JPH03163531A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアクティブマトリクス基板に関し，詳しくは．
　ＯＡ機器用やＴＶ用等のフラットパネルデイスプレイ
などの液晶表示装置に好適に使用しうるアクティブマト
リクス基板１こ関する。

〔従来の技術〕

ＯＡ機器端末機や液晶ＴＶには大面積液晶パネルの使用
の要望が強く、そのため、アクティブマトリクス方式の
液晶表示装置では、基板上に画素電極と走査電極を設け
さらに両電極間に各画素ごとにスイッチを設けてなるア
クティブマトリクス基板を用いて電圧を保持するように
工夫されている。

ところで、前記スイッチの一つとしてＭＩＭ（Ｍｅｔａ
ｌＩｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）素子が多く用いら
れている。これは薄膜二端子素子がスイッチングに良好
な非線形な電流一電圧特性を示すためである。そして、
従来からの薄膜二端子素子は、ガラス板のような絶縁基
板上に下部電極としてＴａ，　ＡＱ．　Ｔｉ等の金属電
極を設け、その上に前記金属の酸化物又はＳｉＯｘ、Ｓ
ｉＮｘ等からなる絶縁膜を設け、更にその上に、上部電
極としてＡ（１，　Ｃｒ等の金属電極を設けたものが知
られている． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし，絶縁体（絶縁膜）に金ｐＡ酸化物を用いた薄膜
二端子素子（特開昭５７−１９６５８９号、同６１−２
３２６８９号，同６２−６２３３３号等の公報に記載）
の場合，絶縁膜は下部電極の陽極酸化又は熱酸化により
形威されるため、工程が複雑であり、しかも高温熱処理
を必要とし（ＩＩＩ極酸化法でも不純物の除去等を確実
にするには高温熱処理が必要である）、また膜制御性（
膜質及び膜厚の均一性及び再現性）に劣る上、基板が耐
熱材料に限られること、及び、絶縁膜は物性が一定な金
属酸化物からなること等から、デバイスの材料やデバイ
ス特性を自由に変えることができず，設計上の自由度が
狭いという欠点がある．これは薄膜二端子素子を組込ん
だ液晶表示装置からの仕様を十分に満たすデバイスを設
計・作製することが困難であることを意味する。また、
このように膜制御性が悪いと、素子特性としての電流（
Ｉ）電圧（ｖ）特性，特にＩ−Ｖ特性やＩ−Ｖ特性の対
称性（プラスバイアス時とマイナスバイアス時との電流
比Ｌ／Ｉ＋）のバラツキが大きくなるという問題も生じ
る。その他，薄膜二端子素子を液晶表示装置（ＬＣＤ）
用として使用する場合，液晶部容量／薄膜二端子素子容
量比は一般に１０以上が望ましいが、金属酸化物膜の場
合は誘電率が大きいことから素子容量も大きくなり，こ
のため、素子容量を減少させること即ち素子面積を小さ
くするための微細加工を必要とする。またこの場合、液
晶材料封入時のラビング工程等で絶縁膜が機械的損傷を
受けることにより、微細加工とも相まって歩留り低下を
来たすという問題もある。

さらに、液晶を特に低デューテイ比（一般にアクティブ
マトリクス方式が必要とされる１／４００デュティ以下
）で能動するためには、適正な素子特性，いいかえれば
一定電圧印加時に流れる電流値の範囲があり，表示面内
でのバラツキがその範囲内におさまらなければならない
。この電流値は素子面積によって決まるが、従来素子面
積のバラツキ範囲の規定が行われておらず，表示ムラ等
の生じる可能性があった． 本発明の第１の目的は、比較的低温でしかも簡単な工程
で形成でき、膜制御性及び機械的強度に優れた低誘電率
の絶縁膜（硬質炭素膜）を使用することで、広範囲での
デバイス設計が可能で、しかも素子特性のバラツキが少
なく，またしきい値電圧，耐圧に優れ、歩留りの良い薄
膜二端子素子を備えたアクティブマトリクス基板を提供
することである。

