JPH03174709A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300℃〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結させ
た。これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得ら
れる。
温で焼結させても目的とする内部電極を得ることができ
る。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価である
ため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になった
。
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (Bak−xMx〉0kTi02 (但し、MはMg及
びZnの内の少なくとも1種)から成る基本成分と、L
i OとSiO2とから戊る添加成分とを含む誘電体
磁器組成物が開示されている。
昭61−14607号公報のL 120とSiOの代り
に、L 120とSiO2とMO(但し、MOはBad
、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とから成る
添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
−x−y M、Ly、)OkTi O2(但し、MはM
g及びZnの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の
少なくとも1種)から成る基本成分とL i 20と5
IO2とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が
開示されている。
昭61−14609号公報におけるLi2Oと5IO2
の代りに、Li2OとS 102とMO(但し、MOは
Bad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
M ) OT 102 (但し、MはMg、
−XXk Zn、Sr及びCaの少なくとも1種)から戒る基本成
分と、BOとS ’102とから成る添加3 成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
M ) 0 ’T’ i 02 (但し、MはM
g、Z−xxk n、’Sr−及びCaの内の少なくとも1種)から成る
基本成分と、B2O3とMO(但しMOはBaO,Mg
O,ZnO2,SrO及びCaOの少なくとも1種)と
から成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
62−1595号公報のB2q3とMOの代りに、BO
とSiO2とMO(但しMO3 はBad、MgO,ZnO,SrO及びCaOの内の少
なくとも1種)とから成る添加成分とを含む誘電体磁器
組成物が開示されている。
囲気1200′C以下の条件の焼成で得ることができ、
比誘電率が2000以上、静電容量の温度変化率が一2
5℃〜+85℃で±10%の範囲にすることができるも
のである。
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高い
誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の温
度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器か100.0重量部
の基本成分と、3.0重量部以下の第1の添加成分と、
0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、前
記基本成分が、(1−α)((Bak−、XMx)Ok
(Ti1−yR)O 1 +αCaZrO3<ただ
し、Mは1/ 2−y/2 Ca、Srの内の少なくとも1種の金属、RはSc、Y
、Gd、Dy、Ho、Br、Yb、Tb、Tm、Luの
内の少なくとも1種の金属、αは0005〜0.04の
範囲の数値、kは1.○O〜1.05の範囲の数値、X
は0.005〜0.05の範囲の数値、yは0゜04以
下のOよりも大きい数値)であり、前記第1の添加成分
がCr 20 とA I 203の内の少なくとも1種
の金属酸化物であり、前記第2の添加成分がLl−20
とSiO2とMO(但し、MOはBaO1SrO,Ca
OlMgO及びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化
物)から成り、且つ前記L i20と前記S i O2
と前記MOとの組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す
三角図における前記L 120が1モル%、前記S i
O2が80モル%、前記MOが19モル%の点<A>
と、前記T−120が1モル%、前記S 102が39
モル%、前記MOか60モル%の点(B)と、前記Li
2Oが30モル%、前記S i O2が30モル%、前
記MOが40モル%の点(C)と、前記L 120が5
0モル%、前記S iO2が50モル%、前記MOが0
モル%の点<D)と、前記L 120が20モル%、前
記SiO2が80モル%、前記MOが0モル%の点(E
)とを順に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内のものであ
