JPH03159197A - Bonding device for flip chip - Google Patents

Bonding device for flip chip

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JPH03159197A
JPH03159197A JP1298254A JP29825489A JPH03159197A JP H03159197 A JPH03159197 A JP H03159197A JP 1298254 A JP1298254 A JP 1298254A JP 29825489 A JP29825489 A JP 29825489A JP H03159197 A JPH03159197 A JP H03159197A
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bond
flip chip
chip
land
substrate
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Tetsukazu Imamura
今村 哲一
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Abstract

PURPOSE:To confirm a good contact state by a checker, to emit a light to a bond to cure it, and to effectively bond a flip chip to a board by pressing the chip to the board by a presser, and effectively adhering a microbump to a land. CONSTITUTION:A chip P on a wafer 20 is lifted, the chip P is chucked by a sucking unit 26, the chip P is inverted upside down, transferred to a stage 12, positional deviation is roughly corrected by a position correcting pawl 34, transferred to a positioning unit 13 of a board 10 by the nozzle 34 of a transfer head 2, and XY tables 13a, 13b to bring the bump B of the chip P into coincidence with a land 60 are operated. The land 60 is previously coated with a bond 16, the chip P is pressed to the board 10 by a presser 45, and the bump B is effectively brought into contact with the land 60. Then, if the contact state of the bump B with the land 60 is good by a checker 42, the bond 16 is emitted with a light to be cured.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はフリップチップのボンディング装置に関し、殊
にマイクロバンプを存するフリップチップを、基板のラ
ンドにボンディングするための手段に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a flip chip bonding apparatus, and more particularly to a means for bonding a flip chip having microbumps to a land on a substrate.

(従来の技術) 第6図は、フリップチップPを基板100にボンディン
グした状態を示すものであって、B。
(Prior Art) FIG. 6 shows a state in which a flip chip P is bonded to a substrate 100, and FIG.

はフリップチップPの下面に突設された半田バンプであ
り、このバンプB゛ を基板100に形成されたランド
(電極)101上に着地させ、次いでこの基板lOOを
加熱炉に送って加熱処理することにより、半田バンプB
゛を溶融硬化させるようになっていた。この半田バンプ
B゛は、フリップチップPとランド101を電気的に接
続するリード機能と共に、このフリップチップPを基板
100に固着する固着機能を有している。
is a solder bump protruding from the bottom surface of the flip chip P, and this bump B' is landed on a land (electrode) 101 formed on the substrate 100, and then this substrate lOO is sent to a heating furnace for heat treatment. By this, solder bump B
It was designed to melt and harden. This solder bump B' has a lead function for electrically connecting the flip chip P and the land 101, and a fixing function for fixing the flip chip P to the substrate 100.

ところで、高密度、高集積化の要請に応えるためには、
バンプは極力小形化してその数を増やさねばならないこ
とから、第7図に示すように、小形化されたバンプBを
有するフリップチップPが提案されている。このように
小形化されたバンプBは、一般にマイクロバンプと呼ば
れ、Au、ANなどにより形成されており、上記半田バ
ンプB° とは区別される。
By the way, in order to meet the demands for high density and high integration,
Since bumps must be made as small as possible to increase their number, a flip chip P having miniaturized bumps B as shown in FIG. 7 has been proposed. The bumps B reduced in size in this manner are generally called microbumps, and are made of Au, AN, etc., and are distinguished from the solder bumps B° described above.

ところが上記リード機能は、バンプを小形化マイクロバ
ンプBにしても支障はないが、上記固着機能は著しく低
下し、フリップチップPは基板100から脱落しやすく
なる問題を生じる。
However, although there is no problem with the above-mentioned lead function even if the bumps are miniaturized micro-bumps B, the above-mentioned fixing function is significantly deteriorated, causing the problem that the flip chip P becomes easily detached from the substrate 100.