また，本発明の第２の目的は、パネル面内において均一
な表示を行なうことを可能とするアクティブマトリクス
基板を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のアクティブマトリクス基板は、透明絶縁基板上
に、各画素の表示用に二次元配列された画素電極と、所
定方向に並ぶ画素電極に共通に設けられた走査電極と、
各画素電極と走査電極との間に接続される駆動用スイッ
チング素子とを備え、該スイッチング素子は第一の導体
と第二の導体との間に硬質炭素膜を介在させてなる薄膜
二端子素子であり、かつ少なくとも硬質炭素膜を挟んで
第一の導体と第二の導体とが重なり合う部分の面積（素
子面積）の基板面内での分布の標準偏差（σ）が平均値
の１００％以下であることを特徴としている。

本発明のアクティブマトリクス基板に用いられる薄膜二
端子素子の電流一電圧特性を調べてみると，この特性は
近似的には以下に示すような伝導式で表わされる． Ｉ＝κｅｘｐ（β　Ｖ１／”）　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　・　（１）■＝電流　Ｖ：印加電圧
　κ：導電係数　β：プールフレンケル係数 ｎ：キャリャ密度 ｑ：電子の電荷量 ρ：比抵抗 ｋ：ボルツマン定数 ε、：絶縁膜の誘電率 μ：キャリャモビリテイ Φ：トラップ深さ ｄ；絶縁膜の厚さ（人） Ｔ：雰囲気温度 １／５１２デューティで表示（白黒二値）可能なκとβ
の適正範囲をコンピュータシミュレーションで求めたの
が第２図の斜線部分である。廓動条件は瓢動電圧２０Ｖ
、バイアス電圧２ｖ、１ライン毎極性反転とした。また
、図中Ａ，　Ｂのラインはそれぞれ硬質炭素膜の比抵抗
が１０’Ω・ｃｍ及び１０１３Ω・ｃｍの時の膜厚変化
によるκ、βの値の変化を示している。

図から明らかなように、κが小さいすなわち比抵抗が大
きいほど適正範囲が広くなる。一定電圧印加時の電流値
はκとβによって一義的に決まるが、電流値は素子面積
に比例するので、（１）式よりわかる通り、素子面積が
変化すると見かけ上κが変化する（当然ながらβは変化
しない）。後述するように本発明のアクティブマトリク
ス基板の薄膜二端子素子に用いられる硬質炭素膜の比抵
抗の上限は１０１３Ω・ｃｍであるのでＢのラインより
上にあって斜線内に入るκの最大の振れ幅はＣの線で与
えられる。この時の一定電圧（例えば１６ｖ）印加時の
電流値は（１）式によって求めることができ、Ｃの範囲
で電流値の分布形態が抽出実験によるもの（正規分布よ
りやや広い）に従うとすると、標準偏差（σ）は平均値
の約１００％となることがわかった。したがって少なく
とも素子面積の基板面内での分布の標準偏差は平均値の
１００％以下でなければならない．この条件での硬質炭
素膜の膜厚は約７００入であるが、耐圧，機械的強度，
ピンホール等の観点がら膜厚は厚い方が望ましい．一方
、色ムラ、剥離等の観点から膜厚の上限が規定され、後
述のように望ましくは４０００人以下であり、比抵抗値
としては１０７Ω・ｃｍ以上が望ましい．したがって，
より望ましいκの範囲はＡのラインより下にあって斜線
内であるＤの線で与えられる．この時、電流値の標準偏
差は平均値の約３０％となる．この値以下のバラツキで
あればすべての硬質炭素膜の条件（膜厚、膜質）で適正
範囲内に入ることは明らかである。以上より素子面積の
基板面内での分布のｍ準偏差は平均値の３０％であるこ
とがより望ましい。

なお、素子面積が変わると素子付容量が変わるため、セ
ル化した際には印加電圧は液晶付容量との間で容量配分
されて，素子に加わる電圧が変化するが、面積が大きく
なると、素子に加わる電圧が小さくなり、電流の増加分
を緩和する方向に働き、その変化量は面積による変化量
を下まわることが簡単な計算でわかっている．したがっ
て、上記の範囲内であれば適正範囲をはずれることはな
い． ここで、素子面積の測定は，例えば顕微鏡写真上で計測
するような通常の方法で行うことができる。素子面積の
バラツキ、いいかえれば第一及び第二の導体のｍ幅のバ
ラツキを上記範囲内に押えるためには以下のような方策
を行うのがよい。

