JPH0315847B2 - - Google Patents
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- JPH0315847B2 JPH0315847B2 JP57183574A JP18357482A JPH0315847B2 JP H0315847 B2 JPH0315847 B2 JP H0315847B2 JP 57183574 A JP57183574 A JP 57183574A JP 18357482 A JP18357482 A JP 18357482A JP H0315847 B2 JPH0315847 B2 JP H0315847B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 43
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はタイマ装置に係り、特に、ワンシヨ
ツトモノマルチバイブレータを用いたタイマ装置
の改良に関する。
ツトモノマルチバイブレータを用いたタイマ装置
の改良に関する。
第１図は従来のタイマ装置を示している。この
タイマ装置には、トリガパルスに基づいてスイツ
チング制御出力を発生するスイツチング制御回路
２と、このスイツチング制御回路２のスイツチン
グ制御出力でスイツチング状態を切り換えられる
スイツチング回路４と、このスイツチング回路４
により充放電が制御される時定数回路６と、この
時定数回路６の端子電圧と基準電圧とを比較して
その大小関係からスイツチング出力を発生しスイ
ツチング制御回路２に初期状態に復帰させるため
の制御入力を与える電圧比較回路８とが設置さ
れ、外部に接続された時定数回路６を除いて他の
回路は集積回路で構成されている。
タイマ装置には、トリガパルスに基づいてスイツ
チング制御出力を発生するスイツチング制御回路
２と、このスイツチング制御回路２のスイツチン
グ制御出力でスイツチング状態を切り換えられる
スイツチング回路４と、このスイツチング回路４
により充放電が制御される時定数回路６と、この
時定数回路６の端子電圧と基準電圧とを比較して
その大小関係からスイツチング出力を発生しスイ
ツチング制御回路２に初期状態に復帰させるため
の制御入力を与える電圧比較回路８とが設置さ
れ、外部に接続された時定数回路６を除いて他の
回路は集積回路で構成されている。
スイツチング制御回路２はフリツプフロツプ回
路１２，１４及びNANDゲート１６，１８，２
０，２２で構成され、フリツプフロツプ回路１２
はNANDゲート２４，２６、フリツプフロツプ
回路１４はNANDゲート２８，３０で構成され
ている。NANDゲート１６，１８，２２は共に
インバータとして使用され、入力端子３２にはス
イツチング入力としてのトリガパルスが与えられ
るように成つている。即ち、このスイツチング制
御回路２はトリガパルスに応動してスイツチング
制御出力を発生するとともに、前記電圧比較回路
８の出力に応動して初期状態に復期するように成
つている。
路１２，１４及びNANDゲート１６，１８，２
０，２２で構成され、フリツプフロツプ回路１２
はNANDゲート２４，２６、フリツプフロツプ
回路１４はNANDゲート２８，３０で構成され
ている。NANDゲート１６，１８，２２は共に
インバータとして使用され、入力端子３２にはス
イツチング入力としてのトリガパルスが与えられ
るように成つている。即ち、このスイツチング制
御回路２はトリガパルスに応動してスイツチング
制御出力を発生するとともに、前記電圧比較回路
８の出力に応動して初期状態に復期するように成
つている。
スイツチング回路４は時定数回路６の充放電を
制御するための制御端子３４と基準電位点端子３
６との間に抵抗３８及びスイツチング素子として
のトランジスタ４０を直列に挿入して構成されて
いる。トランジスタ４０のベースには前記
NANDゲート２２が発生するスイツチング制御
パルスが与えられるとともに、抵抗４２を介して
形成された電圧印加端子４４には安定化電圧
Vregが印加される。
制御するための制御端子３４と基準電位点端子３