るコンデン、すに係わるものである。なお、基本成分を
示す組成式において、k−x、x、k、1−y、y、2
−y/2は勿論それぞれの元素の原子数を示し、(1−
α)とαは組成式の第1項の(Bak、Mx)O,(’
I’i1−、、R,)O2−7/2と第2項のCa Z
r O3との割合をモルで示すものであり、Baはバ
リウム、Oは酸素、Tiはチタン、Caはカルシウム、
Srはストロンチ 0 ラムである。また、Scはスカンジウム、Yはイツトリ
ウム、Cdはガドリニウム、Dyはジスプロシウム、H
Oはホロニウム、Erはエルビウム、ybはイッテルビ
ウム、Tbはテルビウム、Tmはツリウム、Luはルテ
チウムである。第1の添加成分のCr2o3は酸化クロ
ム、”203は酸化アルミニウムである。第2の添加成
分におけるL 120は酸化リチウム、S 102は酸
化けい素、BaOは酸化バリウム、SrOは酸化ストロ
ンチウム、CaOは酸化カルシウム、M g Oハ酸化
マグネジ′ウム、ZnOは酸化亜鉛である。
2の添加成分との混合物を用意する工程と、少なくとも
2つの電極部分を有する前記混合物の成形物を作る工程
と、前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気
で焼成する工程と、前記焼成で得られた成形物を酸化性
雰囲気で熟処理する工程とを含む磁器コンデンサの製造
方法に係わるものである。
性雰囲気、1200°C以下の焼成で得ることかできる
。従って、ニッケル等の卑金属の導電性ペーストをグリ
ーンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペースト
とを同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造
することが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特
定された範囲にすることによって、比誘電率が3000
以上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρが
lX106MΩ・cm以上であり、且つ比誘電率の温度
変化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%α5
°Cを基準)、−25°C〜85℃で一10%〜+10
%α0℃を基準)の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコ
ンデンサを提供することができる。
。
の(Ba、、 Mx)Ok(Ti1. 、 2−.7
R)O 2 (以下第1基本戒分と呼ぶ)を第1表及び第2表の
試料No、 1のに−x、x、y、にの欄に示す割合で
得るため、換言すれば、(Ba0.99MO.03)O
(Ti R)O、更に詳細に1.02
0.99 0.01 1.995は−MO,03=C
aO,0250,005及びRo、oi″r Yboolであるので、 ”aO,99CaO,0250,005)O1.02(
Tr ’ 0.99YbO,01) 01.995を得るため
に、純度99.0%以上のB a CO3(炭酸バリウ
ム)、caO(酸化カルシウム)、5rO(酸化ストロ
ンチウム) 、T 102 (酸化チタン)、及びY
b 203 (酸化イッテルビウム〉を用意し、不純物
を目方に入れないで BaCO3: 1074−52g (0,99モル部相
当) CaOニア、73g (0,025モル部相当)SrO
:5.70g(0,01モル部相当)T i 02 :
435.06 g (0−99モル部相3 当) Yb O: 10.84 (0,005モル部相3 当)を秤量した。
pot m1ll)に入れ、更にアルミナボールと水2
゜51とを入れ、15時間湿式攪拌した後、攪拌物をス
テンレスポットに入れて熱風式乾燥器で150℃、4時
間乾燥した。次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物
をトンネル炉にて大気中で1200″C12時間仮焼し
、上記組成式の第1基本成分を得た。
3 (以下、第2基本成分と呼ぶ)を得るために、Ca
COs (炭酸カルシウム〉とZr02(酸化ジルコ
ニウム)とが等モルとなる様に前者を448゜96g、
後者を551.04gをそれぞれ秤量し、これ等を混合
し、乾燥し、粉砕した後に、約1250°Cで2時間大
気中で仮焼した。
0.98モル、αが0.02モルとなるように、 4 98モル部(984,34g)の第1基本成分(Ba0
,99CaO,0250,005)O1.02”ir O,990,01> 01.995 ″)粉末と・21
″部(Ib 5.66g)の第2基本成分(Ca Z r O3)の
粉末とを混合して1000gの基本成分を得た。
ために、L 120を0.44g <1モル部)と、S
i 02を70.99g <80モル部)と、BaC
O3を11.Log (3,8モル部)と、CaCO3
を14.70g (9,5モル部)と、MgOを3.4
0g <5.7モル部ンとをそれぞれ秤量し、この混合
物にアルコールを300CC加え、ポリエチレンポット
にてアルミナボールを用いて10時間撹拌した後、大気
中1000℃で2時間仮焼成し、これを300ccの水
と共にアルミナポットに入れ、アルミナボールで15時
間粉砕し、しかる後、150℃で4時間乾燥させてL
i20が1モル%、SiO2が80モル%、MOが19
モル%(BaO3,8モル%+Ca09.5モル%+M