この問題を解決するために、基板のランドに、予めUV
樹脂のような光硬化性絶縁樹脂を塗布しておき、この樹
脂上にフリップチップを移載した後、この樹脂に光を照
射してこれを硬化させる手段が提案されている。この手
段によれば、固着機能は樹脂により負担されるので、上
記問題は解決されることとなる。
In order to solve this problem, UV
A method has been proposed in which a photocurable insulating resin such as a resin is applied, a flip chip is transferred onto the resin, and then the resin is irradiated with light to cure it. According to this means, the fixing function is borne by the resin, so the above problem is solved.

(発明が解決しようとする課題) ところで光硬化性絶縁樹脂は、光が照射されて一旦硬化
すると、その固着力はきわめて大きいことから、ボンデ
ィングに失敗した場合に、フリップチップを基板から取
りはずして再度ボンディングし直すことは殆ど不可能で
ある。したがってフリップチップは、マイクロバンプを
正確にランドに合致させてボンディングしなければなら
ない。
(Problem to be Solved by the Invention) By the way, once the photocurable insulating resin is irradiated with light and hardens, its adhesion is extremely strong, so if bonding fails, the flip chip must be removed from the board and reused. Re-bonding is almost impossible. Therefore, the flip chip must be bonded with the microbumps accurately aligned with the lands.

ところが、小形化されたマイクロバンプをランドに正確
に合致させることはかなり困難であり、更には上記合致
が正確であっても、マイクロバンプの大きさにばらつき
があったりすると、マイクロバンプをランドに確実に接
触させることはできず、上記リード機能を達成できない
こととなる。このような課題は未解決であり、したがっ
てマイクロバンプを有するフリップチップを基板にボン
ディングするための具体的装置は、まだ提案されていな
い現状にある。
However, it is quite difficult to accurately match miniaturized microbumps to lands, and even if the above matching is accurate, there are variations in the size of microbumps, making it difficult to match microbumps to lands. Reliable contact cannot be made, and the above-mentioned lead function cannot be achieved. These problems have not yet been solved, and therefore, no specific device for bonding a flip chip having microbumps to a substrate has yet been proposed.

そこで本発明は、マイクロバンプを有するフリップチッ
プを、基板に確実にボンディングできる装置を提供する
ことを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide an apparatus that can reliably bond a flip chip having microbumps to a substrate.

(課題を解決するための手段) このために本発明は、チップ供給部にマイクロバンプを
表面側にして配設されたフリップチップを吸着し、この
フリップチップを上下反転させてマイクロバンプを下面
側にする上下反転装置と、上下反転されたフリップチ・
7ブをノズルに吸着してティクアップし、位置ずれ補正
ステージに移載するサブ移載ヘッドと、ボンド供給部に
備えられた光硬化性絶縁樹脂から成るボンドを、位置決
め部に位置決めされた基板のランドに塗布するボンド塗
布ヘッドと、上記ステージで位置ずれが補正されたフリ
ップチップをノズルに吸着してティクアップし、このフ
リッブチツブのマイクロバンプを、上記ボンドが塗布さ
れた基板のランドに合致させて移載する移載ヘッドと、
この移載ヘッドのノズルに荷重を加えて、マイクロバン
プをランドに押し付ける加圧装置と、上記基板の下方か
ら上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬化させる光
照射装置とからフリップチップのボンディング装置を構
成している。
(Means for Solving the Problems) For this purpose, the present invention adsorbs a flip chip arranged with the microbumps on the front side in a chip supply section, and turns the flip chip upside down so that the microbumps are on the bottom side. Vertical inverting device and flipchip device that is inverted vertically
A sub-transfer head that suctions and ticks up the 7-plate to the nozzle and transfers it to the positional deviation correction stage, and a bond made of photocurable insulating resin provided in the bond supply section, and a substrate positioned in the positioning section. The bond application head applies the bond to the land, and the flip chip whose positional deviation has been corrected on the stage is adsorbed to the nozzle and ticked up, and the microbumps of this flip chip are aligned with the lands of the substrate on which the bond is applied. a transfer head that transfers the
Flip chip bonding is performed using a pressure device that applies a load to the nozzle of the transfer head to press the microbumps onto the land, and a light irradiation device that irradiates light onto the bond from below the substrate to harden the bond. configuring the device.

