JPH03170683A - 金属パターンの作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【産業上の利用分野】

本発明は金属パターン、例えばプリント回路などの作成
方法に関する。

【従来の技術】

プリント回路板の製造のために使用される方法は、使用
される工程のいくつかが種々の方法に共通であるけれど
も、数多く存在する。 片面がプリントされた回路板の場合、銅張り積層基板か
らなるその回路板は所望の場所に開けられた孔を有し、
スクリーン印刷または光画像形戒法を用いてレジストを
銅上に予め決められたパターンで被覆することにより、
ある領域において裸の銅そして残りの領域においてレジ
ストにより被覆された銅を有する板が得られ、次いでこ
の裸の銅をスズー鉛合金でめっきするが、該スズー鉛合
金は最終的にスズー鉛合金剥離剤を用いて除去される。 両面スルーホールめっきプリント回路板の場合、操作は
同様であるが、しかし以下の付加的な工程が加わる：孔
を開けた後、板を無電解銅析出処理に供して孔の表面（
ならびに銅全面）に銅を析出させ、そして予め決められ
たパターンにレジストを適用した後、その板を銅電解メ
ッキに供して孔の表面を含む裸の銅部分上に銅を析出さ
せる。

【発明が解決しようとする課題】

これらの方法の欠点は、スズー鉛合金剥離剤および必要
なそれに続く洗浄のコストが高いこと、およびスズー鉛
合金剥離剤（通常過酸化水素と硫酸の混合物）が板自体
に対し、そして剥離を行う作業者やその際に使用される
装置に対し侵害性であることである。 米国特許第４７４６３９９号明細書には、レジスト塗布
後に裸のままである銅が、レジストを剥離するために使
用される溶媒とは異なる溶媒により剥離性でありそして
銅エッチング剤により除去されない電着性樹脂の電着に
より保護される方法が記載されている。

【課題を解決するための手段】

レジスト適用後の裡のままの銅はそれにフィルム形成性
樹脂を単に被覆することにより、該フィルム形成性樹脂
がレジストを除去するために使用される溶媒（通常水性
塩基）に耐性でありさえすれば、いかなる電圧を使用す
ることなく保護され得ることを、本発明者等は驚くべき
ことに今見出した。 従って、本発明は、予め決められた領域において裸の金
属および残りの領域においてレジストにより被覆された
金属からなる表面を有する基板上に金属パターンを作戒
する方法であって、（ｉ）フィルム形成性樹脂で被覆す
ることにより裸の金属を保護し、 （ｉｉ）レジストからあらゆるフィルム形成性樹脂を除
去し、 （ｎｉ）フィルム形成性樹脂を除去しない溶媒を用いて
前記残りの領域からレジストを除去し、それによってそ
の残りの領域における金属を露出し、 （ｉｖ）フィルム形成性樹脂を除去しないエッチング剤
を用いて工程（ｉｉ）で露出された金属のエッチングを
行い、そして （ｖ）適当な溶媒でフィルム形成性樹脂を除去する、 ことからなる上記金属パターンを作成する方法を提供す
る。 レジストはスクリーン印刷法により塗布されそして次に
硬化されるエポキシ樹脂であってよい。好ましくは、レ
ジストは、通常銅張り積層板である基板に均一にフォト
レジストを塗布し、それを化学線に予め決められたパタ
ーンで暴露し、そして次にフォトレジストがボジ型であ
るかネガ型であるかによって、それぞれ露光された領域
または露光されていない領域を除去することにより、選
択された領域において被覆されたフォトレジストである
。プリント回路板作成において使用するボジ型およびネ
ガ型フォトレジストはよく知られた材料であり、そして
それらのいずれも使用され得る。それらは水性条件下ま
たは有機溶媒により剥離可能であってよい。 別の金属、例えばニッケルの層を、フィルム形成性樹脂
を被覆する府に裸の銅領域に析出させてもよい。 フィルム形成性樹脂は塩基一剥離性であるか、もしくは
酸一剥離性であるか、またはそれぞれ有機溶媒により剥
離性であってよい。 特に好ましい組合せは、水性条件下で剥離可能であるフ
ォトレジストと、有機溶媒により剥離可能であるフィル
ム形成性樹脂の使用である。 非常に多くのフィルム形成性樹脂のあらゆるものが使用
され得るが、これらのフィルム形成性樹脂はアクリル樹
庸；エポキシ樹脂；エポキシ樹脂とアミンまたはポリカ
ルボン酸、アミノもしくはメルカブト酸との付加物；ポ
リウレタン：ポリエステル；およびフェノール性ヒドロ
キシル基含有樹脂とアルデヒドおよびアミンまたはアミ
ノ−もしくはメルカプトカルボン酸との反応生成物を包
含する。適当なアクリル樹脂は、少なくとも１種のアク
リルエステル、例えばアルキルもしくはヒドロキシアル
キルアクリレートまたはメタクリレートとエチレン性不
飽和モノマーとのコボリマーを包含する。適当なエポキ
シ樹脂付加物は二価のアルコールまたはビスフェノール
のジグリシジルエーテルと化学量論的に過剰の第一もし
くは第二モノアミンまたはポリアミン、例えばエタノー
ルアミン、ジエタノールアミンまたはエチレンジアミン
、ポリカルボン酸、例えばグルタル酸またはアジピン酸
、ポリカルボン酸無水物、例えばマレイン酸またはコハ
ク酸無水物、アミノカルボン酸、例えばｏ−，ｍ−もし
くはｐ−アミノ安息香酸またはメルカプトカルボン酸と
の付加物を含む。 適当なポリウレタンはヒドロキシル基末端のポリウレタ
ンとポリカルボン酸無水物との付加物を含む。適当なポ
リエステルは多価アルコール、例えばエチレングリコー
ル、１．２−プロビレングリコール、１．３−プロピレ
ングリコールまたはブタン−１．４−ジオールとポリカ
ルボン酸、例えばグルタル酸、アジピン酸、マレイン酸
、テトラヒドロフタル酸およびフタル酸またはそれらの
エステル形成性誘導体とから誘導されるカルボキンル基
末端ポリエステルを含む。 フェノール性ヒドロキシル基含有樹脂の適当な反応生成
物は、ジグリシジルエーテルとビスフェノールとのフェ
ノール基末端付加物、アルデヒド、例えばホルムアルデ
ヒドまたはベンズアルデヒドおよびアミン、例えばエタ
ノールアミン、ジエタノールアミンまたはエチレンジア
ミン、アミノカルボン酸、例えばグリシン、サルコシン
またはアスパラギン酸、またはメルカプトカルボン酸、
例えばチオグリコール酸または３−メルカブトプロピオ
ン酸の反応生成物を含む。 好ましいフィルム形成性樹脂は、特にメチルアクリレー
ト、エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシブ口ビルアクリレート、プチル
アクリレート、エチルへキンルアクリレートおよび相当
