JPH03166360A - アモルファス金属膜及びその製造方法 - Google Patents
アモルファス金属膜及びその製造方法Info
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- JPH03166360A JPH03166360A JP2016796A JP1679690A JPH03166360A JP H03166360 A JPH03166360 A JP H03166360A JP 2016796 A JP2016796 A JP 2016796A JP 1679690 A JP1679690 A JP 1679690A JP H03166360 A JPH03166360 A JP H03166360A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はアモルファス金属膜及びその製造方法に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
熱力学的非平衡状態にあるアモルファス材料は、その構
造に長距離秩序がなく、このため結晶粒界がなく、耐蝕
性や耐摩擦性などに優れるという特質を示す。
造に長距離秩序がなく、このため結晶粒界がなく、耐蝕
性や耐摩擦性などに優れるという特質を示す。
更に、アモルファス鉄または鉄合金は、高磁束密度、高
透磁率及び低保持力という優れた磁気特性をも示し、ト
ランスや磁気ヘッド等種々の応用分野に好適な材料を提
供できる。このため、アモルファス材料についての研究
が進んできている。
透磁率及び低保持力という優れた磁気特性をも示し、ト
ランスや磁気ヘッド等種々の応用分野に好適な材料を提
供できる。このため、アモルファス材料についての研究
が進んできている。
従来、このアモルファス材料、特にアモルファス膜を作
成する方法として、真空蒸着法、スバッタリング法及び
液体急冷法等が知られている。
成する方法として、真空蒸着法、スバッタリング法及び
液体急冷法等が知られている。
真空蒸着法は、真空排気されたチャンバ内で試料をヒー
タ等により加熱蒸発させ、基板上に蒸着させて冷却し、
アモルファス膜を形成する方法である。
タ等により加熱蒸発させ、基板上に蒸着させて冷却し、
アモルファス膜を形成する方法である。
一方、スパッタリング法は、真空チャンバ内でアルゴン
や窒素ガスのプラズマを作り、このプラズマ粒子で試料
粒子をスバッタし（叩き出し）、基板上に蒸着させて冷
却し、アモルファス膜を形成する方法である。
や窒素ガスのプラズマを作り、このプラズマ粒子で試料
粒子をスバッタし（叩き出し）、基板上に蒸着させて冷
却し、アモルファス膜を形成する方法である。
また、液体急冷法は試料を融点以上に加熱して溶融し、
この溶融試料を急冷することによりアモルファス膜を形
成する方法である。
この溶融試料を急冷することによりアモルファス膜を形
成する方法である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、液体急冷法では、冷却速度に限界があり
（上限速度約１０７Ｋ／ｓｅｃ）、このためアモルファ
ス化できる金属または合金がごく一部に限られていた。
（上限速度約１０７Ｋ／ｓｅｃ）、このためアモルファ
ス化できる金属または合金がごく一部に限られていた。
また、真空蒸着法においては、蒸着時の試料粒子のエネ
ルギーが比較的低いため、基板上での冷却速度が小さく
、アモルファス化に限界があった。
ルギーが比較的低いため、基板上での冷却速度が小さく
、アモルファス化に限界があった。
また、スパッタリング法においては、基板上での冷却速
度は真空蒸着法に比べ大きいものの、スパッタリング時
の雰囲気中の残留ガスが膜に混入し、膜質が劣化する問
題があり、良質のアモルファス膜を形成することが困難
であった。一方、単金属または合金のアモルファス膜を
形成するためには、高冷却速度が必要とされ、例えば、
Ｆｅ（鉄）では、１０”Ｋ／ｓｅｅ以上の冷却速度が要
求され［文献； Ｈ． Ａ． Ｄａｖｉｅｓ： ｐｒｏ
ｃ． ｏｆ’ ３ｒｄＩｎｔｅｒｎ．ｅｏｎｆ．ｏｎ
Ｒａｐｉｄｌｙ ｑｕｅｎｃｈｅｄ Ｍｅｔａｌｓ（１
９７８）１］、従来これを形成することができなかった
。
度は真空蒸着法に比べ大きいものの、スパッタリング時
の雰囲気中の残留ガスが膜に混入し、膜質が劣化する問
題があり、良質のアモルファス膜を形成することが困難
であった。一方、単金属または合金のアモルファス膜を
形成するためには、高冷却速度が必要とされ、例えば、
Ｆｅ（鉄）では、１０”Ｋ／ｓｅｅ以上の冷却速度が要
求され［文献； Ｈ． Ａ． Ｄａｖｉｅｓ： ｐｒｏ