(作用) 上記構成において、加圧装置によりフリップチップを基
板に押し付けて、マイクロバンプを確実にランドに接触
させる。またチェッカーにより、マイクロバンプとラン
ドの接触状態が良と確認したうえで、ボンドに光を照射
してこれを硬化させる。
(Function) In the above configuration, the flip chip is pressed against the substrate by the pressurizing device to ensure that the microbumps are brought into contact with the lands. After confirming that the contact between the microbump and the land is good using a checker, the bond is irradiated with light to harden it.

(実施例) 次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。(Example) Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、フリップチップのボンディング装置の正面図
であって、この装置は、サブ移載ヘッド1と、移載ヘッ
ド2と、ボンド塗布ヘッド3の3つのヘッドを有してお
り、各ヘッド1〜3は、それぞれ摺動Fi5,6.7に
装着されている。各摺動板5〜7は、結合部材4により
連結されており、水平ガイド9に沿って、横方向Nに摺
動自在となっている。右側の摺動板7は、水平ロッド5
1.揺動ロッド52.垂直ロッド53を介して駆動部8
に連結されており、この駆動部8に駆動されて、各摺動
板5〜7に装着された3つのヘッド1〜3は、同時に横
方向Nに往復動じて、後に詳述するように、サブ移載ヘ
ッド1はチップ供給部11のフリップチップPをステー
ジ12に移載し、またPp載ヘッド2はステージ12上
のチップPを基板10に移載し、ボンド塗布ヘッド3は
ボンド供給部14のボンド16を基板10に塗布する。
FIG. 1 is a front view of a flip chip bonding device, which has three heads: a sub-transfer head 1, a transfer head 2, and a bond coating head 3. 1 to 3 are attached to sliding Fi5 and Fi6.7, respectively. Each of the sliding plates 5 to 7 is connected by a connecting member 4, and is slidable in the lateral direction N along a horizontal guide 9. The sliding plate 7 on the right side is the horizontal rod 5
1. Swing rod 52. Drive unit 8 via vertical rod 53
The three heads 1 to 3 mounted on each of the sliding plates 5 to 7 are connected to the drive unit 8 and reciprocated in the lateral direction N at the same time, and as will be described in detail later, The sub transfer head 1 transfers the flip chip P from the chip supply section 11 onto the stage 12, the Pp placement head 2 transfers the chip P on the stage 12 onto the substrate 10, and the bond application head 3 transfers the flip chip P from the chip supply section 11 onto the substrate 10. 14 bonds 16 are applied to the substrate 10.

3つのヘッド1〜3の下方には、チップ供給部11と、
チップPの位置ずれ補正ステージ12と、基板IOの位
置決め部13と、ボンド皿15を備えたボンド供給部1
4が、間隔をおいて並設されている。ボンド皿15には
、UV樹脂のような光硬化性絶縁樹脂により作られたボ
ンド16が貯溜されている。また上記各部11〜14の
上方には、モータやカム等の駆動手段(図外)に駆動さ
れて上下方向に往復回動する押圧レバー54が配設され
ている。
Below the three heads 1 to 3, there is a chip supply section 11,
Bond supply unit 1 equipped with a chip P misalignment correction stage 12, a substrate IO positioning unit 13, and a bond plate 15
4 are arranged in parallel at intervals. The bond tray 15 stores a bond 16 made of a photocurable insulating resin such as UV resin. Further, above each of the above-mentioned parts 11 to 14, a pressing lever 54 is provided which is driven by a driving means (not shown) such as a motor or a cam to reciprocate in the vertical direction.

サブ移載ヘッド1とボンド塗布ヘッド3には、昇降子5
6が連結されており、レバー54が下方に回動すると、
昇降子56の上端部に軸着されたローラ57は下方に押
圧されて、各ヘッド1.3のノズル31とボンド塗布ピ
ン33は下降し、また押圧状態が解除されると、ノズル
31と塗布ピン33は、ばね材55のばね力により上昇
する。
The sub-transfer head 1 and the bond application head 3 are equipped with an elevator 5.
6 are connected, and when the lever 54 rotates downward,
The roller 57 pivoted on the upper end of the elevator 56 is pressed downward, causing the nozzle 31 and bond application pin 33 of each head 1.3 to descend, and when the pressing state is released, the nozzle 31 and the bond application pin 33 are lowered. The pin 33 is raised by the spring force of the spring material 55.

チップ供給部11には、フリップチップPが貼着された
ウェハー20と、このフリップチップPを突き上げる突
き上げピン21を備えたグイエジェクタ22と、ウェハ
ー20の支持板18と、ウェハー20をXY力方向移動
させるXY子テーブル9と、チップPの上下反転装置2
3が設けられている。グイエジェクタ22は、駆動部7
0に駆動され、ピン21が突没することにより、ウェハ
ー20上のチップPを突き上げる。
The chip supply unit 11 includes a wafer 20 to which a flip chip P is attached, a gouer ejector 22 equipped with a push-up pin 21 that pushes up the flip chip P, a support plate 18 for the wafer 20, and a support plate 18 for moving the wafer 20 in the XY force direction. XY child table 9 to be moved and chip P up/down reversing device 2
3 is provided. The gouie ejector 22 is a drive unit 7
0 and the pins 21 protrude and retract, thereby pushing up the chips P on the wafer 20.

上下反転装置23は、モータ24に駆動されて180°
間欠回転するアーム25を備えており、このアーム25
の両端部には、チップ吸着部26.27が設けられてい
る。チ・7プPは、マイクロバンプBを表面側にして、
ウェハー20に貼着されており、ウェハー20上のチッ
プPを吸着し、アーム25が180″間欠回転すること
により、このチップPを上下反転させてバンプBを下面
側にする。58はウェハー20上のチップPを観察する
カメラである。
The vertical reversing device 23 is driven by a motor 24 and rotates 180°.
It is equipped with an arm 25 that rotates intermittently, and this arm 25
Chip adsorption sections 26 and 27 are provided at both ends of the . For chip 7 P, microbump B should be on the front side.
It is attached to the wafer 20, and by adsorbing the chip P on the wafer 20 and rotating the arm 25 intermittently by 180'', the chip P is turned upside down and the bumps B are placed on the lower side. 58 is the wafer 20 This is a camera for observing the chip P above.

サブ移載ヘッドlは、上下反転されたチップPをそのノ
ズル31に吸着してティクアップし、上述のように横力
向Nに往復動することにより、ステージ12上に移送搭
載する。このティクアップや搭載を行う場合は、上記の
ようにレバー54が回動して、ノズル31を昇降させる
。ステージ12上には、位置補正爪34があり、この補
正爪34がXY力方向摺動してチップPの側壁面に押当
することにより、チップPの位置ずれを荒補正する。こ
の荒補正は、移載ヘッド2のコレット式ノズル32が、
チップP上に正しく着地して、このチップPを確実に吸
着できるようにするために行われるものである。
The sub-transfer head l picks up the vertically inverted chip P by adsorbing it to its nozzle 31, and transfers and mounts the chip P on the stage 12 by reciprocating in the lateral force direction N as described above. When performing this tick-up or mounting, the lever 54 rotates as described above to raise and lower the nozzle 31. A position correction claw 34 is provided on the stage 12, and this correction claw 34 slides in the XY force direction and presses against the side wall surface of the chip P, thereby roughly correcting the positional deviation of the chip P. This rough correction is performed by the collet type nozzle 32 of the transfer head 2.
This is done in order to land correctly on the chip P and ensure that the chip P can be attracted.

基板10の位置決め部13は、XY子テーブル3a、1
3bから成っている。Yテーブル13bには、位置決め
部材35が立設されており、この位置決め部材35の上
端部に基板10は位置決めされている。またYテーブル
13b上には、第2のXテーブル36が配設されており
、その上に、UV光を照射する光照射装置40が設けら
れている。この光照射装置40は、基板10の下方から
光を照射し、基板10に塗布された光硬化性絶縁樹脂か
ら成るボンド16を硬化させる。この基板lOは、ガラ
スなどのUV光を透過する素材にて作られている。
The positioning section 13 of the substrate 10 is arranged on the XY child tables 3a, 1
It consists of 3b. A positioning member 35 is provided upright on the Y table 13b, and the substrate 10 is positioned at the upper end of the positioning member 35. Further, a second X table 36 is disposed on the Y table 13b, and a light irradiation device 40 for irradiating UV light is provided thereon. This light irradiation device 40 irradiates light from below the substrate 10 to harden the bond 16 made of a photocurable insulating resin coated on the substrate 10. This substrate IO is made of a material such as glass that transmits UV light.

30はYテーブル13bの側部に装着されたカメラであ
り、Yテーブル13bが右方に移動することにより(第
1図鎖線参照)、このカメラ30は移載ヘッド2のノズ
ル33に吸着されたチップPの下面のマイクロバンプB
を観察する。59は位置決め部I3の上方に設けられた
基板10の観察用カメラである。42はチェッカーであ
り、後に詳述するように、プローブ43が基板10に形
成された電極部に接触し、チップPのマイクロバンプB
と、ランドの接触状態の良否を選別する。
30 is a camera attached to the side of the Y table 13b, and as the Y table 13b moves to the right (see the chain line in Figure 1), this camera 30 is attracted to the nozzle 33 of the transfer head 2. Microbump B on the bottom surface of chip P
Observe. 59 is a camera for observing the substrate 10 provided above the positioning part I3. 42 is a checker, and as will be described in detail later, the probe 43 contacts the electrode portion formed on the substrate 10 and checks the microbumps B of the chip P.
and determines whether the contact state of the land is good or bad.

45は摺動板6に装着されて、移載ヘッド2と一体的に
往復動する加圧装置であって、第2図に示すように、シ
リンダ46と、シリンダ46のロッド47から側方に延
出するシャフト48と、このシャフト48の先端部に装
着されて、ノズル32の上端部に結合された結合子49
と、ノズル32を下方に付勢するコイルばね50から成
っている。この加圧装置45は、シリンダ46がOFF
となることにより、ばね50のばね力によりノズル32
に荷重を加え、チップPを基板10に押圧する(第2図
鎖線参照)。またシリンダ46のロッド47が上方に突
出すると、ノズル32はばね50のばね力に抗して上昇
し、チップPの押圧状態を解除する(同図実線参照)。
45 is a pressurizing device that is attached to the sliding plate 6 and reciprocates integrally with the transfer head 2, and as shown in FIG. An extending shaft 48 and a connector 49 attached to the tip of the shaft 48 and coupled to the upper end of the nozzle 32.
and a coil spring 50 that urges the nozzle 32 downward. This pressurizing device 45 is operated when the cylinder 46 is OFF.
As a result, the spring force of the spring 50 causes the nozzle 32 to
A load is applied to press the chip P against the substrate 10 (see the chain line in FIG. 2). Further, when the rod 47 of the cylinder 46 protrudes upward, the nozzle 32 rises against the spring force of the spring 50, releasing the pressed state of the tip P (see the solid line in the figure).

第3図は、チップPを基板lOに搭載した状態を示すも
のであって、60は基板10の上面に形成されたランド
、61はランド60から導出するリード部、62はリー
ド部61の先端部に形成された電極部である。 本装置
は上記のような構成より成り、次に全体の動作を説明す
る。
FIG. 3 shows a state in which the chip P is mounted on the substrate 10, in which 60 is a land formed on the upper surface of the substrate 10, 61 is a lead portion led out from the land 60, and 62 is the tip of the lead portion 61. This is an electrode part formed in the part. This device has the above-mentioned configuration, and the overall operation will be explained below.

第1図において、ニジ1クタビン21が上昇して、ウェ
ハー20上のチップPを突き上げ、吸着部26はチップ
Pを吸着する。次いでアーム25は180@回転し、チ
ップPを上下反転させる。次いでサブ移載ヘッド1のノ
ズル3IはこのチップPを吸着してティクアップし、ス
テージ12に移載する。次いで位置補正爪34はXY力
方向摺動し、チップPの位置ずれを荒補正する。
In FIG. 1, the rainbow 1 container 21 rises and pushes up the chip P on the wafer 20, and the suction part 26 suctions the chip P. Next, the arm 25 rotates 180@ to turn the chip P upside down. Next, the nozzle 3I of the sub-transfer head 1 attracts and ticks up this chip P, and transfers it to the stage 12. Next, the position correction claw 34 slides in the XY force directions to roughly correct the positional deviation of the chip P.

次いで移載へ7ド2のノズル32はこのチップPを吸着
してティクアップし、基板10の位置決め部13へ移送
する。このチップPを基板10に搭載する前に、Yテー
ブル13bは側方へ移動して、カメラ30により、ノズ
ル32に吸着されたチップPのマイクロバンプBの位置
ずれを下方から観察する。またこれに先立ちカメラ59
により基板10のランド6oが予め観察されている。そ
こでチップPのバンブBをランド60に合致させるべく
、XY’;r−7’/I/13a、13bを作動させる
。次いで加圧装置45のシリンダ46はOFFとなり、
ノズル32はばね50のばね力により下降してチップP
を基板IO上に着地させ、マイクロバンプBをランド6
0に押し付ける。
Next, the nozzle 32 of the transfer device 2 attracts and ticks up the chip P, and transfers it to the positioning section 13 of the substrate 10. Before mounting this chip P on the substrate 10, the Y table 13b moves to the side, and the camera 30 observes from below the positional deviation of the microbumps B of the chip P attracted to the nozzle 32. Also, prior to this, camera 59
The lands 6o of the substrate 10 have been observed in advance. Therefore, in order to align the bump B of the chip P with the land 60, XY';r-7'/I/13a and 13b are operated. Then, the cylinder 46 of the pressurizing device 45 is turned off,
The nozzle 32 is lowered by the spring force of the spring 50 and the tip P
Land on the board IO, and place micro bump B on land 6.
Push it to 0.

このランド60には、ボンド塗布ヘンド3の塗布ピン3
3により、予めボンド16が塗布されているが、上記の
ように加圧装置45によりチン7”Pを基板lOに押圧
することにより、マイクロバンプBをランド60にしっ
かり接触させる。
The application pin 3 of the bond application hand 3 is attached to this land 60.
3, the bond 16 is applied in advance, and the micro bumps B are brought into firm contact with the lands 60 by pressing the chins 7''P against the substrate IO using the pressure device 45 as described above.

次いでチェッカー42のプローブ43が、ランド60か
ら導出したリード部61の先端部の電極部62に接触し
く第3図参照)、チップPとランド60の間を専通する
電流を検出して、バンブBとランド60の接触状態の良
否を判別する。
Next, the probe 43 of the checker 42 comes into contact with the electrode portion 62 at the tip of the lead portion 61 led out from the land 60 (see FIG. 3), detects the current flowing exclusively between the chip P and the land 60, and connects the bump. It is determined whether the contact state between B and the land 60 is good or bad.

次いで判別結果が良であるならば、光照射装置40が作
動し、ボンド16に光を照射してボンド16を硬化させ
る。ボンド16は硬化収縮特性を有しており、したがっ
て硬化することにより、マイクロバンプBをランド60
にしっかりと接合させる。
Next, if the determination result is good, the light irradiation device 40 is activated to irradiate the bond 16 with light to harden the bond 16. The bond 16 has curing shrinkage characteristics, and therefore, by curing, the micro bump B is bonded to the land 60.
Connect firmly to the

ところで第4図に示すように、チップPI。By the way, as shown in FIG. 4, the chip PI.

