JPH03153696A - 選択的に保護基の導入された1,6―アンヒドロラクトース誘導体とその製造方法 - Google Patents
選択的に保護基の導入された1,6―アンヒドロラクトース誘導体とその製造方法Info
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- JPH03153696A JPH03153696A JP1293196A JP29319689A JPH03153696A JP H03153696 A JPH03153696 A JP H03153696A JP 1293196 A JP1293196 A JP 1293196A JP 29319689 A JP29319689 A JP 29319689A JP H03153696 A JPH03153696 A JP H03153696A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、N−アセチルラフトスアミン等のラクトース
誘導体の合成に有用である、選択的に保護基の導入され
た 1,6−アンヒドロラクトース誘導体に関する。因
みに、ラクトースの誘導体はラフトスアミンなど生体内
の構成成分として非常に重要な働きをしており、また、
ラフトスアミンは整腸作用を有する事が知られている。
誘導体の合成に有用である、選択的に保護基の導入され
た 1,6−アンヒドロラクトース誘導体に関する。因
みに、ラクトースの誘導体はラフトスアミンなど生体内
の構成成分として非常に重要な働きをしており、また、
ラフトスアミンは整腸作用を有する事が知られている。
このような重要な生理活性物質の合成中間体を提供する
本発明に係わる前記化合物は、工業的にも注目されてい
る化合物である。
本発明に係わる前記化合物は、工業的にも注目されてい
る化合物である。
(従来の&術)
ラクトースの遍択的保護体としては、下記化学構造式5
,6及び7で示される化合物が知られている。すなわち
、手島らは、ラクトースの8個の水BBのうち4個を保
護した化合物5を報告している(Chemistry
and Pharmaceutical Bullet
in27巻3号 121頁(1979)) 、 Thi
emらも、8何の水酸基を酸性条件rで脱保8できるベ
ンジリデン基及び塩基性条件下で脱保護できる7セチル
基でそれぞれ保護した化合物6,7を報告している(J
Thicm et at、 Journal of C
hemical Re5earch1980.2729
−2750(1980) )。
,6及び7で示される化合物が知られている。すなわち
、手島らは、ラクトースの8個の水BBのうち4個を保
護した化合物5を報告している(Chemistry
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in27巻3号 121頁(1979)) 、 Thi
emらも、8何の水酸基を酸性条件rで脱保8できるベ
ンジリデン基及び塩基性条件下で脱保護できる7セチル
基でそれぞれ保護した化合物6,7を報告している(J
Thicm et at、 Journal of C
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−2750(1980) )。
しかし、化合物5は4個の水酸基が残っているし、また
、化合物6.7も塩基性条件で保護基を脱離しても3個
以上の水酸基を有する化合物19.2021.22とな
ることが予想され、ラクトースの8gAの水酸基の内ど
れか1つに選択的に反応を行なうことは非常に難しい。
、化合物6.7も塩基性条件で保護基を脱離しても3個
以上の水酸基を有する化合物19.2021.22とな
ることが予想され、ラクトースの8gAの水酸基の内ど
れか1つに選択的に反応を行なうことは非常に難しい。
(発明が解決しようとする問題点)
ラクトースは8個の水酸基を有している。この為ある目
的とするラクトースの誘導体をラクトースを出発原料と
して合成する場合、この8個の水酸基を区別しながら合
成を進めなければならない。
的とするラクトースの誘導体をラクトースを出発原料と
して合成する場合、この8個の水酸基を区別しながら合
成を進めなければならない。
たとえば、手島らは、ラフトスアミン誘導体を合成する
為に、化合物5を出発原料として第1図に従ってラフト
スアミン誘導体9を合成している(前掲CheII1.
Pharm、 Bull、)。
為に、化合物5を出発原料として第1図に従ってラフト
スアミン誘導体9を合成している(前掲CheII1.