するメタクリレートから選択される少なくとも１種のモ
ノアクリル酸エステルと、カルボキシル基または第三ア
ミノ基を含有する少なくとも１種のモノアクリル酸モノ
マー、特にアクリル酸、メタクリル酸またはジメチルア
ミノエチルメタクリレート、および場合によりその他の
ビニルモノマー、例えばスチレンとのコボリマーである
。 その他の好ましい五着性樹脂は、先駆されていてもよい
ビスフェノール、特にビスフェノール八のジグリシジル
エーテルとモノアミン、特にジエタノールアミンとの付
加物である。 フィルム形成性樹脂の量は、露出された金属を完全に被
覆し、そしてフォトレジストを除去する間およびそれに
より露出された金属のエッチングの間該金属を保護する
のに十分であることが必要である。 フィルム形成性樹脂はあらゆる適当な方法、例えば浸漬
、ロール塗、八ヶ塗または噴霧により塗布され得る。該
樹脂は水性媒体から、有機溶媒から塗布されるか、また
は適切に塗布され得る。これらの方法は基板全体を通常
被覆する。 樹脂を塗布した後、過剰物は、例えばガラス捧でぬぐい
操作により、または基板をローラーに面すことにより除
去される。レジストはその他の露出された銅から盛り上
がっているので、フィルム形成性樹脂はレジストから除
去されるが、しかし依然として銅を被覆している。フィ
ルム形成性樹脂はさらに操作を行う前に単に乾燥させて
もよく、またそれは化学的耐性を改善するために熱硬化
または光硬化させてもよい。 有機溶媒がレジストを除去するために使用される場合、
フィルム形成性樹脂を溶解しない適当な溶媒は一般的な
実験により見出され得る。 この溶媒とフィルム形成性樹脂を除去するために使用さ
れる溶媒の両方とも、ハロ炭化水素、例えば１，１．１
−トリクロロエタンおよびジクロロメタン、ヒドロキシ
ル系溶媒、例えば２ｎ−ブトキシエタノールおよび２−
エトキシエタノール、エステル、例えば２−エトキシエ
チルアセテート、ケトン、例えばアセトンおよびメチル
エチルケトン、およびエーテル、例えばテトラヒドロフ
ランから選択され得る。例えば、フィルム形成性樹脂が
エポキシ樹脂から誘導され、そしてレジストがアクリル
性物質であれば、レジストはハロ炭化水素を用いて除去
され、そしてフィルム形成性樹脂はケトンを用いて除去
され得る。 レジストの除去により露出された金属、通常銅は、あら
ゆる十分公知のエッチング剤、例えば塩化第二鉄、過酸
化水素／リン酸、過硫酸アンモニウムまたは塩化第二銅
により除去され得る。 所望する場合、フィルム形成性樹脂は、基板がその他の
レジスト、例えば予め決められたバターンのソルダーマ
スクで被覆されている間、適所に残されてもよい。上記
ソルダーマスクの被董はその他の部分にハンダづけされ
るべきでない金属パターンの領域を保護するための１１
１用の方法により作威される基板を処理するために通常
使用され、次に裸の銅がプリント回路への部分の運結の
ためにハンダの引き続く塗布に必要な領域からだけ電着
樹脂が除去される。従って、このような方法は全てのフ
ィルム形成性樹脂を除去する必要性をなくする。ソルダ
ーマスクが阿像形成プロセスにより予め決められたパタ
ーンで基板に塗布された感光性材料である場合、フィル
ム形成性樹脂は現像に使用される溶媒処理により必要な
領域から除去され得、それにより製造プロセスにおける
フィルム形成性樹脂を除去するための分離工程が不要と
なる。さらに、ソルダーマスクの下に残るフィルム形成
性樹脂は下層の銅とソルダーマスクとの間の良好な接着
を促進するように作用する。 従って、本発明はまた、予め決められた領域において裸
の金属および残りの領域において第１のレジストにより
被覆された金属からなる表面を有する基板」二に金属パ
ターンを作成する方法であって、 （ｉ）フィルム形成性樹脂で被覆することにより裸の金
属を保護し、 （１ｉ）第１のレジストからあらゆるフィルム形成性樹
脂を除去し、 （ｉｉｉ）フィルム形成性樹脂を除去しない溶媒を用い
て前記残りの領域から第１のレジストを除去し、 （汁）フィルム形成性樹脂を除去しないエッチング剤を
用いて工程（ｉｉ）で露出された金属のエッチングを行
い、 （ｖ）フィルム形成性樹脂上に予め決められたパターン
で第２のレジスト層を形成し、それによってレジストに
より被覆されていないフィルム形成性樹脂フィルムの領
域を残し、そして（ｖｉ）フィルム形成性樹脂用の溶媒
での処理により該フィルム形成性樹脂の非被覆領域を除
去する、 ことからなる」二記金属パターンを形成する方法を提供
する。 エッチングの後に、例えばゾルダーマスクとして作用す
るレジストの層は、予め決められたパターンでフィルム
形成性樹脂の上に、そして通常工程（　ｉｖ　）でエッ
チングされた領域の上にも形成される。工程（ｉｖ）後
に金属の無い領域にソルダーマスクを有することが厳密
には必要でないと考えられるであろう。しかしながら、
実際には、これらの領域にソルダーマスクを有すること
がより便利である。工程（ｖ）のパターン形成は、スク
リーン印刷法を用いて直接予め決められたパターンに硬
化性、好ましくは光硬化性の樹脂組成物を塗布し、そし
て好ましくはスクリーン印刷層を照射することによって
該組成物を硬化させることにより行われ得る。スクリー
ン印刷により塗布され得る光硬化性樹脂組成物はプリン
ト回路板作成の分野の技術者には十分に公知である。光
硬化性樹脂は、例えば、それらのためのフリーラジカル
生成光開始剤と共に使用される重合性アクリレートまた
はメタアクリレートエステル基を含む樹脂、それらのた
めのカチオン性光開始剤、例えばオニウム塩と共に使用
されるエポキシ樹脂、および直接活性化される感光性基
、例えばシンナメート基、カルコン基、フェニルペンタ
ジエ．ノン基および類似の基を含む樹脂であってよい。 好ましくは、工程（ｖ）は、（ａ）フィルム形成性樹脂
上にフォトレジストの層を適用し、（ｂ）該フォトレジ
スト層を予め決められたパターンに照射し、それによっ
て該層の露光部分と非露光部分との溶解度に相違を生じ
させ、そして（ｃ）溶媒での処理により照射された層の
より溶解性の部分を除去することにより行われる。 王程（ａ）において、フォトレジストは、基板の表面の
実質的に全ての上、すなわち工程（ｉｖ）においてエッ
チングされた領域ならびにフィルム形成性樹脂上に塗布
される。ボジ型およびネガ型フォトレジストが適当であ
る。それらは液体重合性フォトレジストまたは予め形成
されたフィルムとして、溶解されて液層を形成し、次に
冷却されてフィルムを形成する粉末として、または次い