P2.P3・・・を互いに近接させて横並びにボンディ
ングしていく場合、基板10に塗布されたボンド16す
べてに光が照射されて全範囲Llが硬化していると、チ
ップP2の側方にぼり出して硬化したボンド16aが邪
魔になって、次のチップP3を前のチップP2に近接さ
せてボンディングすることはできない。したがって光は
ボンド16のすべてに照射せずに、一部L2に照射し、
側方へぼり出した部分のボンドは硬化させないでおき、
次のチップP2を前のチップP1に近接させてボンディ
ングした後で、光を照射して硬化させる。なお光照射装
置40は、基板10の長さ方向に沿ってX方向に移動し
て、各チップPI、P2・・・のボンド16に光を照射
できるように、第2のXテーブル36により、Yテーブ
ル13b上を移動する。
P2. When bonding P3... close to each other side by side, if all the bonds 16 applied to the substrate 10 are irradiated with light and the entire area Ll is cured, the bond 16 will protrude to the side of the chip P2. The bond 16a that has been hardened by the above steps becomes an obstacle, and it is not possible to bond the next chip P3 close to the previous chip P2. Therefore, the light does not irradiate all of the bonds 16, but only partially irradiates L2,
Do not cure the part of the bond that protrudes to the side.
After the next chip P2 is brought close to the previous chip P1 and bonded, it is irradiated with light to be cured. The light irradiation device 40 moves in the X direction along the length direction of the substrate 10 and uses the second X table 36 to irradiate the bonds 16 of each chip PI, P2, . . . Move on the Y table 13b.

ところで、フリップチップPの寸法のばらつき等の為に
、チップPの上面が完全な水平面とならない場合があり
、その場合、ノズル32によりチップPを基板10に押
圧しにくい。そこで第5図に示すように、ノズルシャフ
ト64の途中に、弾性リングのような弾性材から成るば
らつき吸収手段63を介在させ、この弾性材63の弾性
により上記ばらつきを吸収すれば、チップPを確実に基
板10に押し付けることができる。
Incidentally, due to variations in dimensions of the flip chip P, the top surface of the chip P may not be a perfectly horizontal surface, and in that case, it is difficult to press the chip P against the substrate 10 with the nozzle 32. Therefore, as shown in FIG. 5, a variation absorbing means 63 made of an elastic material such as an elastic ring is interposed in the middle of the nozzle shaft 64, and if the above-mentioned variation is absorbed by the elasticity of the elastic material 63, the chips P can be reduced. It can be reliably pressed against the substrate 10.

(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、加圧装置によりフ
リップチップを押圧することにより、マイクロバンプを
基板のランドに確実に接触させることができ、またチェ
ッカーにより、マイクロバンプとランドの接触状態の良
否を判別したうえで、ボンドに光を照射して硬化させる
ようにしているので、歩留りを大巾に向上できる。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, by pressing the flip chip with the pressurizing device, it is possible to reliably bring the microbumps into contact with the lands of the substrate, and by using the checker, the microbumps can be brought into contact with the lands of the substrate. Since the bond is hardened by irradiating light after determining whether the contact state of the land is good or bad, the yield can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本発明の実施例を示すものであって、第1図はボン
ディング装置の正面図、第2図は加圧装置の正面図、第
3図は基板の平面図、第4を有するフリップチップのボ
ンディング図、第7図はマイクロバンプを有するフリッ
プチップのポンディング図である。 B・・・マイクロバンプ P・・・フリップチップ 1 ・ 2 ・ 0 1 2 3 4 6 3 1 2 0 2 3 5 サブ移載ヘッド 移載ヘッド ボンド塗布ヘッド ・基板 ・チップ供給部 ・位置ずれ補正ステージ ・位置決め部 ・ボンド供給部 ボンド ・上下反転装置 ・サブ移載ヘッドのノズル ・移載へ7ドのノズル ・光照射装置 ・チェッカー 、プローブ ・加圧装置
The figures show an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a front view of a bonding device, FIG. 2 is a front view of a pressurizing device, FIG. 3 is a plan view of a substrate, and a flip chip with a fourth FIG. 7 is a bonding diagram of a flip chip with micro bumps. B... Microbump P... Flip chip 1 ・ 2 ・ 0 1 2 3 4 6 3 1 2 0 2 3 5 Sub-transfer head Transfer head Bond coating head, substrate, chip supply section, positional deviation correction stage・Positioning unit ・Bond supply unit Bond ・Vertical reversal device ・Nozzle of sub-transfer head ・Nozzle of 7 to transfer ・Light irradiation device ・Checker, probe ・Pressure device

