JPH03177008A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300℃〜1600°Cの酸化性雰囲気中で焼結さ
せた。これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得
られる。
高温で焼結させても目的とする内部電極を得ることがで
きる。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価であ
るため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっ
た。
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (B a M ) OT i 02 (但し、
MはMk−XXk g及びZnの内の少なくとも1種)から成る基本成分と
、Li OとSiO2とから成る添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
昭61−14607号公報のL 120とS iO2の
代りに、L i 20とS i O2とMO(但し、M
OはBad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)
とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示さ
れている。
M L ) OTiO2N
旦 し 、 Mk−x−y x y k はMg及びZnの少なくとも1種、LはSr及びCaの
内の少なくとも1種〉から成る基本成分とLl 0とS
i O2とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成
物が開示されている。
昭61−14609号公報におけるLi2OとSiOの
代りに、L i20とSiO2とMO((旦し、MOは
Bad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
xMx)OkTiO2(但し、MはMg、Zn、Sr及
びCaの少なくとIJ1種)から成る基本成分と、BO
と5i02とから成る添加3 成分とを含む誘電体磁器組成物か開示されている。
x MX ) OkT iO2((旦し、MはMg、Z
n、Sr及びCaの内の少なくとも1種)から成る基本
成分と、B2O3とMO<但しMOはBaO,MgO1
ZnO1SrO及びCaOの少なくとも1種〉とから成
る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている
。
62−1595号公報のB2O3とMOの代りに、B2
03とS I O2とMO(但しMOはBad、MgO
,ZnO,SrO及びCaOの内の少なくとも1種)と
がら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
囲気1200℃以下の条件の焼成で得ることができ、比
誘電率が2000以上、静電容量の温度変化率が一25
℃〜+85°Cで±10%の範囲にすることができるも
のである。
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高い
誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の温
度変化率か小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
記磁器に接触している少なくとも2つの主極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器が100.0重1部
の基本成分と、3.0重量部以下の第2の添加成分と、
0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、前
記基本成分が、<1−α)f(Ba M )O
(Ti Rk−xxk 1−y ) Ol + a Ca Z r O(但し、Mはy
2−y/2 3Mg、Znの内の少
なくとも1種の金属、RはSc、Y、GdyDy、Ho
、Er、Yb、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種
の金属、αは0゜005〜0.04の範囲の数値、kは
1.00〜105の範囲の数値、Xは001〜0.10
の範囲の数値、yは0.04以下の0よりも大きい数値
)であり、前記第1の添加成分がCr 203とAI
203の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記
第2の添加成分がB2O3とSiO2とMO(但し、M
OはBad、SrO,CaO,MgO及びZnOの内の
少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記B2
O3と前記5IO2と前記MOとの組成範囲がこれ等の
組成をモル%で示す三角図における前記8203が1モ
ル%、前記S iO2が80モル%、前記MOが19モ
ル%の点(A)と、前記B2O3が1モル%、前記S
i O2が39モル%、前記MOが60モル%の点(B
)と、前記B2O3が30モル%、前記S 102が0
モル%、前記MOが70モル%の点(C)と、前記B2
O3が90モル%、前記5102が0モル%、前記MO
が10モル%の点<D)と、前記B2O3が90モル%
、前記5t02が10モル%、前記MOが0モル%の点
(E)と、前記BOが20モル%、前記S iO2が3 80モル%、前記MOが0モル%の点(F)とを順に結
ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるコンデンサ
に係わるものである。なお、基本成分を示す組成式にお
いて、k−x、x、k、1y、y、2−y/2は勿論そ
れぞれの元素の原子数を示し、(1−α)とαは組成式