６との間に抵抗３８及びスイツチング素子として
のトランジスタ４０を直列に挿入して構成されて
いる。トランジスタ４０のベースには前記
NANDゲート２２が発生するスイツチング制御
パルスが与えられるとともに、抵抗４２を介して
形成された電圧印加端子４４には安定化電圧
Vregが印加される。
時定数回路６は駆動電圧Vccを印加する電圧印
加端子４６と制御端子３４との間に挿入された抵
抗４８と、制御端子３４と基準電位点端子３６と
の間に挿入されたコンデンサ５０とで構成されて
いる。即ち、コンデンサ５０はトランジスタ４０
が不導通状態にあるとき、抵抗４８を介して印加
される駆動電圧Vccで充電され、この充電電圧は
トランジスタ４０が導通状態にされたとき、放電
状態に制御されるように成つている。
加端子４６と制御端子３４との間に挿入された抵
抗４８と、制御端子３４と基準電位点端子３６と
の間に挿入されたコンデンサ５０とで構成されて
いる。即ち、コンデンサ５０はトランジスタ４０
が不導通状態にあるとき、抵抗４８を介して印加
される駆動電圧Vccで充電され、この充電電圧は
トランジスタ４０が導通状態にされたとき、放電
状態に制御されるように成つている。
また、電圧比較回路８はトランジスタ５２，５
４，５６，５８，６０及び抵抗６２，６４，６
６，６８で構成されている。トランジスタ５２の
ベースには制御端子３４からコンデンサ５０の端
子電圧が印加され、一方、トランジスタ５４のベ
ースには電圧印加端子４６と基準電位点との間に
は接続された抵抗６４，６６から成る分圧回路で
基準電圧が設定されている。即ちトランジスタ５
２，５４は、ベースに印加される基準電圧と、コ
ンデンサ５０の端子電圧の比較に基づき、その大
小関係でスイツチング動作をする。そして、トラ
ンジスタ５４のコレクタと電圧印加端子４６との
間には、ベース・コレクタ間が共通に接続された
トランジスタ５６が挿入され、トランジスタ５４
の動作はトランジスタ５６を介してトランジスタ
５８に与えられ、このトランジスタ５８のコレク
タにベースが接続されたトランジスタ６０のコレ
クタから電圧比較回路８の出力が取り出されるよ
うに成つている。
４，５６，５８，６０及び抵抗６２，６４，６
６，６８で構成されている。トランジスタ５２の
ベースには制御端子３４からコンデンサ５０の端
子電圧が印加され、一方、トランジスタ５４のベ
ースには電圧印加端子４６と基準電位点との間に
は接続された抵抗６４，６６から成る分圧回路で
基準電圧が設定されている。即ちトランジスタ５
２，５４は、ベースに印加される基準電圧と、コ
ンデンサ５０の端子電圧の比較に基づき、その大
小関係でスイツチング動作をする。そして、トラ
ンジスタ５４のコレクタと電圧印加端子４６との
間には、ベース・コレクタ間が共通に接続された
トランジスタ５６が挿入され、トランジスタ５４
の動作はトランジスタ５６を介してトランジスタ
５８に与えられ、このトランジスタ５８のコレク
タにベースが接続されたトランジスタ６０のコレ
クタから電圧比較回路８の出力が取り出されるよ
うに成つている。
第２図はこのタイマ装置の動作タイミングを示
し、矢印はそのタイミングを示している。即ち、
Ａに示すトリガパルスA1が入力端子３２に与え
られると、その前縁に同期してNANDゲート１
６の出力はＢに示すように高（Ｈ）レベル、
NANDゲート２０の出力はＦに示すように低
（Ｌ）レベル、NANDゲート３０の出力はＨに示
すようにタイマ出力としてＨレベル、NANDゲ
ート２２の出力はＩに示すようにスイツチング制
御出力としてのＬレベルと成る。この結果、トラ
ンジスタ４０は不導通状態になり、コンデンサ５
０は充電状態に置かれる。コンデンサ５０は第２
図ＬのL1に示すように充電され、その端子電圧
は上昇して行くことになる。なお、この場合、
NANDゲート３０の出力に同期してNANDゲー
ト２８の出力はＨレベルに移行するとともに、
NANDゲート２６の出力もＨレベルに移行する。
また、このNANDゲート２６の出力に同期して
NANDゲート２４の出力はＬレベルに移行する
が、トリガパルスA1の後縁に同期してNANDゲ
ート１６の出力がＬレベルに移行するため、これ
に同期してNANDゲート２４の出力はＬレベル
に移行する。
し、矢印はそのタイミングを示している。即ち、
Ａに示すトリガパルスA1が入力端子３２に与え
られると、その前縁に同期してNANDゲート１
６の出力はＢに示すように高（Ｈ）レベル、
NANDゲート２０の出力はＦに示すように低
（Ｌ）レベル、NANDゲート３０の出力はＨに示
すようにタイマ出力としてＨレベル、NANDゲ
ート２２の出力はＩに示すようにスイツチング制
御出力としてのＬレベルと成る。この結果、トラ
ンジスタ４０は不導通状態になり、コンデンサ５
０は充電状態に置かれる。コンデンサ５０は第２
図ＬのL1に示すように充電され、その端子電圧
は上昇して行くことになる。なお、この場合、
NANDゲート３０の出力に同期してNANDゲー
ト２８の出力はＨレベルに移行するとともに、
NANDゲート２６の出力もＨレベルに移行する。
また、このNANDゲート２６の出力に同期して
NANDゲート２４の出力はＬレベルに移行する
が、トリガパルスA1の後縁に同期してNANDゲ
ート１６の出力がＬレベルに移行するため、これ
に同期してNANDゲート２４の出力はＬレベル
に移行する。
そして、コンデンサ５０の端子電圧が電圧比較
回路８の基準電圧レベルを越えると、トランジス
タ５２，５４の動作が反転し、この動作はトラン
ジスタ５６，５８に伝達され、トランジスタ６０
のコレクタ電位はＫに示すようにＨレベルとな
る。このトランジスタ６０のスイツチングによつ
て、NANDゲート１８の出力はＥに示すように
Ｌレベルに移行し、NANDゲート２８の出力は
Ｈレベルとなり、NANDゲート３０の出力はＬ
レベルに移行することになる。この結果、
NANDゲート２２の出力はＨレベルに移行し、
トランジスタ４０は導通状態になる。このため、
コンデンサ５０は抵抗３８及びトランジスタ４０
を介して放電状態に置かれ、第２図ＬのL2に示
すように放電されることになる。また、コンデン
サ５０の端子電圧が電圧比較回路８の基準電圧レ
ベルより低下すると、トランジスタ５２，５４の
動作が反転し、これに同期してトランジスタ５０
のコレクタ電位はＫに示すようにＬレベルに移行
し、NANDゲート１８の出力はＨレベルとなる。
回路８の基準電圧レベルを越えると、トランジス
タ５２，５４の動作が反転し、この動作はトラン
ジスタ５６，５８に伝達され、トランジスタ６０
のコレクタ電位はＫに示すようにＨレベルとな
る。このトランジスタ６０のスイツチングによつ
て、NANDゲート１８の出力はＥに示すように
Ｌレベルに移行し、NANDゲート２８の出力は
Ｈレベルとなり、NANDゲート３０の出力はＬ
レベルに移行することになる。この結果、
NANDゲート２２の出力はＨレベルに移行し、
トランジスタ４０は導通状態になる。このため、
コンデンサ５０は抵抗３８及びトランジスタ４０
を介して放電状態に置かれ、第２図ＬのL2に示
すように放電されることになる。また、コンデン
サ５０の端子電圧が電圧比較回路８の基準電圧レ
ベルより低下すると、トランジスタ５２，５４の
動作が反転し、これに同期してトランジスタ５０
のコレクタ電位はＫに示すようにＬレベルに移行
し、NANDゲート１８の出力はＨレベルとなる。
ここで、コンデンサ５０が放電途上になる場合
において、入力端子３２にトリガパルスA2が与
えられると、トリガパルスA1の前縁部分と同様
の動作で、トランジスタ４０が不導通状態になる
ため、第２図ＬのL2の途上から充電されること
になる。この結果、コンデンサ５０の端子電圧が
電圧比較回路８の基準電圧レベルに到達する時間
が速くなり、NANDゲート３０から得られるタ
イマ出力は、正規のトリガパルスA1の場合に比
較して短い時間間隔Ｔ（＜To）と成る。
において、入力端子３２にトリガパルスA2が与
えられると、トリガパルスA1の前縁部分と同様
の動作で、トランジスタ４０が不導通状態になる
ため、第２図ＬのL2の途上から充電されること
になる。この結果、コンデンサ５０の端子電圧が
電圧比較回路８の基準電圧レベルに到達する時間
が速くなり、NANDゲート３０から得られるタ
イマ出力は、正規のトリガパルスA1の場合に比
較して短い時間間隔Ｔ（＜To）と成る。
このようなタイマ装置は、何等かの原因でトリ
ガパルスの間隔が乱れた場合、正確なタイマ出力
を得ることができないこととなり、極めて不都合
である。
ガパルスの間隔が乱れた場合、正確なタイマ出力
を得ることができないこととなり、極めて不都合
である。
そこで、この発明は、トリガパルスの間隔が乱
れても常に正確なタイマ出力が得られるタイマ装
置の提供を目的とする。
れても常に正確なタイマ出力が得られるタイマ装
置の提供を目的とする。
即ち、この発明のタイマ装置は、電源に抵抗４
８を介してコンデンサ５０を接続してなる時定数
回路６と、この時定数回路の前記コンデンサの端
子電圧と上限基準電圧（上限基準電圧レベルVa）
又は下限基準電圧（下限基準電圧レベルVb）と
を比較し、両者の大小関係に応じた出力を発生す
る電圧比較回路８と、前記コンデンサの端子電圧
が前記上限基準電圧に到達したとき、前記電圧比
較回路が発生した前記出力により前記上限基準電
圧を前記下限基準電圧に変更し、前記コンデンサ
の端子電圧が前記下限基準電圧に降下したとき、
前記電圧比較回路が発生した前記出力により前記
下限基準電圧を前記上限基準電圧に変更するヒス
テリシス回路７０と、前記コンデンサの端子電圧
が前記上限基準電圧に移行するまでの間、前記コ
ンデンサを充電状態にし、又は前記コンデンサの
端子電圧が前記下限基準電圧に移行するまでの
間、前記コンデンサを放電状態にするスイツチン
グ回路４と、トリガパルスに応じた出力を発生し
て前記スイツチング回路をスイツチングさせると
ともに、前記スイツチング回路のスイツチングに
より前記コンデンサが放電途上にあるとき、前記
電圧比較回路から得られる前記出力を以て前記ト
リガパルスの入力を禁止する禁止回路７２により
前記スイツチング回路を放電状態に維持させるス
イツチング制御回路２とを備えたものである。
８を介してコンデンサ５０を接続してなる時定数
回路６と、この時定数回路の前記コンデンサの端
子電圧と上限基準電圧（上限基準電圧レベルVa）
又は下限基準電圧（下限基準電圧レベルVb）と
を比較し、両者の大小関係に応じた出力を発生す
る電圧比較回路８と、前記コンデンサの端子電圧
が前記上限基準電圧に到達したとき、前記電圧比
較回路が発生した前記出力により前記上限基準電
圧を前記下限基準電圧に変更し、前記コンデンサ
の端子電圧が前記下限基準電圧に降下したとき、
前記電圧比較回路が発生した前記出力により前記
下限基準電圧を前記上限基準電圧に変更するヒス
テリシス回路７０と、前記コンデンサの端子電圧
が前記上限基準電圧に移行するまでの間、前記コ
ンデンサを充電状態にし、又は前記コンデンサの
端子電圧が前記下限基準電圧に移行するまでの
間、前記コンデンサを放電状態にするスイツチン
グ回路４と、トリガパルスに応じた出力を発生し
て前記スイツチング回路をスイツチングさせると
ともに、前記スイツチング回路のスイツチングに
より前記コンデンサが放電途上にあるとき、前記
電圧比較回路から得られる前記出力を以て前記ト
リガパルスの入力を禁止する禁止回路７２により
前記スイツチング回路を放電状態に維持させるス
イツチング制御回路２とを備えたものである。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。第３図はこの発明のタイマ装
置の実施例を示し、第１図に示すタイマ装置と同
一部分には同一符号が付してある。図において、
この実施例のタイマ装置には、電圧比較回路８に
ヒステリシス回路７０が付加されるとともに、ス
イツチング制御回路２にはヒステリシス回路７０
の動作に応動してトリガパルスの入力を禁止する
禁止回路７２が付加されている。即ち、電圧比較
回路８の非反転入力端子（＋）には抵抗７４，７
６，７８で基準電圧が設定され、抵抗７８の端子
間にスイツチング素子としてのトランジスタ８０
のコレクタ及びエミッタが基準電位点側をエミッ
タにして接続されている。このトランジスタ８０
のベースには、電圧比較回路８の出力がNAND
ゲート８２で構成されるインバータを介して入力
されている。
て詳細に説明する。第３図はこの発明のタイマ装
置の実施例を示し、第１図に示すタイマ装置と同
一部分には同一符号が付してある。図において、
この実施例のタイマ装置には、電圧比較回路８に
ヒステリシス回路７０が付加されるとともに、ス
イツチング制御回路２にはヒステリシス回路７０
の動作に応動してトリガパルスの入力を禁止する
禁止回路７２が付加されている。即ち、電圧比較
回路８の非反転入力端子（＋）には抵抗７４，７
６，７８で基準電圧が設定され、抵抗７８の端子
間にスイツチング素子としてのトランジスタ８０
のコレクタ及びエミッタが基準電位点側をエミッ
タにして接続されている。このトランジスタ８０
のベースには、電圧比較回路８の出力がNAND
ゲート８２で構成されるインバータを介して入力
されている。
また、このヒステリシス回路７０が動作してい
るとき、スイツチング制御回路２に対してトリガ
パルスの入力を禁止するための禁止回路７２は、
NANDゲート１６，８２の出力の論理積を得る
ANDゲート８４をフリツプフロツプ回路１２の
リセツト入力部に付加するとともに、NANDゲ
ート８２の出力をNANDゲート２０に付与して
構成されている。
るとき、スイツチング制御回路２に対してトリガ
パルスの入力を禁止するための禁止回路７２は、
NANDゲート１６，８２の出力の論理積を得る
ANDゲート８４をフリツプフロツプ回路１２の
リセツト入力部に付加するとともに、NANDゲ
ート８２の出力をNANDゲート２０に付与して
構成されている。
このような構成によれば、コンデンサ５０の端
子電圧が電圧比較回路８に抵抗７４，７６，７８
の分圧回路で設定されている上限基準電圧レベル
Vaを越えると、電圧比較回路８の出力はＬレベ
ルとなり、この出力はNANDゲート８２を介し
てトランジスタ８０のベースに印加されるため、
トランジスタ８０が導通状態に成る。この結果、
抵抗７８はトランジスタ８０を介して短絡状態に
置かれ、電圧比較回路８の非反転入力端子（＋）
には、抵抗７４，７６で設定される低い下限基準
電圧レベルVbが設定され、コンデンサ５０の端
子電圧がこの下限基準電圧レベルVbより低下す
るまでの期間、電圧比較回路８の出力はＬレベル
となる。即ち、電圧比較回路８には、ヒステリシ
ス特性が付与されることになる。
子電圧が電圧比較回路８に抵抗７４，７６，７８
の分圧回路で設定されている上限基準電圧レベル
Vaを越えると、電圧比較回路８の出力はＬレベ
ルとなり、この出力はNANDゲート８２を介し
てトランジスタ８０のベースに印加されるため、
トランジスタ８０が導通状態に成る。この結果、
抵抗７８はトランジスタ８０を介して短絡状態に
置かれ、電圧比較回路８の非反転入力端子（＋）
には、抵抗７４，７６で設定される低い下限基準
電圧レベルVbが設定され、コンデンサ５０の端
子電圧がこの下限基準電圧レベルVbより低下す
るまでの期間、電圧比較回路８の出力はＬレベル
となる。即ち、電圧比較回路８には、ヒステリシ
ス特性が付与されることになる。
また、スイツチング制御回路２のフリツプフロ
ツプ回路１２には、NANDゲート８２の出力に
応動して禁止回路７２が動作する。即ち、
NANDゲート８２の出力はANDゲート８４に与
えられてフリツプフロツプ回路１２はリセツト状
態に置かれ、コンデンサ５０が前記下限基準電圧
レベルVbより低下するまでの期間、NANDゲー
ト２０は入力端子３２に与えられるトリガパルス
の通過を禁止する。
ツプ回路１２には、NANDゲート８２の出力に
応動して禁止回路７２が動作する。即ち、
NANDゲート８２の出力はANDゲート８４に与
えられてフリツプフロツプ回路１２はリセツト状
態に置かれ、コンデンサ５０が前記下限基準電圧
レベルVbより低下するまでの期間、NANDゲー
ト２０は入力端子３２に与えられるトリガパルス
の通過を禁止する。
この結果、トリガパルスが不規側にコンデンサ
50の放電途上に入力されても、タイマ装置は常に
正確なタイマ出力を発生し、精度の高いタイマ機
能を維持することができる。
50の放電途上に入力されても、タイマ装置は常に
正確なタイマ出力を発生し、精度の高いタイマ機
能を維持することができる。
第４図はこの発明のタイマ装置の具体的な実施
例を示している。図において、第１図に示すタイ
マ装置又は前記実施例のタイマ装置と同一部分に
は同一符号が付してある。即ち、ヒステリシス回
路７０は電圧比較回路８の内部に構成され、トラ
ンジスタ８０のベースはインバータを構成するト
ランジスタ５８のコレクタに接続されるととも
に、このトランジスタ５８のコレクタとトランジ
スタ６０のベースとの間には抵抗８８が挿入され
ている。
例を示している。図において、第１図に示すタイ
マ装置又は前記実施例のタイマ装置と同一部分に
は同一符号が付してある。即ち、ヒステリシス回
路７０は電圧比較回路８の内部に構成され、トラ
ンジスタ８０のベースはインバータを構成するト
ランジスタ５８のコレクタに接続されるととも
に、このトランジスタ５８のコレクタとトランジ
スタ６０のベースとの間には抵抗８８が挿入され
ている。
また、スイツチング制御回路２に付加される禁
止回路７２は、スイツチング制御回路２の論理回
路で構成されている。即ち、前記実施例の
NANDゲート８２はNANDゲート１８′で構成
され、NANDゲート１８′の出力をNANDゲー
ト２６′に与えるとともに、NANDゲート２０′
にも与えることでトリガパルスの入力禁止機能を
得ている。
止回路７２は、スイツチング制御回路２の論理回
路で構成されている。即ち、前記実施例の
NANDゲート８２はNANDゲート１８′で構成
され、NANDゲート１８′の出力をNANDゲー
ト２６′に与えるとともに、NANDゲート２０′
にも与えることでトリガパルスの入力禁止機能を
得ている。
このような構成において、その動作を第５図を
参照して説明する。第２図に示す動作タイミング
との比較から明らかなように、トリガパルスA1
に対するコンデンサ５０の充電までは第１図に示
すタイマ装置と同様の動作である。
参照して説明する。第２図に示す動作タイミング
との比較から明らかなように、トリガパルスA1
に対するコンデンサ５０の充電までは第１図に示
すタイマ装置と同様の動作である。
Ｌに示すようにコンデンサ５０が電圧比較回路
８の上限基準電圧レベルVaに到達すると、トラ
ンジスタ５２，５４の動作が反転し、トランジス
タ６０のコレクタ電位はＨレベルに移行し、
NANDゲート１８′の出力はＥに示すようにＬレ
ベルに移行する。これに同期してNANDゲート
２８の出力はＧに示すようにＨレベル、NAND
ゲート３０の出力はＨに示すようにＬレベルに移
行し、NANDゲート２２の出力はＩに示すよう
にＨレベルになり、トランジスタ４０はＪに示す
ように導通状態になる。この結果、コンデンサ５
０は抵抗３８及びトランジスタ４０を介して放電
状態に置かれる。
８の上限基準電圧レベルVaに到達すると、トラ
ンジスタ５２，５４の動作が反転し、トランジス
タ６０のコレクタ電位はＨレベルに移行し、
NANDゲート１８′の出力はＥに示すようにＬレ
ベルに移行する。これに同期してNANDゲート
２８の出力はＧに示すようにＨレベル、NAND
ゲート３０の出力はＨに示すようにＬレベルに移
行し、NANDゲート２２の出力はＩに示すよう
にＨレベルになり、トランジスタ４０はＪに示す
ように導通状態になる。この結果、コンデンサ５
０は抵抗３８及びトランジスタ４０を介して放電
状態に置かれる。
このとき、Ｄに示すように、NANDゲート２
８の出力がＧに示すようにＨレベルに移行し、且
つ、NANDゲート１８′出力がＥに示すようにＬ
レベルに移行しても、NANDゲート２６′の出力
はＤに示すようにＨレベルに成る。
８の出力がＧに示すようにＨレベルに移行し、且
つ、NANDゲート１８′出力がＥに示すようにＬ
レベルに移行しても、NANDゲート２６′の出力
はＤに示すようにＨレベルに成る。
また、電圧比較回路８のトランジスタ５２，５
４は動作で、トランジスタ８０が導通状態にな
り、基準電圧は下限基準電圧Vbに変更されるた
め、トランジスタ６０の出力レベルは、Ｋに示す
ように、ヒステリシス期間中Ｈレベルとなり、コ
ンデンサ５０の端子電圧が下限基準電圧レベル
Vbより低下することにより、トランジスタ６０
のコンデンサ電位はＬレベルに移行する。これに
応動してNANDゲート１８′の出力はＥに示すよ
うにＨレベルに移行し、NANDゲート２６′の出
力はＬレベルに移行する。即ち、コンデンサ５０
の端子電圧が下限基準電圧レベルVbより低下し
ていない期間は、トリガパルスの入力を禁止する
区間になり、トリガパルスA2が与えられても、
NANDゲート２０，２４は禁止状態を維持し、
不規則なトリガパルスが到来してもタイマ動作は
生じない。この結果、誤動作が防止され、トリガ
パルスの時間間隔が乱れても、正確なタイマ出力
をNANDゲート３０から得ることができる。
４は動作で、トランジスタ８０が導通状態にな
り、基準電圧は下限基準電圧Vbに変更されるた
め、トランジスタ６０の出力レベルは、Ｋに示す
ように、ヒステリシス期間中Ｈレベルとなり、コ
ンデンサ５０の端子電圧が下限基準電圧レベル
Vbより低下することにより、トランジスタ６０
のコンデンサ電位はＬレベルに移行する。これに
応動してNANDゲート１８′の出力はＥに示すよ
うにＨレベルに移行し、NANDゲート２６′の出
力はＬレベルに移行する。即ち、コンデンサ５０
の端子電圧が下限基準電圧レベルVbより低下し
ていない期間は、トリガパルスの入力を禁止する
区間になり、トリガパルスA2が与えられても、
NANDゲート２０，２４は禁止状態を維持し、
不規則なトリガパルスが到来してもタイマ動作は
生じない。この結果、誤動作が防止され、トリガ
パルスの時間間隔が乱れても、正確なタイマ出力
をNANDゲート３０から得ることができる。
以上説明したように、この発明によれば、正規
のトリガパルスに応動して時定数回路のコンデン
サの充放電を行い、その放電中にトリガパルスが
到来した場合にその入力を禁止してその放電を維
持するので、トリガパルスの間隔が乱れて不適正
なトリガパルスが到来しても、その不適正なトリ
ガパルスに影響を受けることなく、正確なタイミ
ングでタイマ出力を形成することができる。
のトリガパルスに応動して時定数回路のコンデン
サの充放電を行い、その放電中にトリガパルスが
到来した場合にその入力を禁止してその放電を維
持するので、トリガパルスの間隔が乱れて不適正
なトリガパルスが到来しても、その不適正なトリ
ガパルスに影響を受けることなく、正確なタイミ
ングでタイマ出力を形成することができる。
第１図は従来のタイマ装置を示す回路図、第２
図はその動作タイミングを示す説明図、第３図は
この発明のタイマ装置の実施例を示すブロツク
図、第４図はこの発明のタイマ装置の実施例を示
す回路図、第５図はその動作タイミングを示す説
明図である。 ２……スイツチング制御回路、４……スイツチ
ング回路、６……時定数回路、８……電圧比較回
路、４８……抵抗、５０……コンデンサ、７０…
…ヒステリシス回路、７２……禁止回路。
図はその動作タイミングを示す説明図、第３図は
この発明のタイマ装置の実施例を示すブロツク
図、第４図はこの発明のタイマ装置の実施例を示
す回路図、第５図はその動作タイミングを示す説
明図である。 ２……スイツチング制御回路、４……スイツチ
ング回路、６……時定数回路、８……電圧比較回
路、４８……抵抗、５０……コンデンサ、７０…
…ヒステリシス回路、７２……禁止回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電源に抵抗を介してコンデンサを接続してな
る時定数回路と、 この時定数回路の前記コンデンサの端子電圧と
上限基準電圧又は下限基準電圧とを比較し、両者
の大小関係に応じた出力を発生する電圧比較回路
と、 前記コンデンサの端子電圧が前記上限基準電圧
に到達したとき、前記電圧比較回路が発生した前
記出力により前記上限基準電圧を前記下限基準電
圧に変更し、前記コンデンサの端子電圧が前記下
限基準電圧に降下したとき、前記電圧比較回路が
発生した前記出力により前記下限基準電圧を前記
上限基準電圧に変更するヒステリシス回路と、 前記コンデンサの端子電圧が前記上限基準電圧
に移行するまでの間、前記コンデンサを充電状態
にし、又は前記コンデンサの端子電圧が前記下限
基準電圧に移行するまでの間、前記コンデンサを
放電状態にするスイツチング回路と、 トリガパルスに応じた出力を発生して前記スイ
ツチング回路をスイツチングさせるとともに、前
記スイツチング回路のスイツチングにより前記コ
ンデンサが放電途上にあるとき、前記電圧比較回
路か得られる前記出力を以て前記トリガパルスの
入力を禁止する禁止回路により前記スイツチング
回路を放電状態に維持させるスイツチング制御回
路と、 を備えたことを特徴とするタイマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18357482A JPS5972821A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | タイマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18357482A JPS5972821A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | タイマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972821A JPS5972821A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0315847B2 true JPH0315847B2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16138187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18357482A Granted JPS5972821A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | タイマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972821A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50106554A (ja) * | 1974-01-29 | 1975-08-22 | ||
| JPS50126368A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-04 | ||
| JPS52136555A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | Timer |
| JPS5311947B2 (ja) * | 1973-08-04 | 1978-04-25 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311947U (ja) * | 1976-07-13 | 1978-01-31 |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP18357482A patent/JPS5972821A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311947B2 (ja) * | 1973-08-04 | 1978-04-25 | ||
| JPS50106554A (ja) * | 1974-01-29 | 1975-08-22 | ||
| JPS50126368A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-04 | ||
| JPS52136555A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | Timer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5972821A (ja) | 1984-04-24 |
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