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)チップ供給部にマイクロバンプを表面側にして配
設されたフリップチップを吸着し、このフリップチップ
を上下反転させてマイクロバンプを下面側にする上下反
転装置と、上下反転されたフリップチップをノズルに吸
着してテイクアップし、位置ずれ補正ステージに移載す
るサブ移載ヘッドと、ボンド供給部に備えられた光硬化
性絶縁樹脂から成るボンドを、位置決め部に位置決めさ
れた基板のランドに塗布するボンド塗布ヘッドと、上記
ステージで位置ずれが補正されたフリップチップをノズ
ルに吸着してテイクアップし、このフリップチップのマ
イクロバンプを、上記ボンドが塗布された基板のランド
に合致させて移載する移載ヘッドと、この移載ヘッドの
ノズルに荷重を加えて、マイクロバンプをランドに押し
付ける加圧装置と、上記基板の下方から上記ボンドに光
を照射してこのボンドを硬化させる光照射装置とを備え
ていることを特徴とするフリップチップのボンディング
装置。
(1) A vertical inversion device that adsorbs a flip chip placed with the microbumps on the front side in a chip supply section and flips the flip chip upside down so that the microbumps are on the bottom side, and a flip chip that has been flipped upside down. A sub-transfer head that sucks the material into the nozzle, takes it up, and transfers it to the positional deviation correction stage, and a bond supplying section that transfers the bond made of photocurable insulating resin to the land of the board positioned in the positioning section. A bond application head is used to apply the bond, and the flip chip whose positional deviation has been corrected on the stage is adsorbed to the nozzle and taken up, and the micro bumps of this flip chip are aligned with the lands of the board on which the bond is applied. A transfer head for transferring, a pressure device that applies a load to the nozzle of this transfer head to press the microbumps onto the land, and a light that irradiates the bond from below the substrate to harden the bond. 1. A flip chip bonding device comprising: an irradiation device.
(2)チップ供給部にマイクロバンプを表面側にして配
設されたフリップチップを吸着し、このフリップチップ
を上下反転させてマイクロバンプを下面側にする上下反
転装置と、上下反転されたフリップチップをノズルに吸
着してテイクアップし、位置ずれ補正ステージ上に移載
するサブ移載ヘッドと、ボンド供給部に備えられた光硬
化性絶縁樹脂から成るボンドを、位置決め部に位置決め
された基板のランドに塗布するボンド塗布ヘッドと、上
記ステージで位置ずれが補正されたフリップチップをノ
ズルに吸着してテイクアップし、このフリップチップの
マイクロバンプを、上記ボンドが塗布された基板のラン
ドに合致させて移載する移載ヘッドと、上記ランドに接
続された電極部にプローブを接触させて、上記マイクロ
バンプとランドを導通する電流を検出することにより、
このマイクロバンプとランドの接触の良否を判別するチ
ェッカーと、この接触が良と判断された場合に、上記基
板の下方から上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬
化させる光照射装置とを備えていることを特徴とするフ
リップチップのボンディング装置。
(2) An up-and-down inversion device that adsorbs a flip chip placed with the microbumps on the front side in the chip supply section and inverts the flip chip upside down so that the microbumps are on the bottom side, and a flip chip that has been flipped upside down. A sub-transfer head that picks up the substrate by adsorbing it to a nozzle and transfers it onto the positional deviation correction stage, and a bond made of photocurable insulating resin provided in the bond supply section, which is attached to the substrate positioned in the positioning section. The bond application head that applies to the land and the flip chip whose positional deviation has been corrected on the stage described above are taken up by adsorption to the nozzle, and the micro bumps of this flip chip are aligned with the lands of the substrate on which the bond is applied. By bringing a probe into contact with the transfer head to be transferred and the electrode section connected to the land, and detecting the current flowing between the micro bump and the land,
It is equipped with a checker that determines whether the contact between the microbump and the land is good or not, and a light irradiation device that irradiates light onto the bond from below the substrate to harden the bond when the contact is judged to be good. A flip chip bonding device characterized by:
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