の第1項の(BaM )OfTi R)O k−x X k 1−Y Y
2−y/2 と第2項のCaZrO3との割合をモル
で示すものであり、Baはバリウム、0は酸素、Tiは
チタン、Mgはマグネシウム、Znは亜鉛である。また
、Scはスカンジウム、Yはイツトリウム、Gdはガド
リニウム、Dyはジスプロシウム、Hoはホロニウム、
Brはエルビウム、Ybはイッテルビウム、Tbはテル
ビウム、Tmはツリウム、Luはルテチウムである。第
1の添加成分のCr 203は酸化クロム、Al2O3
は酸化アルミニウムである。第2の添加成分におけるB
2O3は酸化ボロン、S iO2は酸化けい素、Ba0
Ltfl化バリウム、SrOは酸化ストロンチウム、C
aOは酸化カルシウム、MgOは酸化マグネシウム、Z
noは酸化亜鉛である。
2の添加成分との混合物を用意する工程と、少なくとも
2つの電極部分を有する前記混合物の成形物を作る工程
と、前記電@部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気
で焼成する工程と、前記焼成で得られた成形物を酸化性
雰囲気で熟処理する工程とを含む磁器コンデンサの製造
方法に係わるものである。
性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ることができる。
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体a器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MΩ・C11以上であり、且つ比誘電率の温度
変化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(2
5℃を基準)、−25℃〜85℃で一10%〜+10%
(20℃を基準)の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコ
ンデンサを提供することができる。
。
y/2 の(Ba M )O(Ti R)Ok−x X
k 1−y ’/ 2;y/2 (
以下第1基本成分と呼ぶ)を第1表及び第2表の試料N
o、 1のに−x、 x、 y、 kcr)ltlに示
す割合で得るため、換言すれば、(Bao、96Mo、
o6)O (Ti R)O、更に詳細に1.0
2 0.99 0.01 1.995は、M
=Mg Zn 及びR=YbO,060,0
50,010,01 、。olであるので、 (Ba Mg Zn )O(TiO
,960,050,011,020゜99” bo、0
1) 01.995を得るために、純度9つ。
酸化マグネシウム)、Zn0(il化亜鉛)、及びTi
O(酸化チタン)、Yb2O3 (酸化インテルビウム
)を用意し、不純物を目方に入れないで BaC0:1041.96g(0,96モル部相当) MgO: 11.09g (0,05モル部相当)Zn
O: 4.48g (0,01モル部相当)T102
: 435.06g <0.99モル部相当) Yb O:10.84g(0,005モル部3 相当〉を秤量した。
n1ll)に入れ、更にアルミナボールと水2゜5Jと
を入れ、15時間湿式攪拌した後、攪拌物をステンレス
ポットに入れて熟風式乾燥器で150°C14時間乾燥
した6次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物をトン
ネル炉にて大気中で1200℃、2時間仮焼し、上記組
成式の第1基本成分を得た。
、第2基本成分と呼ぶ)を得るために、CaC0(炭酸
カルシウム)とZrO2(を化ジルコニウム)とが等モ
ルとなる様に前者を448.96g、後者を551.0
4gをそれぞれ秤量し、これ等を混合し、乾燥し、粉砕
した後に、約1250°Cで2時間大気中で仮焼した。
0,98モル、αが0,02モルとなるように98モル
部(984,34g>の第1基本戒分く”” ao、9
6Mgo、05ZnO,01) 01.02’ TiO
,99YbO,01> 01.995の粉末と、2モル
部(15゜66g)の第2基本成分(Ca Z r O
3)の粉末とを混合して1000gの基本成分を得た。
ために、8203を1.03g (1モル部)と、S
z O2を70.57g (80モル部)と、BaCO
3を11.03g (3,8モル部)と、CaCO3を
13.99g (9,5モル部)と、MgOを3.38
g (5,7モル部)とをそれぞれ秤量し、この混合物
にアルコールを300cc加え、ポリエチレンポットに
てアルミナボールを用いて10時間撹拌した後、大気中
1000°Cで2時間仮焼成し、これを300ccの水
と共にアルミナポットに入れ、アルミナボールで15時
間粉砕し、しかる後、15Q”Cで4時間乾燥させてB
203が1モル%、SiO2が80モル%、MOが1
9モル%(BaO3,8モル%+Ca09.5モル%+
MgO5,7モル%)の組成の第2の添加成分の粉末を
得た。なお、MOの内容であるBaOとCaOとMgO
との割合は第3表に示すように20モル%、50モル%
、30モル%となる。
部(20g)の第2の添加成分を添加し、更に、第1の
添加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った
純度99.0%以上のCr 20 とA I 203と
を夫々0.1重量部(1g)添加し、更に、アクリル酸
エステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液
から成る有機バインダを基本成分と第1及び第2の添加
成分との合計重量に対して15重量%添加し、更に、5
0重量%の水を加え、これ等をボールミルに入れて粉砕
及び混合して磁器原料のスラリーを作製した。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100’C
に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シー
