JPH03165547A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03165547A
JPH03165547A JP1305232A JP30523289A JPH03165547A JP H03165547 A JPH03165547 A JP H03165547A JP 1305232 A JP1305232 A JP 1305232A JP 30523289 A JP30523289 A JP 30523289A JP H03165547 A JPH03165547 A JP H03165547A
Authority
JP
Japan
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heat dissipation
chip
dissipation device
semiconductor integrated
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP1305232A
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English (en)
Inventor
Takafumi Suzuki
孝文 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
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    • H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface

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  • Die Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路における放熱装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積回路のチップ内における放熱装置はほ
とんどなく、チップの発熱により問題が生じると思われ
るものについてはパッケージ上に金属性の放熱装置を別
に取り付けていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前記の従来技術の放熱装置を取り付けないもの
については、チップの発熱により誤動作を起こす可能性
が大きくなる。また放熱装置を取り付けているものにつ
いては、放熱装置の分だけパッケージの厚さが厚くなり
パッケージの格納スペースが大きくなる。また放熱装置
のコスト及び取り付けの工数等がかかるという問題点を
有する。
そこで本発明は従来の半導体装置の問題点を解決するた
めのもので、その目的とすることろは放熱装置の一部を
チップ内に組込み放熱効果の良いチップを提供するとこ
ろにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、 （ａ）絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いた半導
体集積回路において、 （ｂ）前記半導体集積回路のチップ内に放熱装置を具備
し、 （Ｃ）前記放熱装置が半導体集積回路のチップの基板面
を用い研削加工して構成されることを特徴とする。
〔実　施　例〕
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の実施例を示す半導体装置の基板面（トラン
ジスタの形成が行なわれない面）の概略図である。
各々のプロセス工程を終えた半導体集積回路のウェハー
に対し、ウェハー背面研削時に第１図のように段差をつ
けた加工を行なうことでチップ背面の表面積を大きくす
ることができ、放熱効果が大きい放熱装置付半導体集積
回路のチップを作成することができる。またダイシング
時にチップの切断を行なうだけでなく、切断時の溝の深
さを変えウェハー全面を削ることで第１図のようにチッ
プ背面の表面積を大きくして放熱装置を作成することが
できる。
尚、本実施例によれば研削方法をチップの１片について
平行に行なったが、第２図のように２方向について行な
うことも可能である。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明したように、放熱装置をチップ内に組
込むことで、誤動作の原因となるチップ内の発熱の放熱
効果を上げることができる。また外部に取り付けていた
放熱装置もいままでより小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は第１の実施例を示す基板面の概略図、第２図は
第２の実施例を示す基板面の概略図、第３図は従来の半
導体装置の基板面の概略図である。 １．２．３・　番 １２．１３・　・ ・半導体集積回路のチップ ・放熱装置 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（ａ）絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用い
    た半導体集積回路において、 （ｂ）前記半導体集積回路のチップ内に放熱装置を具備
    し、 （ｃ）前記放熱装置が半導体集積回路のチップの基板面
    を用い研削加工して構成されることを特徴とする半導体
    装置。
JP1305232A 1989-11-25 1989-11-25 半導体装置 Pending JPH03165547A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3029378U (ja) * 1996-03-25 1996-09-27 ミネベア株式会社 半導体装置
JP2006332374A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Rohm Co Ltd 半導体装置
WO2017040646A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die substrate with integral heat sink

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