Pharm、 Bull、)。
しかし、化合物5より化合物10を得る段階の収率は2
5.2%と低い。これは、化合物5では8個のラクトー
スの水酸基の内4elの水酸基は保護されているものの
、残りの4@の水酸基は反応性にほとんど差がない為で
ある。この様に多くの水酸基を有するラクトースの誘導
体から目的とするラクトースの誘導体を効率よく合成す
るには、これらの水酸基を選択的に保護し目的の水酸基
のみに反応を行なわなければならない。
5.2%と低い。これは、化合物5では8個のラクトー
スの水酸基の内4elの水酸基は保護されているものの
、残りの4@の水酸基は反応性にほとんど差がない為で
ある。この様に多くの水酸基を有するラクトースの誘導
体から目的とするラクトースの誘導体を効率よく合成す
るには、これらの水酸基を選択的に保護し目的の水酸基
のみに反応を行なわなければならない。
そこで、本発明者らは、ラクトースを選択的に保護する
方法を検討した結果、塩基性条件下で説?セチルすれば
2個の水酸基のみが遊離で残りの6gの水11は保護さ
れている化合物1.4に容易に導くことができる化合v
A2,3及び2個の水酸基のみが遊離である化合物1を
(q、本発明をするに至った。
方法を検討した結果、塩基性条件下で説?セチルすれば
2個の水酸基のみが遊離で残りの6gの水11は保護さ
れている化合物1.4に容易に導くことができる化合v
A2,3及び2個の水酸基のみが遊離である化合物1を
(q、本発明をするに至った。
(問題点を解決する為の手段〉
1G−アンヒドロラクトースは、ラクトースの還元床端
とグルコースの6位の2個の水酸基を保護した化合物と
考えられる。またこの環構造は、トリフルオロ酢酸等の
酸によってもとの水酸基を有する化合物へ戻す事ができ
る。
とグルコースの6位の2個の水酸基を保護した化合物と
考えられる。またこの環構造は、トリフルオロ酢酸等の
酸によってもとの水酸基を有する化合物へ戻す事ができ
る。
一方ケクール及びアセタールは糖化合物の4位と6位を
選択的に保護する酸性条件下で脱保護できる保護基とし
て知られている。
選択的に保護する酸性条件下で脱保護できる保護基とし
て知られている。
16−アンヒドロラクトース及びアセタールを組み合わ
せた化合物として化合物5が知られている。しかし、こ
の化合物は、前述のように4個の水酸基を有しておりこ
の4個の水酸基の反応性を利用してラフトスアミン等の
合成を進めるのは非常に困難である。手島らは化合物5
にトシルクロリドを作用させてラフトスアミンの合成原
料である化合物10を得ているが収率は前述のように2
5.2%と非常に低い事を報告している(前掲Chem
Pharm、 Bull、)。
せた化合物として化合物5が知られている。しかし、こ
の化合物は、前述のように4個の水酸基を有しておりこ
の4個の水酸基の反応性を利用してラフトスアミン等の
合成を進めるのは非常に困難である。手島らは化合物5
にトシルクロリドを作用させてラフトスアミンの合成原
料である化合物10を得ているが収率は前述のように2
5.2%と非常に低い事を報告している(前掲Chem
Pharm、 Bull、)。
そこで本発明者らは、1,6−アンヒドロラクトースの
6個の水酸基の内4個をケタールで選択的に保護するこ
とを検討した。すなわら、構造式8で示される公知化合
物1.6−アンヒドロラクトースに於てグルコース部分
の2個の水酸基は1.6−アンヒドロ環の形成によりガ
ラクトース部分とは逆の立体配座をとっていると考えら
れるので、アセタール化もしくはケタール化を行なうこ
とはできないと考えられる。
6個の水酸基の内4個をケタールで選択的に保護するこ
とを検討した。すなわら、構造式8で示される公知化合