トを得た。このシートは長尺なものであるが、これをl
0CI角の正方形に裁断して使用する。
mのニラゲル粉末10gと、エチルセルロース0.9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを攪
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ14mm、%s7n+++のパターン
を50個有するスクリンを介して上記未焼結磁器シート
の片開に印刷した後、これを乾燥させた。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長平方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した0次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約4(lン
の荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を格
子状に裁断し、50個のM層チップを得た。
雰囲気中で100℃/hの速度で600℃まで昇温して
、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気を
大気からH2(2体積%)十N2 (98#積%)の雰
囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気と
した状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼結
温度の1130℃まで、100℃/hの速度で昇温しで
1130℃(最高温度)を3時間保持した後、100°
C/hの速度で600℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲
気(酸化性雰囲気)におきかえて、600℃を30分間
保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して積
層焼結体チップを作製した。
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部なff114
とから成る積層焼結体チップ15に一対の外部型516
を形成した。なお、外部電極16は、@極が露出する焼
結体チップ15の測面に亜鉛とカラスフリット(gla
ss frit)とビヒクル(vehicle)とか
ら成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中
で550°Cの温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18
を形成し、更にこの上に無電解メンキで法で別層20を
形成し、更にこの上に電気メンキ法でpb−8n半田層
22を設けたものから成る。
0.02mm、一対の内部電極14の対向面積は5mm
X 5mn= 25mm2である。なお、焼結後の磁器
層12の組成は、焼結前の基本成分と添加成分との混合
組成と実質的に同じである。
値を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε が
3720、tanδが1.1%、抵統率ρが3.7X1
06MΩ・C陀25°Cの静電容量を基準にした一55
°C及び+125℃の静電容量の変化率ΔC、ΔC12
5が−10,5%、55 +4.5%、20’Cの静電容量を基準にした一25℃
、+85℃の静電容量の変化率ΔC、Δ25 C85は−6,5%、−3,4%であった。
Hz、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測定
し、この測定値一対の内部電極14の対向面積25關2
と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.02+
u+から計算で求めた。
条件で測定した。
おいてDClooVを1分間印加した後に一対の外部電
極16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づ
いて計算で求めた。
入れ、−55℃、−25’C10°C1+20°C12
5°C1+40°C1+60°C5+ 85 ’C1+
105°C1+125°Cの各温度において、周波数1
kHz、重圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を
測定し、20°C及び25°Cの時の静電容量に対する
各温度における変化率を求めることによって得た。
べたか、試料No、 2〜96についても、基本成分及
び添加成分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気て
゛の焼成温度を第1表〜第4表に示すように変えた他は
、試料No、 1と全く同一の方法で積層磁器コンデン
サを作製し、同一方法で電気的特性を測定した。
とαとに−xとXが示され、Xの欄のM’g、Znは一
般式のMの内容を示し、Mg、Znの欄にはこれ等の原
子数が示され、合計の欄にはこれ等の合計値(X値)が
示されている。
及びkの値が示されている。即ち、yの欄のSe、Y、
Gd、Dy、Ho、Er、Ybは一般式のRの内容を示
し、これ等の欄にはこれ等の原子数が示され、合計の欄
にはこれ等の合計値(y@)が示されている。
添加量及び組成が示されている。第1及び第2の添加成
分の添加量は基本成分100重量部に対する重量部で示
されている。第3表の第2の添加成分のMOの内容の欄
には、Bad、MgO1ZnO,SrO,CaOの割合
がモル%で示されている。
第4表において、静電容量の温度特性は、25℃の静電
容量を基準にした一55℃及び+125゛Cの静電容量
変化率ΔC(%)及びΔC55 125(%)と、20℃の静電容量を基準にした一25
℃及び+85°Cの静電容量変化率ΔC−25(%)及
