N035に示す
如く、第28 の添加成分の添加量か70重量部の場合には、ε が3
000未溝となり、更にΔC85か一10%〜+10%
の範囲外となり且つΔC−5s 15%〜+15%の
範囲外となるか、試料N034.52に示す如く、添加
量が5.0重量部の場合には所望特性を得ることができ
る。従って、添加量の上限は5.0重量部である。
0−0−8in2−の組成比を示す三角図に基づいて決
定することができる。三角図の第1の点(A)は、試料
No、 1のL 120が1モル%、5102が80モ
ル%、MOが19モル%の組成を示し、第2の点(B)
は、試料No、 2のL 120が1モル%、S io
2が39モル%、MOが60モル%の組成を示し、第
3の点(C)は、試料No、 3のLi Oが30モ
ル%、SiO2が30モル%、MOが40モル%の組成
を示し、第4の点(D)は、試料No、 4のL 12
0が50モル%、S iO2が50モル%、MOが0モ
ル%の組成を示し、第5の点(E)は、試料No、 5
のL 12Oが20モル6 つ %、S z O2が80モル%、MOが0モル%の組成
を示す。
角図の第1〜5の点(A)〜(E)を順に結ぶ5本の直
線で囲まれた領域内の組成になっている。この領域内の
組成とすれは、所望の電気的特性を得ることができる。
組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な焼結体
を得ることができない。なお、MO酸成分例えば試料N
o、 17〜21に示す如(BaO、MgO1Zn、O
,Sro、Ca、Oのいずれか1つであってもよいし、
又は他の試料で示すように適当な比率としてもよい [変形例] 以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
範囲で微量のM n O2(好ましくは0.00 5〜0,1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向モ
させてらよい。また、その池の物質を必要に応じて添加
してもよい。
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
性雰囲気での処理の温度を600°C以外の焼結温度よ
りも低い温度(好ましくは500°C〜1000°Cの
範囲)としてもよい。即ち、ニッケル等の電極材料と磁
器の酸化とを考慮して種々変更することが可能である。
料を考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部
電極とする場合には、1050℃〜1200℃の範囲で
ニッケル粒子の凝集がほとんど生じない。
器コンデンサにも勿論適用可能である。
uについては特に第1表〜第4表に掲載されていないが
、R成分の他のものと同様に使用することができること
が確認されている。
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なくと
も2つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、3.0重量
部以下の第1の添加成分と、 0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti
_1_−_yR_y)O_2_−_y_/_2}+αC
aZrO_3(但し、MはMg、Znの内の少なくとも
1種の金属、RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、
Yb、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、 αは0.005〜0.04の範囲の数値、 kは1.00〜1.05の範囲の数値、 xは0.01〜0.10の範囲の数値、 yは0.04以下の0よりも大きい数値)であり、 前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2O_3
の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の
添加成分がLi_2OとSiO_2とMO(但し、MO
はBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内の少
なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記Li_
2Oと前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこれ等
の組成をモル%で示す三角図における前記Li_2Oが
1モル%、前記SiO_2が80モル%、前記MOが1
9モル%の点(A)と、前記Li_2Oが1モル%、前
記SiO_2が39モル%、前記MOが60モル%の点
(B)と、前記Li_2Oが30モル%、前記SiO_
2が30モル%、前記MOが40モル%の点(C)と、
前記Li_2Oが50モル%、前記SiO_2が50モ
ル%、前記MOが0モル%の点(D)と、前記Li_2
Oが20モル%、前記SiO_2が80モル%、前記M
Oが0モル%の点(E)と、を順に結ぶ5本の直線で囲
まれた領域内のものであることを特徴とするコンデンサ
。 [2]100.0重量部の基本成分と、3.0重量部以
下の第1の添加成分と、0.2〜5.0重量部の第2の
添加成分とから成り、前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti
_1−_yR_y)O_2_−_y_/_2}+αCa
ZrO_3(但し、MはMg、Znの内の少なくとも1
種の金属、RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Y
b、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、α
は0.005〜0.04の範囲の数値、kは1.00〜
1.05の範囲の数値、xは0.01〜0.10の範囲
の数値、yは0.04以下の0よりも大きい数値)であ
り、前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2O
_3の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第
2の添加成分がLi_2O_2とSiO_2とMO(但
し、MOはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnO
の内の少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前
記Li_2Oと前記SiO_2と前記MOとの組成範囲
がこれ等の組成をモル%で示す三角図における前記Li
_2Oが1モル%、前記SiO_2が80モル%、前記
MOが19モル%の点(A)と、前記Li_2Oが1モ
ル%、前記SiO_2が39モル%、前記MOが60モ
ル%の点(B)と、前記Li_2Oが30モル%、前記
SiO_2が30モル%、前記MOが40モル%の点(
C)と、前記Li_2Oが5oモル%、前記SiO_2
が50モル%、前記MOが0モル%の点(D)と、前記
Li_2Oが20モル%、前記SiO_2が80モル%
、前記MOが0モル%の点(E)とを順に結ぶ5本の直
線で囲まれた領域内のものであることを特徴とする混合
物を用意する工程と、 少なくとも2つの電極部分を有する前記混合物の成形物
を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
工程とを含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1314754A JPH03174708A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
US07/620,834 US5103370A (en) | 1989-12-04 | 1990-11-29 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
DE69008822T DE69008822T2 (de) | 1989-12-04 | 1990-12-03 | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung. |
EP90123138A EP0431533B1 (en) | 1989-12-04 | 1990-12-03 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
KR1019900019858A KR930004745B1 (ko) | 1989-12-04 | 1990-12-04 | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 |
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JP1314754A JPH03174708A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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JPH0530042B2 JPH0530042B2 (ja) | 1993-05-07 |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH03174708A (ja) |
-
1989
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