で蒸発させてフォトレジストフィルムを形成する溶媒中
の溶液として基板に適用され得る固体フォトレジストで
あってよい。このような工程（ｖ）（ａ）における使用
に適当であるネガ型フォトレジストは十分に公知の光硬
化性樹脂組成物、例えば直接活性化される感光性基を含
む樹脂からなるものであり、例えばアジド基、クマリン
基、スチルベン基、マレイミド基、ピリジノン基もしく
はアントラセン基を有するもの、または好ましくは芳香
族性もしくはエチレン不飽和性とα，β一不飽和性とを
組み合わせて有するα，β一エチレン性不飽和エステル
またはケトン基、例えばシンナメート基、ソルベート基
、カルコン基、フェニル置換ブロベノン基およびフェニ
ル置換ペンタジエノン基を含むものである。そのような
感光性基を有する樹脂は米国特許第４５７２８９０号に
記載されている。 工程（ｖ）（ａ）におけるフォトレジストとしての使用
に適当であるその他の光硬化性樹脂組成物はカチオン重
合性物質を含むもの、特にエポキシ樹脂またはビニルエ
ーテルとそれらのためのカチオン性光開始剤、とりわけ
メタロセニウム塩、オニウム塩または芳香族ヨードシル
塩とからなるものを包含する。このタイプの光硬化性組
成物は米国特許第４５７２８９０号およびＥＰ−Ａ−０
０９４９１５号にも記載されている。 工程（　Ｖ　）　（ａ）におけるフォトレジストとして
の使用に適当である別の光硬化性樹脂組成物は、フリー
ラジカル重合性不飽和物質を含むもの、特にアクリレー
トまたはメタクリレートとそれらのためのフリーラジカ
ル生成光開始剤とからなるものを包含する。このタイプ
の多くのアクリル性、すなわちアクリレートまたはメタ
クリレート基含有光硬化性組成物は市販のものを利用で
きる。 工程（ｖ）（ａ）における使用に適当であるその他のネ
ガ型フォトレジス１・は、アクリレートまたはメタクリ
レート基と上記の直接光活性化される感光仕基とを含む
物質またはその混合物とアクリレートまたはメタクリレ
ート基のためのフリーラジカル生成光開始剤とからなる
ものを包含する。そのようなフォトレジストは米国特許
ｍ４４１３０５２号および同第４４１６９７５号ならび
にＥＩ”Ａ−０２０７８９３号に記載されている。 工程（ｖｉａ）においてフォトレジストとしての使用に
適当であるボジ型フォトレジストは、米国特許第３９９
１０３３号に記載されたポリオキンメチレンボリマー、
米国特許第３８４９１３７号に記載された０−ニトロカ
ルビノールエステル、０−ニトロフェニルアセタール、
それらのポリエステル、および米国特許第４０８６２１
０号に記載された末端がキャップされた誘導体、スルホ
ネートエステル基に対してαまたはβの位置にカルボニ
ル基を含む芳香族アルコールのスルホネートエステル、
または芳香族アミドもしくはイミドのＮ−スルホニルオ
キシ誘導体、例えば米国特許第４６１８５６４号に記載
されたエステルおよびイミド、芳香族オキシムスルホネ
ート、例えばＥｌ−Ａ−０１９９６７２号に記載された
もの、キノンジアジド、例えばキノンージアジド変性フ
ェノール系樹脂、および鎖中にベンゾイン基を含む樹脂
、例えば米国特許第４３６８２５３号に記載されたもの
を包含する。 フォトレジストは慣用の感光剤および非感光性フィルム
形成性ボリマー、例えば慣用のフォトレジストに使用さ
れているものを包含し得る。 工程（ｖ）（ａ）における使用のための好ましいフォト
レジストはネガ型フォトレジスト、特にソルダーマスク
として適当であるようなレジストが有用である。 工程（ｖ）（ｂ）における予め決められたパターンでの
フォトレジスト層の照射は、実質的に不透明なおよび実
質的に透明な領域からなる画像形成用透明両を介する露
光によるか、またはコンピュータ制御レーザービームに
より行われ得る。波長２００−６００ｎｍの電磁線が一
般に用いられ、そして適当な光源は炭素アーク、水銀灯
、紫外線を放射するリンを含む蛍光灯、アルゴンおよび
キセノングローランプ、タングステンランプ、および写
真用投光ランプを包含し、この中で水銀灯および金属ハ
ライドランプが最も適当である。必要な露光時間はフォ
トレジスト層の成分の性質や厚さ、照射源のタイプ、お
よびソルダーマスクから照射源の距離のようなファクタ
ーにより決まる。適当な露光時間は通常の実験により容
易に決定され得る。 工程（ｖＨｃ）における照射層のより溶解性である領域
の除去は、フォトレジストの性質に従って選択された溶
媒での処理により行われる。 該溶媒は水であっても、酸もしくは塩基の水性溶液もし
くは水性有機溶液、有機溶媒または溶媒の混合物であっ
てよい。適当な酸性溶液は酢酸、乳酸、グリコール酸ま
たはトルエンーｐスルホン酸の溶液を包含し、一方適当
な塩基性溶液は水酸化ナトリウムもしくはカリウムまた
は炭酸ナトリウムもしくはカリウムを包含する。 適当な有機溶媒は炭化水素、例えばトルエンおよびキシ
レン、ハロ炭化水素、例えばｌ，１，１−トリクロロエ
タンおよびジクロロメタン、ヒドロキシル系溶媒、例え
ばエタノール、２ｎ−ブトキシエタノールおよび２−エ
トキシエタノール、エステル、例えば２−エトキシエチ
ルアセテート、ケトン、例えばシクロヘキサノン、アセ
トンおよびメチルエチルアセトン、およびエーテル、例
えばテトラヒドロフランを包含する。 工程（ｖ）（ａ）で使用されるフォトレジストがネガ型
フォトレジストである場合、工程（ｖ）（ｂ）で照射さ
れなかった領域は工程（　ｖ　）　（ｅ）において溶媒
での処理により除去される。ボジ型フォトレジストが工
程（ｖｉａ）で使用される場合、工程（ｖ）（ｂｌで照
射された領域が工程（ｖ）（ｃ）において通常除去され
る。しかし、もし画像反転法が例えばキノンジアジドフ
才トレジストを用いて行われた場合、最初に照射された
領域は、その他の領域に比べ溶解性が低く、その結果工
程（ｖ）（ｃ）において除去されるのは工程（ｖ）（ｂ
）で露光されなかった領域である。 工程（ｖｉ）においてフィルムの非被覆領域を除去する
ために使用される溶媒は、工程（ｖ）（ｅ）におけるフ
ォトレジストの除去のために記載した上記の溶媒と同じ
群から選択され得る。非被覆フィルムの除去は分離工程
（ｖ）（ｃｌにおいて行われ得る。本発明方法の好まし
い実施態様において、フィルムの除去（　ｖｉ　）は溶
媒処理（　ｖ　）　（ｃ）において行われる。適当な溶
媒は一般的な実験により決定され得る。 本発明方法の特に好ましい実施態様において、第１のレ
ジストが水性溶媒により除去され、第２のレジストが有
機溶媒により除去され、そしてフィルム形成性樹脂が第
２のレジストを除去するために使用された有機溶媒によ