ｃ． ｏｆ’ ３ｒｄＩｎｔｅｒｎ．ｅｏｎｆ．ｏｎ
Ｒａｐｉｄｌｙ ｑｕｅｎｃｈｅｄ Ｍｅｔａｌｓ（１
９７８）１］、従来これを形成することができなかった
。
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、そ
の目的は、単金属または合金のアモルファス膜及びその
製造方法を提供することにある。
の目的は、単金属または合金のアモルファス膜及びその
製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
請求項（１）記載の発明は、基板表面上に蒸着形成され
た金属膜で、Ｘ線回折結果がブロードパターンを呈する
非晶質構造を有し、１０７Ｋ／ｓｅｃ以上の臨界冷却速
度を有する金属から或ることを特徴とする。
た金属膜で、Ｘ線回折結果がブロードパターンを呈する
非晶質構造を有し、１０７Ｋ／ｓｅｃ以上の臨界冷却速
度を有する金属から或ることを特徴とする。
本発明のアモルファス金属膜または合金膜は、非晶質膜
及び部分的な結晶構造を有する非晶質状態を含む。
及び部分的な結晶構造を有する非晶質状態を含む。
請求項（２）記載の発明は、高真空に保持された真空チ
ャンバ内に合金または単金属のターゲットと、このター
ゲットからの蒸発物が蒸着される基板を配設し、ターゲ
ットの表面にレーザ光を照射して高速蒸発物を発生させ
るとともに、前記夕−ゲットと前記基板間に蒸発物の基
板上でのアモルファス化に必要な臨界冷却速度及び前記
高速蒸発物の基板への衝突エネルギーに応じた電場を印
加し、蒸発物を基板上において、前記臨界冷却速度で高
速冷却するとともに、蒸発物中の電荷を有する成分を加
速して、基板への衝突エネルギーを増大させ、膜の原子
配置に乱れを生じさせ、前記基板上に非晶質の合金膜ま
たは単金属膜を形或することを特徴とする。
ャンバ内に合金または単金属のターゲットと、このター
ゲットからの蒸発物が蒸着される基板を配設し、ターゲ
ットの表面にレーザ光を照射して高速蒸発物を発生させ
るとともに、前記夕−ゲットと前記基板間に蒸発物の基
板上でのアモルファス化に必要な臨界冷却速度及び前記
高速蒸発物の基板への衝突エネルギーに応じた電場を印
加し、蒸発物を基板上において、前記臨界冷却速度で高
速冷却するとともに、蒸発物中の電荷を有する成分を加
速して、基板への衝突エネルギーを増大させ、膜の原子
配置に乱れを生じさせ、前記基板上に非晶質の合金膜ま
たは単金属膜を形或することを特徴とする。
ここで、レーザはエネルギーを高密度にターゲットに集
中させることが可能であるため、蒸発物の速度が従来法
に比べて大きく、蒸発物の温度（エネルギー）が高い。
中させることが可能であるため、蒸発物の速度が従来法
に比べて大きく、蒸発物の温度（エネルギー）が高い。
従って基板上での冷却速度（蒸発物温度→室温）を増大
できる。更に、蒸発物の生成を高真空中で行えるため、
膜中ヘの不純物の混入を防ぐことができる。
できる。更に、蒸発物の生成を高真空中で行えるため、
膜中ヘの不純物の混入を防ぐことができる。
また、蒸発物に正または負の電荷を持った粒子がある場
合、電場印加により、蒸発物の電荷を有する戊分のエネ
ルギーを増大させると共に、蒸発物中の電荷を有する成
分の冷却速度を助長し、堆積膜中の化学結合を切断する
と共に高エネルギー蒸発物を注入して、膜の原子配列に
乱れを生じさせ、アモルファス化を助長できる。そして
、特に高冷却速度を必要とする単金属または合金のアモ
ルファス膜、例えば優れた磁気特性を有するＦｅ等のア
モルファス磁性膜を製造することができる。
合、電場印加により、蒸発物の電荷を有する戊分のエネ
ルギーを増大させると共に、蒸発物中の電荷を有する成
分の冷却速度を助長し、堆積膜中の化学結合を切断する
と共に高エネルギー蒸発物を注入して、膜の原子配列に
乱れを生じさせ、アモルファス化を助長できる。そして
、特に高冷却速度を必要とする単金属または合金のアモ
ルファス膜、例えば優れた磁気特性を有するＦｅ等のア
モルファス磁性膜を製造することができる。
〔作用］
上述のようにレーザを利用して、アモルファス単金属膜
または合金膜を得ることができる。
または合金膜を得ることができる。
そして、このアモルファス金属膜または合金膜、例えば
アモルファス鉄系膜は、耐蝕性や耐摩耗性に優れるのみ
ならず、高磁束密度、高透磁率及び低保持力という優れ
た磁気特性を示し、トランスや磁気ヘッド等種々の応用
分野に好適な材料を提供できる。
アモルファス鉄系膜は、耐蝕性や耐摩耗性に優れるのみ
ならず、高磁束密度、高透磁率及び低保持力という優れ
た磁気特性を示し、トランスや磁気ヘッド等種々の応用
