JPH0316242A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0316242A JPH0316242A JP15169489A JP15169489A JPH0316242A JP H0316242 A JPH0316242 A JP H0316242A JP 15169489 A JP15169489 A JP 15169489A JP 15169489 A JP15169489 A JP 15169489A JP H0316242 A JPH0316242 A JP H0316242A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- power
- supply device
- noise
- thickness
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体集撞回路に於けるノイズ対來としての
電源の強化に関する。
電源の強化に関する。
〔従来の技術コ
従来技術に於けるノイズ対策の１つとして、電源供給装
置（以下、電源供給ラインと換言する。
置（以下、電源供給ラインと換言する。
）の幅を太くすることで電源を強化する方法、又は、電
源供給ラインの厚さを一様に増すことで電源を強化する
方法が使われていた。
源供給ラインの厚さを一様に増すことで電源を強化する
方法が使われていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし前記の従来技術において、電源供給ラインの幅を
太くする場合、電源供給ラインの面積が大きくなる為、
その周囲のパターン設計に影響を及ぼしたり、集債度の
低下につながる。
太くする場合、電源供給ラインの面積が大きくなる為、
その周囲のパターン設計に影響を及ぼしたり、集債度の
低下につながる。
又、電源供給ラインの厚さを一様に増す場合、チップ全
体の段差が大きくなり、コンタクト・ホール等の上位階
層に対する設計に影響を及ぼし、歩留ｂが低下する。
体の段差が大きくなり、コンタクト・ホール等の上位階
層に対する設計に影響を及ぼし、歩留ｂが低下する。
本発明は、従来技術の開題点を解決する為のもので、そ
の目的とするところは集積度を低下させることなく、且
つ歩苗りを低下させることなく、ノイズに対する電源の
強化を行なうことである。
の目的とするところは集積度を低下させることなく、且
つ歩苗りを低下させることなく、ノイズに対する電源の
強化を行なうことである。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、
α）半導体装置に於いて、
ｈ）電源供給装置を具備し、
Ｃ）上記電源供給装置の厚さが部分的に異なることを特
徴とする。
徴とする。
〔実施例］
第１図は本発明の半導体装置の平面図、第２図は第１図
の線分Ａ−Ｂに従う断面図、第３図は第１図の線分０−
Ｄに従５Ｕｒ面図である。
の線分Ａ−Ｂに従う断面図、第３図は第１図の線分０−
Ｄに従５Ｕｒ面図である。
１は電源供給ラインであるところのアルミニウム配線で
ある。アルミニウム配線１は第２図、及び第３図に示す
ように、薄い部分と厚い部分によって構或される。又、
このアルミ配線は、バッド２を通して電源に接続してい
る。
ある。アルミニウム配線１は第２図、及び第３図に示す
ように、薄い部分と厚い部分によって構或される。又、
このアルミ配線は、バッド２を通して電源に接続してい
る。
アルミ配線１において、第２図の部分と第５図の部分と
を比較した場合、第５図の部分の方が配線の断面積が大
きい為、配線抵抗が小さい。従って、何らかの理由で電
源間に瞬間的に大電流が流れた場合、第３図の部分にお
ける電位降下は第２図の部分よりも小さくなる。従って
、ノイズの影響を考慮すべき部分の電源ラインを第５図
の様な構成にすることで、ノイズに対する電源強化が可
能になる。
を比較した場合、第５図の部分の方が配線の断面積が大
きい為、配線抵抗が小さい。従って、何らかの理由で電
源間に瞬間的に大電流が流れた場合、第３図の部分にお
ける電位降下は第２図の部分よりも小さくなる。従って
、ノイズの影響を考慮すべき部分の電源ラインを第５図
の様な構成にすることで、ノイズに対する電源強化が可
能になる。
尚、本実施例では、配線材料としてアルミニウムを用い
たが、ポリサイド，シリサイド等の導電体を使用するこ
とも可能である。
たが、ポリサイド，シリサイド等の導電体を使用するこ
とも可能である。
［発明の効果コ
本発明の電源供給装置をノイズ対策として用いた場合、
従来の方法中、電源ラインの幅を広くする場合に比べ、
必要面債が小さい。従って周囲のパターン設計に対する
影響が少なく、集積度を低下させずに電源強化が可能で
ある。
従来の方法中、電源ラインの幅を広くする場合に比べ、
必要面債が小さい。従って周囲のパターン設計に対する
影響が少なく、集積度を低下させずに電源強化が可能で
ある。
又、従来の方法中、電源供給ラインの厚さを一様に増す
場合に比べ、コンタクト・ホール等の上位階層の設計に
及ぼす影響が少なく、尭留シの向上につながる。
場合に比べ、コンタクト・ホール等の上位階層の設計に
及ぼす影響が少なく、尭留シの向上につながる。
第１図は実施例を示す平面図、第２図は第１図の線分Ａ
−Ｂに従う断面図、第３図は第１図の線分０−Ｄに従う
断面図である。 １・・・・・・・・・電源供給装置であるところのアル
ミニウム配線 ２・・・・・・・・・パッド 以上
−Ｂに従う断面図、第３図は第１図の線分０−Ｄに従う
断面図である。 １・・・・・・・・・電源供給装置であるところのアル
ミニウム配線 ２・・・・・・・・・パッド 以上
Claims (1)
- （１）、α）半導体装置に於いて、 ｂ）電源供給装置を具備し、 ｃ）上記電源供給装置の厚さが部分的 に異なることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15169489A JPH0316242A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15169489A JPH0316242A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316242A true JPH0316242A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15524225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15169489A Pending JPH0316242A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750142B2 (en) | 1998-08-28 | 2004-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2009212460A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15169489A patent/JPH0316242A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750142B2 (en) | 1998-08-28 | 2004-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2009212460A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
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