り除去される。

【実施例】

実施例に羞づいて本発明をさらに説明する。 なお、以下の実施例において部はｆｆｉｆｆｉ部である
。 以下の実施例において使用された樹脂は以下のとおりで
ある。 樹脂エ スチレン（　４　７．　５部）、２−エチルへキシルア
クリレート（２５部）、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート（２０部）および２−（ジメチルアミノ）エチル
メタクリレート（７．５部）とアゾビス（イソブチロニ
トリル）（１．５部）とからなるモノマー混合物を１０
０℃で攪拌された２−ｎ−ブトキシエタノール（５０部
）中に２時間かけて滴下して添加する。反応混合物をさ
らに１時間１００℃に保持し、そして別量のアゾビス（
イソブチロニトリル）（０．５部）および２−ｎ−ブト
キシエタノール（５．５部）を添加する。この操作、す
なわち１００℃で１時間加熱し、次に別量の上記化合物
を添加することをさらに２回繰り返し、そして反応混合
物を１　０　０　’Ｃにさらに１時間維持し、次いで室
温まで冷却する。２−ｎ−ブトキシエタノール（８部）
、メチルエチルケトキシムで半ブロックされた］二業用
２，４−トリレンジイソシアソ−ｌ（１２部）およびジ
ーｎ−プチルスズジラウレ−１−（０．１６部）を添加
する。反応混合物を５０゜Ｃて１６時間攪拌し、次に室
温まで冷却する。コボリマーの数平均分子量は１２６０
０てあり、そしてそのアミン価は０．２５当ｆｆｉ／ｋ
ｇである。 樹脂■ スチレン（　４　７．　５部）、２−エチルへキシルア
クリレート（２５部）、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート（２０部）および２−（ジメチルアミノ）エチル
メタクリレー｝（７．５部）とアゾビス（イソブチロニ
トリル）（１、５部）とからなるモノマー混合物を１０
０゜Ｃで攪拌された２−ｎ−ブトキシエタノール（５０
部）中に２時間かけて滴下して添加する。反応混合物を
さらに１時間１００゜Ｃに保持し、そして別量のアゾビ
ス（イソブチロニトリル）（０．５部）および２−ｎ−
ブトキンエタノール（５．５部）を添加する。この操作
、すなわち１００″Ｃで１時間加熱し、次に別量の上記
化合物を添加することをさらに２回繰り返し、そして反
応混合物を１００℃にさらに１時間維持し、次いで室温
まで冷却する。生成するコポリマー溶液のアミン価は０
．２８当ｆｌ／ｋｇであり、そして該コボリマーの数平
均分子量は１０４１６である。 樹脂■ この樹脂はエポキシ含量１．　７モル／ｋｇを有するエ
ポキシ樹脂に基づいた固体ビスフェノールＡである。 樹脂■ エポキシ含ｆｔ　１．　２モル／ｋｇを有するエポキシ
樹脂に基づい・た固体ビスフェノールＡ（５０部）を２
−ｎ−ブトキシエタノール（５０部）中に１２０℃で溶
解させる。ジエタノールアミン（４．２部）とジーｎ−
プチルアミン０２部）との混合物を１０分間かけて滴下
して添加する。次いで１２０゜Ｃで３時間加熱すると、
エポキシ含４１１はｊｌｌｔ視しえるものとなる。次に
室温まで冷却する。 樹脂Ｖ この樹脂はベルサミド（ｖｅｒｓａｍｉｄ）　ｌ　Ｏ　
Ｏ　（二量化脂肪酸とポリアミンに基づいた半固体ボリ
アミド）である。 樹脂■ この樹析は３，４−エポキシシクロヘキンルメチル−３
′　４′一エポキシンクロヘキサンカルポキンレートで
ある。 樹脂■ スチレン（６０部）、２−エチルへキシルアクリレート
（　２　７．　５部）、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート（７．５部）および２−（ジメチルアミノ）エチ
ルメタクリレート（５部）とアゾビス（イソブチロニト
リル）（１．５部）とからなるモノマー混合物を１００
℃で攪拌されたトルエン（５０部）中に２時間かけて滴
下して添加する。反応混合物をさらに１時間１００℃に
保持し、そして別最のアゾビス（イソブチロニトリル）
（０．５部）およびトルエン（５．５部）を添加する。 この操作、すなわち１００℃で１時間加熱し、次に別量
の上記化合物を添加することをさらに２回繰り返し、そ
して反応混合物を１００℃にさらに１時間維持し、次い
で室温まで冷却する。生成するコボリマー溶液のアミン
価は０．２８当量／ｋｇである。 樹脂■ スチレン（６０部）、２−エチルへキシルアクリレート
（　２　７．　５部）、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート（７．５部）および２−（ジメチルアミノ）エチ
ルメタクリレート（７．５部）とアゾビス（イソブチロ
ニトリル）（１．５部）とからなるモノマー混合物を１
２０℃で攪拌された２−ｎ−ブトキシエタノール（５０
部）中に２時間かけて滴下して添加する。反応混合物を
さらに１時間１２０゜Ｃに保持し、そして別量のアゾビ
ス（イソブチロニトリル）（０．５部）および２−ｎ−
ブトキシエタノール（５．５部）を添加する。この操作
、すなわち１２０℃に１時間維持し、次に別量の−１；
記化合物を添加することをさらに２　［１１　ａり返し
、そして反応混合物を１２０゜Ｃにさらに１時間維持し
、次いで冷却する。生成する溶液中のコボリマーは数平
均分子４；ｌ　１　０　２　７　９を有し、その溶液の
アミン価は０．１９当量／ｋｇである。 樹ＩＩ旨■ この樹脂は３．３’，４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物および５（６）アミノ−１．−（４
’−アミノフェニル）−１，３．３１−リメチルインダ
ンに基づいたポリイミドである。 樹脂Ｘ この樹脂はメチル化メラミンーホルムアルデヒド樹脂（
実質的にヘキサメトキシメチルメラミン）である。 樹脂ＸＩ この樹脂はメタノール中のフェノールホルムアルデヒド
ノボラックの６０％溶液である。 樹脂Ｘ［Ｉ メチルメタクリレート（４５部）、プチルアクリレート
（　４　７．　５部）および（２−ジメチルアミノ）エ
チルメタクリレート（７．５部）とアゾビス（イソブチ
ロニトリル）（１．５部）とからなるモノマー混合物を
１００℃で攪拌された２−ｎ−ブトキシエタノール（５
０部）中に２時間かけて滴下して添加する。反応混合物
をさらに１時間１００゜Ｃに保持し、そして別量のアゾ
ビス（イソブチロニトリル）（０．５部）および２−ｎ
−ブトキシエタノール（５．５部）を添加する。この操
作、すなわち１００℃でｌ時間加熱し、次に別量の上記
化合物を添加することをさらに２回繰り返し、そして反
