JPH0316481A - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置の駆動方法Info
- Publication number
- JPH0316481A JPH0316481A JP1151919A JP15191989A JPH0316481A JP H0316481 A JPH0316481 A JP H0316481A JP 1151919 A JP1151919 A JP 1151919A JP 15191989 A JP15191989 A JP 15191989A JP H0316481 A JPH0316481 A JP H0316481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- charge
- transfer
- period
- transfer electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 70
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 3
- 241000677647 Proba Species 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置の駆動方法に関するものである。
従来の技術
近年、固体撮像装置の開発が進み、性能の点から見て撮
像管に匹敵ないし、上回るものがある。
像管に匹敵ないし、上回るものがある。
そのなかでもインターライン転送方弐ＣＣＤ固体撮像装
置（以下ＩＴ−ＣＣＤと略記）は特に優れた特性を持っ
ており実用化されている。
置（以下ＩＴ−ＣＣＤと略記）は特に優れた特性を持っ
ており実用化されている。
以下、図面を参照しながら、ＩＴ−ＣＣＤの従来の構成
について説明する。
について説明する。
第３図はＩＴ−ＣＣＤの全体構成図である。第３図にお
いて、１は光電変換素子、２は光電変換素子１に蓄積さ
れた信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ （以下
ＶＣＣＤと略記）、３はＶ Ｃ Ｃ Ｄ ２ １：：よ
′り転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送
ＣＣＤ （以下ＨＣＣＤと略記）、４はＨＣＣＤ３によ
り転送された信号電荷を検知する出力アンプ部である。
いて、１は光電変換素子、２は光電変換素子１に蓄積さ
れた信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ （以下
ＶＣＣＤと略記）、３はＶ Ｃ Ｃ Ｄ ２ １：：よ
′り転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送
ＣＣＤ （以下ＨＣＣＤと略記）、４はＨＣＣＤ３によ
り転送された信号電荷を検知する出力アンプ部である。
第４図は第３図の破線部Ａの拡大図である。この図では
遮光膜は省略してある。５はＶＣＣＤ２の転送電極でφ
１のパルスの加わる転送電極、６はφ２のパルスの加わ
る転送電極、７はφ３のパルスの加わる転送電極、８は
φ４のパルスの加わる転送電極、９は光電変換素子１間
やＶＣＣＤ２と光電変換素子に間を分離する分離領域で
ある。
遮光膜は省略してある。５はＶＣＣＤ２の転送電極でφ
１のパルスの加わる転送電極、６はφ２のパルスの加わ
る転送電極、７はφ３のパルスの加わる転送電極、８は
φ４のパルスの加わる転送電極、９は光電変換素子１間
やＶＣＣＤ２と光電変換素子に間を分離する分離領域で
ある。
光電変換素子１で発生した電荷は、光電変換素子ｌから
電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割を持つ転送電極５と７
によりＶＣＣＤ２へ読み出された後、転送電極５，６．
７．８に加わるパルスによる転送される。
電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割を持つ転送電極５と７
によりＶＣＣＤ２へ読み出された後、転送電極５，６．
７．８に加わるパルスによる転送される。
第５図は従来のフィールドモード駆動のパルスタイミン
グ図の一部である。第４図の転送電極５，６，７．８の
うちφｌのパルスの加わる転送電極５とφ２のパルスの
加わる転送電極６を示した。φ５は垂直プランキングパ
ルス、１０は垂直プランキング期間、ｌ１は転送パルス
が加わらず電荷の転送されない期間、１２は電荷転送期
間、ｌ３はフィールドモード駆動時に、２個の光電変換
素子１からＶＣＣＤ２へ電荷を読み出した後、電荷を混
合する期間である。
グ図の一部である。第４図の転送電極５，６，７．８の
うちφｌのパルスの加わる転送電極５とφ２のパルスの
加わる転送電極６を示した。φ５は垂直プランキングパ
ルス、１０は垂直プランキング期間、ｌ１は転送パルス
が加わらず電荷の転送されない期間、１２は電荷転送期