物1.6−アンヒドロラクトースに於てグルコース部分
の2個の水酸基は1.6−アンヒドロ環の形成によりガ
ラクトース部分とは逆の立体配座をとっていると考えら
れるので、アセタール化もしくはケタール化を行なうこ
とはできないと考えられる。
そこで化合物8に、ジメチルホルムアミド中、触IIの
カンフ7120℃ルホン酸存在下、1.1−ジメトキシ
シクロヘキサンを減圧上反応させた後、tt+られた反
応混合物をピリジン及び無水酢酸でアセデル化したとこ
ろ、目的とする化合物2が得られた。また、反応温度を
上げ減圧度を下げると化合物3が得られることも見いだ
した。さらに反応させる1、1−ジメトキシシクロヘキ
サンの患、反応温度、反応時間及び減圧度などの反応条
件を検討した。その結果、化合物2を得るためには1,
1−ジメトキシシクロヘキサンの囚として2〜9倍モル
1好ましくは343〜7.5倍モル旦、減圧度として1
0〜100 mMllg好ましくは25〜50mmHg
、反応温度として40〜70°C望ましくは45〜55
℃、反応時間として0.5〜10時間好ましくは3〜6
時間が好適であった。また化合物3を得るためには、1
゜1−ジメトキシシクロヘキサンの撮として2〜12倍
モル昌好ましくは4〜7倍モル予、減圧度として10〜
250a++HQ望ましくは50〜160掴HQ、反応
温度として70〜120℃望ましくは80〜++0℃、
反応時間として +−,io待時間ましく(よ6〜9時
間が好適であった。また触媒として用いる酸としては、
カンフ7120℃ルホン酸、パラトルエンスルホンメタ
ンスルホン酸が好適であった。
カンフ7120℃ルホン酸存在下、1.1−ジメトキシ
シクロヘキサンを減圧上反応させた後、tt+られた反
応混合物をピリジン及び無水酢酸でアセデル化したとこ
ろ、目的とする化合物2が得られた。また、反応温度を
上げ減圧度を下げると化合物3が得られることも見いだ
した。さらに反応させる1、1−ジメトキシシクロヘキ
サンの患、反応温度、反応時間及び減圧度などの反応条
件を検討した。その結果、化合物2を得るためには1,
1−ジメトキシシクロヘキサンの囚として2〜9倍モル
1好ましくは343〜7.5倍モル旦、減圧度として1
0〜100 mMllg好ましくは25〜50mmHg
、反応温度として40〜70°C望ましくは45〜55
℃、反応時間として0.5〜10時間好ましくは3〜6
時間が好適であった。また化合物3を得るためには、1
゜1−ジメトキシシクロヘキサンの撮として2〜12倍
モル昌好ましくは4〜7倍モル予、減圧度として10〜
250a++HQ望ましくは50〜160掴HQ、反応
温度として70〜120℃望ましくは80〜++0℃、
反応時間として +−,io待時間ましく(よ6〜9時
間が好適であった。また触媒として用いる酸としては、
カンフ7120℃ルホン酸、パラトルエンスルホンメタ
ンスルホン酸が好適であった。
化合物2及び3はトリフルオロ酢酸などの強酸で脱保護
される1,6−アンヒドロ環、酢酸などの弱酸で脱保護
される2個のケタール基、J5よび塩基性で脱保護され
るアセチル基の3種類の保護基によって選択的に8個の
水酸基の全部又は殆んど全部が保護されたラクトースの
選択的保護体であり、また、化合物1は2個の水酸基の
みが遊離で他の6個の水M1は全て保護されているため
、各種ラクトース誘導体の合成中間体として有用である
。
される1,6−アンヒドロ環、酢酸などの弱酸で脱保護
される2個のケタール基、J5よび塩基性で脱保護され
るアセチル基の3種類の保護基によって選択的に8個の
水酸基の全部又は殆んど全部が保護されたラクトースの
選択的保護体であり、また、化合物1は2個の水酸基の