応混合物を１００℃にさらに１時間維持し、次いで室温
まで冷却する。生成するコボリマー溶液のアミン価は０
．２８当址／ｋｇである。 樹脂Ｘ■ この樹脂はブチル化ペンゾグアナミンーホルムアルデヒ
ド樹脂のブタノール中の７０％固体溶液である。 実施例１ 両像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン（ＲＩＳＴＯＮ）３　４　１５水性
現像性フォトレジストを被覆した銅張り稍Ｊ１゛ク板を
、水（４９４部）中に樹脂工溶液（１００部）および水
性２０％乳酸（６部）を含脊する洛中に５分間浸漬する
。この積層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂
溶液を除く（ぬぐい操作）。次いで、１２０℃で１０分
間乾燥させる。この積層板を次にヘキストＨＢ１１６０
ドライ・フィルム・ストリッパー（ＨＯＢＣＨＳＴ　Ｈ
Ｂ　１．１６０　ＤＲＹ　ＦＩＬＭ　ＳＴＲＩＰＰＥＲ
）の水性２０％溶液中に５０゜Ｃで侵す。この処理はフ
ォトレジストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フ
ォトレジストの除去により露出された銅を塩化第二鉄の
３６％溶液中３０℃てエッチングし、その後債周仮を水
中で洗浄し乾燥すると、積層基板１；のＵ漬フィルムに
より被覆された鋼内にパターンが残る。プロピレンカー
ボネート（５０部）、γ−プチロラクトン（２０部）お
よびプチルジゴール（３０部）の混合物中に浸して浸漬
フィルムを除去すると積層基板上に銅パターンが残る。 実施例２ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、水（３８６．５６部）中に
樹脂■溶液（２００部）および水性２０％乳酸（１３．
４４部）を含有する浴中に２分間浸漬する。この積層板
を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂溶液を除く。 次いで、１２０゜Ｃで１０分間乾燥させる。 この積層板を次にヘキストＨＢ１１６０ドライ・フィル
ム・ストリッパーの水性２０％溶液中に５０゜Ｃで浸す
。この処理はフォトレジストを除去するが、しかし浸漬
被膜を残す。フォトレジストの除去により露出された銅
を塩化第二鉄の３６％溶液中３０℃でエッチングし、そ
の後積層板を水中で洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬
フィルｌ、により被覆された銅内にパターンが残る。プ
ロビレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクトン
（２０部）およびプチルジゴール（３０部）の混合物中
に浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パタ
ーンが残る。 実施例３ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形戒されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、２−ｎ−ブトキシエタノー
ル（５００部）中に樹脂■溶液（１００部）を含有する
洛中に５分間浸漬する。この積層板を次に浴から取り出
し、拭いて過剰な樹脂溶液を除く。次いで、１２０゜Ｃ
で１０分間乾燥させる。この積層板を次にヘキストＨＢ
１１６０ドライ・フィルム・ストリッパーの水性２０％
溶液中に５０℃で浸す。この処理はフォトレジストを除
去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォトレジストの除
去により露出された銅を塩化第二鉄の３６％溶液中３０
℃でエッチングし、その後積層板を水中で洗浄し乾燥す
ると積層基板上の浸漬フィルムにより被覆された銅内に
パターンが残る。２−ｎ−ブトキシエタノール中に浸し
て浸漬フィルムを除去するとＷｔ層基板上に銅パターン
が残る。 実施例４ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、トルエンと２−ｎ−ブトキ
シエタノールとの５：１ｗ／ｗ混合物（　９．　５　０
部）中に樹脂■溶液（５０部）を含有する浴中に１．５
分間浸漬する。この積層板を次に浴から取り出し、拭い
て過剰な樹脂溶液を除く。次いで、１５０℃で１０分間
乾燥させる。この積層板を次にロバートソン２７９Ｈド
ライ・フィルム・ストリッパー（ＲＯＢＢＲＴＳＯＮ　
２７９Ｈ　ＤＲＹ　ＦＩＬＭ　ＳＴＲＩＰＰＩＩ！Ｒ）
の水性１０％溶液中に５０℃で浸す。この処理はフォト
レジストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォト
レジストの除去により露出された鋼を塩化第二鉄の３６
％溶液中３０℃でエッチングし、その後積層板を水中で
洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬フィルムにより被覆
された銅内にパターンが残る。２−ｎ−ブトキシエタノ
ール中に浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に
銅パターンが残る。 実施例５ 両像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４ｌ５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、水（４１０．９部）中に樹
脂■溶液（１００部）および水性２０％乳酸（　１　９
．　１部）を含有する浴中に５分間浸漬する。この積層
板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂溶液を除く
。次いで、１５０℃で１０分間乾燥させる。この積層板
を次にロバートソン２７９Ｈドライ・フィルム・ストリ
ッパーの水性１０％溶液中に５０℃で浸す。この処理は
フォトレジストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。 フォトレジストの除去により露出された銅を塩化第二鉄
の３６％溶液中３０°Ｃでエッチングし、その後積層板
を水中で洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬フィルムに
より被覆された銅内にパターンが残る。 プロピレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクト
ン（２０部）およびブチルジゴール（３０部）の混合物
中に浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パ
ターンが残る。 実施例６ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、トルエン（８００部）と２
−ｎ−ブトキシエタノール（ｌ００部）との混合物中に
樹脂■の溶液（ｌ００部）およびメチルエチルケトキシ
ムでブロックされたスブラセック（Ｓｕｐｒａｓｅｃ）
Ｍ　ＰＲ（１０部）を含有する浴中に１分間浸漬する。 この積層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂溶
液を除く。次いで、１５０℃で１０分間乾燥させる。こ
の積層板を次にヘキストＨＢ１１６０ドライ・フィルム
・ストリッパーの水性２０％溶液中に５０℃で浸す。こ
の処理はフォトレジストを除去するが、しかし浸漬被＋
１９を残す。フォトレジストの除去により露出された銅
を弘化第二鉄の３６９６溶液中３０℃でエッチングし、
その後１板を水中で洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬
フィルムにより被覆された銅内にパターンが残る。プロ
ピレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクトン（
２０部）およびブチルジゴール（３０部）の混合物中に
浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パター
ンが残る。 実施例７ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリスｌ・ン３４１５水性現像性フォトレジス
トを被覆した銅張り積層板を、樹脂Ｖの混合物（１００
部）およびトリフェニルスノしホニウムヘキサフルオロ
アンチモネート（４部）と９−メチルアントラセン（１
部）との混合物を含有する浴中に１分間浸漬する。この
情層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂溶液を
除く。次いで、金属ハライドランプからの紫外線を７５
ｃｍの距離から２分間露光する。この積層板を次にヘキ
ストＨＢｌ１６０ドライ・フィルム・ストリッパーの水
性２０％溶液中に５０℃で浸す。この処理はフォトレジ
ストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォトレジ
ストの除去により露出された銅を塩化第二鉄の３６％溶
液中３０℃でエッチングし、その後積層板を水中で洗浄
し乾燥すると積層基板上の浸漬フィルムにより被覆され
た銅内にパターンが残る。プロピレンカーボネート（５
０部）、γ−プチロラクトン（２０部）およびプチルジ
ゴール（３０部）の混合物中に浸して浸漬フィルムを除
去すると積層基板上に銅パターンが残る。 実施例８ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、トルエン（４００部）中に
樹脂■の混合物（２００部）を含有する洛中に２分間浸
漬する。 この積層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂溶
液を除く。次いで、１２０℃で１０分間乾燥させる。こ
の積層板を次にヘキストＨＢ１ｌ６０ドライ・フィルム
・ストリッパーの水性２０％溶液中に５０℃で浸す。こ
の処理はフォトレジストを除去するが、しかし浸漬被膜
を残す。フォトレジストの除去により露出された銅を塩
化第二鉄の３６％溶液中３０゜Ｃでエッチングし、その
後積層板を水中で洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬フ
ィルムにより被覆された銅内にパターンが残る。プロビ
レンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクトン（２
０部）およびプチルジゴール（３０部）の混合物中に浸
して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パターン
が残る。 実施例９ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４ｌ５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、水（５８６．３２部）中に
樹脂■（２００部）および水性２０％乳酸（　＋．　３
．　６８部）の混合物を含有する浴中に５分間浸漬する
。この積層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂
溶液を除く。次いで、１２０゜Ｃで１０分間乾燥させる
。 この積層板を次にヘキストＨＮ１１６０ドライ・フィル
ム・ストリッパーの水性２０％溶液中に５０゜Ｃで浸す
。この処理はフォトレジストを除去するが、しかし没κ
ｉ被膜を残す。フォトレジストの除去により露出された
銅を塩化第二鉄の３６％溶液中３０℃でエッチングし、
その後積層板を水中で洗浄し屹燥すると積層基板上の浸
漬フィルムにより被覆された銅内にパターンが残る。プ
ロビレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクトン
（２０部）およびプチルジゴール（３０部）の混合物中
に浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パタ
ーンが残る。 実施例１０ 画像形成され現像されてフォトレンスト内にパターンが
形成されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスｌ
・を被覆した銅張り積層板を、２−ｎ−ブトキシエタノ
ール（４部）と水（２５８部）との氾合物中に樹脂Ｉ（
１００部）、メチルエチルケトキシムでブロックされた
スブラセックＭＰＲ（３．７部）および水性２０％乳酸
（６．７部）の混合物を含有する浴中に５分間没漬する
。この積層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂
溶液を除く。次いで、１２０℃で１０分間乾燥させる。 この積層板を次にヘキスｌ−１｛Ｂ１１６０ドライ・フ
ィルム・ストリッパーの水性２０％溶液中に５０℃で浸
す。この処理はフォト・レジストを除去するが、しかし
