JPH03167880A - 非晶質半導体太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
非晶質半導体太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH03167880A JPH03167880A JP1308169A JP30816989A JPH03167880A JP H03167880 A JPH03167880 A JP H03167880A JP 1308169 A JP1308169 A JP 1308169A JP 30816989 A JP30816989 A JP 30816989A JP H03167880 A JPH03167880 A JP H03167880A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、表面を絶縁化した金属基板を用いた非晶質
半導体太陽電池およびその製造方法に関する。
半導体太陽電池およびその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、金属基板を用いた非晶質半導体太陽電池は次のよ
うな順序に従って作製されている。すなわち、例えばス
テンレススチール薄板の表面を有機系のポリイミドや無
機系の金属酸化物の膜で肢覆する方法により、絶縁化し
基板としている。
うな順序に従って作製されている。すなわち、例えばス
テンレススチール薄板の表面を有機系のポリイミドや無
機系の金属酸化物の膜で肢覆する方法により、絶縁化し
基板としている。
次に、この基板上にスパッタリング法等によりステンレ
ススチールやクロムの背面電極を形成し、続いてプラズ
マＣＶＤ法により非晶質シリコン層をｐ型、ｉ型、ｎ型
の順に、それぞれｐ型層は約５００人、ｉ型層は約５．
０００人、ｎ型層は約５００人の膜厚となるように成膜
する。
ススチールやクロムの背面電極を形成し、続いてプラズ
マＣＶＤ法により非晶質シリコン層をｐ型、ｉ型、ｎ型
の順に、それぞれｐ型層は約５００人、ｉ型層は約５．
０００人、ｎ型層は約５００人の膜厚となるように成膜
する。
さらに、上記シリコン層の上に電子ビーム蒸着法等によ
りＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる透明導電膜を反
射防止膜の膜厚である約７００人の厚さに形成する。
りＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる透明導電膜を反
射防止膜の膜厚である約７００人の厚さに形成する。
最後に、透明な保護膜を印刷被覆して、非晶質半導体太
陽電池とする。
陽電池とする。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の非晶質半導体太陽電池では、透明
導電膜を構成するＩＴＯ（酸化インジウム錫）を電子ビ
ーム蒸着法やスパッタ法等の真空成膜法により形威して
いるため、高価な真空装置を用いていることおよびＩＴ
Ｏの原料の利用率が低い等の理由から製膜コストが高く
なるという課題があった。
導電膜を構成するＩＴＯ（酸化インジウム錫）を電子ビ
ーム蒸着法やスパッタ法等の真空成膜法により形威して
いるため、高価な真空装置を用いていることおよびＩＴ
Ｏの原料の利用率が低い等の理由から製膜コストが高く
なるという課題があった。
本発明の目的は、上記の課題に鑑み、透明導電膜を真空
戊膜法によらないで、製膜コストの低減に寄与する簡便
な或膜法で形戊できる非晶質半導体太陽電池の製法を提
供することにある。
戊膜法によらないで、製膜コストの低減に寄与する簡便
な或膜法で形戊できる非晶質半導体太陽電池の製法を提
供することにある。
［課題を解決するための手段および作用］本発明者らは
、上記目的を達成すべく研究の結果、従来の非晶質半導
体太陽電池の製造工程を検討して、ＩＴＯの原料となる
有機インジウムと有機錫との混合溶液をディッピング法
により非晶質半導体層上に薄く塗布し、次いで熱処理す
ることにより、低照度のものにおいては実用上問題のな
いＩＴＯ膜が得られることを見出し、本発明に到達した
。
、上記目的を達成すべく研究の結果、従来の非晶質半導
体太陽電池の製造工程を検討して、ＩＴＯの原料となる
有機インジウムと有機錫との混合溶液をディッピング法
により非晶質半導体層上に薄く塗布し、次いで熱処理す
ることにより、低照度のものにおいては実用上問題のな
いＩＴＯ膜が得られることを見出し、本発明に到達した
。
したがって本発明は、表面を絶縁化した金属基板上に背
面電極、非晶質半導体層、透明導電膜および保護膜を順
次積層してなる非晶質半導体太陽電池であって、前記非
晶質半導体層の上に積層された前記透明導電膜は有機イ
ンジウムと有機錫との混合溶液がディッピング法により
該非晶質半導体層上に薄く塗布され、乾燥され、次いで
加熱処理されて形成された被膜であることを特徴とする
非晶質半導体太陽電池、ならびに表面を絶縁した金属表
面上に背面電極、非晶質半導体層、透明導電膜および保
護膜を順次積層してなる非晶質半導体太陽電池の製造方
法において、前記非晶質半導体層を形成した後、次いで
有機インジウムと有機錫との混合溶液にディッピングし
、これを乾燥し、さらに３００℃以下の温度で加熱処理
することにより該非晶質半導体層上に透明導電膜を形成
することを特徴とする非晶質半導体太陽電池の製造方法
を提供するものである。
面電極、非晶質半導体層、透明導電膜および保護膜を順
次積層してなる非晶質半導体太陽電池であって、前記非
晶質半導体層の上に積層された前記透明導電膜は有機イ
ンジウムと有機錫との混合溶液がディッピング法により
該非晶質半導体層上に薄く塗布され、乾燥され、次いで
加熱処理されて形成された被膜であることを特徴とする
非晶質半導体太陽電池、ならびに表面を絶縁した金属表
