JPS61240967A - Ｐ、ｎ型半導体ゲルマニウム治療具 - Google Patents
Ｐ、ｎ型半導体ゲルマニウム治療具Info
- Publication number
- JPS61240967A JPS61240967A JP8309985A JP8309985A JPS61240967A JP S61240967 A JPS61240967 A JP S61240967A JP 8309985 A JP8309985 A JP 8309985A JP 8309985 A JP8309985 A JP 8309985A JP S61240967 A JPS61240967 A JP S61240967A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- germanium
- type
- treatment
- potential
- type semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ、Ｎ型半導体ゲルマニウムの熱起電力を利
用し友単安定電子回路を有する治療具を人体の皮膚に貼
付する治療具ならびにこれＫよる治療方法に関する。
用し友単安定電子回路を有する治療具を人体の皮膚に貼
付する治療具ならびにこれＫよる治療方法に関する。
ゲルマニウム金属小片を用いた皮膚貼着用の治療駒は公
知であり治療用として広く使用されている。しかしこの
治療駒は単体ゲルマニウム金属を使用するため起電力が
少くしかもこれが持続することがなく期待する効果が得
られない欠点を有している。
知であり治療用として広く使用されている。しかしこの
治療駒は単体ゲルマニウム金属を使用するため起電力が
少くしかもこれが持続することがなく期待する効果が得
られない欠点を有している。
本発明は、この点を解決するために開発されたものであ
って、半導体ゲルマニウムの熱起電力を利用するととも
に、Ｐ、Ｎ型のジャンクション面をもった電子回路を構
成することにより微弱ではあるが水続的な電子回路を局
部に設けることにより生体に電子の局部的回路を構成し
、生体電位差の平活化を図ることによって生体細胞の異
常電位の解消訃よび神経系統の電子信号メカニズムの異
常を正常にする作用を助成し、身体の正常な働きを回復
させる画期的な治療具ならびに治療方法を提供するもの
である。
って、半導体ゲルマニウムの熱起電力を利用するととも
に、Ｐ、Ｎ型のジャンクション面をもった電子回路を構
成することにより微弱ではあるが水続的な電子回路を局
部に設けることにより生体に電子の局部的回路を構成し
、生体電位差の平活化を図ることによって生体細胞の異
常電位の解消訃よび神経系統の電子信号メカニズムの異
常を正常にする作用を助成し、身体の正常な働きを回復
させる画期的な治療具ならびに治療方法を提供するもの
である。
添付図面により本発明の治療具の形状を説明すると、中
央に円錐型状の突起Ｔを有する円板形のゲルマニウム金
属体の中央部の肌に深く当る部分と周縁の肌に軽く当る
部分をＰ型（１）、Ｎ型（２）の半導体の組合せになる
如く構成するものであシ、図においてはｐｍ半導体（１
）が中心部にあり周縁部にＮ型半導体（２）を設けてお
るがこの組合せは逆であっても効果は同様でワク、各図
の（イ）は平面図を示しく口）は平面図（イ）のＡ−Ａ
断面図を示している。又第４図の（３）はＰＩ！（１）
とＮ型（２）の半導体の接合面に設けた溝であり、＠５
図の（４）は前記溝（３）に埋設した絶縁体である。
央に円錐型状の突起Ｔを有する円板形のゲルマニウム金
属体の中央部の肌に深く当る部分と周縁の肌に軽く当る
部分をＰ型（１）、Ｎ型（２）の半導体の組合せになる
如く構成するものであシ、図においてはｐｍ半導体（１
）が中心部にあり周縁部にＮ型半導体（２）を設けてお
るがこの組合せは逆であっても効果は同様でワク、各図
の（イ）は平面図を示しく口）は平面図（イ）のＡ−Ａ
断面図を示している。又第４図の（３）はＰＩ！（１）
とＮ型（２）の半導体の接合面に設けた溝であり、＠５
図の（４）は前記溝（３）に埋設した絶縁体である。
本発明の治療具は直径が約５■程度の円形であり絆創膏
のような貼着布によって人体の「ツボ」と称される皮膚
上に貼付するものであって、金属片小片の抑圧による指
圧的治療と半導体ゲルマニウムの起電力による治療効果
を併せて奏するものである。
のような貼着布によって人体の「ツボ」と称される皮膚
上に貼付するものであって、金属片小片の抑圧による指
圧的治療と半導体ゲルマニウムの起電力による治療効果
を併せて奏するものである。