みが遊離で他の6個の水M1は全て保護されているため
、各種ラクトース誘導体の合成中間体として有用である
。
以下、実施例により本発明を更に説明する。
実施例1(化合S2の合!&)
化合物8(1100■)、i,i=ニジメトキシシクロ
キリ゛ン(1.61g ) 、ジメチルボルムアミド(
20mj)及びカンファースルフォン1m(30mg)
を50mHgの減圧下3.5時間50℃にて加熱した。
キリ゛ン(1.61g ) 、ジメチルボルムアミド(
20mj)及びカンファースルフォン1m(30mg)
を50mHgの減圧下3.5時間50℃にて加熱した。
1qられた溶液を室温まで冷却し無水用炭酸ソーダを加
え30分撹拌し結晶をろ過した。濾液を減圧下澗縮しピ
リジン(10a!りl!!水酢酸(10戒)を加え至温
下−昼夜撹拌した。得られた溶液を氷水に加えジクロル
メタンで抽出した。有機層を2H塩酸、飽和重炭酸ソー
ダ水溶液、次いで水で洗浄した。
え30分撹拌し結晶をろ過した。濾液を減圧下澗縮しピ
リジン(10a!りl!!水酢酸(10戒)を加え至温
下−昼夜撹拌した。得られた溶液を氷水に加えジクロル
メタンで抽出した。有機層を2H塩酸、飽和重炭酸ソー
ダ水溶液、次いで水で洗浄した。
溶媒を減圧上留去しシリカゲルカラムクロマドグラフイ
ーにて分離しく溶離液トルエンニ酢酸エチル−5:1)
、化合物2を得た。
ーにて分離しく溶離液トルエンニ酢酸エチル−5:1)
、化合物2を得た。
収量650■、収率34%、
[α]D=ー36°(c=0.50,クロロホルム)。
元素分析:討算値C:59.15, Hニア、09fi
iill C:59.20, Hニア、09NHR(C
DCl2)δ(ppm) ; 1.17 − 1.
80(l11.20HH−cyclohexyl)、
2.I Us,38,OAC) 、2、22(S,3
N,OAC> 、 3. 36(S, 311, O
AC > 、3、48(dd,18 H−3°)、
3.52(s,IH,11−4) 、3、79−4
106(m,4)1,H−6ab,H−6’ab>
、4、12(t,IH H−2’)、 4.40(
broad s,111,H−4’)、4、53(S
,II(、+(−3) 、 4.81(broad
d,111,H−5) 、4、87(d,IH,
H−1°)、 5.50(s, IH,H−2) 、
5、64(s,IH,tl−1)。
iill C:59.20, Hニア、09NHR(C
DCl2)δ(ppm) ; 1.17 − 1.
80(l11.20HH−cyclohexyl)、
2.I Us,38,OAC) 、2、22(S,3
N,OAC> 、 3. 36(S, 311, O
AC > 、3、48(dd,18 H−3°)、
3.52(s,IH,11−4) 、3、79−4
106(m,4)1,H−6ab,H−6’ab>
、4、12(t,IH H−2’)、 4.40(
broad s,111,H−4’)、4、53(S
,II(、+(−3) 、 4.81(broad
d,111,H−5) 、4、87(d,IH,
H−1°)、 5.50(s, IH,H−2) 、
5、64(s,IH,tl−1)。
実施例2(化合物3の合成)
化合物8 (550■)、1,1−ジメトキシシクロヘ
キサン(1.467 ) 、ジメチルホルムアミド(1
5me>及びカンファースルフォンM(10■)を 1
60p+ml1gの減圧下2時間110℃で、さらに7
o悶1gの減圧下6時間90℃で加熱した。得られた溶
液を室温まで冷却し無水重炭酸ソーダを加え30分撹拌
し結晶をろ過した。総液を減圧下溌縮しピリジン(10
m)、無水酢酸(10成)を加え至瀉下−昼夜撹拌した
。
キサン(1.467 ) 、ジメチルホルムアミド(1
5me>及びカンファースルフォンM(10■)を 1
60p+ml1gの減圧下2時間110℃で、さらに7
o悶1gの減圧下6時間90℃で加熱した。得られた溶
液を室温まで冷却し無水重炭酸ソーダを加え30分撹拌
し結晶をろ過した。総液を減圧下溌縮しピリジン(10
m)、無水酢酸(10成)を加え至瀉下−昼夜撹拌した
。
得られた溶液を氷水に加えチク1]ルメタンで抽出した
。有機すを2N塩酸、飽和重炭酸ソーダ水溶液、次いで
水で洗浄した。
。有機すを2N塩酸、飽和重炭酸ソーダ水溶液、次いで
水で洗浄した。
溶媒を減圧上留去しシリカゲルカラムクロマ1〜グラフ
イーにて分離し化合物3を14だ。
イーにて分離し化合物3を14だ。
教皇32淘、収率33.8%、[α]ロー+54。
(c=0.76、クロロホルム)、融点210〜211
℃(クロロフォルム〉。
℃(クロロフォルム〉。
元素分析:計算値C:59.15, H・7,09実施
価C:59.19, Hニア、13NHRfCDCI3
)δ(1)I)IU) ; 1.25−1.86(i,
10H,lI−11−cyclohexyl)、 2
.10(s,68,OAC) 、 3.73−3.7
8(m,3H,tド2’,H−4,H−6) 、 3
.76(dd,H−4,H−6と重?I2)、3.84
(broad s, 111,H−6)、3.91(d
d、J346.4 H2,t、1)1.H−3)、A
03(m、1H,H−5’)、 4.08(dd、 I
H,H−3°)1、i、1d(dd、IH,ll−4”
)、4.28(jd、 IH,H−6’ )、440(
dd、111.11−6’)、4.43(d、 Ill
、H−1’)、454(d、 J237.6Hz、1)
1.H−2)、IL52(broad d、1)1.)
I−5>、5.25 (S、 1)1. ト1 )。
価C:59.19, Hニア、13NHRfCDCI3
)δ(1)I)IU) ; 1.25−1.86(i,
10H,lI−11−cyclohexyl)、 2
.10(s,68,OAC) 、 3.73−3.7
8(m,3H,tド2’,H−4,H−6) 、 3
.76(dd,H−4,H−6と重?I2)、3.84
(broad s, 111,H−6)、3.91(d
d、J346.4 H2,t、1)1.H−3)、A
03(m、1H,H−5’)、 4.08(dd、 I
H,H−3°)1、i、1d(dd、IH,ll−4”
)、4.28(jd、 IH,H−6’ )、440(
dd、111.11−6’)、4.43(d、 Ill
、H−1’)、454(d、 J237.6Hz、1)
1.H−2)、IL52(broad d、1)1.)
I−5>、5.25 (S、 1)1. ト1 )。
実施例3(化合物2の合成)
化合物8 (550rRg>、1,1−ジメトキシシク
ロヘキサン(1839) 、DMF (10d)及びカ
ンフ7120℃ルフォン酸(30■〉を実施例1と同様
に50℃、25mm”’Jにて6時間反応させ、実施例
1と同様にヅン離したところ、化合物2が得られた。
ロヘキサン(1839) 、DMF (10d)及びカ
ンフ7120℃ルフォン酸(30■〉を実施例1と同様
に50℃、25mm”’Jにて6時間反応させ、実施例
1と同様にヅン離したところ、化合物2が得られた。
収噛A69rra、収率48G%。
実施例4(化合vIJ1の合成)
化合物2 F568■)のメタノール溶液(1M )に
ナトリウムメチラートのメタノール溶液(5M/10.
02成)を加え、室温で5時H:i Po、拝した。溶
液にIゼ型イオン交換樹脂(Dowex 5014−X
8)を加えて中和した後引脂な濾過し、溶媒を減圧上留
去した。
ナトリウムメチラートのメタノール溶液(5M/10.
02成)を加え、室温で5時H:i Po、拝した。溶
液にIゼ型イオン交換樹脂(Dowex 5014−X
8)を加えて中和した後引脂な濾過し、溶媒を減圧上留
去した。
残渣をエタノール−クロロホルム混合溶媒で再結晶し、
化合物1を得た。
化合物1を得た。
収量387■、収率80%、[α]。−一58゜(c=
0.83、メタノール)、融点218〜220℃。
0.83、メタノール)、融点218〜220℃。
元素分析:計算値C:59.49. Hニア、49実施
値C:59.48. Hニア、38参考例1 化合物3 (484■)のメタノール溶液(10d )
に5モル/I!のナトリウムメチラートのメタノール溶
液(0,05sj2)を加え、5時間全部で攪拌した。
値C:59.48. Hニア、38参考例1 化合物3 (484■)のメタノール溶液(10d )
に5モル/I!のナトリウムメチラートのメタノール溶
液(0,05sj2)を加え、5時間全部で攪拌した。
得られた溶液にH+梨型強酸樹脂50トχ8を加え中和
した。樹脂を濾過し、溶媒を減圧上留去した。
した。樹脂を濾過し、溶媒を減圧上留去した。
残渣に無水ピリジン(10d> 、トリチルクロリド<
28011CI)を加え、2時間攪拌した後、1)−)
−ルエンスルホン酸クロリド(194q )を加え、さ
らに4時間攪拌した。(7られた溶液を氷水(20g>
にIlOえ、クロロホルム(100In!)にて抽出し
た。クロロ・トルム饗を2N塩酸、飽和重炭酸ナトリウ
ム水溶液、水の順で洗い、無本硫酸ナトリウムにで乾燥
し Iこ 。
28011CI)を加え、2時間攪拌した後、1)−)
−ルエンスルホン酸クロリド(194q )を加え、さ
らに4時間攪拌した。(7られた溶液を氷水(20g>
にIlOえ、クロロホルム(100In!)にて抽出し
た。クロロ・トルム饗を2N塩酸、飽和重炭酸ナトリウ
ム水溶液、水の順で洗い、無本硫酸ナトリウムにで乾燥
し Iこ 。
残渣にメタノール(20d)、カンフアースルフィン酸
(10η)を13口え、室温で10時間農1半した。
(10η)を13口え、室温で10時間農1半した。
得られた溶液にピリジン(IQd)、ナトリウムメチラ
ートのメタノール溶液(5M/ R、0,210mff
>を+J口え、−晩攪拌した。
ートのメタノール溶液(5M/ R、0,210mff
>を+J口え、−晩攪拌した。
得られた溶液を氷酢酸で中和した後、溶媒を減圧上留去
し、残漬を水(50d)、メチレンクロリド(50成)
′c油抽出た。メチレンク日すド窟を1N塩酸、飽和重
炭酸ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。
し、残漬を水(50d)、メチレンクロリド(50成)
′c油抽出た。メチレンク日すド窟を1N塩酸、飽和重
炭酸ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。
溶媒を減圧士留去し、残漬にアジ化ナトリウム(30(
Ml!J>、!ニジメチルボルムアミド<30m1)を
++0え、110℃で48時間加熱した。溶媒を減圧上
留去し、残漬にクロロホルム(200d )と水(20
0d >を加え、抽出しtこクロロホルム層を無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧上留去した。残漬に@
酸:無水酢酸:酢酸−(1ニア0:30容母比)の混合
物(10m >を加え、室温で15時間攪拌した。得ら
れた溶液を参元例2と同様に処理し、化合物13を23
21ng得た。
Ml!J>、!ニジメチルボルムアミド<30m1)を
++0え、110℃で48時間加熱した。溶媒を減圧上
留去し、残漬にクロロホルム(200d )と水(20
0d >を加え、抽出しtこクロロホルム層を無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧上留去した。残漬に@
酸:無水酢酸:酢酸−(1ニア0:30容母比)の混合