分野に好適な材料を提供できる。
以上説明したように、本発明によれば、真空排気された
チャンバ内に配設したターゲットにレーザを照射し、そ
の一部を蒸発させ、蒸発物のアモルファス形成の臨界冷
却速度に呼応してターゲットと基板間に所定の電場を印
加することにより、蒸発物中の電荷を有する或分のエネ
ルギーを増大させ、蒸発物の冷却速度を助長すると共に
、堆積膜中の化学結合を切断し、高エネルギー蒸発物を
注入して、膜の原子配列に乱れを生じさせ、アモルファ
ス金属または合金膜を製造できる。
チャンバ内に配設したターゲットにレーザを照射し、そ
の一部を蒸発させ、蒸発物のアモルファス形成の臨界冷
却速度に呼応してターゲットと基板間に所定の電場を印
加することにより、蒸発物中の電荷を有する或分のエネ
ルギーを増大させ、蒸発物の冷却速度を助長すると共に
、堆積膜中の化学結合を切断し、高エネルギー蒸発物を
注入して、膜の原子配列に乱れを生じさせ、アモルファ
ス金属または合金膜を製造できる。
［実施例］
以下、図面を用いつつ、本発明の実施例に係るアモルフ
ァス金属膜及びその製造方法について説明する。
ァス金属膜及びその製造方法について説明する。
第１図（Ａ）は本実施例のアモルファス金属膜を形成す
るアモルファス金属膜形成装置の概略構成図、第１図（
Ｂ）はその一部拡大構成図である。
るアモルファス金属膜形成装置の概略構成図、第１図（
Ｂ）はその一部拡大構成図である。
真空チャンバ１０は不図示のポンプによりその内部が真
空排気される。この真空チャンバ１０内にはアモルファ
ス膜の材料となるターゲット１２がターゲットホルダ１
４に装着され、不図示のレーザ光発生手段からのレーザ
光１６が、集光レンズ１８、透過窓２０を経て照射され
る。このターゲット１２は、照射レーザ光１６による熱
損傷を防ぐために直流モータ２２により一定速度で回転
される。
空排気される。この真空チャンバ１０内にはアモルファ
ス膜の材料となるターゲット１２がターゲットホルダ１
４に装着され、不図示のレーザ光発生手段からのレーザ
光１６が、集光レンズ１８、透過窓２０を経て照射され
る。このターゲット１２は、照射レーザ光１６による熱
損傷を防ぐために直流モータ２２により一定速度で回転
される。
また、このターゲット１２から所定間隔をおいて基板ホ
ルダ２４が対向配置され、この基板ホルダ２４に装着さ
れる基板２６上に、ターゲット１２から蒸発した粒子が
蒸着し、膜が形成される。
ルダ２４が対向配置され、この基板ホルダ２４に装着さ
れる基板２６上に、ターゲット１２から蒸発した粒子が
蒸着し、膜が形成される。
なお、本実施例では基板２６としてガラスを用いた。
そして、ターゲット１２と基板２６との間に所望の電位
差を与えるべく、基板ホルダ２４は接地し、ターゲット
ホルダ１４は直流電源２８に接続されている。直流電源
２８は、切替スイッチ２８ａ１正の可変電源２８ｂ及び
負の可変電源２８ｃからなっており、ターゲット１２を
所望の電位に保持することができる。
差を与えるべく、基板ホルダ２４は接地し、ターゲット
ホルダ１４は直流電源２８に接続されている。直流電源
２８は、切替スイッチ２８ａ１正の可変電源２８ｂ及び
負の可変電源２８ｃからなっており、ターゲット１２を
所望の電位に保持することができる。
電位印加は、Ｆｅ，Ｎｉ等の特に高冷却速度を必要とす
る単金属または合金に対して実施するもので、蒸発物中
の電荷を有する成分のエネルギーを増大させ、これによ
り蒸発物の冷却速度を助長すると共に、堆積膜中の化学
結合を切断し、高エネルギー蒸発物を注入して、膜の原
子配列に乱れを生じさせ、アモルファス化を助長できる
。ここで、正の電位を印加した場合、放出物中の負の電
荷を持つものに対して反発、正の電荷を持つものに対し
ては加速として作用し、負の電位を印加した場合、放出
中の負の電荷を持つものに対しては加速、正の電荷を持
つものに対しては反発として作用する。
る単金属または合金に対して実施するもので、蒸発物中
の電荷を有する成分のエネルギーを増大させ、これによ
り蒸発物の冷却速度を助長すると共に、堆積膜中の化学
結合を切断し、高エネルギー蒸発物を注入して、膜の原
子配列に乱れを生じさせ、アモルファス化を助長できる
。ここで、正の電位を印加した場合、放出物中の負の電
荷を持つものに対して反発、正の電荷を持つものに対し
ては加速として作用し、負の電位を印加した場合、放出
中の負の電荷を持つものに対しては加速、正の電荷を持
つものに対しては反発として作用する。
従って、正の電位を印加するか、負の電位を印加するこ
とによって蒸発物のエネルギーが増大すると共に、冷却
速度も増大し、堆積膜中の化学結合を切断させると共に