びΔC8,(%)とで示されている。
は、非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成で、比誘電
率ε8が3000以上、誘電体損失tan 6が2.5
%以下、抵抗率ρがI×106MΩ・同以上、静電容量
の温度変化率ΔC−55及びΔC125が一15%〜+
15%、ΔC−25及びΔC85は一10%〜+10%
の範囲となり、所望特性のコンデンサを得ることが出来
る。一方、試料〜Q11〜13.26.31.32.3
6.37.40.41.49〜51.53.54.58
.63.67.79.88.89.95.96では本発
明の目的を達成することができない、従って、これ等は
本発明の範囲外のものである。
料の一25℃〜+85°Cの範囲の種々の静電へ量の変
化率ΔCは、−10%〜+10%の範囲に収まり、また
、−55°C〜+125℃の範囲の種々の静電容量の変
化率ΔCは、−15%〜↓15%の範囲に収まっている
。
、ΔC−25が一10%〜+10%の範囲外、ΔC−5
5が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料N04
2.43に示す如く、Xの値が0゜01の場合には、所
望の電気的特性を得ることができる。従って、Xの値の
下限は0.01である。
0112の場合には、ΔC85が一10%〜+10%の
範囲外となるが、試料NO,47,48,52に示す如
く、Xの値が0.IOの場合には、所望の電気的特性を
得ることができる。従って、Xの値の上限はo、ioで
ある。なお、M成分のMgとZnとはほぼ同様に働き、
これ等から選択された1つを使用しても、又は複数を使
用しても同様な結果が得られる。そして、M成分の1種
又は複数種の何れの場合においてもXの値を0.01〜
0.10の範囲にすることが望ましい。
合には緻密な焼結体が得られないが、試料No、 66
.68.71.72等に示す如く、yの値が0.04の
場合には所望の電気的特性を得ることができる。従って
、yの値の上限は0.04である。なお、R成分のSc
、Y、Dy、Ho、Er、Ybはほぼ同様に働き、これ
等から選択された1つを使用しても、又は複数を使用し
ても同様な結果が得られる。そして、R成分が1s又は
複数種のいずれの場合に於いてもyの値を0.04以下
の範囲にすることが望ましい、また、yは0.04以下
であれば、0に近い微量であってもそれなりの効果があ
る0組成式でRで示す成分は、静電容量の温度特性の改
善に寄与する。即ち、R成分の添加によって一55℃〜
125℃の範囲での静電容量の温度変化率ΔC−55〜
ΔC125を一15%〜+15%の範囲に容易に収める
ことが可能になると共に、−25℃〜85℃の範囲での
静電容量の温度変化率△C〜ΔC85を一10%25 〜+10%の範囲に容易に収めることが可能になり、且
つ各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を
小さくすることができる。また、R成分は抵抗率ρを大
きくする作用及び焼結性を高める作用を有する。
、ΔC−55が一15%〜+15%の範囲外となるが、
試料NQ33.38に示す如く、αの値が0.005の
場合には、所望の電気的特性を得ることができる。従っ
て、αの値の下限は0.005である。一方、試料騎3
6.40に示す如く、αの値が0.05の場合には、△
C85が一10%〜+10%の範囲外となるが、試料N
035.39に示す如く、αの値が0.04の場合には
所望の電気的特性を得ることができる。従って、αの値
の上限は0.04である。
い場合には、ρが1×106MΩ・C1未満となり、大
幅に低くなるが、試料NO,55に示す如く、kの値が
1.00の場合には、所望の電気的特性が得られる。従
って、kの値の下限は1,00である。一方、kの値が
、試料Nα58に示す如く、1.05より大きい場合に
は緻密な焼結体が得られないが、試料NQ57に示す如
く、kの値が1.05の場合には所望の電気的特性が得
られる。
成分の添加量が試料NO,88,89,95,96に示
す如く3.0重量部よりも多い場合には1250°Cで
焼成しても緻密な焼結体が得られないが、試料No、
85.86.87.94に示すタロく添加量が3.0重
i部の場合には所望の特性を得ることができる。従って
第1の添加成分の上限は3.0重量部である。第1の添
加成分は3.0重量部以下の範囲において極微量であっ
てもそれなりの効果を有する。しかし、量産する時の電
気的特性のバラツキを考慮して0.001重量部以上添
加することが望ましい、なお、第1の添加成分のCr2
O3とAl2O3とはほぼ同様に働き、これ等から選択
された1つを使用しても、又は複数を使用しても同様な
結果が得られる。そして、第1の添加成分が1種又は複
数種の何れの場合に於いても、添加量は3.0重量部以
下の範囲にすることが望ましい、この第1の添加成分は
、静電容量の温度特性の改善に寄与する。即ち、第1の
添加成分の添加によって一55°C〜125°Cの範囲
でのi!11電容量の温度変化率△C−55〜△C12
゜を−15%〜+15%の範囲に容易に収めることが可
能になると共に、−25°C〜85°Cの範囲での静電
容量の温度変化率△C−25〜△C85を一10%〜+
10%の範囲に容易に収めることが可能になり、且つ各
温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を小さ
くすることができる。また、第1の添加成分は抵抗率ρ
を大きくする作用を若干有する。
26から明らかな如く、焼成温度が1250°Cであっ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料N。
対して0.2重量部の場合には、1160°Cの焼成で
所望の電気的特性を有する焼結体が得られる。従って、
第2の添加成分の下限は0.:Il量部である。一方、
試料No、 31に示す如く、添加成分の添加量が7.