g05.7モル%)の組成の第2の5 添加成分の粉末を得た。なお、MOの内容であるBaO
とCaOとMgOとの割合は第3表に示すように20モ
ル%、50モル%、30モル%となる。
部α0g)の第2の添加成分を添加し、更に、第1の添
加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った純
度99.0%以上のCr 20 とA I 203とを
夫々01重量部(1g)添加し、更に、アクリル酸エス
テルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液から
成る有機バインダを基本成分と第1及び第2の添加成分
との合計重量に対して15重量%添加し、更に、50重
量%の水を加え、これ等をボールミルに入れて粉砕及び
混合して磁器原料のスラリーを作製した。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100°C
に加熱して乾燥させ、厚6 さ約25μmの未焼結磁器シートを得た。このシートは
長尺なものであるが、これを10c+n角の正方形に裁
断して使用する。
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0.9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ141nIn、幅7間のパターンを5
0個有するスクリーンを介して上記未焼結磁器シートの
片開に印刷した後、これを乾燥させた。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した。次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約40)−
ンの荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を
格子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
雰囲気中で100°C/hの速度で600℃まで昇温し
て、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気
を大気から14゜α体積%)+−N2 (98体積%)
の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲
気とした状態を保って、積層体加熱温度を600℃から
焼結温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温
して1150°C(最高温度)を3時間保持した後、1
00℃/hの速度で600 ’Cまで降温し、雰囲気を
大気雰囲気(酸化性雰囲気)におきかえて、600℃を
30分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷
却して積層焼結体チップを作製した。
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部型@14とか
ら成る積層焼結体チップ15に一対の外部電極16を形
成した。なお、外部電極16は、電極が露出する焼結体
チップ15の測面に亜鉛とガラスフリット(glass
frit)とビヒクル(vehicle)とから成
る導電性 8 ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で550℃の
温度で15分間焼付け、亜鉛@If1層18を形成し、
更にこの上に無電解メツキで法で銅層20を形成し、更
にこの上に電気メツキ法でpbSn半田層22を設けた
ものから成る。
2rI1m、一対の内部電極14の対向面積は5mmX
5mm=25mm2である。なお、焼結後の磁器層1
2の組成は、焼結前の基本成分と添加成分との混合組成
と実質的に同じである。
値を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε が
3950、tanδが1.1%、抵統率ρが5.5X1
06MΩ・CI、25℃の静電容量を基準にした一55
°C及び+125℃の静電容量の変化率ΔC,,、ΔC
1□5が−10,8%、5 +3.3%、20℃の静電容量を基準にした一25℃、
+85°COW?電容量の変化率ΔC−29、ΔC85
は−5,7%、−6,1%であった。
z、電圧(実効値>1.OVの条件で静電容量を測定し
、この測定値一対の内部電極14の対向面積25mIn
2と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.02
mmから計算で求めた。
条件で測定した。
おいてDC100Vを1分間印加した後に一対の外部電
If116間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに
基づいて計算で求めた。
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+20℃、25℃、
+40℃、+60℃、+85℃、+105℃、+125
℃の各温度において、周波数1 kHz、電圧(実効値
>1.OVの条件で静電容量を測定し、20℃及び25
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た。
成分、第1及び第2の添加成分の組成、これ等の割合、