高エネルギー蒸発物が注入され、アモルファス化できる
。
とによって蒸発物のエネルギーが増大すると共に、冷却
速度も増大し、堆積膜中の化学結合を切断させると共に
高エネルギー蒸発物が注入され、アモルファス化できる
。
なお、基板ホルダ２４及びターゲットホルダ１４は、図
に示すように位置決めのための回転ステージ３０に絶縁
物３２を介して載置されている。
に示すように位置決めのための回転ステージ３０に絶縁
物３２を介して載置されている。
実験例１
アモルファス純鉄膜を形成すべくターゲットホルダ１４
に純鉄を装着後、真空チャバ１０内をＩＸＩＯ−５Ｔｏ
ｒｒ以下に真空排気した。
に純鉄を装着後、真空チャバ１０内をＩＸＩＯ−５Ｔｏ
ｒｒ以下に真空排気した。
そして、蒸着用レーザ光１６として高出力が得られるＫ
ｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎｍ，パルス幅１６ｎ
ｓｅｃ，パルス周波数２５バルス／ｓｅｅ，パルスエネ
ルギー２５０ｍＪ）を２ｏｒｐｍで回転する純鉄（純度
９９．９９９％）のターゲット１２に２０分照射した。
ｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎｍ，パルス幅１６ｎ
ｓｅｃ，パルス周波数２５バルス／ｓｅｅ，パルスエネ
ルギー２５０ｍＪ）を２ｏｒｐｍで回転する純鉄（純度
９９．９９９％）のターゲット１２に２０分照射した。
照射角度はホルダ面の法線に対し約４５度で、純鉄ター
ゲット１２に照射された蒸着用レーザ光１６のスポット
径は約６ Ｘ １ ０−３ｃ ｍ２である。
ゲット１２に照射された蒸着用レーザ光１６のスポット
径は約６ Ｘ １ ０−３ｃ ｍ２である。
そして、ターゲットホルダ１４に直流電源２８によって
所定の電位を印加し、ガラス基板２６上に本実施例に係
るアモルファス純鉄膜を形威した。
所定の電位を印加し、ガラス基板２６上に本実施例に係
るアモルファス純鉄膜を形威した。
第２図（Ａ）． （Ｂ）， （Ｃ）に、印加電圧１
ｋＶ，Ｏｋ−Ｖ−１ｋＶ時の本実施例のアモルファス純
鉄膜のＸ線回折結果を示す。
ｋＶ，Ｏｋ−Ｖ−１ｋＶ時の本実施例のアモルファス純
鉄膜のＸ線回折結果を示す。
図において横軸はＸ線の入射角を、縦軸は回折Ｘ線の強
度を示す。図に示されているように、印加電圧ＯｋＶの
Ｘ線回折パターンは、（１ １ ０）面でビーク３４を
示す結晶構造であるのに対し、印加電圧１ｋＶ及び−１
ｋＶ時の形成膜は、共にそのＸ線回折パターンが顕著な
ピークを示さない、ブロードパターンであり、非晶質状
構造となっていることがわかる。
度を示す。図に示されているように、印加電圧ＯｋＶの
Ｘ線回折パターンは、（１ １ ０）面でビーク３４を
示す結晶構造であるのに対し、印加電圧１ｋＶ及び−１
ｋＶ時の形成膜は、共にそのＸ線回折パターンが顕著な
ピークを示さない、ブロードパターンであり、非晶質状
構造となっていることがわかる。
このように、電場印加による高エネルギー蒸発物の注入
を伴うことにより、アモルファス純鉄膜を形成すること
ができる。
を伴うことにより、アモルファス純鉄膜を形成すること
ができる。
また、第３図に他の金属元素を添加した場合の添加元素
による磁束密度の変化を示す。本実施例のアモルファス
純鉄膜によれば、飽和磁束密度が２４ｋＧとなっており
、Ｎｉ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の元素を添加した場合と比
較し、飽和磁束密度が大きくなっていることが理解され
る。
による磁束密度の変化を示す。本実施例のアモルファス
純鉄膜によれば、飽和磁束密度が２４ｋＧとなっており
、Ｎｉ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の元素を添加した場合と比
較し、飽和磁束密度が大きくなっていることが理解され
る。
そこで、この実施例のアモルファス純鉄膜は、従来の合
金の金属膜に比べ高磁束密度を実現でき、トランス等種
々の機器に好適に利用することができる。
金の金属膜に比べ高磁束密度を実現でき、トランス等種
々の機器に好適に利用することができる。
実験例２
アモルファスタングステン（以下、Ｗという）膜を形成
すべくターゲットホルダ１４に純Ｗを装着後、真空チャ
ンバ１０内を１×１０−５ＴＯｒｒ以下に真空排気した
。
すべくターゲットホルダ１４に純Ｗを装着後、真空チャ
ンバ１０内を１×１０−５ＴＯｒｒ以下に真空排気した
。
そして、蒸着用レーザ光１６として、高出力が得られる
ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎｍ，パルス幅１６