0重量部の場合には、ε が3000未満となり、更に
ΔC85が一10%〜+10%の範囲外となるが、試料
ぬ30に示す如く、添加量が5.0重量部の場合には所
望特性を得ることができる。従って、添加量の上限は5
.0重量部である。
3−8iO2−の組成比を示す三角図に基づいて決定す
ることができる。三角図の第1の点(A)は、試料NO
1/)B203が1モル%、5102が80モル%、M
Oが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試料
11G2の8203が1モル%、S 102が39モル
%、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)は
、試料NQ3の8203が30モル%、S t 02が
0モル%、MOが70モル%の組成を示し、第4の点(
D)は、試料NO,4の8203が90モル%、S s
O2が0モル%、MOが10モル%の組成を示し、第
5の点(E)は、試料N05のB2O2が90モル%、
S 102が10モル%、MOが0モル%の組成を示し
、第6の点(F)は、試料No 6の8203が20モ
ル%、S iO2が80モル%、MOが0モル%の組成
を示す。
角図の第1〜6の点(A)〜(F)を順に結ぶ6本の直
線で囲まれた領域内の組成になっている。この領域内の
組成とすれは、所望の電気的特性を得ることができる。
分の組成が本発明で特定しfS範囲外となれば、緻密な
焼結体を得ることができない、なお、MO酸成分例えば
試料No、 14〜18に示す如(Bad、MgO1Z
nO,5rO−CaOのいずれか1つであってもよいし
、又は他の試料で示すように適当な比率としてもよい [変形例] 以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
範囲で微量のMn02(好ましくは0.05〜0.1重
量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよい
、また、その他の物質を必要に応じて添加してもよい。
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
性雰囲気での処理の温度を600°C以外の焼結温度よ
りも低い温度(好ましくは500°C〜1000°Cの
範囲)としてもよい、即ち、ニッケル等の電極材料と磁
器の酸化とを考慮して種々変更することが可能である。
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜1200°Cの範囲でニ
ッケル粒子の凝集がほとんど生じない。
器コンデンサにも勿論適用可能である。
uについては特に第1表〜第4表に掲載されていないが
、R成分の他のものと同様に使用することができること
が確認されている。
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なくと
も2つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、3.0重量
部以下の第1の添加成分と、 0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti
_1_−_yR_y)O_2_−_y_/_2}+αC
aZrO_3(但し、MはMg、Znの内の少なくとも
1種の金属、RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、
Yb、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、 αは0.005〜0.04の範囲の数値、 kは1.00〜1.05の範囲の数値、 xは0.01〜0.10の範囲の数値、 yは0.04以下の0よりも大きい数値)であり、 前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2O_3
の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の
添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し、M
OはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内の
少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記B_
2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこ
れ等の組成をモル%で示す三角図における前記B_2O
_3が1モル%、前記SiO_2が80モル%、前記M
Oが19モル%の点(A)と、前記B_2O_3が1モ
ル%、前記SiO_2が39モル%、前記MOが60モ
ル%の点(B)と、前記B_2O_3が30モル%、前
記SiO_2が0モル%、前記MOが70モル%の点(
C)と、前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_
2が0モル%、前記MOが10モル%の点(D)と、前
記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が10モ
ル%、前記MOが0モル%の点(E)と、前記B_2O
_3が20モル%、前記SiO_2が80モル%、前記
MOが0モル%の点(F)とを順に結ぶ6本の直線で囲
まれた領域内のものであることを特徴とするコンデンサ
。 [2]100.0重量部の基本成分と、30重量部以下
の第1の添加成分と、0.2〜50重量部の第2の添加
成分とから成り、前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti
_1_−_yR_y)O_2_−_y_/_2}+αC
aZrO_3(但し、MはMg、Znの内の少なくとも
1種の金属、RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、
Yb、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、
αは0.005〜0.04の範囲の数値、kは1.00
〜1.05の範囲の数値、xは0.01〜0.10の範
囲の数値、yは0.04以下の0よりも大きい数値)で
あり、前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2
O_3の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記
第2の添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但
し、MOはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnO
の内の少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前
記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成範
囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図における前記B
_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モル%、
前記MOが19モル%の点(A)と、前記B_2O_3
が1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記MOが
60モル%の点(B)と、前記B_2O_3が30モル
%、前記SiO_2が0モル%、前記MOが70モル%
の点(C)と、前記B_2O_3が90モル%、前記S
iO_2が0モル%、前記MOが10モル%の点(D)
と、前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が
10モル%、前記MOが0モル%の点(E)と、前記B
_2O_3が20モル%、前記SiO_2が80モル%
、前記MOが0モル%の点(F)とを順に結ぶ6本の直
線で囲まれた領域内のものであることを特徴とする混合
物を用意する工程と、 少なくとも2つの電極部分を有する前記混合物の成形物
を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
工程とを含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1315981A JPH03177008A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
US07/620,834 US5103370A (en) | 1989-12-04 | 1990-11-29 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
DE69008822T DE69008822T2 (de) | 1989-12-04 | 1990-12-03 | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung. |
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