及び還元性雰囲気での焼成温度を第1表〜第4表に示す
ように変えた他は、試料No、 1と全く同一の方法で
積層磁器コンデンサを作製し、同一方法で電気的特性を
測定した。
とαとに−xとXか示され、Xの欄のCa、Srは一般
式のMの内容を示し、Ca、Srの欄にはこれ等の原子
数が示され、合計の欄にはこれ等の合計値(X値)が示
されている。
及びkの値が示されている。即ち、yの欄のSe、Y、
Gd、、Dy、Ho、Er、Ybは一般式のRの内容を
示し、これ等の欄にはこれ等の原子数が示され、合計の
欄にはこれ等の合計値(y値)が示されている。
添加量及び組成が示されている。第1及び第2の添加成
分の添加量は基本成分100重量1 部に対する重量部で示されている。第3表の第2の添加
成分のMOの内容の欄には、BaO3MgO,ZnO,
SrO,CaOの割合がモル%で示されている。
第4表において、静電容量の温度特性は、25°Cの静
電容量を基準にした一55℃及び+125°Cの静電容
量変化率ΔC−5,〈%)及びΔC125(%)と、2
0℃の静電容量を基準にしたー25℃及び+85℃の静
電容量変化率ΔC−25(%)及びΔC8,(%)とで
示されている。
は、非酸化性雰囲気、1200°C以下の焼成で、比誘
電率ε、が3000以上、講電体損失tanδが2.5
%以下、抵抗率ρがI X 106MΩ・CE以上、静
電容量の温度変化率ΔC−5,及びΔCが−15%〜+
15%、ΔC−25及び25 ΔC85は一10%〜+10%の範囲となり、所望特性
のコンデンサを得ることが出来る。一方、試料No、
11〜16.30.35.40.41.45.46.4
9.50.58〜60.62.63.67.71.83
.92.93.99.100では本発明の目的を達成す
ることができない。従って、これ等は本発明の範囲外の
ものである。
料の一25℃〜+85℃の範囲の種々の静電容量の変化
率ΔCは、−10%〜+10%の範囲に収まり、また、
−55°C〜+125°Cの範囲の種々の静電容量の変
化率ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まっている
。
合には、ΔC−25か一10%〜+J○%の範囲外、Δ
C−55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料
No、 51.52に示ず如く、Xの値が0゜005の
場合には、所望の電気的特性を得ることかできる。従っ
て、Xの値の下限は0.005である。一方、試料No
、58.59.62に示ず如く、Xの値か0.06の場
合には、ΔC85が一10%〜+10%の範囲外となる
が、試料No、 56.57.61に示す如く、Xの値
が0.05の場合には、所望の電気的特性を得ることか
できる。従って、Xの値の上限は0.05である。なお
、M成分のCaとSrとはほぼ同様に鋤き、これ等から
選択された1つを使用しても、又は複数を使用しても同
様な結果が得られる。そして、M成分の1種又は複数種
の何れの場合においてもXの値を0.005〜0.05
の範囲にすることが望ましい。
0.06の場合には緻密な焼結体が得られないが、4 試料N039.70に示す如く、yの値か0.04の場
合には所望の電気的特性を得ることができる。
のSc、Y、Dy、Ho、Er、Ybはほぼ同様に働き
、これ等から選択された1つを使用しても、又は複数を
使用しても同様な結果が得られる。そして、R成分か1
種又は複数種のいずれの場合に於いてもyの値を0.0
4以下の範囲にすることが望ましい。また、yは0.0
4以下であれば、0に近いR量であってもそれなりの効
果かある。なお、組成式Rで示す成分は、静電容量の温
度特性の改善に寄与する。即ち、R成分の添加によって
一55℃〜125℃の範囲での静電容量の温度変化率△
C〜△C12,を一15%〜55 +15%の範囲に容易に収めることが可能になると共に
、−25°C〜85℃の範囲での静電容量の温度変化率
△C−25〜△C85を一10%〜+10%の範囲に容
易に収めることが可能になり、且つ各温度範囲における
静電容量の温度変化率の変動幅を小さくすることができ
る。また、R成分は抵5 統率ρを大きくする作用及び焼結性を高める作用を有す
る。
は、△C−25が一10%〜+10%の範囲外、ΔC−
’55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料N
o、 42.47に示す如く、αの値が06005の場
合には、所望の電気的特性を得ることかできる。従って
、αの値の下限は0.005である。
5の場合には、△C85が一10%〜+10%の範囲外
となるが、試I No、 44.48に示す如く、αの
値が0.04の場合には所望の電気的特性を得ることか
できる。従って、αの値の上限は0゜04である。
さい場合には、ρがlX106MΩ・cn1未満となり
、大幅に低くなるが、試料No、 64に示す如く、k
の値が1.OOの場合には、所望の電気的特性が得られ
る。従って、kの値の下限は1.00である。一方、k
の値が、試料NO,67に示す如6 く、105より大きい場合には緻密な焼結体が得られな
いか、試料No、 66に示す如く、kの値か1.05
の場合には所望の電気的特性が得られる。
分の添加量が試料No、 91.99に示す如く3.0
重量部よりも多い場合には1250°Cで焼成してもW
i密な焼結体が得られないが、試料N。
は所望の特性を得ることかできる。従って第1の添加成
分の上限は3.0重量部である。第1の添加成分は3.