浸漬被膜を残す。フォトレジストの除去により露出され
た銅を塩化第二鉄の３６％溶液中３０℃でエッチングし
、その後積層板を水中で洗浄し乾燥すると積層基板上の
浸漬フィルムにより被覆された銅内にパターンが残る。 プロピレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクト
ン（２０部）およびブチルジゴール（３０部）の混合物
中に浸して浸漬フィルムを除夫すると積層基板上に銅パ
ターンが残る。 尖施例１１ 両像形成され現像されてフ才トレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４１５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、１−メチル−２−ビロリン
ノン（９００部）中に樹脂■の混合物（１００部）を含
有する洛中に１５秒間浸漬する。この積層板を次に浴か
ら取り出し、拭いて過剰な樹脂溶液を除く。次いで、１
５０℃で１０分間乾燥させる。この積層板を次にヘキス
トＨＢ１１６０ドライ・フィルム・ストリッパーの水性
２０％溶液中に５０゜Ｃて浸す。この処理はフォトレジ
ストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォトレジ
ストの除去により露出された銅を塩化第二鉄の３６％溶
液中３０℃でエッチングし、その後積層板を水中で洗浄
し乾燥すると積層基板上の浸漬フィルムにより被覆され
た銅内にパターンが残る。 ｌ−メチル−２−ピロリジノン中に浸して浸漬フィルム
を玲失すると積層基板上に銅パターンが残る。 実施例１２ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４ｌ５水性現像性フォトレジスト
を被覆した鋼張り積層板を、水（１　６２．５部）中に
樹脂ＩＩ（１００部）、樹脂Ｘ（１２部）、２０％水性
乳酸Ｃ　１　３．　５部）およびｐ−トルエンスルホン
酸のモルホリン塩の１０％水溶液（１２部）の混合物を
含有する浴中に５分間浸漬する。この積層板を次に浴か
ら取り出し、拭いて過剰な樹指溶液を除く。次いで、１
２０゜Ｃで１０分間乾燥させる。この積層板を次にヘキ
ストＨＢ１１６０ドライ・フィルム・ストリッパーの水
性２０％溶液中に５０℃で浸す。この処理はフォトレジ
ストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォトレジ
ストの除去により露出された銅を塩化第二鉄の３６％溶
液中３０℃でエッチングし、その後積層板を水中で洗浄
し屹燥すると積層基板上の浸漬フィルムにより被覆され
た銅内にパターンが残る。 プロピレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクト
ン（２０部）およびブチルジゴール（３０部）の混合物
中に浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パ
ターンが残る。 実施例１３ 画像形威され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４ｌ５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、メタノール（　２　２　６
．　５部）中に樹脂ＸＩの混合物（１００部）を含有す
る浴中に３０秒間浸漬する。この積層板を次に浴から取
り出し、拭いて過剰な樹脂溶液を除く。次いで、１２０
゜Ｃで１０分間乾燥させる。この積層板を次にヘキス｝
ＨＢ１１６０ドライ・フィルム・ストリッパーの水性２
０％溶液中に５０℃で浸す。この処理はフォトレジスト
を除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォトレジスト
の除去により露出された銅を塩化第二鉄の３６％溶液中
３０℃でエッチングし、その後積層板を水中で洗浄し乾
燥すると積ＩＭ基板上の浸漬フィルムにより被覆された
銅内にパターンが残る。ブロビレンカーボネー｝−（５
０部）、γ−プチロラクトン（２０部）およびブチルジ
ゴール（３Ｌ部）の混合物ＩＩＩｉこ浸して浸漬フィル
ムを除去すると積層八板上に銅パターンが残る。 夷施例１４ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形戚されたリストン３４ｌ５水性現像Ｐｔフ十トレジス
トを被覆した銅張り積層板を、水（　１　５　７．　５
部）中に樹脂ＸＩＩ（１００部）、樹脂ＸＩＩ［（１７
．２部）、ｐ−トルエンスルホン酸のモルホリン塩（１
０％水溶液．１２部）および２０％水性乳酸（　１　３
．　５部）の混合物を含イｆする浴中に５分間浸漬する
。この積層板を次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂
溶液を除く。次いで、１２０℃で１０分間乾燥させる。 この積層板を次にヘキストＨＢ１１６０ドライ・フィル
ム・ストリッパーの水性２０％溶液中に５０゜Ｃで浸す
。この処理はフォトレジストを除去するが、しかし浸漬
被膜を残す。フォトレジストの除去により露出された銅
を塩化第二鉄の３６％溶液中３０℃でエッチングし、そ
の後積層板を水中で洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬
フィルムにより被覆された銅内にパターンが残る。プロ
ピレンカーボネート（５０部）、γ−プチロラクトン（
２０部）およびプチルジゴール（３０部）の混合物中に
浸して浸漬フィルムを除去すると積層基板上に銅パター
ンが残る。 実施例１５ 画像形成され現像されてフォトレジスト内にパターンが
形成されたリストン３４ｌ５水性現像性フォトレジスト
を被覆した銅張り積層板を、水（　４　８　５．　６部
）中に樹脂ＩＩ（１００部）、トリキセ：／　（ＴＲＩ
ＸＥＮＩＥ）　Ｓ　Ｃ　７　９　８　（バゼンデン・ケ
ミカルズ社（Ｂａｚｅｎｄｅｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ　
Ｌｔｄ．）製の十分にブロックされたイソシアネート，
７．２部）および乳酸の２０％水溶液（６．７部）の混
合物を含有する浴中に５分間浸漬する。この積層板を、
次に浴から取り出し、拭いて過剰な樹脂溶液を除く。次
いで、１２０℃で１０分間乾燥させる。この稍層板を次
にヘキストＨＢＩＩ６０ドライ・フィルム・ストリッパ
ーの水性２０％溶液中に５０℃で浸す。この処理はフォ
トレジストを除去するが、しかし浸漬被膜を残す。フォ
トレジストの除去により露出された銅を塩化第二鉄の３
６％溶液中３０゜Ｃでエッチングし、その後積居板を水
中で洗浄し乾燥すると積層基板上の浸漬フィルムにより
被覆された銅内にパターンが残る。この積層板を次いで
ブロピマー（＋）ＲＯＢＩＭＢＲ）　５　２とハードナ
ー（Ｈａｒｄｅｎｅｒ）３ｌとの１０：１ｗ／ｗ混合物
で被覆する。被覆された板を８０°Ｃで１０分間乾燥さ
せ、次にマスクを介して照射する。プロピレンカーボネ
ート（５０部）、γ−プチロラクトン（２０部）および
プチルジゴール（３０部）の混合物中に浸して紫外線に
露光されなかったブロビマーの領域および該領域の下の
浸漬フィルムを除去する。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）予め決められた領域において裸の金属および残り
   の領域においてレジストにより被覆された金属からなる
   表面を有する基板上に金属パターンを作成する方法であ
   って、 （ｉ）フィルム形成性樹脂で被覆することにより裸の金
   属を保護し、 （ｉｉ）レジストからあらゆるフィルム形成性樹脂を除
   去し、 （ｉｉｉ）フィルム形成性樹脂を除去しない溶媒を用い
   て前記残りの領域からレジストを除去し、それによって
   その残りの領域における金属を露出し、 （ｉｖ）フィルム形成性樹脂を除去しないエッチング剤
   を用いて工程（ｉｉｉ）で露出された金属のエッチング
   を行い、そして （ｖ）適当な溶媒でフィルム形成性樹脂を除去する、 ことからなる上記金属パターンを作成する方法。
2. （２）レジストが、水性条件下または有機溶媒により剥
   離可能であるフォトレジストであり、好ましくはフォト
   レジストが水性条件下で剥離可能であり、そしてフィル
   ム形成性樹脂が有機溶媒により剥離可能である請求項１
   記載の方法。
3. （３）フィルム形成性樹脂がアクリル樹脂；エポキシ樹
   脂；エポキシ樹脂とアミン、ポリカルボン酸もしくは無
   水物、アミノカルボン酸またはメルカプトカルボン酸と
   の付加物；ポリウレタン；ポリエステル；またはフェノ
   ール性ヒドロキシル基含有樹脂とアルデヒドおよびアミ
   ンまたはアミノ−もしくはメルカプトカルボン酸との反
   応生成物であり、好ましくはフィルム形成性樹脂が少な
   くとも１種のモノアクリルエステルとカルボキシル基ま
   たは第三アミノ基を含有する少なくとも１種のモノアク
   リルモノマー、そして場合によりその他のビニルモノマ
   ーとのコポリマーであるか、またはフィルム形成性樹脂
   が先駆されていてもよいビスフェノールのジグリシジル
   エーテルとアミンとの付加物である請求項１記載の方法
   。
4. （４）フィルム形成性樹脂が浸漬、ロール塗、ハケ塗ま
   たは噴霧により塗布され、フィルム形成性樹脂がぬぐい
   操作によるか、または基板をローラーに通すことにより
   レジストから除去され、そして工程（ｉｉｉ）の前にフ
   ィルム形成性樹脂が乾燥、熱硬化または光硬化される請
   求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
5. （５）予め決められた領域において裸の金属および残り
   の領域において第１のレジストにより被覆された金属か
   らなる表面を有する基板上に金属パターンを作成する方
   法であって、 （ｉ）フィルム形成性樹脂で被覆することにより裸の金
   属を保護し、 （ｉｉ）第１のレジストからあらゆるフィルム形成性樹
   脂を除去し、 （ｉｉｉ）フィルム形成性樹脂を除去しない溶媒を用い
   て前記残りの領域から第１のレジストを除去し、 （ｉｖ）フィルム形成性樹脂を除去しないエッチング剤
   を用いて工程（ｉｉｉ）で露出された金属のエッチング
   を行い、 （ｖ）フィルム形成性樹脂上に予め決められたパターン
   で第２のレジスト層を形成し、それによってレジストに
   より被覆されていないフィルム形成性樹脂フィルムの領
   域を残し、そして （ｖｉ）フィルム形成性樹脂用の溶媒での処理により該
   フィルム形成性樹脂の非被覆領域を除去する、 ことからなる上記金属パターンを形成する方法。
6. （６）第１のレジストがフォトレジストであり、好まし
   くはフォトレジストが工程（ｉｉ）において水性条件下
   で剥離可能であり、そしてフィルム形成性樹脂が工程（
   ｖｉ）において有機溶媒により剥離可能である請求項５
   記載の方法。
7. （７）フィルム形成性樹脂が工程（ｉｉｉ）の前に乾燥
   、熱硬化または光硬化される請求項５または６のいずれ
   かに記載の方法。
8. （８）工程（ｖ）が、スクリーン印刷によりフィルム形
   成性樹脂上に直接予め決められたパターンで硬化性組成
   物を塗布し、そして該硬化性組成物を硬化させることに
   より行われるか、または工程（ｖ）が、 （ａ）フィルム形成性樹脂上にフォトレジストの層を適
   用し、 （ｂ）該フォトレジスト層を予め決められたパターンに
   照射し、それによって該層の露光部分と非露光部分との
   溶解度に相違を生じさせ、そして （ｃ）溶媒での処理により照射された層のより溶解性の
   部分を除去することにより行われる請求項５記載の方法
   。
9. （９）フォトレジストがネガ型フォトレジストであり、
   特にフォトレジストがソルダーマスクである請求項８記
   載の方法。
10. （１０）工程（ｖ）（ｄ）における照射が波長２００−
    ６００ｎｍの電磁線を用いて行われる請求項８記載の方
    法。
11. （１１）フィルム形成性樹脂の除去（ｖｉ）が溶媒処理
    （ｖ）（ｃ）により行われる請求項８記載の方法。
12. （１２）第１のレジストが水性溶媒により除去され、第
    ２のレジストが有機溶媒により除去され、そしてフィル
    ム形成性樹脂が第２のレジストを除去するために使用さ
    れた有機溶媒により除去される請求項５記載の方法。
13. （１３）金属パターンが印刷回路であり、そして金属が
    銅である請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の方
    法。
14. （１４）請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の方
    法により作成された金属パターン。