ｎｓｅｃ，パルス周波数２５パルス／ｓｅｅ，パルスエ
ネルギー２５０ｍＪ）を２Ｏｒｐｍで回転する純Ｗター
ゲット１２に２０分間照射した。照射角度は、ホルダ面
の法線に対し、約４５度で、純Ｗ夕一ゲット１２に照射
された蒸着用レーザ１６のスポット径は、約６Ｘ１０−
３Ｃｍ２である。
ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎｍ，パルス幅１６
ｎｓｅｃ，パルス周波数２５パルス／ｓｅｅ，パルスエ
ネルギー２５０ｍＪ）を２Ｏｒｐｍで回転する純Ｗター
ゲット１２に２０分間照射した。照射角度は、ホルダ面
の法線に対し、約４５度で、純Ｗ夕一ゲット１２に照射
された蒸着用レーザ１６のスポット径は、約６Ｘ１０−
３Ｃｍ２である。
そして、ターゲットホルダ１４に直流電源２８によって
所定の電位を印加し、ガラス基板２６上に本実施例に係
るアモルファスＷ膜を形成した。
所定の電位を印加し、ガラス基板２６上に本実施例に係
るアモルファスＷ膜を形成した。
第４図（Ａ）， （Ｂ）， （Ｃ）に、印加電圧１
ｋ Ｖ， Ｏ ｋ Ｖ， − ′．ｋ Ｖ時（７）本
実施例ノ７モルファスＷ膜のＸ線回折結果を示す。
ｋ Ｖ， Ｏ ｋ Ｖ， − ′．ｋ Ｖ時（７）本
実施例ノ７モルファスＷ膜のＸ線回折結果を示す。
図において、横軸はＸ線の入射角を、縦軸は回折Ｘ線の
強度を示す。図に示されているように、印加電圧ＯｋＶ
のＸ線回折パターンは、（１１０）面でピークを示す結
晶構造であるのに対し、印加電圧１ｋＶ及び−１ｋＶ時
の形成膜は、共にそのＸ線回折パターンが顕著なピーク
を示さない、ブロードパターンであり、非晶質状構造と
なっていることがわかる。
強度を示す。図に示されているように、印加電圧ＯｋＶ
のＸ線回折パターンは、（１１０）面でピークを示す結
晶構造であるのに対し、印加電圧１ｋＶ及び−１ｋＶ時
の形成膜は、共にそのＸ線回折パターンが顕著なピーク
を示さない、ブロードパターンであり、非晶質状構造と
なっていることがわかる。
このように、電場印加による高エネルギー蒸発物の注入
を伴うことにより、アモルファスＷ膜を形成することが
できる。
を伴うことにより、アモルファスＷ膜を形成することが
できる。
ここで、本発明は本実験例で示した純鉄、純Ｗに限らず
、純鉄以下の臨界冷却速度を有する金属または合金に対
してもそのアモルファス膜を形成できる。
、純鉄以下の臨界冷却速度を有する金属または合金に対
してもそのアモルファス膜を形成できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、純鉄等のアモル
ファス金属膜を得ることができ、種々の分野に好適な材
料を提供できる。
ファス金属膜を得ることができ、種々の分野に好適な材
料を提供できる。
更に、本発明によれば、高真空状態における高速粒子の
蒸着であるので、純度の高い、強付着力の膜が製造でき
る。
蒸着であるので、純度の高い、強付着力の膜が製造でき
る。
第１図は本発明の一実施例に係るアモルファス金属膜を
形戊するためのアモルファス金属膜形成装置の一例の概
略構成図、 第２図は実験例のアモルファス純鉄膜のＸ線回折結果を
示す回折パターン図、 第３図は実験例のアモルファス純鉄膜及び鉄合金膜の飽
和磁束密度を示す特性図、 第４図は実験例のアモルファスＷ膜のＸ線回折結果を示
す回折パターン図である。 １０ ・・・ 真空チャンバ １２ ・・・ ターゲット １４ ・・・ ターゲットホルダ １６ ・・・ レーザ光 １８ ２０ ２２ ２４ ２６ ２８ ３０ ３２ ３４ 集光レンズ 透過窓 直流モー・タ 基板ホルダ 基板 直流電源 回転ステージ 絶縁物 純Ｆｅの（１１０） ピーク 面のＸ線回折
形戊するためのアモルファス金属膜形成装置の一例の概
略構成図、 第２図は実験例のアモルファス純鉄膜のＸ線回折結果を
示す回折パターン図、 第３図は実験例のアモルファス純鉄膜及び鉄合金膜の飽
和磁束密度を示す特性図、 第４図は実験例のアモルファスＷ膜のＸ線回折結果を示
す回折パターン図である。 １０ ・・・ 真空チャンバ １２ ・・・ ターゲット １４ ・・・ ターゲットホルダ １６ ・・・ レーザ光 １８ ２０ ２２ ２４ ２６ ２８ ３０ ３２ ３４ 集光レンズ 透過窓 直流モー・タ 基板ホルダ 基板 直流電源 回転ステージ 絶縁物 純Ｆｅの（１１０） ピーク 面のＸ線回折
Claims (2)
- （１）基板表面上に蒸着形成された金属膜で、Ｘ線回折
結果がブロードパターンを呈する非晶質構造を有し、１
０＾７Ｋ／ｓｅｃ以上の臨界冷却速度を有する金属から
成ることを特徴とするアモルファス金属膜。 - （２）高真空に保持された真空チャンバ内に合金または