0重量部以下の範囲において掻く微量であってもそれな
りの効果を有する。しかし、量産する時の電気的特性の
バラツキを考慮してO,0,01重量部以上添加するこ
とか望ましい。なお、第1の添加成分のCr 203と
A 1203とはほぼ同様に鋤き、これ等から選択され
た1つを使用しても、又は複数を使用しても同様な結果
が得られる。そして、第1の添加成分か1種又は複数種
の何れの場合に於いても、添加量は3゜7 0重量部以下の範囲にすることが望ましい。この第1の
添加成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与する。即
ち、第1の添加成分の添加によって55°C〜125℃
の範囲での静電容量の温度変化率△C〜△C125を一
15%〜+15%の55 範囲に容易に収めることが可能になると共に、25℃〜
85°Cの範囲での静電容量の温度変化率△C−25〜
△C85を一10%〜+10%の範囲に容易に収めるこ
とか可能になり、且つ各温度範囲における静電容量の温
度変化率の変動幅を小さくすることができる。また、第
1の添加成分は抵抗率ρを大きくする作用を若干有する
。
30から明らかな如く、焼成温度が1250’Cであっ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料N。
して0.2重量部の場合には、1200℃の焼成で所望
の電気的特性を有する焼結体か得られる。従って、添加
成分の下限は0.2重量部である。一方、試料No、
35に示す如く、第2の添加8 成分の添加量が7.0重量部の場合には、ε か300
0未満となり、更にΔC85が一10%〜+10%の範
囲外となり、且つ、ΔC−5,が一15%〜+15%の
範囲外となるが、試料N034に示す如く、添加量が5
.0重量部の場合には所望特性を得ることができる。従
って、添加量の上限は5.0重量部である。
−3i 02−Moの組成比を示す三角図に基づいて決
定することができる。三角図の第1の点(A)は、試料
No、 1 (’) L i20か1モル%、SiO2
が80モル%、MOが19モル%の組成を示し、第2の
点(B)は、試料No、 2のL 120が1モル%、
SiO2が39モル%、MOが60モル%の組成を示し
、第3の点(C)は、試料No、 3のLiOが30モ
ル%、S z O2か30モル%、MOか40モル%の
組成を示し、第4の点(D)は、試料No、 4のL
120が50モル%、S 102が50モル%、MOが
0モル%の組成を示し、第5の点(E)は、試料No、
5のL 120が20モル9 %、5i02が80モル%、MOが0モル%の組成を示
す。
角図の第1〜5の点(A)〜(E)を順に結ぶ5本の直
線で囲まれた領域内の組成になっている。この領域内の
組成とずれは、所望の電気的特性を得ることができる。
分の組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な焼
結体を得ることかできない。なお、MO酸成分例えば試
料No、 17〜21に示す如<Bad、MgO,Zn
O,5rO1CaOのいずれか1つであってもよいし、
又は他の試料で示すように適当な比率としてもよい。
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
範囲で微量のM n O2’(好ましくはOl。
させてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加
してもよい。
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
性雰囲気での処理の温度を600°C以外の焼結温度よ
りも低い温度(好ましくは500℃〜1000°Cの範
囲)としてもよい。即ち、ニッケル等の電極材料と磁器
の酸化とを考慮して種々変更することか可能である6 (d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることかできる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜1200℃の範囲でニッ
ケル粒子の凝集がほとんど生じない。
器コンデンサにも勿論適用可能である。
uについては特に第1表〜第4表に掲載されていないが
、R成分の他のものと同様に使用することかできること
が確認されている。
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なくと
も2つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、3.0重量
部以下の第1の添加成分と、 0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti
_1_−_yR_y)O_2_−_y_/_2}+αC
aZrO_3(但し、MはCa、Srの内の少なくとも
1種の金属、RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、
Yb、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、 αは0.005〜0.04の範囲の数値、 kは1.00〜1.05の範囲の数値、 xは0.005〜0.05の範囲の数値、 yは0.04以下の0よりも大きい数値)であり、 前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2O_3
の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の
添加成分がLi_2OとSiO_2とMO(但し、MO
はBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内の少
なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記Li_
2Oと前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこれ等
の組成をモル%で示す三角図における 前記Li_2Oが1モル%、前記SiO_2が80モル
%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記Li_2
Oが1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記MO
が60モル%の点(B)と、前記Li_2Oが30モル
%、前記SiO_2が30モル%、前記MOが40モル
%の点(C)と、前記Li_2Oが50モル%、前記S
iO_2が50モル%、前記MOが0モル%の点(D)
と、前記Li_2Oが20モル%、前記SiO_2が8
0モル%、前記MOが0モル%の点(E)と、を順に結
ぶ5本の直線で囲まれた領域内のものであることを特徴
とするコンデンサ。 [2]100.0重量部の基本成分と、3.0重量部以
下の第1の添加成分と、0.2〜50重量部の第2の添
加成分とから成り、前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti
_1_−_yR_y)O_2_−_y_/_2}+αC
aZrO_3(但し、MはCa、Srの内の少なくとも
1種の金属、RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、
Yb、Tb、Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、
αは0.005〜0.04の範囲の数値、kは1.00
〜1.05の範囲の数値、xは0.005〜0.05の
範囲の数値、yは0.04以下の0よりも大きい数値)
であり、前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_
2O_3の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前
記第2の添加成分がLi_2OとSiO_2とMO(但
し、MOはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnO
の内の少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前
記Li_2Oと前記SiO_2と前記MOとの組成範囲
がこれ等の組成をモル%で示す三角図における前記Li
_2Oが1モル%、前記SiO_2が80モル%、前記
MOが19モル%の点(A)と、前記Li_2Oが1モ
ル%、前記SiO_2が39モル%、前記MOが60モ
ル%の点(B)と、前記Li_2Oが30モル%、前記
SiO_2が30モル%、前記MOが40モル%の点(
C)と、前記Li_2Oが50モル%、前記SiO_2
が50モル%、前記MOが0モル%の点(D)と、前記
Li_2Oが20モル%、前記SiO_2が80モル%
、前記MOが0モル%の点(E)とを順に結ぶ5本の直
線で囲まれた領域内のものであることを特徴とする混合
物を用意する工程と、 少なくとも2つの電極部分を有する前記混合物の成形物
を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
工程と を含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1314755A JPH03174709A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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EP90123122A EP0431530B1 (en) | 1989-12-04 | 1990-12-03 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
KR1019900019860A KR930004747B1 (ko) | 1989-12-04 | 1990-12-04 | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1314755A JPH03174709A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03174709A true JPH03174709A (ja) | 1991-07-29 |
JPH0530043B2 JPH0530043B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=18057196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1314755A Granted JPH03174709A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03174709A (ja) |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP1314755A patent/JPH03174709A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0530043B2 (ja) | 1993-05-07 |
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