間、ｌ３はフィールドモード駆動時に、２個の光電変換
素子１からＶＣＣＤ２へ電荷を読み出した後、電荷を混
合する期間である。
フィールドモード駆動の場合期間１３にφ１により光電
変換素子１からＶＣＣＤ２へ読み出された後、電荷が混
合され、電荷転送期間１２に転送される。光電変換素子
１からＶＣＣＤ２へ電荷を読み出しは、φＩパルスのＨ
ｉｇｈレベルで行われる。
変換素子１からＶＣＣＤ２へ読み出された後、電荷が混
合され、電荷転送期間１２に転送される。光電変換素子
１からＶＣＣＤ２へ電荷を読み出しは、φＩパルスのＨ
ｉｇｈレベルで行われる。
電荷の混合と転送は、φ １のＭ ｉ ｄ ｄ Ｉ ｅ
とＬｏｗのレベル間のパルスとφ２のＨｉｇｈとＬｏｗ
のレベル間のパルスで行われる。電荷の転送されない期
間１１では、φｌの電位はＭｉｄｄｌｅのレベルであり
、φ２のパルスがＬｏｗレベルであるので電荷はφ１の
パルスが加わる電極下に蓄積されている。
とＬｏｗのレベル間のパルスとφ２のＨｉｇｈとＬｏｗ
のレベル間のパルスで行われる。電荷の転送されない期
間１１では、φｌの電位はＭｉｄｄｌｅのレベルであり
、φ２のパルスがＬｏｗレベルであるので電荷はφ１の
パルスが加わる電極下に蓄積されている。
第６図は第４図のＢ−Ｃ間の断面図である。１４は基板
のｎ形層、１５は光電変換素子のｎ形層、１６はＶＣＣ
Ｄのｎ形層、１７は分離のｐ形層、１８はＶＣＣＤ（７
）空乏層、１９は発生電荷、２０は遮光膜、２１は入射
光である。この図は電荷の転送されない期間１１の状態
で、φ１のパルスが加わる転送電極がＭｉｄｄｌｅレベ
ルにある。光電変換素子ｎ形層１５とＶＣＣＤのｎ形層
にはさまれた分離のｐ形層は、低電位のφ１のＨｉｇｈ
レベルにより光電変換素子のｎ形層１５からＶＣＣＤの
ｎ形層１６へ電荷を読み出せるようにしてあるため、低
濃度になっている。したがってφｔにＭｉ ｄｄ ｌ
ｅのレベルが加わると、φ１のパルスの加わる転送電極
下では空乏層が広がる。
のｎ形層、１５は光電変換素子のｎ形層、１６はＶＣＣ
Ｄのｎ形層、１７は分離のｐ形層、１８はＶＣＣＤ（７
）空乏層、１９は発生電荷、２０は遮光膜、２１は入射
光である。この図は電荷の転送されない期間１１の状態
で、φ１のパルスが加わる転送電極がＭｉｄｄｌｅレベ
ルにある。光電変換素子ｎ形層１５とＶＣＣＤのｎ形層
にはさまれた分離のｐ形層は、低電位のφ１のＨｉｇｈ
レベルにより光電変換素子のｎ形層１５からＶＣＣＤの
ｎ形層１６へ電荷を読み出せるようにしてあるため、低
濃度になっている。したがってφｔにＭｉ ｄｄ ｌ
ｅのレベルが加わると、φ１のパルスの加わる転送電極
下では空乏層が広がる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構戒では、ＶＣＣＤの空乏
層１８が光電変換素子のｎ形層１５とｖｃｃｏのｎ形層
のｎ形層１６の間の分離のｐ形領域ｌ７に広がるため、
その領域に入射する入射光２１による発生電荷１９がＶ
ＣＣＤの空乏層１８によりＶＣＣＤのｎ形層１６へ入リ
スミアとなってしまう。特に固体撮像装置の駆動上、Ｖ
ＣＣＤ２では電荷の転送されない期間１１が長いため、
電荷の転送されない期間１１に光電変換素子から電荷を
読み出す役割を持つ転送電極５，７がＭｉｄｄｌｅのレ
ベルであると、ＶＣＣＤの空乏層１８が、光電変換素子
のｎ形領域側へ広がる期間が長くなるため、スミアが増
加してしまう。
層１８が光電変換素子のｎ形層１５とｖｃｃｏのｎ形層
のｎ形層１６の間の分離のｐ形領域ｌ７に広がるため、
その領域に入射する入射光２１による発生電荷１９がＶ
ＣＣＤの空乏層１８によりＶＣＣＤのｎ形層１６へ入リ
スミアとなってしまう。特に固体撮像装置の駆動上、Ｖ
ＣＣＤ２では電荷の転送されない期間１１が長いため、
電荷の転送されない期間１１に光電変換素子から電荷を
読み出す役割を持つ転送電極５，７がＭｉｄｄｌｅのレ
ベルであると、ＶＣＣＤの空乏層１８が、光電変換素子
のｎ形領域側へ広がる期間が長くなるため、スミアが増
加してしまう。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置の駆
動方法は行列状に配列された複数個の光電変換素子と前
記光電変換素子で発生した電荷を読み出し転送する転送
部を備えた固体撮像装置において、前記転送部のひとつ
の転送電極が、光電変換素子から電荷を読み出すことと
。転送する２つの機能を持つ転送電極である場合、前記
２つの機能を持つ転送電極を用いて他の前記転送電極へ
電荷を転送する期間と、前記２つの機能を持つ転送電極
を用いて前記光電変換素子から電荷を読み出して、別の
前記光電変換素子から別の転送電極下へ読み出された電
荷を混合する期間の２種類の期間を除いた期間であり前
記２つの機能を持つ転送電極の下への電荷の出入りがな
い期間に、前記２つの機能を持つ転送電極に加わる電位
が、ひとつの前記２つの機能を持つ転送電極に加わる電
位の中で最も低い電位となる固体撮像装置の駆動方法と
なっている。
動方法は行列状に配列された複数個の光電変換素子と前
記光電変換素子で発生した電荷を読み出し転送する転送
部を備えた固体撮像装置において、前記転送部のひとつ
の転送電極が、光電変換素子から電荷を読み出すことと
。転送する２つの機能を持つ転送電極である場合、前記
２つの機能を持つ転送電極を用いて他の前記転送電極へ
電荷を転送する期間と、前記２つの機能を持つ転送電極
を用いて前記光電変換素子から電荷を読み出して、別の
前記光電変換素子から別の転送電極下へ読み出された電
荷を混合する期間の２種類の期間を除いた期間であり前
記２つの機能を持つ転送電極の下への電荷の出入りがな
い期間に、前記２つの機能を持つ転送電極に加わる電位
が、ひとつの前記２つの機能を持つ転送電極に加わる電
位の中で最も低い電位となる固体撮像装置の駆動方法と
なっている。
作用
この構成によって、例えば従来例を示す第３図〜第６図
を用いて説明すると、固体撮像装置の駆動上、電荷の転
送されない期間１１の長いＶＣＣＤ２におイテ、ＶＣＣ
Ｄ（７）空乏層１８が、ＶＣＣＤ（７）ｎ形層１６と光
電変換素子のｎ形層ｌ５にはさまれた電荷の読み出しが
行われる領域の分離のｐ形層１７へ広がりにくくなるた
め、この分離のｐ形層１７へ入る入射光２１による発生
電荷１９がＶＣＣＤのｎ形層へ入る確率が減り、スミア
を大幅に改善することができる。
を用いて説明すると、固体撮像装置の駆動上、電荷の転
送されない期間１１の長いＶＣＣＤ２におイテ、ＶＣＣ
Ｄ（７）空乏層１８が、ＶＣＣＤ（７）ｎ形層１６と光
電変換素子のｎ形層ｌ５にはさまれた電荷の読み出しが
行われる領域の分離のｐ形層１７へ広がりにくくなるた
め、この分離のｐ形層１７へ入る入射光２１による発生
電荷１９がＶＣＣＤのｎ形層へ入る確率が減り、スミア
を大幅に改善することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の実施例における駆動タイミン
グ図である。電荷の転送されない期間１１では、光電変
換素子１から電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割を持つφ
１パルスの加わる転送電極５の電位はＬｏｗレベルにな
っている。この時φ２のパルスの加わる転送電極６がＨ
ｉｇｈレベルになっているので、電荷はφ２のパルスの
加わる転送電極６の下にある。この図には示さなかった
が、φ，，φ２のパルスがそれぞれ加わる転送電極と同
様に、電荷の転送されない期間１１では、光電変換素子
１から電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割を持つφ３のパ
ルスの加わる転送電極７の電位はＬｏｗレベルで、φ４
のパルスの加わる電極８はＨｉｇｈレベルとなっている
。
明する。第１図は本発明の実施例における駆動タイミン
グ図である。電荷の転送されない期間１１では、光電変
換素子１から電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割を持つφ
１パルスの加わる転送電極５の電位はＬｏｗレベルにな
っている。この時φ２のパルスの加わる転送電極６がＨ
ｉｇｈレベルになっているので、電荷はφ２のパルスの
加わる転送電極６の下にある。この図には示さなかった
が、φ，，φ２のパルスがそれぞれ加わる転送電極と同
様に、電荷の転送されない期間１１では、光電変換素子
１から電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割を持つφ３のパ
ルスの加わる転送電極７の電位はＬｏｗレベルで、φ４
のパルスの加わる電極８はＨｉｇｈレベルとなっている
。
第２図は本発明の駆動方法を用いた時の固体撮像装置の
第４図、Ｂ−Ｃ間の断面図である。この図は、電荷の転
送されない期間１１の様子を示しており、φ１のパルス
の加わる転送電極５の電位はＬｏｗレベルとなり、ＶＣ
ＣＤの空乏層１８は、ＶＣＣＤのｎ形層１６と光電変換
素子のｎ形層１５にはさまれ、電荷の読み出しが行われ
る領域の分離のｐ形層１７へ広がりにくくなっている。
第４図、Ｂ−Ｃ間の断面図である。この図は、電荷の転
送されない期間１１の様子を示しており、φ１のパルス
の加わる転送電極５の電位はＬｏｗレベルとなり、ＶＣ
ＣＤの空乏層１８は、ＶＣＣＤのｎ形層１６と光電変換
素子のｎ形層１５にはさまれ、電荷の読み出しが行われ
る領域の分離のｐ形層１７へ広がりにくくなっている。
この時、分離のｐ形層１７へ入った入射光２１による発
生電荷１９がＶＣＣＤのｎ形層１６へ入る確率が減りス
ミアを減らすことができる。第１図からわかるように、
固体撮像装置の駆動上、電荷の転送されない期間１１の
長いＶＣＣＤ２において電荷の転送されない期間ｌ１に
、光電変換素子１から電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割
を持つ、φ１とφ３のパルスがそれぞれ加わる転送電極
５，６の電位をＬｏｗレベルにすることでスミアを大幅
に改善することができる。
生電荷１９がＶＣＣＤのｎ形層１６へ入る確率が減りス
ミアを減らすことができる。第１図からわかるように、
固体撮像装置の駆動上、電荷の転送されない期間１１の
長いＶＣＣＤ２において電荷の転送されない期間ｌ１に
、光電変換素子１から電荷をＶＣＣＤ２へ読み出す役割
を持つ、φ１とφ３のパルスがそれぞれ加わる転送電極
５，６の電位をＬｏｗレベルにすることでスミアを大幅
に改善することができる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、たとえば実施例の図面
を用いて説明すると電荷の転送されない期間１１に、光
電変換素子１から電荷を読み出す役割を持つ、φ１とφ
３のパルスが、それぞれ加わる転送電極５，６の電位を
Ｌｏｗレベルにすることで、転送電極５．６の下のＶＣ
ＣＤの空乏層１８が光電変換素子のｎ形層１５とＶＣＣ
Ｄのｎ形層ではさまれた領域へ広がる期間を極端に短く
し、スミアを大幅に改善することができ、その実用的効
果は大なるものがある。
を用いて説明すると電荷の転送されない期間１１に、光
電変換素子１から電荷を読み出す役割を持つ、φ１とφ
３のパルスが、それぞれ加わる転送電極５，６の電位を
Ｌｏｗレベルにすることで、転送電極５．６の下のＶＣ
ＣＤの空乏層１８が光電変換素子のｎ形層１５とＶＣＣ
Ｄのｎ形層ではさまれた領域へ広がる期間を極端に短く
し、スミアを大幅に改善することができ、その実用的効
果は大なるものがある。
本発明の実施例はフィールドモード駆動の実施例である
がフィールドモード駆動など他の駆動方法においてもス
ミアの改善効果は大なるものがある。
がフィールドモード駆動など他の駆動方法においてもス
ミアの改善効果は大なるものがある。
また本発明の実施例は４種類の転送パルスによる４相駆
動の実施例であるが、２相駆動、６相駆動など、他の多
相駆動の場合においてもスミアの改善効果は大なるもの
がある。
動の実施例であるが、２相駆動、６相駆動など、他の多
相駆動の場合においてもスミアの改善効果は大なるもの
がある。
第１図は本発明の実施例における駆動タイミング図、第
２図は本駆動方法を用いた時の固体撮像装置の断面図、
第３図はＩＴ−ＣＣＤの全体構成図、第４図は第３図の
要部拡大図、第５図は従来のフィールドモード駆動のパ
ルスタイミング図、第６図は第４図のＢ−Ｃ断面図であ
る。 １・・・・・・光電変換素子、２・・・・・・垂直転送
ＣＣＤ（ＶＣＣＤ）、３・・・・・・水平転送ＣＣＤ（
ＨＣＣＤ）４・・・・・・出力アンプ部、５・・・・・
・φ！のパルスの加わる転送電極、６・・・・・・φ２
のパルスの加わる転送電極、７・・・・・・φ３のパル
スの加わる転送電極、８・・・・・・φ４のパルスの加
わる転送電極、９・・・・・・分ｉ１１１領域、１０・
・・・・・垂直プランキング期間、１１・・・・・・電
荷の転送されない期間、１２・・・・・・電荷転送期間
、ｌ３・・・・・・電荷読み出した後、電荷を混合する
期間、１４・・・・・・基板のｎ形層、１５・・・・・
・光電変換素子のｎ形層、１６・・・・・・ＶＣＣＤの
ｎ形層、１７・・・・・・分離のｐ形層、１８・・・・
・・ＶＣＣＤの空乏層、１９・・・・・・発生電荷、２
０・・・・・・遮光膜、２１・・・・・・入射光。
２図は本駆動方法を用いた時の固体撮像装置の断面図、
第３図はＩＴ−ＣＣＤの全体構成図、第４図は第３図の
要部拡大図、第５図は従来のフィールドモード駆動のパ
ルスタイミング図、第６図は第４図のＢ−Ｃ断面図であ
る。 １・・・・・・光電変換素子、２・・・・・・垂直転送
ＣＣＤ（ＶＣＣＤ）、３・・・・・・水平転送ＣＣＤ（
ＨＣＣＤ）４・・・・・・出力アンプ部、５・・・・・
・φ！のパルスの加わる転送電極、６・・・・・・φ２
のパルスの加わる転送電極、７・・・・・・φ３のパル
スの加わる転送電極、８・・・・・・φ４のパルスの加
わる転送電極、９・・・・・・分ｉ１１１領域、１０・
・・・・・垂直プランキング期間、１１・・・・・・電
荷の転送されない期間、１２・・・・・・電荷転送期間
、ｌ３・・・・・・電荷読み出した後、電荷を混合する
期間、１４・・・・・・基板のｎ形層、１５・・・・・
・光電変換素子のｎ形層、１６・・・・・・ＶＣＣＤの
ｎ形層、１７・・・・・・分離のｐ形層、１８・・・・
・・ＶＣＣＤの空乏層、１９・・・・・・発生電荷、２
０・・・・・・遮光膜、２１・・・・・・入射光。
Claims (1)
- 行列状に配列された複数個の光電変換素子と前記光電
変換素子で発生した電荷を読み出し転送する転送部を備
えた固体撮像装置において、前記転送部のひとつの転送
電極が、光電変換素子から電荷を読み出すことと、転送
することの２つの機能を持つ転送電極である場合、前記
２つの機能を持つ転送電極を用いて他の前記転送電極へ
電荷を転送する期間と、前記２つの機能を持つ転送電極
を用いて前記光電変換素子から電荷を読み出して、別の
前記光電変換素子から別の転送電極下へ読み出された電
荷を混合する期間の２種類の期間を除いた期間であり前
記２つの機能を持つ転送電極の下への電荷の出入りがな
い期間に、前記２つの機能を持つ転送電極に加わる電位
が、ひとつの前記２つの機能を持つ転送電極に加わる電
位の中で最も低い電位になることを特徴とする固体撮像
装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151919A JPH0316481A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151919A JPH0316481A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316481A true JPH0316481A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15529068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1151919A Pending JPH0316481A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100515019B1 (ko) * | 1997-08-28 | 2005-11-29 | 삼성전자주식회사 | 전하결합소자형이미지센서 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP1151919A patent/JPH0316481A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100515019B1 (ko) * | 1997-08-28 | 2005-11-29 | 삼성전자주식회사 | 전하결합소자형이미지센서 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000101059A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0316481A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH0666344B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
| JP3509184B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| US5298777A (en) | CCD image sensor of interlaced scanning type | |
| JP2002151673A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0316479A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPS624362A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2592193B2 (ja) | Ｃｃｄ映像素子 | |
| JPH0150156B2 (ja) | ||
| JP2624334B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP2594923B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6218877A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP3179080B2 (ja) | 電荷結合素子および該素子を備えた固体撮像素子 | |
| JPH06326928A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP3158324B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPS63234677A (ja) | 電荷結合素子の駆動方法 | |
| JP3148459B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH06268923A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH04266271A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPS59218082A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06105719B2 (ja) | 電荷転送装置およびその駆動方法 | |
| JP2753895B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02161878A (ja) | 光電変換半導体装置の駆動方法 | |
| JPS62293762A (ja) | 固体撮像装置 |