面上に背面電極、非晶質半導体層、透明導電膜および保
護膜を順次積層してなる非晶質半導体太陽電池の製造方
法において、前記非晶質半導体層を形成した後、次いで
有機インジウムと有機錫との混合溶液にディッピングし
、これを乾燥し、さらに３００℃以下の温度で加熱処理
することにより該非晶質半導体層上に透明導電膜を形成
することを特徴とする非晶質半導体太陽電池の製造方法
を提供するものである。
本発明の方法では、透明導電膜の組或に相当する混合溶
液を調製し、これをディッピング法により塗布し、熱処
理によって透明導電膜を或膜できるので従来の工程に比
し簡素化することができる。
液を調製し、これをディッピング法により塗布し、熱処
理によって透明導電膜を或膜できるので従来の工程に比
し簡素化することができる。
以下、実施例および比較例により本発明をさらに説明す
る。
る。
［実施例］
厚さ０．１５ａｕｇ、表面粗さＲＩＩＩａｘ − ０．
５ａｍのステンレススチール基板表面にＳｉｎ２膜を７
ｕｍの膜厚に形成し、表面を絶縁化した。
５ａｍのステンレススチール基板表面にＳｉｎ２膜を７
ｕｍの膜厚に形成し、表面を絶縁化した。
次にスバッタ法により背面電極としてクロムを約２，０
００人の膜厚に形威し、続いてモノシラン（Ｓ ｉＨ４
） 、フオスフィン（ＰＨ，）、ジボラン（Ｂ２ Ｈ６
）のガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により非晶質シ
リコン層をｐ型、ｉ型、ｎ型の順にそれぞれ５００人、
５．０００人、１５０人の膜厚に形威した。
００人の膜厚に形威し、続いてモノシラン（Ｓ ｉＨ４
） 、フオスフィン（ＰＨ，）、ジボラン（Ｂ２ Ｈ６
）のガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により非晶質シ
リコン層をｐ型、ｉ型、ｎ型の順にそれぞれ５００人、
５．０００人、１５０人の膜厚に形威した。
次に、有機インジウムと有機錫を１対０．０５の割合で
混合溶液の中にディッピングした後、２０分間乾燥し、
続いて２８０℃で３０分間加熱し、膜厚９８０人の酸化
インジウム錫の被膜を得た。この被膜のシート抵抗は３
５０Ω／口であった。
混合溶液の中にディッピングした後、２０分間乾燥し、
続いて２８０℃で３０分間加熱し、膜厚９８０人の酸化
インジウム錫の被膜を得た。この被膜のシート抵抗は３
５０Ω／口であった。
最後に透明なエボキシ樹脂を保護膜として印刷し、非晶
質半導体太陽電池とした。
質半導体太陽電池とした。
上記太陽電池の変換効率を試験したところ、従来の製法
により製造された同規模のものに比較して実用上問題が
なかった。
により製造された同規模のものに比較して実用上問題が
なかった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明では、透明導電膜であるＩ
ＴＯ膜をディッピング方式で形成するので、従来の方式
に比し安価に形成でき、非晶質半導体太陽電池のコスト
低減に寄与するところ大である。
ＴＯ膜をディッピング方式で形成するので、従来の方式
に比し安価に形成でき、非晶質半導体太陽電池のコスト
低減に寄与するところ大である。
Claims (2)
- （１）表面を絶縁化した金属基板上に背面電極、非晶質
半導体層、透明導電膜および保護膜を順次積層してなる
非晶質半導体太陽電池であって、前記非晶質半導体層の
上に積層された前記透明導電膜は、有機インジウムと有
機錫との混合溶液がディッピング法により該非晶質半導
体層上に薄く塗布され、乾燥され、次いで加熱処理され
て形成された被膜であることを特徴とする非晶質半導体
太陽電池。 - （２）表面を絶縁化した金属基板上に背面電極、非晶質
半導体層、透明導電膜および保護膜を順次積層してなる
非晶質半導体太陽電池の製造方法において、前記非晶質
半導体層を形成した後、有機インジウムと有機錫との混
合溶液にディッピングし、これを乾燥し、さらに３００
℃以下の温度で加熱処理することにより該非晶質半導体
層上に透明導電膜を形成することを特徴とする非晶質半
導体太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308169A JPH03167880A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 非晶質半導体太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308169A JPH03167880A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 非晶質半導体太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167880A true JPH03167880A (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17977732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308169A Pending JPH03167880A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 非晶質半導体太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03167880A (ja) |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1308169A patent/JPH03167880A/ja active Pending
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