物(10m >を加え、室温で15時間攪拌した。得ら
れた溶液を参元例2と同様に処理し、化合物13を23
21ng得た。
収率35%。
さらに、化合物13を後出参考例2と同様に処理すれば
、化合物1つが得られる。
、化合物1つが得られる。
以上の反応のフローヂャートを第2図に示す。
参考例2
化合物1 (485■)のジクロロメタン溶液(10t
d)に、無水トリフルオロメタンスルホンFl!2(2
90#!i+ )を加え、室温下4時間撹拌した。
d)に、無水トリフルオロメタンスルホンFl!2(2
90#!i+ )を加え、室温下4時間撹拌した。
得られた溶液を減圧上留去し残渣にアジ化ナトリウム(
300η)とヂメヂルホルムアミド(20d)を加え1
10℃で48時間加熱撹拌した。得られた溶液に水(5
0r、lりをI+0えクロロホルム(100d >で抽
出し、クロロホルム層を無水FA酸ナトリウムで乾燥し
た。
300η)とヂメヂルホルムアミド(20d)を加え1
10℃で48時間加熱撹拌した。得られた溶液に水(5
0r、lりをI+0えクロロホルム(100d >で抽
出し、クロロホルム層を無水FA酸ナトリウムで乾燥し
た。
溶媒を減圧上留去し、残渣にIii!tM:無水酢酸:
酢酸= (1ニア0:30容凶比)の混合117I(i
od>を加え空温下4時間撹拌した。残渣を氷水200
gに力0えクロロホルム100mで抽出した。クロロホ
ルム層を飽和重炭酸ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無
水@酸ナトリウムで乾燥した。り[1Fコボルムを減圧
した留去しシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離
して化合?!113(397■)をL9た。収率60%
。
酢酸= (1ニア0:30容凶比)の混合117I(i
od>を加え空温下4時間撹拌した。残渣を氷水200
gに力0えクロロホルム100mで抽出した。クロロホ
ルム層を飽和重炭酸ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無
水@酸ナトリウムで乾燥した。り[1Fコボルムを減圧
した留去しシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離
して化合?!113(397■)をL9た。収率60%
。
化合物13を手島らの方法前出(chemistry
andPharmaceutical Bulleti
n、 27巻 3号 721頁(1979))に従いラ
ネーニッケルで還元しさらに無水酢酸でアセチル化し化
合′1fJioすなわちN−アセヂルラクトスアミンの
アセチル体を94%の収率で(qだ。
andPharmaceutical Bulleti
n、 27巻 3号 721頁(1979))に従いラ
ネーニッケルで還元しさらに無水酢酸でアセチル化し化
合′1fJioすなわちN−アセヂルラクトスアミンの
アセチル体を94%の収率で(qだ。
以上の反応のフローチャートを第3図に示す。
参ぢ例1および参考例2で、化合物1および化合物3か
ら出発して化合物9を合成した時の合計の収率は、それ
ぞれ0.60xO,94x100 =56.4%及び0
.35x 0.94x 100 = 32.9%に対し
、手島らの方法では化合物5から出発して同じく化合物
9を合成したときの合計収率は73%に過ぎない。1.
するほど両者で出発原料が異なるが、手島らの方法で化
合物5から化合物10を合成する段階の収率が25.2
%と極端に低くなっている虞を考慮り゛れば、本参考例
の方法が顕著に優れている。
ら出発して化合物9を合成した時の合計の収率は、それ
ぞれ0.60xO,94x100 =56.4%及び0
.35x 0.94x 100 = 32.9%に対し
、手島らの方法では化合物5から出発して同じく化合物
9を合成したときの合計収率は73%に過ぎない。1.