次に本発明方法の治療効果を理論に基いて説明する。
本発明は、熱発電理論のゼーベック効果を利用するもの
で、他の間接的な手段を使うことなく、直接熱を電気変
換することができる。またこの発電素子は構造が簡単で
取扱いが容易であり、半永久的に使用でき、かつ、小さ
くて熱変換率を大きくとれるという大きな特性を有して
いる。熱発電を効率よく作動される九めには半導体のゲ
ルマニウムＰ、Ｍ接合回路を利用することが最も効果的
である。またこの発電により生体における電解質のカリ
ウムイオンとナトリウムイオンとの細胞電位差反応によ
りＰ、Ｎ回路に電解電圧を生じることによる持続性の電
位を発生させることができ、単安定電子回路（この電位
差は静電位と呼ばれ細胞内外でのイオン濃度差が起因し
ているといわれている）のような現象を生じさせ、これ
により生体の異常電位の解消及び神経系統の電子信号メ
カニズムの異常を正常にする作用を助成することにより
、身体の正常な働きを回復させる画期的な方法を開発し
友もので、真性ゲルマニウムにドープ剤として、Ｐ、Ａ
ｓ、Ｓｂ等をドナとしてＮ型半導体を形成し、同じく真
性ゲルマニウムにドーグ剤としてＢ、ＡＩ、ＧａＸｐｎ
等をアクセプタとしてＰ型半導体を成形し、これにより
肌から受ける体温による熱起電力を利用して電子の流れ
を発生させるよう構成された治療具であって、特にゲル
マニウムの低温での電子の流れと共に波動効果が引き出
されそれにもとずく熱電効果（グレビツヂ効果）をも九
らし荷電粒子流の熱電効果に重なって大きく現われる。
で、他の間接的な手段を使うことなく、直接熱を電気変
換することができる。またこの発電素子は構造が簡単で
取扱いが容易であり、半永久的に使用でき、かつ、小さ
くて熱変換率を大きくとれるという大きな特性を有して
いる。熱発電を効率よく作動される九めには半導体のゲ
ルマニウムＰ、Ｍ接合回路を利用することが最も効果的
である。またこの発電により生体における電解質のカリ
ウムイオンとナトリウムイオンとの細胞電位差反応によ
りＰ、Ｎ回路に電解電圧を生じることによる持続性の電
位を発生させることができ、単安定電子回路（この電位
差は静電位と呼ばれ細胞内外でのイオン濃度差が起因し
ているといわれている）のような現象を生じさせ、これ
により生体の異常電位の解消及び神経系統の電子信号メ
カニズムの異常を正常にする作用を助成することにより
、身体の正常な働きを回復させる画期的な方法を開発し
友もので、真性ゲルマニウムにドープ剤として、Ｐ、Ａ
ｓ、Ｓｂ等をドナとしてＮ型半導体を形成し、同じく真
性ゲルマニウムにドーグ剤としてＢ、ＡＩ、ＧａＸｐｎ
等をアクセプタとしてＰ型半導体を成形し、これにより
肌から受ける体温による熱起電力を利用して電子の流れ
を発生させるよう構成された治療具であって、特にゲル
マニウムの低温での電子の流れと共に波動効果が引き出
されそれにもとずく熱電効果（グレビツヂ効果）をも九
らし荷電粒子流の熱電効果に重なって大きく現われる。
熱電効率の良いものを得るには熱電諸系数の給体値が大
きいばかシでなく抵抗率と熱伝導率の積ＰＸ（ローカイ
）が小さくなければならない。
きいばかシでなく抵抗率と熱伝導率の積ＰＸ（ローカイ
）が小さくなければならない。
次にゲルマニウム半導体の性能向上のための条件として
は大きく４つの条件が必要である。
は大きく４つの条件が必要である。
■ 平均的原子量が大であること
■ 原子の結合の小さなイオン性の強い結合であること
■ 共有結合の場合有効質量が小さいとと■ イオン結
合の場合有効質量が大きいことまたゲルマニウム半導体
のＰ、Ｎ型治療治具と金属の固有電位による治療治具を
比較すると半導体内の電子の数はほとんどの金属に比べ
非常に小さい。しかし電子の数はゲルマニウム半導体で
は温度と共に急激に増加する。それに対して金属は本質
的には一定である。また半導体では極く僅かな構造の変
化にも敏感で正電荷と負電子に別れて導かれ５熱起電力
用半導体のドープ剤のキャリヤ濃度は普通トランジスタ
ー用半導体材料のキャリヤ濃度よシはるかに大きく縮体
半導体の形になっている方が適する。
合の場合有効質量が大きいことまたゲルマニウム半導体
のＰ、Ｎ型治療治具と金属の固有電位による治療治具を
比較すると半導体内の電子の数はほとんどの金属に比べ
非常に小さい。しかし電子の数はゲルマニウム半導体で
は温度と共に急激に増加する。それに対して金属は本質
的には一定である。また半導体では極く僅かな構造の変
化にも敏感で正電荷と負電子に別れて導かれ５熱起電力
用半導体のドープ剤のキャリヤ濃度は普通トランジスタ
ー用半導体材料のキャリヤ濃度よシはるかに大きく縮体