■オーバーエッチングの量が一定となるように、第一及
び第二の導体の膜厚分布を小さくする．■アンダーカッ
トが起りにくい異方性エッチング（例えばＲＩＢ法を用
いる）を使う。

次に，本発明のアクティブマトリクス基板の作製方法を
第１図に基づき説明する。

まず，ガラス、プラスチック等の透明絶縁基板（図示せ
ず）上に、画素電極４としてＩＴＯ、ＺｎＯ：ＡＱ、Ｉ
ｎ，　Ｏ，、ＳｎＯ，等の透明導電性薄膜をスパッタリ
ング、蒸着等の方法により数百〜数千人の厚さに或膜し
，所定のパターンのエッチングする．次に下部導体１と
してｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，
リ，Ｍｏ，Ｐｔ，ＩＴＯ，ＺｎＯ：ＡＱ，Ｉｎ．Ｏ，　
，ＳｎＯ２等の導電性薄膜をスパッタリング、蒸着等の
方法により数百〜数千大の厚さに成膜し、所定のパター
ンにエッチングする。

次いで絶縁膜２として炭素原子及び水素原子を主な組織
形戒元素とし、非品質あるいは微結晶質の少なくとも一
方を含む硬質炭素膜をプラズマＣｖＤ法あるいはイオン
ビーム法によって、１００〜８０００人、好ましくは２
００〜６０００人、さらに好ましくは３００〜４０００
人の厚さに成膜したのち、所定のパターンにエッチング
する．エッチングの方法としてはドライエッチング法が
好ましく使用される。最後に上部導体３としてＰｔ，Ａ
Ｑ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｔａ，ＩＴＯ，ＺｎＯ：ＡＱ，Ｉｎ，Ｏ，　，ＳｎＯ２
等の導電性薄膜をスパッタリング、蒸着等の方法により
数百〜数千人の厚さに成膜し、所定のパターンにエッチ
ングする。

なお，上部、下部導体としては、上述のような各種導電
性薄膜を必要に応じて２層以上重ね合わせたものを用い
てもよい。また，図示の構成の代わりに画素電極が上部
導体の一部と重なるようにして最上部に置かれる構或に
しても差しつかえない。

次に本発明で用いられる硬質炭素膜について詳しく説明
する。この膜は、炭素原子及び水素原子を主要な組織形
或元素として非品質及び微結晶質の少なくとも一方を含
む硬質炭素膜（ｉ−Ｃ膜、ダイヤモンド状炭素膜、アモ
ルファスダイヤモンド膜、ダイヤモンド薄膜とも呼ばれ
る）からなっている。

硬質炭素膜の一つの特徴は気相或長膜であるがために，
後述するように、その諸物性が製膜条件によって広範囲
に制御できることである。従って、＃ｆＡ縁膜といって
もその抵抗値は半Ｍ縁体から絶縁体までの領域をカバー
しており、この意味では本発明の薄膜二端子素子はＭＩ
Ｍ素子は勿論のこと、それ以外でも例えば特開昭６１−
２６０２１９号公報でいうところのＭＳＩ素子（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｓｅｍｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）や，ＳＩＳ素子
（半導体一絶縁体一半導体であって、ここでの「半導体
」は不純物を高濃度にドープさせたものである）として
も位置付けられるものである。

なお，この硬質炭素膜中には、さらに物性制御範囲を広
げるために、構或元素の一つとして少なくとも周期律表
第■族元素を全構成原子に対し５原子２以下、同じく第
■族元素を３５原子ｚ以下、同じく第■族元素を５原子
ｚ以下、アルカリ土類金属元素を５ＦＡ子２以下、アル
カリ金属元素を５原子２、窒素原子を５原子ｚ以下、酸
素原子を５原子ｚ以下、カルコゲン系元素を３５原子ｚ
以下、またはハロゲン系元素を３５原子２以下の量で含
有させてもよい。

これら元素又は原子の量は元素分析の常法例えばオージ
ェ分析によって測定することができる。また、この量の
多少は原料ガスに含まれる他の化合物の量や或膜条件で
調節可能である。

こうした硬質炭素膜を形成するためには有機化合物ガス
、特に炭化水素ガスが用いられる。これら原料における
相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はな
く、加熱或いは減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て
気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能で
ある。