単金属のターゲットと、このターゲットからの蒸発物が
蒸着される基板を配設し、 ターゲットの表面にレーザ光を照射して高速蒸発物を発
生させるとともに、 前記ターゲットと前記基板間に蒸発物の基板上でのアモ
ルファス化に必要な臨界冷却速度及び前記高速蒸発物の
基板への衝突エネルギーに応じた電場を印加し、 蒸発物を基板上において、前記臨界冷却速度で高速冷却
するとともに、蒸発物中の電荷を有する成分を加速して
、基板への衝突エネルギーを増大させ、膜の原子配置に
乱れを生じさせ、前記基板上に非晶質の合金膜または単
金属膜を形成することを特徴とするアモルファス金属膜
の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016796A JP2564197B2 (ja) | 1989-08-22 | 1990-01-25 | アモルファス金属膜及びその製造方法 |
| DE69028662T DE69028662T2 (de) | 1989-07-06 | 1990-07-05 | Verfahren und Vorrichtung zum Laseraufdampfen |
| DE69032824T DE69032824T2 (de) | 1989-07-06 | 1990-07-05 | Verfahren zum Laseraufdampfen |
| EP90112878A EP0406871B1 (en) | 1989-07-06 | 1990-07-05 | Laser deposition method and apparatus |
| EP92120852A EP0534505B1 (en) | 1989-07-06 | 1990-07-05 | Laser deposition method |
| US07/549,115 US5126165A (en) | 1989-07-06 | 1990-07-06 | Laser deposition method and apparatus |
| US07/565,063 US5128214A (en) | 1989-08-22 | 1990-08-10 | Amorphous pure iron film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-215420 | 1989-08-22 | ||
| JP21542089 | 1989-08-22 | ||
| JP2016796A JP2564197B2 (ja) | 1989-08-22 | 1990-01-25 | アモルファス金属膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166360A true JPH03166360A (ja) | 1991-07-18 |
| JP2564197B2 JP2564197B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=26353195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016796A Expired - Fee Related JP2564197B2 (ja) | 1989-07-06 | 1990-01-25 | アモルファス金属膜及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5128214A (ja) |
| JP (1) | JP2564197B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2708626B1 (fr) * | 1993-08-02 | 1998-06-05 | Director General Agency Ind | Film ultramince transparent et conducteur et procédé pour sa fabrication. |
| EP0657562B1 (en) | 1993-11-12 | 2001-09-12 | PPG Industries Ohio, Inc. | Durable sputtered metal oxide coating |
| US8382821B2 (en) | 1998-12-03 | 2013-02-26 | Medinol Ltd. | Helical hybrid stent |
