JPH0316871B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｐ、Ｎ型半導体ゲルマニウムの熱起
電力を利用した単安定電子回路を有する治療具を
人体の皮膚に貼付する治療具に関する。

ゲルマニウム金属小片を用いた皮膚貼着用の治
療駒は公知であり治療用として広く使用されてい
る。しかしこの治療駒は単体ゲルマニウム金属を
使用するため超電力が少くしかもこれが持続する
ことがなく期待する効果が得られない欠点を有し
ている。

本発明は、この点を解決するために開発された
ものであつて、半導体ゲルマニウムの熱起電力を
利用するとともに、Ｐ、Ｎ型のジヤンクシヨン面
をもつた電子回路を構成することにより微弱では
あるが永続的な電子回路を局部に設けることによ
り生体に電子の局部的回路を構成し、生体電位差
の平活化を図ることによつて生体細胞の異常電位
の解消および神経系統の電子信号メカニズムの異
常を正常にする作用を助成し、身体の正常な働き
を回復させる画期的な治療具を提供するものであ
る。

添付図面により本発明の治療具の形状を説明す
ると、中央に円錐型状の突起Ｔを有する円板形の
ゲルマニウム金属体の中央部の肌に深く当る部分
と周縁の肌に軽く当る部分をＰ型１、Ｎ型２の半
導体の組合せになる如く構成するものであり、図
においてはＰ型半導体１が中心部にあり周縁部に
Ｎ型半導体２を設けてあるがこの組合せは逆であ
つても効果は同様であり、各図のイは平面図を示
しロは平面図イのＡ−Ａ断面図を示している。又
第４図の３はＰ型１とＮ型２の半導体の接合面に
設けた溝であり、第５図の４は前記溝３に埋設し
た絶縁体である。

本発明の治療具は直径が約５mm程度の円形であ
り絆創膏のような貼着布によつて人体の「ツボ」
と称される皮膚上に貼付するものであつて、金属
片小片の押圧による指圧的治療と半導体ゲルマニ
ウムの起電力による治療効果を併せて奏するもの
である。

次に本発明の効果を理論に基いて説明する。

本発明は、熱発電理論のゼーベツク効果を利用
するもので、他の間接的な手段を使うことなく、
直接熱を電気変換することができる。またこの発
電素子は構造が簡単で取扱いが容易であり、半永
久的に使用でき、かつ、小さくて熱変換率を大き
くとれるという大きな特性を有している。熱発電
を効率よく作動されるためには半導体のゲルマニ
ウムＰ、Ｎ接合回路を利用することが最も効果的
である。またこの発電により生体における電解質
のカリウムイオンとナトリウムイオンとの細胞電
位差反応によりＰ、Ｎ回路に電解電圧を生じるこ
とによる持続性の電位を発生させることができ、
単安定電子回路（この電位差は静電位と呼ばれ細
胞内外でのイオン濃度差が起因しているといわれ
ている）のような現象を生じさせ、これにより生
体の異常電位の解消及び神経系統の電子信号メカ
ニズムの異常を正常にする作用を助成することに
より、身体の正常な働きを回復させる画期的な治
療具を開発したもので、真性ゲルマニウムにドー
プ剤として、Ｐ、As、Sb等をドナとしてＮ型半
導体を形成し、同じく真性ゲルマニウムにドープ
剤として、Ｂ、Al、Ga、ln等をアクセプタとし
てＰ型半導体を成形し、これにより肌から受ける
体温による熱起電力を利用して電子の流れを発生
させるよう構成された治療具であつて、特にゲル
マニウムの低温での電子の流れと共に波動効果が
引き出されそれにもとずく熱電効果（グレビツヂ
効果）をもたらし荷電粒子流の熱電効果に重なつ
て大きく現われる。熱電効率の良いものを得るに
は熱電諸系数の絶対値が大きいばかりでなく抵抗
率と熱伝導率の積PX（ローカイ）が小さくなけれ
ばならない。

次にゲルマニウム半導体の性能向上のための条
件としては大きく４つの条件が必要である。

平均的原子量が大であること 原子の結合の小さなイオン性の強い結合であ
ること 共有結合の場合有効質量が小さいこと イオン結合の場合有効質量が大きいこと またゲルマニウム半導体のＰ、Ｎ型治療治具と
金属の固有電位による治療治具を比較すると半導
体内の電子の数はほとんどの金属に比べ非常に小
さい。しかし電子の数はゲルマニウム半導体では
温度と共に急激に増加する。それに対して金属は
本質的には一定である。また半導体では極く僅か
な構造の変化にも敏感で正電荷と負電子に別れて
導かれ熱起電力用半導体のドープ剤のキヤリヤ濃
度は普通トランジスター用半導体材料のキヤリヤ
濃度よりはるかに大きく縮体半導体の形になつて
いる方が適する。

次にゲルマニウムＰ、Ｎ型半導体のゼーベツク
係数は金属より大きく1000μv／℃にも達するが
金属では20μv／℃程度で合金にしても50μv／℃
程度である。

またゲルマニウムの性質として金属ゲルマニウ
ムは室温では空気、水、酸素と反応しないばかり
でなく金属であつても酸化物としても毒性はな
い。このため安心して皮膚に接触させることが出
来る。

ついでその治療効果について電子工学的立場か
ら考えて見るとまず生体にはエネルギー活動によ
る電位が存在することは広く知られている。そし
てその電位が皮膚の上より顕著に認められる部分
が人体では東洋医学で「ツボ」と云われている部
分でこれは皮電計等の測定によつても明らかにわ
かる現象であり、解剖学的には角質の一部にホー
ル状の欠陥がある部分といわれている。これは最
も外部との電子的な通路に適している部分であ
る。ここにＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウムを貼付す
るときは、体温による熱起電力にて発生する電位
差から半導体ゲルマニウムのＮ型半導体より自由
電子が原子的に接触している遷移領域を通してＰ
型半導体に移動しＮ型半導体負の自由電子を生ぜ
しめＰ型半導体の正電荷ホールを生ぜしめこれに
よりＮ型半導体ゲルマニウムより負電荷の自由電
子が飛び出し体内における高電荷（プラスの電荷
を持つ）と結びつくことにより生体の異常電位
（生体細胞酸化物によるプラス電荷）の電位を低
くし、これにより細胞内部の電位を正常化する。
この際Ｐ型半導体の温度はＮ型半導体の温度より
高くすることが望ましい。この現象はＮ型半導体
より負電荷の自由電子が放出されて、Ｐ型の半導
体に正電荷のホールを生ぜしめるＰ、Ｎ半導体回
路を形成した場合負の自由電子が放出されている
間中永続する。また温度変化及び細胞内のエネル
ギー活動による電位が変動することによつても多
数の負自由電子が放出される。そこで生体の電子
が最も飛び出しやすい「ツボ」に本発明のＰ、Ｎ
型半導体ゲルマニウム治療具を貼り付けると生体
の電位によりＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウムに電気
的刺激を与えると共に局部的に半導体回路が形成
され生体内部の高電位の電子（プラス電荷）が
「ツボ」を通じてＮ型半導体により放出された負
の自由電子により平滑化され、高電位の電化細胞
の電位を低下されることにより生体の異常電位を
正常化させることにより細胞活動の正常化をはか
る生体の自然治療力を強める効果がある。

次に生体電子工学的にその治療効果を考えて見
ると生体の細胞膜の両側には電位差があり細胞内
部は細胞外部よりも負電位になる。この電位差は
静電位と呼ばれるもので、筋肉、神経などの細胞
は外からの刺激に応じて興奮するがその際興奮し
た部分は他の部分に対して負の電荷を生じる。こ
れを活動電位といいこれにより細胞内外のナトリ
ウムイオンとカリウムイオンの濃度差は生体の物
質代謝に基づくエネルギー補給によつてナトリウ
ムイオンを細胞外に押し出し、カリウムイオンを
細胞内にくみ入れる作用（ナトリウムイオン−カ
リウムイオン交換ポンプ）の能動輸送によつて維
持されている。これをＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウ
ムの半導体電力回路により能動輸送を助長する電
子的治療効果は電圧よりも身体に流れる電流と治
療場所に主に支配され、つまり細胞の一部に生じ
た興奮が電気的及び科学的変化を伴い隣接部分を
刺激しその部分を興奮させる。興奮した部分はあ
る短い時間（１〜10ｍｓ）で平常に戻り興奮した
部分は隣へ隣へと移動していき、やがて細胞の端
に及び興奮の大きさも速さも減少しない。このこ
とから治療点が経穴経路の上に置かれれば治療点
より速くても治療効果に変りがないことがわか
る。

しかし、本発明のＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム
治療具は局部的な回路構成になつており治療点上
にＮ型部が取付けられたとき最も大きな効果を発
揮する。そしてその場合以外でも「ツボ」と称さ
れる経穴経路上に貼付することによつても治療効
果としては充分効果を発揮することが出来るもの
であり、その効果は従来のこの種の主に指圧的治
療を目的とした貼着駒に比べて特に顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図はそ
れぞれ本発明の治療具の形状を示す実施例図であ
り、イは平面図を示し、ロはイ図Ａ−Ａ断面図を
示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 中央に円錐型突起を有する小形円板形状のゲ
   ルマニウム金属体の中央部と周縁部をＰ型、Ｎ型
   の組合せとしてなるＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム
   貼着治療具。