原料ガスとしての炭化水素ガスについては、例えばＣＨ
４，Ｃ，Ｈ，，Ｃ４Ｈ１。等のパラフィン系炭化水素、
Ｃ，　Ｈ４等のオレフィン系炭化水素，ジオレフイン系
炭化水素，アセチレン系炭化水素、さらには芳香族炭化
水素などすべての炭化水素を少なくとも含むガスが使用
可能である。

また、炭化水素以外でも、例えばアルコール類，ケトン
類、エーテル類，エステル類などであって少なくとも炭
素元素を含む化合物であれば使用可能である。

本発明における原料ガスからの硬質炭素膜の形或方法と
しては，成膜活性種が直流、低周波、高周波或いはマイ
クロ波等を用いたプラズマ法により生或されるプラズマ
状態を経て形或される方法が好ましいが，より大面積化
，均一性向上及び／又は低温製膜の目的で低圧下で堆積
を行わせしめるのには磁界効果を利用する方法がさらに
好ましい。また、高温における熱分解によっても活性種
を形戊できる。

その他にも、イオン化蒸着法或いはイオンビーム蒸着法
等により生成されるイオン状態を経て形或されてもよい
し、真空蒸着法或いはスパッタリング法等により生或さ
れる中性粒子から形威されてもよいし、さらには、これ
らの組み合わせにより形成されてもよい。

こうして作製される硬質炭素膜の堆積条件の一例はプラ
ズマＣＶＤ法の場合、概ね次の通りである。

ＲＦ出力：　０．１−５０　Ｗ／ｃＩＩ圧　　　力：　
１０−’−１０Ｔｏｒｒ堆積温度：室温〜９５０℃で行
なうことができるが、好ましくは室温〜３００℃。

このプラズマ状態により原料ガスがラジカルとイオンと
に分解され反応することによって、基板上に炭素原子Ｃ
と水素原子Ｈとからなるアモルファス（非品質）及び微
結晶質（結晶の大きさは数１０人〜数μｆｆｉ）の少く
とも一方を含む硬質炭素膜が堆積する。硬質炭素膜の諸
特性を表−１に示す。

表−１ 注）測定法； 比抵抗（ρ）：コプレナー型セルによるＩ−Ｖ特性より
求める。

光学的バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）　：分光特性から
吸収係数（α）を求め、 （αｈｖ）”＝Ｂ（ｈｖ’−Ｅｇｏｐｔ）の関係より決
定する。

膜中水素量（ＣＨ）　：赤外吸収スペクトルから２９０
０ｃｍ−’付近のピークを積分し、吸収断面積Ａ をかけて求める。すなわち， ＣＨ＝Ａ−ｆ　ａ　（ｗ）／ｗ−ｄｗ ＳＰ’　／ＳＰ２比：赤外吸収スペクトルを、ｓｐ３，
ｓｐ２にそれぞれ帰属されるガウス関数に分解 し、その面積比より求める。

ビッカース硬度（Ｈ）二マイクロビッカース計による。

屈折率（ｎ）：エリプソメーターによる。

欠陥密度：　ＥＳＲによる。

こうして形或される硬質炭素膜はＩＲ吸収法及びラマン
分光法による分析の結果、夫々、第３図及び第４図に示
すように炭素原子がＳＰ３の混或軌道とｓｐ２の混戒軌
道とを形威した原子間結合が混在していることが明らか
になっている。ＳＰ３結合とＳＰ２結合の比率は、ＩＲ
スペクトルをピーク分離することで概ね推定できる。Ｉ
Ｒスペクトルには、２８００〜３１５０ｃｍ””に多く
のモードのスペクトルが重なって測定されるが、それぞ
れの波数に対応するピークの帰属は明らかになっており
、第５図に示したごときガウス分布によってピーク分離
を行ない、それぞれのピーク面積を算出し、その比率を
求めればＳＰ３／ＳＰ”を知ることができる。

また、前記の硬質炭素膜は、Ｘ線及び電子線回折分析に
よれば、アモルファス状態（ａ−Ｃ：Ｈ），及び／又は
、数１０人〜数μｍ程度の微結晶粒を含むアモルファス
状態にあることが判かる。

一般に量産に適しているプラズマＣＶＤ法の場合には．
　ＲＦ出力が小さいほど膜の比抵抗値および硬度が増加
し、また，低圧力なほど活性種の寿命が増加するために
、基板温度の低温化、大面積での均一化が図られ、かつ
比抵抗、硬度が増加する傾向にある。更に、低圧力では
プラズマ密度が減少するため，磁場閉じ込め効果を利用
する方法は、比抵抗の増加には特に効果的である。更に
また、この方法（プラズマＣＶＤ法）は常温〜１５０℃
程度の比較的低い温度条件でも同様に良質の硬質炭素膜
を形或できるという特徴を有しているため、薄膜二端子
素子製造プロセスの低温化には最適である。

従って、使用する基板材料の選択自由度が広がり、基板
温度をコントロールし易いために大面積に均一な膜が得
られるという特長をもっている。

硬質炭素膜の構造、物性は表−１に示したように，広範
囲に制御可能であるため，デバイス特性を自由に設計で
きる利点もある。さらには、膜の誘電率も３〜５と従来
のＭＩＭ素子に使用されていたＴａ２ｏ５，ＡＱ２０，
　ＳｉＮｘなどと比較して小さいため、同じ電気容量を
もった素子を作る場合、素子サイズが大きくてすむので
、それほど′ｄｌ．細加工を必要とせず，歩留まりが向
上する（邪動条件の関係からＬＣＤとＭＩ阿素子との容
量比はＣＬＯＤ　：　ＣＭ＋ｘ”ｌＯ：１程度必要であ
る）。

さらに膜の硬度が高いため、液晶材料封入時のラビング
工程による損傷が少なく、この点からも歩留まりが向上
する。

液晶廓動用薄膜二端子素子として好適な硬質炭素膜は、
駆動条件から膜厚が１００〜８０００Ｊ．　．比抵抗が
１０６〜１０１３Ω・ｃｍの範囲であることが有利であ
る。

なお、駆動電圧と耐圧（絶縁破壊電圧）とのマージンを
考慮すると膜厚は２００入以上であることが望ましく、
また，画素部と薄膜二端子素子部の段差（セルギャップ
差）に起因する色むらが実用上問題とならないようにす
るには膜厚は６０００入以下であることが望ましいこと
から、硬質炭素膜の膜厚は２００−６０００入，比抵抗
は５Ｘ　ｔｏ’−１０１２Ω’ｃｍであることがより好
ましい。

硬質炭素膜のピンホールによる素子の欠陥数は膜厚が減
少にともなって増加し，　３００Ａ以下では特に顕著に
なること（欠陥率は１％を越える）、及び，膜厚の面内
分布の均一性（ひいては素子特性の均一性）が確保でき
なくなる（膜厚制御の精度は３０大程度が限度で，膜厚
のバラッキが１０％を越える）ことから，膜厚は３００
人以上であることがより望ましい。

また，ストレスによる硬質炭素膜の剥離が起こりにくく
するため、及び、より低デューティ比（望ましくは１／
１０００以下）で邪動するために、膜厚は４０００λ以
下であることがより望ましい。

これらを総合して考慮すると、硬質炭素膜の膜厚１ｔ３
００−４００ＯＡ　．比抵抗は１０’−１０”　Ｑ　・
ｃＩＩ１テあることが一層好ましい。

〔実施例〕

次に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない． 実施例１ パイレックス透明＃ｆＡ縁性基板上に、第１図に示すよ
うに画素電極及び薄膜二端子素子を以下のようにして６
４０　Ｘ　４００個マトリクス状に作製した。まずＩＴ
Ｏをスパッタリング法により５ｏｏλ厚に堆積後、パタ
ーニングして画素電極４を形成した。次に、Ａ悲を蒸着
法により６００入厚に堆積後、パターニングして下部導
体１を形成した。その上に硬質炭素膜をプラズマＣｖＤ
法によりＩＩＯＯＡ堆積させたのち、ドライエッチング
によりパターニングし、絶縁膜２とした。さらに，この
上にＮｘをＥ８蒸着法にょり１０００Ａ厚に堆積後、パ
ターニングして上部導体（走査電極を兼ねる）３を形成
し，アクティブマトリクス基板を得た。この時の硬質炭
素膜の或膜条件は以下の通りである。

圧　　　力：０．０３５Ｔｏｒｒ ＣＨ４流量：　１０ｓｃｃ＋ａ ＲＦパワー＝０．２リ／ｄ なお、各素子の素子面積の分布の標準偏差はｌ５ぢであ
った。

実施例２ プラスチック透明絶縁性基板５上に、第６図に示すよう
に画素合極及び薄膜二端子素子を以下のようにして６４
０　Ｘ　４００個マトリクス状に作製した。まず肝を蒸
着法により１０００λ厚に堆積後、パターニングして下
部導体（走査電極を兼ねる）１とした。

その上に硬質炭素膜をプラズマでＣｖＯ法により９００
人堆積させたのち、ドライエッチングによりパタニング
し，絶縁膜２とした。さらにその上にＥＢ蒸着法により
１０００λ厚のＩＴＯ膜を被覆し、エッチングによりパ
ターニングして上部導体（画素電極を兼ねる）３を形成
し、アクティブマトリクス基板を得た。この時の硬質炭
素膜の成膜条件は以下の通りである。

圧　　　力：０．０３５Ｔｏｒｒ ＣＨ４流量：　ＩＯＩＩＣＣＭ ＲＦパワー：０．３１＋１／ｃｄ なお、各素子の素子面積の分布の標準偏差はｌ２＄であ
った． 実施例１あるいは２のようにして得られたアクティブマ
トリクス基板と，対向基板（ガラスまたはプラスチック
にストライプ状の透明電極が形戊されたもの）との間に
液晶を封入して（配向膜の形成、ギャップ材の散布等は
通常の方法で行なった）液晶パネルを作製した。この液
晶パネルを１／４００デューティで駆動した結果、パネ
ル面内で表示ムラ等の生じることはなく、良好な表示品
質であった。

〔発明の効果〕

本発明のアクティブマトリクス基板は第一の導体と第二
の導体間に硬質炭素膜を介在させてなる薄膜二端子素子
を備えており，この硬質炭素膜は１）プラズマＣＶＤ法
等の気・相合或法で作製されるため，成膜条件によって
物性が広範囲に制御でき、従ってデバイス設計の自由度
が大きい、 ２）硬質でしかも厚膜にできるため，機械的損傷を受け
難く，また厚膜化によるピンホールの減少も期待できる
、 ３）室温付近の低温においても良質な膜を形或できるの
で、基板材質に制約がない、 ４）膜厚、膜質の均一性に優れているため、薄膜デバイ
ス用として適している、 ５）誘電率が低いので、高度の微細加工技術を必要とせ
ず、従って素子の大面積化に有利である， 等の特長を有し、このような絶縁膜を用いた薄膜二端子
素子は液晶表示用スイッチング素子として好適である。

さらに、本発明のアクティブマトリクス基板は各薄膜二
端子素子の素子面積の基板面内での分布の標準偏差が平
均値の１００％以下、望ましくは３０％以下としている
ので、低デューティ比においても表示ムラのない高品質
の液晶表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るアクティブマトリクス基板（実施
例ｌ）の薄膜二端子素子の代表的な一例の斜視図、第２
図はコンピュータシミュレーションで求めた１／５１２
デューティで表示可能なκとβの適正範囲を示す図，第
３図、第４図及び第５図は硬質炭素膜の物性を説明する
ための図，第６図は本発明の実施例２のアクティブマト
リクス基板の構或を説明するための断面図である。 ｌ・・・第一の導体（下部導体） ２・・・絶縁膜 ３・・・第二の導体（上部導体） ４・・・画素電極 ５・・・基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明絶縁基板上に、各画素の表示用に二次元配列
   された画素電極と、所定方向に並ぶ画素電極に共通に設
   けられた走査電極と、各画素電極と走査電極との間に接
   続される騒動用スイッチング素子とを備えるアクティブ
   マトリクス基板であって、該スイッチング素子は第一の
   導体と第二の導体との間に硬質炭素膜を介在させてなる
   薄膜二端子素子であり、かつ少なくとも硬質炭素膜を挟
   んで第一の導体と第二の導体とが重なり合う部分の面積
   の基板面内での分布の標準偏差が平均値の１００％以下
   であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。