| US20040267349A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Kobi Richter | Amorphous metal alloy medical devices |
| US9155639B2 (en) | 2009-04-22 | 2015-10-13 | Medinol Ltd. | Helical hybrid stent |
| US9039755B2 (en) | 2003-06-27 | 2015-05-26 | Medinol Ltd. | Helical hybrid stent |
| US20050218397A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-06 | Availableip.Com | NANO-electronics for programmable array IC |
| US10563275B2 (en) | 2014-10-16 | 2020-02-18 | Glassy Metal, Llc | Method and apparatus for supercooling of metal/alloy melts and for the formation of amorphous metals therefrom |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6191355A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルフアス合金の鋼帯連続メツキ方法 |
| JPS61270364A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レ−ザビ−ム蒸着方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451919A (en) * | 1977-10-03 | 1979-04-24 | Toshiba Corp | Method of hardening surface of metallic body with high melting point |
| US4469536A (en) * | 1982-11-10 | 1984-09-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Alloys and method of making |
| DE3243964A1 (de) * | 1982-11-27 | 1984-05-30 | Fa. J.S. Staedtler, 8500 Nürnberg | Schreibspitze fuer schreibgeraete und verfahren zu deren herstellung |
| JPS6021365A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-02-02 | Univ Osaka | アモルフアス材料と母材との複合材料の製造方法 |
| JPS6021366A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-02 | Univ Osaka | アモルフアス金属の製造方法 |
| CA1292646C (en) * | 1985-07-03 | 1991-12-03 | Michael A. Tenhover | Process for the production of multi-metallic amorphous alloy coatings |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2016796A patent/JP2564197B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-10 US US07/565,063 patent/US5128214A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61270364A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レ−ザビ−ム蒸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2564197B2 (ja) | 1996-12-18 |
| US5128214A (en) | 1992-07-07 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |