JPH03154213A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH03154213A JPH03154213A JP29423389A JP29423389A JPH03154213A JP H03154213 A JPH03154213 A JP H03154213A JP 29423389 A JP29423389 A JP 29423389A JP 29423389 A JP29423389 A JP 29423389A JP H03154213 A JPH03154213 A JP H03154213A
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Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、導体コイ
ル膜形成工程において、下地導体膜の表面に感光性レジ
スト膜を塗布した後、感光性レジスト膜の表面にコント
ラスト増強膜を付与し、感光性レジスト膜をコントラス
ト増強膜を通して露光することにより、導体コイル膜パ
ターンの解像力を上げ、垂直性を向上させ、ターン数を
増大できるようにすると共に、フォーカスマージンを上
げることができるようにしたものである。
ル膜形成工程において、下地導体膜の表面に感光性レジ
スト膜を塗布した後、感光性レジスト膜の表面にコント
ラスト増強膜を付与し、感光性レジスト膜をコントラス
ト増強膜を通して露光することにより、導体コイル膜パ
ターンの解像力を上げ、垂直性を向上させ、ターン数を
増大できるようにすると共に、フォーカスマージンを上
げることができるようにしたものである。
〈従来の技術〉
この種の薄膜磁気ヘッドは、例えば特開昭60−353
17号公報及び特開昭55−84019号公報で知られ
ている。薄膜磁気ヘッドは、IC製造プロセスと同様の
フォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術
によって製造される、各製造プロセスのうち、導体コイ
ル膜製造プロセスは、基体の上に磁性膜、ギャップ膜及
び有機絶縁膜等を積層した後、絶縁膜の表面に下地導体
膜を付着させる。下地導体膜の表面に感光性レジスト膜
を塗布した後、感光性レジスト膜の上にコイルパターン
を有するフォトマスクを位置決めし、露光し、現像する
。現像によりレジスト膜の除去された部分に、Cu等の
導体メッキ膜を付着させる。これにより、メッキ膜によ
る導体コイル膜が形成される。
17号公報及び特開昭55−84019号公報で知られ
ている。薄膜磁気ヘッドは、IC製造プロセスと同様の
フォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術
によって製造される、各製造プロセスのうち、導体コイ
ル膜製造プロセスは、基体の上に磁性膜、ギャップ膜及
び有機絶縁膜等を積層した後、絶縁膜の表面に下地導体
膜を付着させる。下地導体膜の表面に感光性レジスト膜
を塗布した後、感光性レジスト膜の上にコイルパターン
を有するフォトマスクを位置決めし、露光し、現像する
。現像によりレジスト膜の除去された部分に、Cu等の
導体メッキ膜を付着させる。これにより、メッキ膜によ
る導体コイル膜が形成される。
上述のようにして、導体コイルパターンを形成した後、
レジスト膜を剥離し、剥離されたレジスト膜の下にある
下地導体膜を、イオンミーリング等で除去し、CUメッ
キ膜による導体コイルパターンに従ってパターン化する
。
レジスト膜を剥離し、剥離されたレジスト膜の下にある
下地導体膜を、イオンミーリング等で除去し、CUメッ
キ膜による導体コイルパターンに従ってパターン化する
。
上述の工程を繰返し、絶縁膜、導体コイル膜を積層し、
更に絶縁膜の表面に磁性膜を形成し、その上から保護膜
をスパッタリング等の手段によって付着させる。
更に絶縁膜の表面に磁性膜を形成し、その上から保護膜
をスパッタリング等の手段によって付着させる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述の従来工程には、次のような問題点
がある。
がある。
まず、感光性レジスト膜にフォトマスクを当てて露光す
る場合、両者の表面性、凹凸または歪等の影響により、
感光性レジスト膜に対するフォトマスクの相対位置関係
が変動し、解像力の向上に限界を生じる。
る場合、両者の表面性、凹凸または歪等の影響により、
感光性レジスト膜に対するフォトマスクの相対位置関係
が変動し、解像力の向上に限界を生じる。
また、現像後のレジストフレーム間に付着される導体メ
ッキ膜の断面形状は、フォトリソグラフィ工程における
光の回折等の影響を受けて、上述した特開昭60−35
317号公報及び特開昭55−84019号公報の図面
に示されている如く、下辺で狭く上辺で広い逆台形状と
なる。この導体コイル膜の断面逆台形状は、製造プロセ
スからくる不可避の形状であり、導体コイル膜の垂直性
が悪くなる0次にこの点について、第5図を参照して説
明する。
ッキ膜の断面形状は、フォトリソグラフィ工程における
光の回折等の影響を受けて、上述した特開昭60−35
317号公報及び特開昭55−84019号公報の図面
に示されている如く、下辺で狭く上辺で広い逆台形状と
なる。この導体コイル膜の断面逆台形状は、製造プロセ
スからくる不可避の形状であり、導体コイル膜の垂直性
が悪くなる0次にこの点について、第5図を参照して説
明する。
第5図(a)に示すように、感光性レジスト膜Aの上に
フォトマスクBを配置して露光した場合、フォトマスク
Bのコイルパターンを通過する光PIの他に、これより
も光強度の弱い回折光P2が存在する。この回折光P1
のために、感光レジスト膜Aの上層部が所定のコイルパ
ターン間隔d、よりも広い露光幅d、で露光される。こ
のため、第5図(b)に示すように、現像して得られた
感光レジスト膜Aが上辺で狭い間隔d3を有し、下辺で
広い間隔d4を有する台形状となる。
フォトマスクBを配置して露光した場合、フォトマスク
Bのコイルパターンを通過する光PIの他に、これより
も光強度の弱い回折光P2が存在する。この回折光P1
のために、感光レジスト膜Aの上層部が所定のコイルパ
ターン間隔d、よりも広い露光幅d、で露光される。こ
のため、第5図(b)に示すように、現像して得られた
感光レジスト膜Aが上辺で狭い間隔d3を有し、下辺で
広い間隔d4を有する台形状となる。
従って、感光性レジスト膜A−A間に付着される導体コ
イル!liDは、第5図(b)及び(c)に示すように
、下辺の幅dsが上辺の幅d6よりも狭い断面逆台形状
となる。Eは支持体である。
イル!liDは、第5図(b)及び(c)に示すように
、下辺の幅dsが上辺の幅d6よりも狭い断面逆台形状
となる。Eは支持体である。
薄膜磁気ヘッドでは、高密度記録対応のために、磁極の
トラック対応幅が小さくなる傾向にありそのために読出
し電圧が低下する、それを補うために導体コイル膜のタ
ーン数を増大させて、読出し電圧を大きくしなければな
らない。導体コイル膜のターン数を上げるには、導体コ
イル膜間の間隔を縮小しなければならない。しかし、従
来の製造方法では、解像力の限界と、導体コイル膜の垂
直性の悪さから、導体コイル膜のターン数増大に限界を
生じる。
トラック対応幅が小さくなる傾向にありそのために読出
し電圧が低下する、それを補うために導体コイル膜のタ
ーン数を増大させて、読出し電圧を大きくしなければな
らない。導体コイル膜のターン数を上げるには、導体コ
イル膜間の間隔を縮小しなければならない。しかし、従
来の製造方法では、解像力の限界と、導体コイル膜の垂
直性の悪さから、導体コイル膜のターン数増大に限界を
生じる。
更に、薄膜磁気ヘッドは、磁性膜や絶縁膜等を積層した
上に導体コイル膜を形成しなければならないので、導体
コイル膜の形成面が凹凸面となる。この凹凸による段差
の影響を受けて、現像後の感光性レジスト膜の幅が凹部
及び凸部間で変動し、所定の断面積を有する導体コイル
膜が得られなくなる。これを補うためには、フォトリソ
グラフィ工程におけるフォーカスマージンを小さくせざ
るを得ないという工程の困難性を招く。
上に導体コイル膜を形成しなければならないので、導体
コイル膜の形成面が凹凸面となる。この凹凸による段差
の影響を受けて、現像後の感光性レジスト膜の幅が凹部
及び凸部間で変動し、所定の断面積を有する導体コイル
膜が得られなくなる。これを補うためには、フォトリソ
グラフィ工程におけるフォーカスマージンを小さくせざ
るを得ないという工程の困難性を招く。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、高度の解像力と垂直性が得られ、導体コイル膜のタ
ーン数増大に有効であり、しかも、フォーカスマージン
を大きくできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とである。
し、高度の解像力と垂直性が得られ、導体コイル膜のタ
ーン数増大に有効であり、しかも、フォーカスマージン
を大きくできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とである。
〈課題を解決するための手段〉
上述する課題解決のため、本発明は、基体の上に少なく
とも磁性膜及び絶縁膜を積層して形成した後、前記絶縁
膜の表面に導体コイル膜を形成する薄@6T1気ヘッド
の製造方法であって、少なくとも4つの工程を含み、 第1工程は、前記絶縁膜の表面に下地導体膜を付着させ
る工程であり、 第2工程は、前記下地導体膜の表面に感光性レジスト膜
を塗布した後、前記感光性レジスト膜の表面に、前記感
光性レジスト膜に対する入射光の強弱コントラストを増
強するコントラスト増強膜を付与する工程であり、 第3工程は、前記コントラスト増強膜の上に、コイルパ
ターンを有するフォトマスクを位置決めし、前記感光性
レジスト膜を前記コントラスト増強膜を通して露光し、
現像する工程であり、第4工程は、前記現像によりレジ
スト膜の除去された部分に、導体メッキ膜を付着させる
工程であること を特徴とする。
とも磁性膜及び絶縁膜を積層して形成した後、前記絶縁
膜の表面に導体コイル膜を形成する薄@6T1気ヘッド
の製造方法であって、少なくとも4つの工程を含み、 第1工程は、前記絶縁膜の表面に下地導体膜を付着させ
る工程であり、 第2工程は、前記下地導体膜の表面に感光性レジスト膜
を塗布した後、前記感光性レジスト膜の表面に、前記感
光性レジスト膜に対する入射光の強弱コントラストを増
強するコントラスト増強膜を付与する工程であり、 第3工程は、前記コントラスト増強膜の上に、コイルパ
ターンを有するフォトマスクを位置決めし、前記感光性
レジスト膜を前記コントラスト増強膜を通して露光し、
現像する工程であり、第4工程は、前記現像によりレジ
スト膜の除去された部分に、導体メッキ膜を付着させる
工程であること を特徴とする。
〈作用〉
第3工程において露光する場合、フォトマスクのコイル
パターンを通過する光は強度が大きいが、回折光は強度
が小さい。光強度の大きい通過高はコントラスト増強膜
を通過して、感光性レジスト膜を充分に露光するが、光
強度の小さい回折光はコントラスト増強膜によって吸収
される。このため、結果として、感光性レジスト膜は、
回折光の影響を実質的に除去したコイルパターンとして
露光され、解像力が向上する。
パターンを通過する光は強度が大きいが、回折光は強度
が小さい。光強度の大きい通過高はコントラスト増強膜
を通過して、感光性レジスト膜を充分に露光するが、光
強度の小さい回折光はコントラスト増強膜によって吸収
される。このため、結果として、感光性レジスト膜は、
回折光の影響を実質的に除去したコイルパターンとして
露光され、解像力が向上する。
また、感光性レジスト膜に対する回折光の影響がコント
ラスト増強膜によって除去されるので、現像して得られ
る感光性レジスト膜の垂直性が良好になり、結果として
得られる導体コイル膜の垂直性も向上する。
ラスト増強膜によって除去されるので、現像して得られ
る感光性レジスト膜の垂直性が良好になり、結果として
得られる導体コイル膜の垂直性も向上する。
コントラスト増強膜は、感光性レジスト膜の表面に付与
されているから、感光性レジスト膜の表面にフォトマス
クを密着させて露光したのと実質的に同様の状態となる
。このため、解像力が一層向上すると共に、感光性レジ
スト膜の表面に凹凸があっても、その凹凸差による影響
を受けなくなり、フォーカスマージンが大きくなる。
されているから、感光性レジスト膜の表面にフォトマス
クを密着させて露光したのと実質的に同様の状態となる
。このため、解像力が一層向上すると共に、感光性レジ
スト膜の表面に凹凸があっても、その凹凸差による影響
を受けなくなり、フォーカスマージンが大きくなる。
〈実施例〉
第1図は薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第2図は同じ
く要部の断面図である。1はAl2O3,TiC等のセ
ラミックで構成された基体、2は下部の磁性膜、3はア
ルミナ等でなるギャップ膜、4は上部の磁性膜、5は導
体コイル膜、6はノボラック樹脂等の有機絶縫樹脂で構
成された絶縁膜、7.8は引出リード部、9は絶![,
10はアルミナ等の保護膜である。m性11I2及び磁
性膜4の先端部はアルミナ等でなるギャップ膜3を隔て
て対向するボール部21.42となっており、このボー
ル部21.41において読み書きを行なう。
く要部の断面図である。1はAl2O3,TiC等のセ
ラミックで構成された基体、2は下部の磁性膜、3はア
ルミナ等でなるギャップ膜、4は上部の磁性膜、5は導
体コイル膜、6はノボラック樹脂等の有機絶縫樹脂で構
成された絶縁膜、7.8は引出リード部、9は絶![,
10はアルミナ等の保護膜である。m性11I2及び磁
性膜4の先端部はアルミナ等でなるギャップ膜3を隔て
て対向するボール部21.42となっており、このボー
ル部21.41において読み書きを行なう。
次に、本発明に係る製造方法を上述の薄膜磁気ヘッドの
製造に適用した実施例を第3図を参照して説明する。第
3図は、主として、導体コイル膜形成工程を示す図で、
第1工程〜第4工程を含んでいる。第1工程は第3図(
a)、(b)、第2工程は第3図(C)、(d)、第3
工程は第3図(e)及び(f)、第4工程は第3図(g
)以下の工程がそれぞれ対応している。
製造に適用した実施例を第3図を参照して説明する。第
3図は、主として、導体コイル膜形成工程を示す図で、
第1工程〜第4工程を含んでいる。第1工程は第3図(
a)、(b)、第2工程は第3図(C)、(d)、第3
工程は第3図(e)及び(f)、第4工程は第3図(g
)以下の工程がそれぞれ対応している。
ます、第1工程では、第3図(a)に示すように、基体
1の上に形成された磁性膜2及びギャップ膜3の上に、
絶縁膜61を形成する。絶縁膜61は、一般には、ノボ
ラック系のポジタイプレジスト膜をコーティングし、所
定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なった後、
露光、現像及び水洗の処理を施し、続いて、熱処理をそ
れぞれ行なって形成する。
1の上に形成された磁性膜2及びギャップ膜3の上に、
絶縁膜61を形成する。絶縁膜61は、一般には、ノボ
ラック系のポジタイプレジスト膜をコーティングし、所
定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なった後、
露光、現像及び水洗の処理を施し、続いて、熱処理をそ
れぞれ行なって形成する。
この絶縁膜61は、磁性膜2のボール部21の周辺部を
除き、磁性膜2及びギャップ膜3の全体を覆うように形
成する。ボール部21には、第2図に示した如く、磁性
WA4のボール部41がギャップ@3を介して対向する
ように形成される。また、ボール部21は磁気記録媒体
と接触する読み書き部分となるから、磁性1I14を持
たない垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにおいても、保護
膜10で覆い、耐摩耗性を確保する必要がある。
除き、磁性膜2及びギャップ膜3の全体を覆うように形
成する。ボール部21には、第2図に示した如く、磁性
WA4のボール部41がギャップ@3を介して対向する
ように形成される。また、ボール部21は磁気記録媒体
と接触する読み書き部分となるから、磁性1I14を持
たない垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにおいても、保護
膜10で覆い、耐摩耗性を確保する必要がある。
これらの理由から、ボール部21は絶縁膜61によって
覆わない。
覆わない。
この後、第3図(b)に示すように、絶縁膜61の表面
にCU/Tiの材料をスパッタリングして、下地導体膜
501.502を形成する。
にCU/Tiの材料をスパッタリングして、下地導体膜
501.502を形成する。
次に、第2工程では、第3図(C)に示すように、下地
導体膜501.502の表面に感光性レジスト膜62A
を塗布し、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを
行なう、感光性レジスト膜62Aは、スピンコード等の
手段によって均一な膜厚となるように塗布する。実施例
では、感光性レジスト膜62Aとしてポジタイプのもの
を使用した場合について説明する。
導体膜501.502の表面に感光性レジスト膜62A
を塗布し、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを
行なう、感光性レジスト膜62Aは、スピンコード等の
手段によって均一な膜厚となるように塗布する。実施例
では、感光性レジスト膜62Aとしてポジタイプのもの
を使用した場合について説明する。
次に、第3図(d)に示すように、感光性レジスト[6
2Aの表面に、感光性レジスト@62Aに対する入射光
の強弱コントラストを増強するコントラスト増強膜11
を付与する。コントラスト増強膜11は、スピンコード
等の手段によって厚みtlが約0.5〜0.6μ鳳程度
となるように塗布する。
2Aの表面に、感光性レジスト@62Aに対する入射光
の強弱コントラストを増強するコントラスト増強膜11
を付与する。コントラスト増強膜11は、スピンコード
等の手段によって厚みtlが約0.5〜0.6μ鳳程度
となるように塗布する。
第3工程では、第3図(e)に示すように、感光性レジ
スト膜62Aの上にフォトマスク12を位置決めし、露
光を行なう、露光は紫外線を用いて行なう。これにより
、第3図(f)に示すように、フォトマスク12のパタ
ーンと一致した均一な露光パターンが得られる。フォト
マスク12のパターンは渦巻状である。
スト膜62Aの上にフォトマスク12を位置決めし、露
光を行なう、露光は紫外線を用いて行なう。これにより
、第3図(f)に示すように、フォトマスク12のパタ
ーンと一致した均一な露光パターンが得られる。フォト
マスク12のパターンは渦巻状である。
第3工程における露光作用について、第4図を参照して
更に詳しく説明する。第4図<a)に示すように、フォ
トマスク11のコイルパターンを通過する光P、は強度
が大きいが、回折光P2は強度が小さい。光強度の小さ
い回折光P2は、コントラスト増強膜12によって吸収
される。このため、結果として、感光性レジスト膜82
Aは、回折光P2の影響を実質的に除去したコイルパタ
ーンとして露光される。このため、解像力が向上する。
更に詳しく説明する。第4図<a)に示すように、フォ
トマスク11のコイルパターンを通過する光P、は強度
が大きいが、回折光P2は強度が小さい。光強度の小さ
い回折光P2は、コントラスト増強膜12によって吸収
される。このため、結果として、感光性レジスト膜82
Aは、回折光P2の影響を実質的に除去したコイルパタ
ーンとして露光される。このため、解像力が向上する。
また、感光性レジスト膜62Aに対する回折光P、の影
響がコントラスト増強膜11によって除去されるので、
現像して得られる感光性レジスト膜62Aが、第4図(
b)に示すように、良好な垂直性を有するようになる。
響がコントラスト増強膜11によって除去されるので、
現像して得られる感光性レジスト膜62Aが、第4図(
b)に示すように、良好な垂直性を有するようになる。
しかも、コントラスト増強膜11は、感光性レジスト膜
62Aの表面に密着するように付与されているから、感
光性レジストWA62Aの表面にフォトマスク12を密
着させて露光したのと実質的に同様の状態となる。この
ため、解像力が一層向上すると共に、感光性レジスト膜
62Aの表面に凹凸があっても、その凹凸差による影響
を受けなくなり、フォーカスマージンが大きくなる。
62Aの表面に密着するように付与されているから、感
光性レジストWA62Aの表面にフォトマスク12を密
着させて露光したのと実質的に同様の状態となる。この
ため、解像力が一層向上すると共に、感光性レジスト膜
62Aの表面に凹凸があっても、その凹凸差による影響
を受けなくなり、フォーカスマージンが大きくなる。
第4工程では、第3図(g)に示すように、Cuメッキ
膜による導体メッキ膜503をレジスト11162Aの
除去された部分に付着させる。これにより、導体メッキ
膜503による導体コイルパターンが形成される。ここ
で、第4図(b)に示したように、現像して得られた感
光性レジスト膜62Aがほぼ垂直な良好な垂直性を有し
ているので、導体メッキ膜503も、第4図(c)に示
すように、感光性レジスト膜62Aと接する両側面がほ
ぼ垂直になる。このため、第4図(d)に示すように、
レジスト膜62Aを剥離すると垂直性の良好な導体メッ
キ膜503が得られる。
膜による導体メッキ膜503をレジスト11162Aの
除去された部分に付着させる。これにより、導体メッキ
膜503による導体コイルパターンが形成される。ここ
で、第4図(b)に示したように、現像して得られた感
光性レジスト膜62Aがほぼ垂直な良好な垂直性を有し
ているので、導体メッキ膜503も、第4図(c)に示
すように、感光性レジスト膜62Aと接する両側面がほ
ぼ垂直になる。このため、第4図(d)に示すように、
レジスト膜62Aを剥離すると垂直性の良好な導体メッ
キ膜503が得られる。
次に、第3図(h)に示すように、感光性レジスト膜6
2Aを剥離した後、剥離された感光性レジスト膜62A
の下にある下地導体膜501.502を、イオンミーリ
ング等の手段で除去し、導体メッキ膜503による導体
コイルパターンに従ってパターン化する。これにより、
第3図(i)に示すように、絶縁膜61の上に導体コイ
ル膜5が形成される。
2Aを剥離した後、剥離された感光性レジスト膜62A
の下にある下地導体膜501.502を、イオンミーリ
ング等の手段で除去し、導体メッキ膜503による導体
コイルパターンに従ってパターン化する。これにより、
第3図(i)に示すように、絶縁膜61の上に導体コイ
ル膜5が形成される。
この後、第3図(a)〜(i)の工程を繰返し、第1図
及び第2図に示した如く、絶縁膜62A1導体コイル膜
52及び絶11g63を積層し、更に絶縁膜63の表面
に磁性[4を形成し、その上から保護膜10をスパッタ
リング等の手段によって付着させる。
及び第2図に示した如く、絶縁膜62A1導体コイル膜
52及び絶11g63を積層し、更に絶縁膜63の表面
に磁性[4を形成し、その上から保護膜10をスパッタ
リング等の手段によって付着させる。
上記実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの製
造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
製造方法も同様の工程となる。
造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
製造方法も同様の工程となる。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれ
ば、次のような効果が得られる。
ば、次のような効果が得られる。
(a)下地導体膜の表面に感光性レジスト膜を塗布した
後、感光性レジスト膜の表面に、感光性レジスト膜に対
する入射光の強弱コントラストを増強するコントラスト
増強膜を付与し、コントラスト増強膜の上に、コイルパ
ターンを有するフォトマスクを位置決めし、感光性レジ
スト膜をコントラスト増強膜を通して露光し、現像する
工程を含むので、感光性レジスト膜を、回折光の影響を
実質的に除去したコイルパターンとして露光でき、導体
コイル膜の解像力を向上させ、導体コイル膜のターン数
増大に有効な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供できる。
後、感光性レジスト膜の表面に、感光性レジスト膜に対
する入射光の強弱コントラストを増強するコントラスト
増強膜を付与し、コントラスト増強膜の上に、コイルパ
ターンを有するフォトマスクを位置決めし、感光性レジ
スト膜をコントラスト増強膜を通して露光し、現像する
工程を含むので、感光性レジスト膜を、回折光の影響を
実質的に除去したコイルパターンとして露光でき、導体
コイル膜の解像力を向上させ、導体コイル膜のターン数
増大に有効な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供できる。
(b)現像して得られる感光性レジスト膜の垂直性が良
好になるので、結果として得られる導体コイル膜の垂直
性も向上し、導体コイル膜のターン数増大に有効な薄膜
磁気へヴドの製造方法を提供できる。
好になるので、結果として得られる導体コイル膜の垂直
性も向上し、導体コイル膜のターン数増大に有効な薄膜
磁気へヴドの製造方法を提供できる。
(C)感光性レジスト膜の表面にフォトマスクを密着さ
せて露光したのと実質的に同様の状態となり、凹凸差の
大きい薄膜磁気ヘッドにおいて、フォーカスマージンを
増大させ、凹凸部に所定のディメンションを有する導体
コイル膜を形成し得る薄膜磁気ヘッドを提供できる。
せて露光したのと実質的に同様の状態となり、凹凸差の
大きい薄膜磁気ヘッドにおいて、フォーカスマージンを
増大させ、凹凸部に所定のディメンションを有する導体
コイル膜を形成し得る薄膜磁気ヘッドを提供できる。
第1図は薄Il!磁気ヘッドの要部の斜視図、第2図は
薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第3図(a)〜(i)
は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程
の要部を示す図、第4図(a)〜(d)は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法における要部工程を示す図、
第5図(a)〜(e)は従来の薄膜磁気ヘッドの問題点
を示す図である。 1・・・基体 2・・・磁性膜5・・・導体コ
イル膜 501.502・・・下地導体膜 503・・・導体メッキ膜 11・・・コントラスト増強膜 第1図 第 3 図 (0) 第 図 (9) 第 図 (d) (e) 第4図 (0)
薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第3図(a)〜(i)
は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程
の要部を示す図、第4図(a)〜(d)は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法における要部工程を示す図、
第5図(a)〜(e)は従来の薄膜磁気ヘッドの問題点
を示す図である。 1・・・基体 2・・・磁性膜5・・・導体コ
イル膜 501.502・・・下地導体膜 503・・・導体メッキ膜 11・・・コントラスト増強膜 第1図 第 3 図 (0) 第 図 (9) 第 図 (d) (e) 第4図 (0)
Claims (1)
- (1)基体の上に少なくとも磁性膜及び絶縁膜を積層し
て形成した後、前記絶縁膜の表面に導体コイル膜を形成
する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少なくとも4
つの工程を含み、 第1工程は、前記絶縁膜の表面に下地導体膜を付着させ
る工程であり、 第2工程は、前記下地導体膜の表面に感光性レジスト膜
を塗布した後、前記感光性レジスト膜の表面に、前記感
光性レジスト膜に対する入射光の強弱コントラストを増
強するコントラスト増強膜を付与する工程であり、 第3工程は、前記コントラスト増強膜の上に、コイルパ
ターンを有するフォトマスクを位置決めし、前記感光性
レジスト膜を前記コントラスト増強膜を通して露光し、
現像する工程であり、第4工程は、前記現像によりレジ
スト膜の除去された部分に、導体メッキ膜を付着させる
工程であること を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29423389A JPH03154213A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29423389A JPH03154213A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03154213A true JPH03154213A (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17805066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29423389A Pending JPH03154213A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03154213A (ja) |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP29423389A patent/JPH03154213A/ja active Pending
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