半導体の形になっている方が適する。
次にゲルマニウムＰ、Ｎ型半導体のゼーベック係数は金
属より太きく １０００μＶ／℃にも達するが金属では
２０μＶ／℃程度で合金にしても５０μｖ／℃程度であ
る。
属より太きく １０００μＶ／℃にも達するが金属では
２０μＶ／℃程度で合金にしても５０μｖ／℃程度であ
る。
またゲルマニウムの性質として金属ゲルマニウムは室温
では空気、水、酸素と反応しないばか９でなく金属であ
っても酸化物としても毒性はない。このため安心して皮
膚に接触させることが出来る。
では空気、水、酸素と反応しないばか９でなく金属であ
っても酸化物としても毒性はない。このため安心して皮
膚に接触させることが出来る。
ついでその治療効果について電子工学的立場から考えて
見るとまず生体にはエネルギー活動による電位が存在す
ることは広く知られている。
見るとまず生体にはエネルギー活動による電位が存在す
ることは広く知られている。
そしてその電位が皮膚の上より顕著に認められる部分が
人体では東洋医学で「ツボ」と云われている部分でこれ
は皮電計等の測定によっても明らかにわかる現象であり
、解剖学的には角質の一部にホール状の欠陥がある部分
といわれている。これは最も外部との電子的な通路に適
している部分である。こ＼にＰＸＮ型半導体ゲルマニウ
ムを貼付するときは、体温による熱起電力にて発生する
電位差から半導体ゲルマニウムのＮ型半導体より自由電
子が原子的に接触している遷移領域を通してＰ型半導体
に移動しＮ型半導体負の自由電子を生ぜしめＰ型半導体
の正電荷ホールを生ぜしめこれによｔ）Ｎ型半導体ゲル
マニウムより負電荷の自由電子が飛び出し体内における
高電荷（グラスの電荷を持つ）と結びつくことにより生
体の異常電位（生体細胞酸化物によるプラス電荷）の電
位を低くシ、これにより細胞内部の電位を正常化する。
人体では東洋医学で「ツボ」と云われている部分でこれ
は皮電計等の測定によっても明らかにわかる現象であり
、解剖学的には角質の一部にホール状の欠陥がある部分
といわれている。これは最も外部との電子的な通路に適
している部分である。こ＼にＰＸＮ型半導体ゲルマニウ
ムを貼付するときは、体温による熱起電力にて発生する
電位差から半導体ゲルマニウムのＮ型半導体より自由電
子が原子的に接触している遷移領域を通してＰ型半導体
に移動しＮ型半導体負の自由電子を生ぜしめＰ型半導体
の正電荷ホールを生ぜしめこれによｔ）Ｎ型半導体ゲル
マニウムより負電荷の自由電子が飛び出し体内における
高電荷（グラスの電荷を持つ）と結びつくことにより生
体の異常電位（生体細胞酸化物によるプラス電荷）の電
位を低くシ、これにより細胞内部の電位を正常化する。
この際Ｐ型半導体の温度はＮ型半導体の温度よシ高くす
ることか望ましい。この現象はＮ型半導体より負電荷の
自由電子が放出されて、Ｐ型の半導体に正電荷のホール
を生ぜしめるＰ、Ｎ半導体回路を形成した場合負の自由
電子が放出されている間中永続する。また温度変化及び
細胞内のエネルギー活動による電位が変動することによ
っても多数の負自由電子が放出される。そこで生体の電
子が最も飛び出しやすい「ツボ」に本発明のＰ、Ｎ型半
導体ゲルマニウム治療具を貼り付けると生体の電位によ
りＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウムに電気的刺激を与えると
共に局部的に半導体回路が形成され生体内部の高電位の
電子（グラス電荷）が「ツボ」を通じてＮ警手導体によ
り放出された負の自由電子により平滑化され、高電位の
電化細胞の電位を低下されることにより生体の異常電位
を正常化させることにより細胞活動の正常化をはかる生
体の自然治療力を強める効果がある。
ることか望ましい。この現象はＮ型半導体より負電荷の
自由電子が放出されて、Ｐ型の半導体に正電荷のホール
を生ぜしめるＰ、Ｎ半導体回路を形成した場合負の自由
電子が放出されている間中永続する。また温度変化及び
細胞内のエネルギー活動による電位が変動することによ
っても多数の負自由電子が放出される。そこで生体の電
子が最も飛び出しやすい「ツボ」に本発明のＰ、Ｎ型半
導体ゲルマニウム治療具を貼り付けると生体の電位によ
りＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウムに電気的刺激を与えると
共に局部的に半導体回路が形成され生体内部の高電位の
電子（グラス電荷）が「ツボ」を通じてＮ警手導体によ
り放出された負の自由電子により平滑化され、高電位の
電化細胞の電位を低下されることにより生体の異常電位
を正常化させることにより細胞活動の正常化をはかる生
体の自然治療力を強める効果がある。
次に生体電子工学的にその治療効果を考えて見ると生体
の細胞膜の両側には電位差が１）細胞内部は細胞外部よ
シも負電位になる。この電位差は静電位と呼ばれるもの
で、筋肉、神経などの細胞は外からの刺激に応じて興奮
するがその際興奮した部分は他の部分に対して負の電荷
を生じる。これを活動電位といいこれにより細胞内外の
ナトリウムイオンとカリウムイオンの濃度差は生体の物
質代謝に基づくエネルギー補給によってナトリウムイオ
ンを細胞外に押し出し、カリウムイオンを細胞内にくみ
入れる作用（ナトリウムイオ／−カリウムイオン交換ボ
ング）の能動輸送によって維持されている。これをＰ、
Ｎ型半導体ゲルマニウムの半導体電力回路により能動輸
送を助長する電子的治療効果は電圧よりも身体に流れる
電流と治療場所に主に支配され、つまり細胞の一部に生
じた興奮が電気的及び化学的変化を伴い隣接部分を刺激
しその部分を興奮させる。興奮した部分はある短かい時
間（１〜Ｉｏｍｓ ）で平常に戻り興奮した部分は隣へ
隣へと移動していき、やがて細胞の端に及び興奮の大き
さも速さも減少しない。このことから治療点が経穴経絡
の上に置かれ＼ば治療点より遠くても治療効果に変りが
ないことがわかる。
の細胞膜の両側には電位差が１）細胞内部は細胞外部よ
シも負電位になる。この電位差は静電位と呼ばれるもの
で、筋肉、神経などの細胞は外からの刺激に応じて興奮
するがその際興奮した部分は他の部分に対して負の電荷
を生じる。これを活動電位といいこれにより細胞内外の
ナトリウムイオンとカリウムイオンの濃度差は生体の物
質代謝に基づくエネルギー補給によってナトリウムイオ
ンを細胞外に押し出し、カリウムイオンを細胞内にくみ
入れる作用（ナトリウムイオ／−カリウムイオン交換ボ
ング）の能動輸送によって維持されている。これをＰ、
Ｎ型半導体ゲルマニウムの半導体電力回路により能動輸
送を助長する電子的治療効果は電圧よりも身体に流れる
電流と治療場所に主に支配され、つまり細胞の一部に生
じた興奮が電気的及び化学的変化を伴い隣接部分を刺激
しその部分を興奮させる。興奮した部分はある短かい時
間（１〜Ｉｏｍｓ ）で平常に戻り興奮した部分は隣へ
隣へと移動していき、やがて細胞の端に及び興奮の大き
さも速さも減少しない。このことから治療点が経穴経絡
の上に置かれ＼ば治療点より遠くても治療効果に変りが
ないことがわかる。
しかし、本発明のＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム治療具は
局部的な回路構成になっており治療点上にＮ型部が取付
けられたとき最も大きな効果を発揮する。そしてその場
合以外でも「ツボ」と称される経穴経路上に貼付するこ
とによっても治療効果としては充分効果を発揮すること
が出来るものでちゃ、その効果は従来のこの種の主に指
圧的治療を目的とした貼着駒に比べて特に顕著である。
局部的な回路構成になっており治療点上にＮ型部が取付
けられたとき最も大きな効果を発揮する。そしてその場
合以外でも「ツボ」と称される経穴経路上に貼付するこ
とによっても治療効果としては充分効果を発揮すること
が出来るものでちゃ、その効果は従来のこの種の主に指
圧的治療を目的とした貼着駒に比べて特に顕著である。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図はそれぞれ本
発明の治療具の形状を示す実施例図であり、（イ）は平
面図を示し、（→は（イ）図Ａ−Ａ断面図を示す。 第［Ｉ （イ） （
ａ）（イ）
（ａ）第３５ｆｆ （イ） （ロ）
第４図 （イ）
（ロ）第５図
発明の治療具の形状を示す実施例図であり、（イ）は平
面図を示し、（→は（イ）図Ａ−Ａ断面図を示す。 第［Ｉ （イ） （
ａ）（イ）
（ａ）第３５ｆｆ （イ） （ロ）
第４図 （イ）
（ロ）第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、中央に円錐型突起を有する小形円板形状のゲルマニ
ウム金属体の中央部と周縁部をＰ型、Ｎ型の組合せとし
てなるＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム貼着治療具。 ２、ゲルマニウム半導体小片にＰ型Ｎ型のジャンクショ
ン面を設け、肌からの微少な温度差により熱起電力を発
生させ、これによるカリウムイオンとナトリウムイオン
との細胞電位差反応によりＰ、Ｎ回路に電解電圧を生ず
ることによる持続性の電位を発生させて単安定電子回路
を構成させるＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム治療具を治療
点に貼付する治療方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8309985A JPS61240967A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | Ｐ、ｎ型半導体ゲルマニウム治療具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8309985A JPS61240967A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | Ｐ、ｎ型半導体ゲルマニウム治療具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240967A true JPS61240967A (ja) | 1986-10-27 |
| JPH0316871B2 JPH0316871B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=13792738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8309985A Granted JPS61240967A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | Ｐ、ｎ型半導体ゲルマニウム治療具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240967A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607453A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-04 | Furukawa Co., Ltd. | Composite medical treating device composed ferrodielectric substance and semiconductor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900915B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-05-31 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5997676A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-05 | 株式会社 ミツオ ジャパン | 電気治療器 |
| JPS59200662A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | 東京電子材料工業株式会社 | 半導体光電池治療具 |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP8309985A patent/JPS61240967A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5997676A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-05 | 株式会社 ミツオ ジャパン | 電気治療器 |
| JPS59200662A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | 東京電子材料工業株式会社 | 半導体光電池治療具 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607453A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-04 | Furukawa Co., Ltd. | Composite medical treating device composed ferrodielectric substance and semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316871B2 (ja) | 1991-03-06 |
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