するほど両者で出発原料が異なるが、手島らの方法で化
合物5から化合物10を合成する段階の収率が25.2
%と極端に低くなっている虞を考慮り゛れば、本参考例
の方法が顕著に優れている。
実施例1〜3の様な1.1−ジメトキシシフ[Jヘキサ
ンによるケタール交換反応を用いるケタール化は、1,
1−ジメトキシシクロヘキサンを過剰に用いると種々の
化合物が生成すると考えられており、実用化されていな
かった。しかし、木発明者らは、反応の際の温度と減圧
度を制郊することにより化合物2及び3が選択的に痺ら
れことを見出した。一方、化合物2及び3は、ai性条
件下(例えば、メタノール中触媒吊のナトリウムメチラ
ート)で処叩することにより、2個の水酸基のみが遊離
となった化合物1及び4に容易に導くことができる。化
合物1及び4は、反応し得る水酸基は2個のみでその他
の水Fi基はすべて保護されているので、参考例1及び
2のように、ラクト120℃の2位の水酸基のみに反応
を行なう場合高収率で2位のみを修飾できる。これより
、本発明の化合物1.2及び3は、ラクトース誘導体の
合成中間体として非単゛にa用であることがわかる。
ンによるケタール交換反応を用いるケタール化は、1,
1−ジメトキシシクロヘキサンを過剰に用いると種々の
化合物が生成すると考えられており、実用化されていな
かった。しかし、木発明者らは、反応の際の温度と減圧
度を制郊することにより化合物2及び3が選択的に痺ら
れことを見出した。一方、化合物2及び3は、ai性条
件下(例えば、メタノール中触媒吊のナトリウムメチラ
ート)で処叩することにより、2個の水酸基のみが遊離
となった化合物1及び4に容易に導くことができる。化
合物1及び4は、反応し得る水酸基は2個のみでその他
の水Fi基はすべて保護されているので、参考例1及び
2のように、ラクト120℃の2位の水酸基のみに反応
を行なう場合高収率で2位のみを修飾できる。これより
、本発明の化合物1.2及び3は、ラクトース誘導体の
合成中間体として非単゛にa用であることがわかる。
(発明の効果)
例えば重要な生理活性を有する物質であるラフトスアミ
ンを高収率に容易に与える、選択的に保護基の導入され
た該ラフトスアミンの優れた中間体である 1,6−ア
ンヒドロラクトース誘導体が提供される。
ンを高収率に容易に与える、選択的に保護基の導入され
た該ラフトスアミンの優れた中間体である 1,6−ア
ンヒドロラクトース誘導体が提供される。
第1図は公知のラフトスアミン誘導体の合成反応の70
−チャートであり、第2図及び第3図は、それぞれ、参
考例1及び2の反応のフ[I−チ1−トである。
−チャートであり、第2図及び第3図は、それぞれ、参
考例1及び2の反応のフ[I−チ1−トである。
Claims (3)
- (1)下記化学構造式1、2及び3のいずれかで示され
る1,6−アンヒドロラクトース誘導体。 - (2)1,6−アンヒドロラクトースに酸触媒存在下ジ
メチルフォルムアミド中で2〜9倍モル量の1,1−ジ
メトキシシクロヘキサンを10〜100mmHgの減圧
下で40〜70℃に0.5〜10時間加熱した後、ピリ
ジン及び無水酢酸でアセチル化することを特徴とする化
学構造式2で示される合成方法。 - (3)1,6−アンヒドロラクトースに酸触媒存在下ジ
メチルフォルムアミド中で2〜12倍モル量の1,1−
ジメトキシシクロヘキサンを10〜250mmHgの減
圧下で70〜120℃に1〜10時間加熱した後、ピリ
ジン及び無水酢酸でアセチル化することを特徴とする化
学構造式3で示される化合物の合成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1293196A JPH0816116B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 選択的に保護基の導入された1,6―アンヒドロラクトース誘導体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1293196A JPH0816116B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 選択的に保護基の導入された1,6―アンヒドロラクトース誘導体とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03153696A true JPH03153696A (ja) | 1991-07-01 |
JPH0816116B2 JPH0816116B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17791663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1293196A Expired - Lifetime JPH0816116B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 選択的に保護基の導入された1,6―アンヒドロラクトース誘導体とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0816116B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109155225A (zh) * | 2016-03-04 | 2019-01-04 | 飞纳世界控股有限公司 | 扫描电子显微镜 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1293196A patent/JPH0816116B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109155225A (zh) * | 2016-03-04 | 2019-01-04 | 飞纳世界控股有限公司 | 扫描电子显微镜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0816116B2 (ja) | 1996-02-21 |
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